JP2006231475A - セラミックハニカム構造体の加工方法およびその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 取付具上においてセラミックハニカム構造体51の外周と端面のなす直角度が測定され、該直角度が所定範囲内になるよう、前記セラミックハニカム構造体の姿勢が補正された後、前記セラミックハニカム構造体の端面に加工が施されることを特徴とするセラミックハニカム構造体の加工方法。
【選択図】 図2
Description
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係るハニカム構造体の加工装置10での手前側の測定装置とカップ型研削砥石ほかを省略した斜視模式図である。図1に示す加工装置10は、ハニカム構造体51の取付具11と、この取付具11上のハニカム構造体51の直角度Lを測定する照射手段14A(14B)、受光手段15A(15B)ほかと、この照射手段14A(14B)、受光手段15A(15B)による測定値からハニカム構造体51が所定範囲の直角度Lでないときに取付具11を補正する制御装置(図示せず)とを備え、この制御装置により直角度Lが補正されたハニカム構造体51の端面(56a)56bにカップ型研削砥石22で加工が施されるようになっている。なお、Bは機台、20は送り装置である。
図2は、図1のハニカム構造体の加工装置10の詳細と加工工程を示し、(A)は、ハニカム構造体51が取付具11上に取り付けられている状態、(B)は、ハニカム構造体51の長手方向両端部近くの各外周52a、52bが測定されている状態、(C)は、取付具11を設定された直角度LAに補正している状態、(D)は、取付具11上のハニカム構造体51の端面56a、56bに加工を施そうとしている状態の、各々、上段は平面模式図、下段は断面模式図である。また、図3は、図2(B)(C)をまたさらに説明するための図である。
図4は、実施の形態2に係る加工装置での主に測定装置の模式図である。なお、加工装置は、測定装置以外は、上述した実施の形態1と同様の構成としている。図4に示す測定装置は、ハニカム構造体51の奥側の端部近くの外周52aには、この外周52aに向けて帯状のリニアビームを照射する、前述した実施の形態1と同様の照射手段14Aと、この照射手段14Aと対となる受光手段15Aが配置され、さらに、ハニカム構造体51を挟んだ反対側にも、外周52aに向けて帯状のリニアビームを照射する照射手段14Cと、この照射手段14Cと対となる受光手段15Cが配置されている。一方、ハニカム構造体51の手前側の端部近くの外周52bには、この外周52bに向けて帯状のリニアビームを照射する、前述した実施の形態1と同様の照射手段14Bと、この照射手段14Bと対となる受光手段15Bが配置され、さらに、ハニカム構造体51を挟んだ反対側にも、外周52bに向けて帯状のリニアビームを照射する照射手段14Dと、この照射手段14Dと対となる受光手段15Cが配置されている。照射手段14A、14B、14C、14D、受光手段15A、15B、15C、15Dは、前述した図2と同様に、各々枠体(図示せず)に固定されている。枠体は、パルスモータによって、八つの測定点(a)・(e)0°、(b)・(f)45°、(c)・(g)90°、(d)・(h)135°に旋回可能で、かつ各測定点(a)・(e)、(b)・(f)、(c)・(g)、(d)・(h)で進退可能(点線矢印で示す)にされている。そして、枠体は、各測定点(a)・(e)、(b)・(f)、(c)・(g)、(d)・(h)に旋回され、静止された後に、照射手段14A〜14Dと受光手段15A〜15Dが作動するようにされている。
11:取付具
11a、11b:当接部位
12:クランプ
13:取付台
14:測定装置
14A、14B、14C、14D:照射手段
15A、15B、15C、15D:受光手段
16、18、19:パルスモータ
17:枠体
20:送り装置
21:研削砥石
50:ハニカムフィルタ(セラミックハニカムフィルタ)
51:ハニカム構造体(セラミックハニカム構造体)
52、52a、52b:外周
52c、52d:角部
52w:外周壁
53、54:流路
56a、56b:端面
56a−1、56a−2、56b−1、56b−2:端点
56a−1’、56a−2’:交差する点
57a、57b:封止材
58a、58b:把持部材
59:収納容器
60:切断装置
61:長尺なハニカム構造体
62:外周
66:端面
63:切断部チャック
63a:第1チャック
63b:第2チャック
63c:凹部
64:補助チャック
65:切断刃
Aa、Ab、Ac、Ad、Ba、Bb、Bc、Bd、Ca、Cb、Cc、Cd、Da、Db、Dc、Dd:受光したリニアビームの幅
L、L1、L2、La、Lb、Lc、Ld、Le、Lf、Lg、Lh:直角度
T1、T2:端面の平面に垂直な直線
Θ1、Θ2:旋回
Claims (6)
- 取付具上においてセラミックハニカム構造体の外周と端面のなす直角度が測定され、該直角度が所定範囲内になるよう、前記セラミックハニカム構造体の姿勢が補正された後、前記セラミックハニカム構造体の端面に加工が施されることを特徴とするセラミックハニカム構造体の加工方法。
- セラミックハニカム構造体の取付具と、該取付具上で前記セラミックハニカム構造体の直角度を測定する測定装置と、該測定装置による測定値から前記セラミックハニカム構造体が所定範囲の直角度になるよう前記取付具を補正する制御装置とを備え、該制御装置により姿勢が補正されたセラミックハニカム構造体の端面に加工が施されることを特徴とするセラミックハニカム構造体の加工装置。
- 前記測定装置は、前記セラミックハニカム構造体の端部近くの外周に近接して配置されて、該外周に向けて帯状のリニアビームを照射する照射手段と、該照射手段からのリニアビームを受光する受光手段とを備え、前記受光手段で受光したリニアビームの幅を演算して前記セラミックハニカム構造体の直角度を求めることを特徴とする請求項2に記載のセラミックハニカム構造体の加工装置。
- 前記照射手段と受光手段は、前記セラミックハニカム構造体の両端部近くの外周に近接して、少なくとも一対配置されていることを特徴とする請求項3に記載のセラミックハニカム構造体の加工装置。
- 前記照射手段と受光手段は、前記セラミックハニカム構造体の周囲で進退可能および/または旋回可能に配置されていることを特徴とする請求項2乃至請求項4何れかに記載のセラミックハニカム構造体の加工装置。
- 前記加工を施すための工具がカップ型研削砥石であることを特徴とする請求項2に記載のセラミックハニカム構造体の加工装置。
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