JP2006222449A5

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Publication number: JP2006222449A5
Application number: JP2006112479A
Authority: JP
Filing date: 2006-04-14
Publication date: 2006-11-16
Anticipated expiration: 2022-09-03

Claims

少なくともＡｌを含むIII族窒化物膜を製造する方法であって、
高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造を主面に有する単結晶基板の、前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とする、III族窒化物膜の製造方法。
少なくともAlを含むIII族窒化物膜の製造する方法であって、
サファイア基板を、還元性の窒素元素を含む雰囲気で表面処理することにより、当該基板の主面上に高さ0.5nm〜5nmの針状構造を形成し、
前記主面上において、前記III族窒化物膜を前記針状構造を介して形成することを特徴とするIII族窒化物膜の製造方法。
前記針状構造の針状部の密度が１個／μｍ²以上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記III族窒化物膜は、Ａｌを全III族元素に対して５０原子％以上の割合で含有することを特徴とする、請求項１〜３に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されることを特徴とする、請求項４に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記III族窒化物膜は、ＣＶＤ法を用いて１１００℃以上の温度で形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記III族窒化物膜は、１１００〜１２５０℃で形成することを特徴とする、請求項６に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記III族窒化物膜のＸ線ロッキングカーブにおける（００２）面の半値幅が１００秒以下であり、（１０２）面の半値幅が２０００秒以下であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記針状構造は、還元性の窒素元素を含む雰囲気で基板表面処理を加えることにより製造することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
前記還元性の窒素元素を含む雰囲気がアンモニアガス雰囲気であることを特徴とする、請求項９に記載のIII族窒化物膜の製造方法。
所定の単結晶基板と、この単結晶基板の主面上において高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造とを具えることを特徴とする、エピタキシャル成長用基板。
前記針状構造の針状部の密度が１個／μｍ²以上であることを特徴とする、請求項１０に記載のエピタキシャル成長用基板。
請求項１１又は１２に記載のエピタキシャル成長用基板上に形成されたIII族窒化物膜であって、
少なくともＡｌを含み、Ｘ線ロッキングカーブにおける（００２）面の半値幅が１００秒以下であり、（１０２）面の半値幅が２０００秒以下であることを特徴とする、III族窒化物膜。
前記III族窒化物膜は、Ａｌを全III族元素に対して５０原子％以上の割合で含有することを特徴とする、請求項１３に記載のIII族窒化物膜。
前記III族窒化物膜は、ＡｌＮから構成されることを特徴とする、請求項１４に記載のIII族窒化物膜。
請求項１３〜１５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物膜素子用エピタキシャル基板。
請求項１３〜１５のいずれか一に記載のIII族窒化物膜を含むことを特徴とする、III族窒化物素子。