JP2006215036A

JP2006215036A - アナログ半導体装置をテストするデジタルテスト装置

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Publication number: JP2006215036A
Application number: JP2006027485A
Authority: JP
Inventors: Jin-Mo Jang; 張　辰模; Young-Boo Kim; 永富金; Jung-Hye Kim; 貞惠金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-02-03
Filing date: 2006-02-03
Publication date: 2006-08-17
Also published as: US20060170575A1; KR100688527B1; US7423444B2; KR20060089948A

Abstract

【課題】アナログ半導体装置をテストするデジタルテスト装置を提供する。
【解決手段】アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち低周波アナログ信号のみを通過させる低周波パスフィルタ、低周波パスフィルタに連結され、低周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を直流電圧に変換して出力する整流部、アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち高周波アナログ信号のみを通過させる高周波パスフィルタ、高周波パスフィルタに連結され、高周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を直流電圧に変換して出力する高周波パワー検出部、及び整流部及び高周波パワー検出部に共通に連結され、整流部から出力される信号の電圧及び高周波パワー検出部から出力される信号の電圧を測定して、アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部を備えるデジタルテスト装置である。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置をテストするテスト装置に係り、特にアナログ半導体装置から出力されるアナログ信号を直流電圧に変換して測定するデジタルテスト装置に関する。

半導体装置は、アナログ半導体装置とデジタル半導体装置とに大別できる。アナログ半導体装置は、アナログ信号を処理し、演算増幅器、オーディオ出力アンプなどがその例である。デジタル半導体装置は、デジタル信号を処理し、ＳＳＩ（ＳｍａｌｌＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（ＬａｒｇｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ）、メモリＩＣなどがその例である。

このような半導体装置の性能をテストするためにはテスタが使われ、このとき、アナログ半導体装置の性能をテストするためにはアナログテスタが使われ、デジタル半導体装置の性能をテストするためにはデジタルテスタが使われる。

図１は、複数個のアナログ半導体装置１１１，１１２をテストするアナログテスト装置１０１を示す図面である。図１に示すように、アナログテスト装置１０１は、アナログテスタ１３１及び複数個のスイッチ１２１〜１２４を備える。
アナログテスタ１３１は、アナログ信号ＡＮ１〜ＡＮ４をデジタル信号に変換して測定するＡＣデジタイザ１３５を備える。

複数個のスイッチ１２１〜１２４は、アナログ半導体装置１１１，１１２をテストするとき、順次、オンになってアナログ半導体装置１１１，１１２の出力ピンＰ１〜Ｐ４から出力されるアナログ信号ＡＮ１〜ＡＮ４をＡＣデジタイザ１３５に伝達させる。
このように、アナログテスタ１３１がアナログ半導体装置１１１，１１２をテストするためには、必ずＡＣデジタイザ１３５を備えねばならない。

しかし、ＡＣデジタイザ１３５は、非常に高コストであるため、アナログテスタ１３１に複数台を装着できない。
このように、限定された数量のＡＣデジタイザ１３５を使用して複数個のアナログ半導体装置１１１，１１２を同時にテストするためには、複数個のスイッチ１２１〜１２４を使用せざるを得ない。したがって、アナログ半導体装置１１１，１１２をテストする時間が長くなり、これにより、テストのコストが増加する。

また、アナログ半導体装置１１１，１１２から出力されるアナログ信号ＡＮ１〜ＡＮ４の周波数が高くなれば、それを測定するＡＣデジタイザ１３５の性能もそれに比例して良好にならなければならない。ＡＣデジタイザ１３５の性能が良好になれば、ＡＣデジタイザ１３５の価格が大幅に高まるため、アナログ半導体装置１１１，１１２のテストのコストを増加させる結果を引き起こす。

したがって、テストのコストを減らすためには、低価格のテスト装置が必要であり、前記低価のテスト装置は、高周波アナログ信号ＡＮ１を出力するアナログ半導体装置１１１をテストできねばならないだけでなく、多量のアナログ半導体装置１１１，１１２を同時にテストできねばならない。

本発明の目的は、高周波アナログ信号を処理するアナログ半導体装置をテストでき、かつ低価のデジタルテスト装置を提供するところにある。
本発明の他の目的は、多量のアナログ半導体装置を同時にテストでき、かつ低価のデジタルテスト装置を提供するところにある。

前記の目的を達成するために、本発明は、アナログ半導体装置に電気的に連結され、前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号を直流電圧に変換して出力する信号変換部、及び前記信号変換部に電気的に連結され、前記信号変換部から出力される信号の直流電圧を測定して前記アナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部を備えるデジタルテスト装置を提供する。
望ましくは、少なくとも一つの信号変換部及び少なくとも一つのデジタル測定部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできる。

前記の目的を達成するために、本発明は、また、アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち低周波アナログ信号のみを通過させる低周波パスフィルタ、前記低周波パスフィルタに電気的に連結され、前記低周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第１直流電圧に変換して出力する整流部、前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち高周波アナログ信号のみを通過させる高周波パスフィルタ、前記高周波パスフィルタに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第２直流電圧に変換して出力する高周波パワー検出部、及び前記整流部及び前記高周波パワー検出部に電気的に連結され、前記整流部及び前記高周波パワー検出部から出力される第１及び第２直流電圧を測定して、前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部を備えるデジタルテスト装置を提供する。

望ましくは、前記デジタル測定部は、前記整流部から出力される第１直流電圧を基準電圧と比較する第１比較部、前記高周波パワー検出部から出力される第２直流電圧を前記基準電圧と比較する第２比較部、及び前記比較部の出力を入力し、前記比較部の出力によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断する判断部を備える。

望ましくは、また、前記デジタル測定部は、半導体装置をテストする自動試験装置に備えられる。
望ましくは、また、前記低周波パスフィルタ、前記整流部、前記高周波パスフィルタ及び前記高周波パワー検出部は、前記半導体装置と前記自動試験装置とをインターフェーシングするテストボードに備えられる。

望ましくは、また、少なくとも一つの低周波パスフィルタ、少なくとも一つの整流部、少なくとも一つの高周波パスフィルタ、少なくとも一つの高周波パワー検出部及び少なくとも一つの比較部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできる。
望ましくは、また、前記アナログ半導体装置は、前記低周波アナログ信号を出力するピン及び前記高周波アナログ信号を出力する他の一つのピンを備え、前記低周波パスフィルタは、前記ピンに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタは、前記他の一つのピンに電気的に連結される。

望ましくは、また、前記ピン及び前記他の一つのピンは、それぞれ前記アナログ半導体装置に複数個備えられる。
前記の目的を達成するために、本発明は、また、第１及び第２出力ピンを備え、アナログ半導体装置から出力される低周波アナログ信号及び高周波アナログ信号を入力し、外部制御信号により制御されて、低周波アナログ信号は前記第１出力ピンに出力し、前記高周波アナログ信号は前記第２出力ピンに出力するスイッチング部、前記第１出力ピンに電気的に連結され、前記第１出力ピンから出力される低周波アナログ信号の低周波成分のみを通過させる低周波パスフィルタ、前記低周波パスフィルタに電気的に連結され、前記低周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第１直流電圧に変換して出力する整流部、前記第２出力ピンに電気的に連結され、前記第２出力ピンから出力される高周波アナログ信号の高周波成分のみを通過させる高周波パスフィルタ、前記高周波パスフィルタに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第２直流電圧に変換して出力する高周波パワー検出部、及び前記整流部及び前記高周波パワー検出部に電気的に連結され、前記整流部及び前記高周波パワー検出部から出力される第１及び第２直流電圧を測定し、前記第１及び第２直流電圧によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部を備える。

望ましくは、前記スイッチング部は、前記制御信号により制御されるリレイを備える。
望ましくは、また、前記デジタル測定部は、前記整流部から出力される第１直流電圧を基準電圧と比較する第１比較部、前記高周波パワー検出部から出力される第２直流電圧を前記基準電圧と比較する第２比較部、前記第１及び第２比較部の出力を入力し、前記第１及び第２比較部によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断する判断部、及び前記制御信号を発生させるスイッチング制御部を備える。

望ましくは、また、前記デジタル測定部は、半導体装置をテストする自動試験装置に備えられる。
望ましくは、また、前記スイッチング部、前記低周波パスフィルタ、前記整流部、前記高周波パスフィルタ及び前記高周波パワー検出部は、前記半導体装置と前記自動試験装置とをインターフェーシングするテストボードに備えられる。

望ましくは、また、少なくとも一つのスイッチング部、少なくとも一つの低周波パスフィルタ、少なくとも一つの整流部、少なくとも一つの高周波パスフィルタ、少なくとも一つの高周波パワー検出部及び少なくとも一つの比較部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできる。

望ましくは、また、前記アナログ半導体装置は、前記低周波アナログ信号と前記高周波アナログ信号とを共に出力する特定のピンを備え、前記スイッチング部は、前記特定のピンに電気的に連結される。
望ましくは、また、前記特定のピンは、前記アナログ半導体装置に複数個備えられる。

本発明によれば、アナログ半導体装置から出力される高周波数のアナログ信号をテストするとき、高価なＡＣデジタイザを使用せず、低価格のデジタルテスト装置を使用することによって、テストのコストが大幅に減少する。
また、高価なＡＣデジタイザを使用せず、低価格のデジタルテスト装置を使用して多量のアナログ半導体装置を同時にテストできるので、生産性が向上し、テストのコストも大幅に減少する。

以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を表す。

図２は、本発明の第１実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図面である。図２に示すように、デジタルテスト装置２０１は、信号変換部２０３及びデジタル測定部２０５を備える。テストされるアナログ半導体装置２１１は、低周波アナログ信号ＬＡＮ１を出力するピンＰ１及び高周波アナログ信号ＨＡＮ１を出力するピンＰ２を別途に備える。

信号変換部２０３は、外部から入力されるアナログ信号のパワーを直流電圧に変換して出力する。すなわち、アナログ半導体装置２１１をテストするとき、信号変換部２０３は、アナログ半導体装置２１１から出力されるアナログ信号ＬＡＮ１，ＨＡＮ１を入力し、アナログ信号ＬＡＮ１，ＨＡＮ１のパワーを、直流電圧を有する信号ＬＤＣ１，ＨＤＣ１に変換して出力する。
信号変換部２０３は、低周波パスフィルタ２２１、整流部２３１、高周波パスフィルタ２４１及び高周波パワー検出部２５１を備える。

低周波パスフィルタ２２１は、外部から入力されるアナログ信号のうち、低周波成分のアナログ信号のみを通過させる。すなわち、アナログ半導体装置２１１をテストするとき、低周波パスフィルタ２２１は、アナログ半導体装置２１１のピンＰ１に連結され、前記ピンＰ１から出力されるアナログ信号ＬＡＮ１の低周波成分Ｌ１のみを通過させる。したがって、アナログ信号ＬＡＮ１に含まれた高周波成分はいずれも除去される。
整流部２３１は、低周波パスフィルタ２２１に連結され、低周波パスフィルタ２２１から出力される低周波アナログ信号Ｌ１のパワーを直流電圧を有する信号ＬＤＣ１に変換して出力する。整流部２３１については、図４及び図５を通じて詳細に説明する。

高周波パスフィルタ２４１は、外部から入力されるアナログ信号のうち、高周波成分のアナログ信号のみを通過させる。すなわち、アナログ半導体装置２１１をテストするとき、高周波パスフィルタ２４１は、アナログ半導体装置２１１のピンＰ２に連結され、前記ピンＰ２から出力されるアナログ信号ＨＡＮ１の高周波成分Ｈ１のみを通過させる。したがって、アナログ信号ＨＡＮ１に含まれた低周波成分はいずれも除去される。

低周波パスフィルタ２２１及び高周波パスフィルタ２４１は、それぞれ特定の周波数のみを通過させるバンドパスフィルタで構成されることもある。
高周波パワー検出部２５１は、高周波パスフィルタ２４１から出力される高周波アナログ信号Ｈ１のパワーを、直流電圧を有する信号ＨＤＣ１に変換して出力する。高周波パワー検出部２５１の入力信号Ｈ１に対する出力信号ＨＤＣ１の電圧レベルを示すグラフが図３に示されている。

図３は、高周波パワー検出部２５１、例えばアナログデバイス社で生産する半導体装置（ＡＤ８３１３）に入力される二つのアナログ信号３１１，３２１が直流電圧を有する信号ＨＤＣ１に変換されることを測定したグラフである。アナログ信号３１１の周波数は１．９［ＧＨｚ］であり、アナログ信号３２１の周波数は１０［ＭＨｚ］である。

図３に示すように、高周波パワー検出部２５１に入力されるアナログ信号Ｈ１の周波数が高いほど、高周波パワー検出部２５１から出力される信号ＨＤＣ１の直流電圧は高くなる。また、高周波パワー検出部２５１から出力される信号ＨＤＣ１の直流電圧レベルは、高周波パワー検出部２５１に入力される信号Ｈ１のパワーの大きさに比例する。すなわち、高周波パワー検出部２５１に入力される信号Ｈ１のパワーが低ければ、高周波パワー検出部２５１から出力される信号ＬＤＣ１の直流電圧も低く、高周波パワー検出部２５１に入力される信号Ｈ１のパワーが高ければ、高周波パワー検出部２５１から出力される信号ＨＤＣ１の直流電圧も高い。高周波パワー検出部２５１は、この分野で周知されており、ＡＤ８３１３のような半導体装置を含む。したがって、高周波パワー検出部２５１の構成及び動作についての説明は省略する。ＡＤ８３１３が高周波パワー検出部２５１の一例として提示された一方、変調された高周波信号ＲＦを直流出力の同じデシベル値に変換できる他の装置を説明する。

デジタル測定部２０５は、信号変換部２０３から出力される信号ＬＣＤ１，ＨＤＣ１の直流電圧レベルを測定して、アナログ半導体装置２１１の良好／不良を判断する。デジタル測定部２０５は、複数個の比較部２６１，２６２及び判断部２７１を備える。
比較部２６１は、整流部２３１に連結され、整流部２３１から出力される信号ＬＤＣ１の直流電圧を基準電圧（図６のＶ_ｒｅｆ）と比較する。

比較部２６２は、高周波パワー検出部２５１に連結され、高周波パワー検出部２５１から出力される信号ＨＤＣ１の直流電圧を基準電圧（図６のＶ_ｒｅｆ）と比較する。比較部２６１，２６２については、図６を通じて詳細に説明する。
判断部２７１は、比較部２６１，２６２から出力される信号ＣＯ１，ＣＯ２を受けてそれらの良好／不良を判断する。例えば、信号ＣＯ１，ＣＯ２が論理ハイであれば良好と処理され、信号ＣＯ１，ＣＯ２が論理ローであれば不良と処理される。設定によっては、その逆に処理されることもある。

デジタル測定部２０５は、半導体装置をテストする半導体テスタ、すなわち自動試験装置に備えられる。また、信号変換部２０３は、アナログ半導体装置２１１と前記自動試験装置とをインターフェーシングするテストボードに備えられることが望ましい。
前記のように、本発明によるデジタルテスト装置２０１は、アナログ半導体装置２１１から出力されるアナログ信号ＬＡＮ１，ＨＡＮ１の周波数が低い場合には、整流部２３１を通じて直流電圧に変換し、アナログ信号ＬＡＮ１，ＨＡＮ１の周波数が高い場合には、高周波パワー検出部２５１を通じて直流電圧に変換する。また、前記変換された信号ＬＤＣ１，ＨＤＣ１は、デジタル測定部２０５で測定されて良好／不良が判断される。

信号変換部２０３及びデジタル測定部２０５は、いずれも低コストで製作されうる。
このように、本発明によれば、アナログ半導体装置２１１から出力される高周波アナログ信号ＨＡＮ１の周波数がいかほど高くなっても、高価のＡＣデジタイザ（図１の１３５）を使用せず、低価のデジタルテスト装置２０１を使用してテストできる。したがって、アナログ半導体装置２１１のテストのコストが大幅に減少する。

図４は、図２に示した整流部２３１の回路の一実施形態を示す図面であり、図５は、図４に示した整流部２３１の入出力信号の波形図である。図４に示すように、整流部２３１は、ダイオード４１１、キャパシタ４２１及び抵抗４３１を備える。
ダイオード４１１は、入力される低周波アナログ信号Ｌ１を整流し、キャパシタ４２１及び抵抗４３１は、前記整流された信号を平滑させて出力する。

整流部２３１は、出力される信号ＬＤＣ１の直流電圧レベルがアナログ信号Ｌ１のピーク値を有するように整流する回路である。
したがって、整流部２３１に入力される低周波アナログ信号Ｌ１は、図５に示したように、低周波アナログ信号Ｌ１のピーク電圧Ｖ_ｐを直流電圧として有する信号ＬＤＣ１に変換して出力される。

図６は、図２に示した比較部２６１の一実施形態を示す図面である。比較部２６２は、比較部２６１と類似しているので、比較部２６２についての説明は省略する。図６に示すように、比較部２６１は、信号変換部２０３の出力信号ＬＤＣ１及び基準電圧Ｖ_ｒｅｆを入力し、それらの電圧を比較する比較器６１１を備える。比較器６１１は、出力信号ＬＤＣ１の電圧が基準電圧Ｖ_ｒｅｆより高ければ、論理ハイ、すなわち電源電圧Ｖ_ｃｃを出力し、出力信号Ｌ１の電圧が基準電圧Ｖ_ｒｅｆより低ければ、論理ロー、すなわち接地電圧ＧＮＤを出力する。

基準電圧Ｖ_ｒｅｆは、二つの電圧、例えば入力ハイ電圧Ｖｉｈまたは入力ロー電圧Ｖｉｌと設定されることもある。この場合には、出力信号ＬＤＣ１の電圧が入力ロー電圧Ｖｉｌより低ければ論理ローであり、出力信号ＬＤＣ１の電圧が入力ハイ電圧Ｖｉｈより高ければ論理ハイである。このとき、判断部（図２の２７１）は、比較器６１１の出力信号が入力ハイ電圧Ｖｉｈより高いか、または入力ロー電圧Ｖｉｌより低ければ、アナログ半導体装置（図２の２１１）を良好と判断することが望ましい。入力ロー電圧Ｖｉｌと入力ハイ電圧Ｖｉｈとの間は、ハイインピーダンス状態である。

図７は、本発明の第２実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置２１１，２１２を示す図面である。図７に示すように、デジタルテスト装置７０１は、信号変換部７０３及びデジタル測定部７０５を備える。デジタルテスト装置７０１には、複数個のアナログ半導体装置２１１，２１２が連結される。
アナログ半導体装置２１２は、二つのピンＰ３，Ｐ４を有し、ピンＰ３を通じて低周波アナログ信号ＬＡＮ２を出力し、ピンＰ４を通じて高周波アナログ信号ＨＡＮ２を出力する。

デジタルテスト装置７０１は、複数個のアナログ半導体装置２１１，２１２をテストするためのものである。したがって、デジタルテスト装置７０１は、図２のデジタルテスト装置２０１の構成要素を含んで低周波パスフィルタ２２２、整流部２３２、高周波パスフィルタ２４２、高周波パワー検出部２５２及び比較部２６３，２６４をさらに備える。ここで、図２の判断部２７１は、判断部２７１ａに代替される。判断部２７１ａは、４個の比較部２６１〜２６４から出力される信号ＣＯ１〜ＣＯ４についての良好／不良を判断する。

信号変換部７０３に備えられる低周波パスフィルタ２２２、整流部２３２、高周波パスフィルタ２４２及び高周波パワー検出部２５２は、それぞれ信号変換部７０３に備えられる低周波パスフィルタ２２１、整流部２３１、高周波パスフィルタ２４１及び高周波パワー検出部２５１と同じ構成及び動作を行い、デジタル測定部７０５に備えられる比較部２６３，２６４は、デジタル測定部７０５に備えられる比較部２６１，２６２と同じ構成及び動作を行う。したがって、それらについての重複説明は省略する。

図７に示したように、デジタルテスト装置７０１は、複数個のアナログ半導体装置２１１，２１２を同時にテストできる。また、信号変換部７０３及びデジタル測定部７０５を低コストで製作できる。
このように、多量のアナログ半導体装置２１１，２１２のテストにおいて、高価なＡＣデジタイザ（図１の１３５）を使用せず、低価格のデジタルテスト装置７０１を使用することによって、テストのコストが大幅に減少する。

図８は、本発明の第３実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図面である。図８に示すように、デジタルテスト装置８０１は、信号変換部８０３及びデジタル測定部８０５を備える。
ここで、アナログ半導体装置８１１は、一つのピンＰ１から低周波アナログ信号及び高周波アナログ信号を選択的に出力する。このように、図８に示したデジタルテスト装置８０１は、一つのピンＰ１から二つのアナログ信号を出力するアナログ半導体装置８１１をテストするためのものである。

信号変換部８０３は、スイッチング部８２１、低周波パスフィルタ２２１、整流部２３１、高周波パスフィルタ２４１及び高周波パワー検出部２５１を備える。信号変換部８０３は、図２に示した信号変換部２０１の構成要素を含んでスイッチング部８２１をさらに備える。したがって、低周波パスフィルタ２２１、整流部２３１、高周波パスフィルタ２４１及び高周波パワー検出部２５１については重複説明を省略する。

スイッチング部８２１は、二つの出力ピン８２３，８２５を備え、制御信号ＣＯＮＴ１により制御されて外部から入力されるアナログ信号を出力ピン８２３，８２５のうち一つに出力する。すなわち、アナログ半導体装置８１１をテストするとき、スイッチング部８２１は、アナログ半導体装置８１１のピンＰ１を通じて出力されるアナログ信号ＡＮ１を入力し、制御信号ＣＯＮＴ１により制御されてアナログ信号ＡＮ１を出力ピン８２３，８２５のうち一つに出力する。例えば、制御信号ＣＯＮＴ１が論理ハイであれば、スイッチング部８２１は、アナログ信号ＡＮ１を出力ピン８２３に出力し、制御信号ＣＯＮＴ１が論理ローであれば、スイッチング部８２１は、アナログ信号ＡＮ１を出力ピン８２５に出力する。その逆に構成されることもある。

具体的に、アナログ信号ＡＮ１が低周波であるとき、アナログ信号ＡＮ１が出力ピン８２３に出力されるように制御信号ＣＯＮＴ１が動作し、アナログ信号ＡＮ１が高周波であるときは、アナログ信号ＡＮ１が出力ピン８２５に出力されるように制御信号ＣＯＮＴ１が動作する。スイッチング部８２１は、リレイで構成されることが望ましい。

デジタル測定部８０５は、複数個の比較部２６１，２６２、判断部２７１及びスイッチング制御部８３１を備える。デジタル測定部８０５は、図２に示したデジタル測定部２０５にスイッチング制御部８３１が追加されたものである。したがって、比較部２６１，２６２及び判断部２７１については重複説明を省略する。

スイッチング制御部８３１は、スイッチング部８２１に電気的に連結される。スイッチング制御部８３１は、制御信号ＣＯＮＴ１を発生させてスイッチング部８２１の動作を制御する。スイッチング制御部８３１は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）やマイクロコントローラで構成される。スイッチング制御部８３１は、ソフトウェアに代替することもある。

前記のように、デジタルテスト装置８０１は、スイッチング部８２１及びスイッチング制御部８３１を備えることによって、アナログ半導体装置８１１の特定のピンＰ１から二つのアナログ信号、すなわち低周波アナログ信号及び高周波アナログ信号が共に出力される場合に、信号変換部８０３の構成を変更させるか、または他のものに交替せずにもそれらの信号を測定できる。また、信号変換部８０３及びデジタル測定部８０５は、低コストで製作が可能である。

このように、アナログ半導体装置８１１から出力される高周波数のアナログ信号ＨＡＮ１を測定するとき、高価のＡＣデジタイザ（図１の１３５）を使用せず、低価格のデジタルテスト装置８０１を使用することによって、テストのコストが大幅に減少する。

図９は、本発明の第４実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図面である。図９に示すように、デジタルテスト装置９０１は、信号変換部９０３及びデジタル測定部９０５を備え、デジタルテスト装置９０１には、複数個のアナログ半導体装置８１１，８１２が連結される。
このように、デジタルテスト装置９０１は、複数個のアナログ半導体装置８１１，８１２をテストするためのものである。

アナログ半導体装置８１２は、一つのピンＰ２から二つのアナログ信号、すなわち低周波アナログ信号及び高周波アナログ信号を選択的に出力する。
信号変換部９０３は、複数個のスイッチング部８２１，８２２、複数個の低周波パスフィルタ２２１，２２２、複数個の整流部２３１，２３２、複数個の高周波パスフィルタ２４１，２４２及び複数個の高周波パワー検出部２５１，２５２を備える。

ここで、スイッチング部８２２、低周波パスフィルタ２２２、整流部２３２、高周波パスフィルタ２４２及び高周波パワー検出部２５２は、それぞれスイッチング部８２１、低周波パスフィルタ２２１、整流部２３１、高周波パスフィルタ２４１及び高周波パワー検出部２５１と同じ構成及び動作を行うので、それらについての重複説明は省略する。

デジタル測定部９０５は、比較部２６１〜２６４、判断部９７１及びスイッチング制御部８４２を備える。ここで、比較部２６３，２６４は、比較部２６１，２６２と同じ構成及び動作を行うので、それらについての重複説明は省略する。
判断部９７１は、比較部２６１〜２６４から出力される信号ＣＯ１〜ＣＯ４を入力し、それらについての良好／不良を判断する。
スイッチング制御部８４２は、制御信号ＣＯＮＴ１，ＣＯＮＴ２を発生させてスイッチング部８２１，８２２の動作を制御する。

図９に示したように、デジタルテスト装置９０１は、複数個のアナログ半導体装置８１１，８１２を同時にテストできる。また、信号変換部９０３及びデジタル測定部９０５は、低コストで製作が可能である。
このように、本発明は、多量のアナログ半導体装置８１１，８１２のテストにおいて、高価なＡＣデジタイザ（図１の１３５）を使用せず、低価格のデジタルテスト装置９０１を使用することによって、テストのコストが大幅に減少する。

図面と明細書で最適の実施形態が開示され、ここで使われた用語は、単に本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるので、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲に記載の技術的思想により決まらねばならない。

本発明は、半導体装置をテストするテスト装置関連の技術分野に適用可能である。

従来のアナログテスト装置のブロック図及びそれに連結された複数個のアナログ半導体装置を示す図である。本発明の第１実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図である。図２に示した高周波パワー検出部の入力信号に対する出力信号の電圧レベルを示すグラフである。図２に示した整流部の回路の一実施形態を示す図である。図４に示した整流部の入出力信号の波形図である。図２に示した比較部のうち一つの一実施形態を示す図面である。本発明の第２実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図である。本発明の第３実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図である。本発明の第４実施形態によるデジタルテスト装置のブロック図及びそれに連結されたアナログ半導体装置を示す図である。

符号の説明

２０１…デジタルテスト装置
２０３…信号変換部
２０５…デジタル測定部
２１１…アナログ半導体装置
２２１…低周波パスフィルタ
２３１…整流部
２４１…高周波パスフィルタ
２５１…高周波パワー検出部
２６１，２６２…比較部
２７１…判断部

Claims

アナログ半導体装置に電気的に連結され、前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号を直流電圧に変換して出力する信号変換部と、
前記信号変換部に電気的に連結され、前記信号変換部から出力される信号の直流電圧を測定して前記アナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部と
を備えることを特徴とするデジタルテスト装置。
少なくとも一つの信号変換部及び少なくとも一つのデジタル測定部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできることを特徴とする請求項１に記載のデジタルテスト装置。
アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち低周波アナログ信号のみを通過させる低周波パスフィルタと、
前記低周波パスフィルタに電気的に連結され、前記低周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第１直流電圧に変換して出力する整流部と、
前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号のうち高周波アナログ信号のみを通過させる高周波パスフィルタと、
前記高周波パスフィルタに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第２直流電圧に変換して出力する高周波パワー検出部と、
前記整流部及び前記高周波パワー検出部に電気的に連結され、前記整流部及び前記高周波パワー検出部から出力される第１及び第２直流電圧を測定して、前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部と
を備えることを特徴とするデジタルテスト装置。
前記デジタル測定部は、
前記整流部から出力される第１直流電圧を基準電圧と比較する第１比較部と、
前記高周波パワー検出部から出力される第２直流電圧を前記基準電圧と比較する第２比較部と、
前記比較部の出力を入力し、前記比較部の出力によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断する判断部と
を備えることを特徴とする請求項３に記載のデジタルテスト装置。
前記デジタル測定部は、
半導体装置をテストする自動試験装置に備えられることを特徴とする請求項３に記載のデジタルテスト装置。
前記低周波パスフィルタ、前記整流部、前記高周波パスフィルタ及び前記高周波パワー検出部は、前記半導体装置と前記自動試験装置とをインターフェーシングするテストボードに備えられることを特徴とする請求項５に記載のデジタルテスト装置。
少なくとも一つの低周波パスフィルタ、少なくとも一つの整流部、少なくとも一つの高周波パスフィルタ、少なくとも一つの高周波パワー検出部及び少なくとも一つの比較部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできることを特徴とする請求項３に記載のデジタルテスト装置。
前記アナログ半導体装置は、前記低周波アナログ信号を出力するピン及び前記高周波アナログ信号を出力する他の一つのピンを備え、前記低周波パスフィルタは、前記ピンに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタは、前記他の一つのピンに電気的に連結されることを特徴とする請求項３に記載のデジタルテスト装置。
前記ピン及び前記他の一つのピンは、それぞれ前記アナログ半導体装置に複数個備えられることを特徴とする請求項８に記載のデジタルテスト装置。
第１及び第２出力ピンを備え、アナログ半導体装置から出力される低周波アナログ信号及び高周波アナログ信号を入力し、外部制御信号により制御されて、低周波アナログ信号は前記第１出力ピンに出力し、前記高周波アナログ信号は前記第２出力ピンに出力するスイッチング部と、
前記第１出力ピンに電気的に連結され、前記第１出力ピンから出力される低周波アナログ信号の低周波成分のみを通過させる低周波パスフィルタと、
前記低周波パスフィルタに電気的に連結され、前記低周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第１直流電圧に変換して出力する整流部と、
前記第２出力ピンに電気的に連結され、前記第２出力ピンから出力される高周波アナログ信号の高周波成分のみを通過させる高周波パスフィルタと、
前記高周波パスフィルタに電気的に連結され、前記高周波パスフィルタから出力されるアナログ信号を第２直流電圧に変換して出力する高周波パワー検出部と、
前記整流部及び前記高周波パワー検出部に電気的に連結され、前記整流部及び前記高周波パワー検出部から出力される第１及び第２直流電圧を測定し、前記第１及び第２直流電圧によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断するデジタル測定部と
を備えることを特徴とするデジタルテスト装置。
前記スイッチング部は、前記制御信号により制御されるリレイを備えることを特徴とする請求項１０に記載のデジタルテスト装置。
前記デジタル測定部は、
前記整流部から出力される第１直流電圧を基準電圧と比較する第１比較部と、
前記高周波パワー検出部から出力される第２直流電圧を前記基準電圧と比較する第２比較部と、
前記第１及び第２比較部の出力を入力し、前記第１及び第２比較部によって前記アナログ半導体装置から出力されるアナログ信号の良好／不良を判断する判断部と、
前記制御信号を発生させるスイッチング制御部と
を備えることを特徴とする請求項１０に記載のデジタルテスト装置。
前記デジタル測定部は、
半導体装置をテストする自動試験装置に備えられることを特徴とする請求項１０に記載のデジタルテスト装置。
前記スイッチング部、前記低周波パスフィルタ、前記整流部、前記高周波パスフィルタ及び前記高周波パワー検出部は、前記半導体装置と前記自動試験装置とをインターフェーシングするテストボードに備えられることを特徴とする請求項１３に記載のデジタルテスト装置。
少なくとも一つのスイッチング部、少なくとも一つの低周波パスフィルタ、少なくとも一つの整流部、少なくとも一つの高周波パスフィルタ、少なくとも一つの高周波パワー検出部及び少なくとも一つの比較部をさらに備えて、複数個のアナログ半導体装置を同時にテストできることを特徴とする請求項１０に記載のデジタルテスト装置。
前記アナログ半導体装置は、前記低周波アナログ信号と前記高周波アナログ信号とを共に出力する特定のピンを備え、前記スイッチング部は、前記特定のピンに電気的に連結されることを特徴とする請求項１０に記載のデジタルテスト装置。
前記特定のピンは、前記アナログ半導体装置に複数個備えられることを特徴とする請求項１６に記載のデジタルテスト装置。