JP2006210598A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は基板に付着した有機物を洗浄除去するために有効な基板の処理装置及び処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and processing method effective for cleaning and removing organic substances adhering to a substrate.
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、これらの対象物であるガラス基板や半導体ウエハなどの基板にレジストを塗布し、現像処理してからエッチング処理をすることで、基板の表面に回路パターンを精密に形成する。基板に回路パターンを形成したならば、その基板の表面に付着しているレジスト膜やレジスト残渣などの有機物を除去する洗浄処理が行われる。 For example, in a manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, a resist is applied to a substrate such as a glass substrate or a semiconductor wafer, which is an object, and a development process is performed before an etching process. A circuit pattern is precisely formed. When the circuit pattern is formed on the substrate, a cleaning process is performed to remove organic substances such as a resist film and a resist residue adhering to the surface of the substrate.
レジスト膜を洗浄除去する場合、アミン系の剥離液が用いられる。しかしながら、剥離液は高価である。しかも、最近では液晶用のガラス基板は大型化している。そのため、基板を洗浄処理するために大量の剥離液を使用量することになるから、コスト高を招くということがある。 When removing the resist film by washing, an amine-based stripping solution is used. However, the stripping solution is expensive. Moreover, recently, glass substrates for liquid crystals have become larger. Therefore, a large amount of stripping solution is used for cleaning the substrate, which may increase the cost.
上記レジスト膜は、上記エッチング処理時に変質する。変質したレジスト膜を除去するためには、前工程として酸素プラズマやオゾンプラズマなどによるプラズマアッシング工程が必要となる。 The resist film is altered during the etching process. In order to remove the altered resist film, a plasma ashing process using oxygen plasma, ozone plasma or the like is required as a previous process.
レジスト膜を剥離液によって除去する前に、プラズマアッシングを行うようにすると、そのアッシング装置には高価な真空チャンバが必要となるから、設備費が大幅にアップするということになる。
そこで、このような問題を解決するため、特許文献1に示されているように過熱水蒸気(ドライスチーム)を用いてレジスト膜を除去するということが提案されている。
In order to solve such problems, it has been proposed to remove the resist film using superheated steam (dry steam) as disclosed in
特許文献1においては、スチーム供給ユニットと水供給ユニットを有し、過熱水蒸気と水とを適宜組み合わせて供給することで、レジスト膜の除去を、剥離液を用いる場合に比べて安価に効率よく行うことができるというものである。
In
過熱水蒸気はレジスト膜などの有機物に浸透するため、そのレジスト膜を基板の面から剥離することが可能である。しかしながら、レジスト膜を単に過熱水蒸気或いは水が混合された過熱水蒸気によって1回の工程で洗浄するだけでは、基板の表面に微細な粒子状のレジストが残渣として強固に付着して残るということがあるから、基板の洗浄を確実に行うことができないということがある。 Since superheated water vapor permeates organic substances such as a resist film, the resist film can be peeled off from the surface of the substrate. However, if the resist film is simply washed with superheated steam or superheated steam mixed with water in a single step, fine particulate resist may remain firmly attached to the surface of the substrate as a residue. In other words, the substrate cannot be reliably cleaned.
この発明は、基板に有機物が残るようなことなく、この基板を洗浄処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。 It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a processing method capable of cleaning a substrate without leaving an organic substance on the substrate.
この発明は、基板を洗浄処理する処理装置であって、
上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された基板をリンス処理するリンス処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for cleaning a substrate,
A steam treatment unit for treating the substrate with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A chemical processing unit that processes the substrate processed by the vapor processing unit with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
There is provided a substrate processing apparatus comprising: a rinse processing unit that rinses a substrate processed by the chemical processing unit.
この発明は、基板を洗浄処理する処理装置であって、
上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された基板をリンス処理するリンス処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for cleaning a substrate,
A chemical processing unit that processes the substrate with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
A vapor treatment unit that treats the substrate treated by the chemical treatment unit with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
There is provided a substrate processing apparatus comprising: a rinse processing unit that rinses a substrate processed by the vapor processing unit.
この発明は、基板を洗浄処理する処理装置であって、
上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する第1の蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する第2の蒸気処理部と、
この第2の蒸気処理部で処理された基板を洗浄処理する洗浄処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for cleaning a substrate,
A first vapor treatment unit for treating the substrate with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A chemical processing unit that processes the substrate processed by the vapor processing unit with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
A second vapor treatment unit that treats the substrate treated by the chemical treatment unit with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a cleaning processing unit configured to clean the substrate processed by the second vapor processing unit.
上記蒸気処理部は水から過熱水蒸気を作る過熱水蒸気発生機構を有し、
上記過熱水蒸気発生機構は、
上記水の給水管と、
この給水管に設けられ上記水を加熱して水蒸気にする第1の加熱手段と、
上記給水管の上記第1の加熱手段の下流側に設けられこの第1の加熱手段によって作られた水蒸気をさらに加熱して過熱水蒸気にする第2の加熱手段と
を具備したことが好ましい。
The steam processing unit has a superheated steam generation mechanism that creates superheated steam from water,
The superheated steam generation mechanism is
The water supply pipe,
A first heating means provided in the water supply pipe to heat the water into steam;
It is preferable that the apparatus further comprises a second heating unit provided on the downstream side of the first heating unit of the water supply pipe to further heat the water vapor produced by the first heating unit into superheated water vapor.
この発明は、基板を洗浄処理する処理方法であって、
上記基板を加熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する工程と、
上記基板を処理液で処理して基板上の有機物を溶解除去する工程と、
上記過熱水蒸気と処理液とによって処理された基板をリンス液で処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
The present invention is a processing method for cleaning a substrate,
Treating the substrate with heated steam to peel and remove organic matter on the substrate;
Treating the substrate with a treatment liquid to dissolve and remove organic substances on the substrate;
And a step of treating the substrate treated with the superheated steam and the treatment liquid with a rinsing liquid.
この発明は、水から過熱水蒸気を作り、この過熱水蒸気によって基板を処理する処理装置であって、
上記水の給水管と、
この給水管に設けられ上記水を加熱して水蒸気にする第1の加熱手段と、
上記給水管の上記第1の加熱手段の下流側に設けられこの第1の加熱手段によって作られた水蒸気をさらに加熱して過熱水蒸気にする第2の加熱手段と、
この第2の加熱手段によって作られた過熱水蒸気を上記基板に噴射してこの基板を処理する噴射手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
The present invention is a processing apparatus for making superheated steam from water and treating a substrate with the superheated steam,
The water supply pipe,
A first heating means provided in the water supply pipe to heat the water into steam;
Second heating means provided on the downstream side of the first heating means of the water supply pipe to further heat the steam produced by the first heating means to superheated steam;
There is provided a substrate processing apparatus comprising: an injection unit configured to inject superheated steam produced by the second heating unit onto the substrate to process the substrate.
上記給水管には上記水に薬液を混合するための薬液供給管が接続されていることが好ましい。 It is preferable that a chemical liquid supply pipe for mixing the chemical liquid with the water is connected to the water supply pipe.
この発明によれば、基板を過熱水蒸気と処理液とによって処理するため、基板に膜状の有機物は勿論のこと、微細な有機物も残すことなく、その基板の洗浄処理を能率よく確実に行うことが可能となる。 According to the present invention, since the substrate is processed with the superheated steam and the processing liquid, the substrate can be efficiently and reliably cleaned without leaving fine organic matter as well as film-like organic matter on the substrate. Is possible.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1乃至図5はこの発明の第1の実施の形態を示す。図1は処理装置の概略的構成の説明図であって、この処理装置は蒸気処理部1を備えている。この蒸気処理部1は図2に示すように第1のチャンバ2を有する。この第1のチャンバ2の一端には搬入口3、他端には搬出口4が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 to 5 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is an explanatory diagram of a schematic configuration of a processing apparatus, and this processing apparatus includes a
上記第1のチャンバ2内及びこの第1のチャンバ2の前後には搬送手段を構成する複数の搬送ローラ5が軸線を平行にして所定間隔で配設されている。搬送ローラ5は図示しない駆動源によって所定方向に回転駆動されるようになっている。搬送ローラ5は、洗浄処理される液晶表示装置用のガラス基板などの基板Wを上記搬入口3から第1のチャンバ2内に搬送し、搬出口から搬出するようになっている。
In the
上記第1のチャンバ2に搬送される基板Wは、たとえば前工程でエッチング処理されたものであって、図5(a)に示すようにその板面に付着残留するレジスト膜fが上記第1のチャンバ2で後述するように洗浄除去される。
The substrate W transferred to the
上記第1のチャンバ2内には上記基板Wの搬送方向に沿って複数の噴射ノズル7が所定間隔で配置されている。噴射ノズル7は基板Wの搬送方向と交差する幅方向全長にわたるスリット8を有し、後述するごとく供給された過熱水蒸気(ドライスチーム)を上記スリット8から基板Wの上面に向けて噴射するようになっている。
A plurality of
上記過熱水蒸気はインライン方式の過熱水蒸気発生機構11によって作られて上記噴射ノズル7に供給される。過熱水蒸気発生機構11はたとえば純水などの水を供給する給水管12を有する。この給水管12には水をガスや電気などの熱源を利用して加熱し、100℃の水蒸気(ウエットスチーム)を作る第1の加熱手段13が設けられている。
The superheated steam is produced by an inline-type superheated
上記給水管12には、上記第1の加熱手段13の下流側に第2の加熱手段14が設けられている。この第2の加熱手段14は第1の加熱手段13によって作られた水蒸気をさらに加熱してミストを含まない蒸気、つまり過熱水蒸気(ドライスチーム)を作る。
The
第2の加熱手段14は、100℃の水蒸気をそれ以上の温度、たとえば140〜160℃に加熱して加熱水蒸気を作るようになっている。そして、第2の加熱手段14によって作られた過熱水蒸気は上記噴射ノズル7から基板Wに向けて噴射されることになる。
The 2nd heating means 14 heats 100 degreeC water vapor | steam more than that, for example, 140-160 degreeC, and makes heating water vapor | steam. Then, the superheated steam produced by the
上記第2の加熱手段14としては、たとえば100℃に加熱された水蒸気をそれ以上の温度に加熱されたラジエータと熱交換させて加熱する構造など、水蒸気を100℃以上に加熱するための周知の技術が使用される。 As the second heating means 14, for example, a known structure for heating water vapor to 100 ° C. or higher, such as a structure in which water vapor heated to 100 ° C. is heat-exchanged with a radiator heated to a temperature higher than that, is used. Technology is used.
上記給水管12には上記第1の加熱手段13よりも上流側の箇所に第1の流量調整弁16が設けられている。この第1の流量調整弁16によって上記給水管12から上記第1の加熱手段13に供給される水量の調整が可能となっている。
The
上記給水管12には、上記第1の流量調整弁16と第1の加熱手段13との間に薬液供給管17の一端が接続されている。この薬液供給管17には第2の流量調整弁18と給液ポンプ19が設けられているとともに、他端は第1の薬液供給タンク20に接続されている。
One end of a chemical
上記第2の流量調整弁18の開度を調整することで、上記給水管12を流れる水に対して所定量の薬液を混合することができるようになっている。この実施の形態では薬液として基板Wのレジスト膜を除去するのに有効な剥離液が供給される。
By adjusting the opening degree of the second flow
なお、過熱水蒸気発生機構11を構成する部分である、給水管12、第1、第2の過熱手段13,14、薬液供給管17、さらには噴射ノズル7などの剥離液や純水に接触する接液部分は耐熱性及び耐薬品性を備えた材料、たとえばステンレス鋼、テフロン(登録商標)系樹脂或いは石英などの材料によって形成することが好ましい。
It should be noted that the superheated water
上記蒸気処理部1で処理された基板Wは薬液処理部21に搬送される。この薬液処理部21は図3に示すように第2のチャンバ22を有する。この第2チャンバ22の一端には搬入口23、他端には搬出口24が形成されていて、搬送手段を構成する搬送ローラ5によって上記蒸気処理部2で処理された基板Wが搬入される。
The substrate W processed by the
上記第2のチャンバ22内には、このチャンバ22内を搬送される基板Wの上面に薬液としての剥離液を噴射する複数の噴射ノズル25が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で配置されている。
In the
各噴射ノズル25は給液管26の一端に接続されている。この給液管26の中途部には流量調整弁27とポンプ28とが順次設けられ、他端は第2の薬液供給タンク29に接続されている。この第2の薬液供給タンク29には薬液としての剥離液が収容されている。したがって、上記第2のチャンバ22内を搬送される基板Wの上面に上記噴射ノズル25から剥離液を噴射することができるようになっている。
Each
上記薬液処理部21から搬出された基板Wはリンス処理部31に搬入される。このリンス処理部31は図4に示すように第3のチャンバ32を有し、この第3のチャンバ32内には複数の噴射ノズル33が基板Wの搬送方向に沿って所定間隔で配置されている。
The substrate W carried out from the
上記噴射ノズル33には給液管34の一端が接続されている。この給液管34の中途部には流量制御弁35とポンプ36とが設けられ、他端は純水の供給タンク37に接続されている。
One end of a
上記チャンバ32の一端には搬入口38が形成され、他端には搬出口39が形成され手いる。上記薬液処理部21で洗浄処理された基板Wは搬送ローラ5によって上記チャンバ32内に搬送される。チャンバ32内に搬送された基板Wには上記噴射ノズル33からリンス液となる純水が噴射されるようになっている。
A carry-in
上記リンス処理部31には、噴射ノズル33によってリンス処理された基板Wに乾燥用の圧縮空気を噴射するエアーナイフ41が基板Wの搬送方向上流側に向かって所定の角度で傾斜して設けられている。それによって、純水によってリンス処理された基板Wはその後で圧縮空気によって板面に付着残留するリンス液が乾燥除去される。
The rinsing
つぎに、上記構成の洗浄処理装置によって前工程でエッチング処理された基板Wを洗浄処理する場合について説明する。
図5(a)に示すようにレジスト膜fが付着残留する基板Wが蒸気処理部1の第1のチャンバ2内に搬入されると、過熱水蒸気発生機構11によって作られた140〜160℃の温度の過熱水蒸気が噴射ノズル7から基板Wに向かって噴射される。
Next, a description will be given of a case where the substrate W etched in the previous process is cleaned by the cleaning processing apparatus having the above configuration.
As shown in FIG. 5A, when the substrate W on which the resist film f remains adhered is carried into the
過熱水蒸気は有機物であるレジスト膜fを浸透して基板Wとレジスト膜fとの接合面に到達する。それによって、レジスト膜fは膜状態のまま基板Wの板面から剥離除去されることになる。 The superheated water vapor penetrates the resist film f which is an organic substance and reaches the bonding surface between the substrate W and the resist film f. Thereby, the resist film f is peeled and removed from the plate surface of the substrate W in the film state.
過熱水蒸気によってレジスト膜fが剥離除去された基板Wの板面には、膜状のレジストが残留することはないものの、図5(b)に示すように微細な粒子状のレジストpが付着残量していることがある。つまり、基板Wに過熱水蒸気を噴射するだけでは、その基板Wの板面を高い清浄度で洗浄することが難しい。 Although the film-like resist does not remain on the plate surface of the substrate W from which the resist film f has been peeled off by the superheated steam, the fine particle-like resist p remains as shown in FIG. May have. That is, it is difficult to clean the plate surface of the substrate W with high cleanliness only by spraying superheated steam onto the substrate W.
しかしながら、蒸気処理部1で処理された基板Wは、つぎに薬液処理部21で処理される。この薬液処理部21は基板Wの板面に薬液としての剥離液を噴射する。剥離液はレジストを溶解除去する。そのため、基板Wの板面に付着残留した粒子状のレジストpは剥離液によって溶解除去される。
However, the substrate W processed by the
薬液処理部21で剥離液によって処理された基板Wはリンス処理部31に搬入される。このリンス処理部31では、基板Wの板面にリンス液である純水が噴射される。それによって、基板Wの板面からは薬液処理部21で薬液によって溶解されたレジストを含む剥離液が洗浄除去される。その結果、基板Wの板面は高い清浄度で洗浄されることになる。
The substrate W processed with the stripping solution in the
このように、基板Wに付着残留したレジスト膜fを過熱水蒸気によって剥離除去し、その後に基板Wの板面に付着残留した粒子状のレジストpを剥離液で溶解除去するようにした。そのため、レジスト膜fを剥離液だけによって除去する場合に比べて高価な剥離液の使用量を大幅に低減することができるから、洗浄処理作業に要するコストも大幅に低減することができる。 As described above, the resist film f adhered and remaining on the substrate W was peeled and removed by superheated steam, and thereafter the particulate resist p adhered and remained on the plate surface of the substrate W was dissolved and removed with a stripping solution. Therefore, since the amount of expensive stripping solution used can be significantly reduced as compared with the case where the resist film f is removed only by the stripping solution, the cost required for the cleaning processing operation can be greatly reduced.
過熱水蒸気はレジスト膜fを基板Wの板面から剥離して除去する。そのため、剥離液によって溶解除去する場合に比べてその除去を格段に速く行うことができるから、洗浄処理作業の能率向上を図ることができる。 The superheated water vapor is removed by peeling the resist film f from the plate surface of the substrate W. Therefore, the removal can be performed much faster than the case of dissolving and removing with the stripping solution, so that the efficiency of the cleaning processing operation can be improved.
過熱水蒸気発生機構11はインライン方式によって蒸気処理部2に過熱水蒸気を供給するようにしている。つまり、給水管12に第1の過熱手段13と第2の過熱手段14を設け、この給水管12を流れる水を加熱して過熱水蒸気を作って蒸気処理部1の噴射ノズル7に供給するようにしている。
The superheated
そのため、給水管12には過熱水蒸気を作るための水を連続して流すことができるから、第2の加熱手段14によって過熱水蒸気を連続して作ることができる。つまり、多数の基板Wを連続して洗浄処理するような場合であっても、途中で水がなくなって加熱水蒸気を作ることができなくなるということがないから、多量の過熱水蒸気を連続して使用する場合に好適する。
Therefore, since water for producing superheated steam can be continuously flowed through the
すなわち、従来はタンクに水を蓄え、その水を加熱手段に供給して過熱水蒸気を作るということが行われていた。そのため、洗浄作業を連続して行うと、タンク内の水が所定時間でなくなるから、給水のために基板Wの処理を中断しなければならないということがあった。しかしながら、インライン方式によれば、過熱水蒸気を作るための水を連続供給できるから、過熱水蒸気の使用量に制限されることなく、洗浄処理作業を連続して行うことが可能となる。 That is, conventionally, water is stored in a tank, and the water is supplied to heating means to produce superheated steam. For this reason, if the cleaning operation is continuously performed, the water in the tank is not used for a predetermined time, so that the processing of the substrate W has to be interrupted for water supply. However, according to the in-line method, since water for producing superheated steam can be continuously supplied, it is possible to continuously perform the cleaning process operation without being limited by the amount of superheated steam used.
上記過熱水蒸気発生機構11の給水管12に所定の割合で剥離液を供給することができる薬液供給管17を接続したから、第2の加熱手段14で作られる加熱水蒸気に剥離液を含ませることが可能となる。
Since the chemical
基板Wに噴射される過熱水蒸気に剥離液が含まれていれば、加熱水蒸気はレジスト膜fに浸透して基板Wに付着したレジスト膜fをこの基板Wの板面から剥離するだけでなく、基板Wの板面に付着残留する粒子状のレジストpを溶解する作用を呈する。したがって、単に過熱水蒸気を噴射する場合に比べて洗浄効果を高めることができる。 If the superheated steam sprayed onto the substrate W contains a stripping solution, the heated steam not only penetrates the resist film f and peels off the resist film f attached to the substrate W from the plate surface of the substrate W, An effect of dissolving the particulate resist p adhering and remaining on the plate surface of the substrate W is exhibited. Therefore, the cleaning effect can be enhanced as compared with the case of simply injecting superheated steam.
しかも、第1の薬液供給タンク20から給水管12に供給される剥離液の量は、薬液供給管17に設けられた第2の流量調整弁18によって調整できるから、その調整によって基板Wに残留する粒子状のレジストpの量を低減させることができる。
In addition, the amount of the stripping liquid supplied from the first chemical
図6はこの発明の第2の実施の形態を示す。この第2の実施の形態は、最初に基板Wを薬液処理部21で剥離液によって洗浄処理する。ついで、蒸気処理部1に搬入して過熱水蒸気によって洗浄処理してから、リンス処理部31に搬入し、純水によってリンス処理するという工程で行われる。
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the substrate W is first cleaned with a stripping solution in the
このような洗浄工程によれば、薬液処理部21によって基板Wに付着したレジスト膜fの大半を溶解除去できるものの、レジスト膜fの、たとえば前工程のエッチング処理時に変質した部分などは溶解され難いために基板W上に残ってしまうということがある。
According to such a cleaning process, most of the resist film f adhering to the substrate W can be dissolved and removed by the chemical
そのような場合、基板Wを薬液処理部21で洗浄処理した後、蒸気処理部1で処理することで、過熱水蒸気が基板Wに残るレジスト膜fに浸透し、そのレジスト膜fを剥離除去することが可能となる。
In such a case, after the substrate W is cleaned by the
図7はこの発明の第3の実施の形態を示す。この第3の実施の形態は、最初に基板Wを第1の蒸気処理部1Aで過熱水蒸気によって処理する。ついで、薬液処理部21で剥離液によって処理した後、第2の蒸気処理部1Bで再び過熱水蒸気によって処理してからリンス処理部31でリンス処理する。
FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, the substrate W is first processed by superheated steam in the first
このような洗浄工程によれば、第1の実施の形態と同様、第1の蒸気処理部1Aで基板Wに付着したレジスト膜fのほとんどを剥離除去することができ、ついで薬液処理部21によって基板Wに付着残留する粒子状のレジストpを溶解除去することができる。
According to such a cleaning process, as in the first embodiment, most of the resist film f attached to the substrate W can be peeled and removed by the first
洗浄工程の前工程のエッチング処理時にレジスト膜fの一部が変質していたりすると、基板Wには第1の蒸気処理部1Aや薬液処理部21で除去されずにレジスト膜fが残ってしまうことがある。そのため、薬液処理部21で処理された基板Wを第2の蒸気処理部1Bによって過熱水蒸気で処理することで、基板Wに残留するレジスト膜fを剥離除去することが可能となる。
If a part of the resist film f is altered during the etching process before the cleaning process, the resist film f remains on the substrate W without being removed by the first
なお、第2、第3の実施の形態において、第1の実施の形態と同一部分には同一記号を付して説明を省略する。また、第3の実施の形態において、第1、第2の蒸気処理部は第1の実施の形態の蒸気処理部と同じ構成であるので、詳細な説明は省略する。 In the second and third embodiments, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. In the third embodiment, since the first and second steam processing units have the same configuration as the steam processing unit of the first embodiment, detailed description thereof is omitted.
この発明は上記各実施の形態に限定されず、種々変形可能である。たとえば、上記各実施の形態では洗浄対象物の有機物として基板からレジスト膜を剥離する場合について説明したが、洗浄対象物はレジスト膜に限られず、ポリイミド膜などであってもよく、要は基板に膜状に設けられる有機物であれば洗浄除去の対象となる。 The present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously modified. For example, in each of the above embodiments, the case where the resist film is peeled from the substrate as the organic substance to be cleaned has been described. However, the cleaning target is not limited to the resist film, and may be a polyimide film or the like. Any organic substance provided in the form of a film is a target for cleaning and removal.
1,1A,1B…蒸気処理部、11…過熱水蒸気発生機構、12…給水管、13…第1の加熱手段、14…第2の加熱手段、17…薬液供給管、21…薬液処理部、31…リンス処理部。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された基板をリンス処理するリンス処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for cleaning a substrate,
A steam treatment unit for treating the substrate with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A chemical processing unit that processes the substrate processed by the vapor processing unit with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a rinse processing unit that rinses a substrate processed by the chemical processing unit.
上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された基板をリンス処理するリンス処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for cleaning a substrate,
A chemical processing unit that processes the substrate with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
A vapor treatment unit that treats the substrate treated by the chemical treatment unit with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a rinse processing unit that rinses a substrate processed by the vapor processing unit.
上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する第1の蒸気処理部と、
この蒸気処理部で処理された上記基板を処理液によって処理して基板上の有機物を溶解除去する薬液処理部と、
この薬液処理部で処理された上記基板を過熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する第2の蒸気処理部と、
この第2の蒸気処理部で処理された基板を洗浄処理する洗浄処理部と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for cleaning a substrate,
A first vapor treatment unit for treating the substrate with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A chemical processing unit that processes the substrate processed by the vapor processing unit with a processing solution to dissolve and remove organic substances on the substrate;
A second vapor treatment unit that treats the substrate treated by the chemical treatment unit with superheated steam to peel and remove organic substances on the substrate;
A substrate processing apparatus, comprising: a cleaning processing unit configured to clean the substrate processed by the second vapor processing unit.
上記過熱水蒸気発生機構は、
上記水の給水管と、
この給水管に設けられ上記水を加熱して水蒸気にする第1の加熱手段と、
上記給水管の上記第1の加熱手段の下流側に設けられこの第1の加熱手段によって作られた水蒸気をさらに加熱して過熱水蒸気にする第2の加熱手段と
を具備したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板の処理装置。 The steam processing unit has a superheated steam generation mechanism that creates superheated steam from water,
The superheated steam generation mechanism is
The water supply pipe,
A first heating means provided in the water supply pipe to heat the water into steam;
And a second heating means provided on the downstream side of the first heating means of the water supply pipe, and further heating the water vapor produced by the first heating means into superheated steam. The substrate processing apparatus according to claim 1.
上記基板を加熱水蒸気で処理して基板上の有機物を剥離除去する工程と、
上記基板を処理液で処理して基板上の有機物を溶解除去する工程と、
上記過熱水蒸気と処理液とによって処理された基板をリンス液で処理する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 A processing method for cleaning a substrate,
Treating the substrate with heated steam to peel and remove organic matter on the substrate;
Treating the substrate with a treatment liquid to dissolve and remove organic substances on the substrate;
And a step of treating the substrate treated with the superheated steam and the treatment liquid with a rinse liquid.
上記水の給水管と、
この給水管に設けられ上記水を加熱して水蒸気にする第1の加熱手段と、
上記給水管の上記第1の加熱手段の下流側に設けられこの第1の加熱手段によって作られた水蒸気をさらに加熱して過熱水蒸気にする第2の加熱手段と、
この第2の加熱手段によって作られた過熱水蒸気を上記基板に噴射してこの基板を処理する噴射手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A processing apparatus for making superheated steam from water and processing a substrate with the superheated steam,
The water supply pipe,
A first heating means provided in the water supply pipe to heat the water into steam;
Second heating means provided on the downstream side of the first heating means of the water supply pipe to further heat the steam produced by the first heating means to superheated steam;
A substrate processing apparatus, comprising: an injection unit configured to inject superheated steam produced by the second heating unit onto the substrate to process the substrate.
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