JP2002113430A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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JP2002113430A
JP2002113430A JP2000310543A JP2000310543A JP2002113430A JP 2002113430 A JP2002113430 A JP 2002113430A JP 2000310543 A JP2000310543 A JP 2000310543A JP 2000310543 A JP2000310543 A JP 2000310543A JP 2002113430 A JP2002113430 A JP 2002113430A
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liquid
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pure water
processing apparatus
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Mitsuaki Yoshitani
光明 芳谷
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device, which removes a foreign matter adhered to a substrate W by jetting a liquid, capable of enhancing efficiency of the removal treatment of the foreign mater. SOLUTION: The substrate treatment device is provided with an upstream spray nozzle 21a, 21b, a midstream spray nozzle 22a, 22b and a downstream spray nozzle 23a, 23b. The particle size of pure water L2 jetted from the midstream spray nozzle 22a, 22b is smaller than that of pure water L1 jetted from the upstream spray nozzle 21a, 21b and the particle size of pure water L3 jetted from the downstream spray nozzle 23a, 23b is further smaller than that of the pure water L2 jetted from the midstream spray nozzle 22a, 22b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置、特
に、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去す
る基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for removing unnecessary substances adhering to a substrate by jetting a liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置またはプラズマ表示装置用
のガラス基板(FPD基板)や半導体ウエハ、プリント
基板等の製造プロセスにおいては、種々の基板処理が必
要となる。これらの基板処理の中には、基板に付着する
不要物を液体の噴射によって除去する各種のウェット処
理も含まれる。ウェット処理の具体例としては、洗浄処
理、現像処理、レジスト剥離処理などが挙げられる。
2. Description of the Related Art In a process of manufacturing a glass substrate (FPD substrate), a semiconductor wafer, a printed circuit board, and the like for a liquid crystal display device or a plasma display device, various substrate treatments are required. Among these substrate treatments, various wet treatments for removing unnecessary substances adhering to the substrate by spraying a liquid are also included. Specific examples of the wet treatment include a cleaning treatment, a development treatment, a resist peeling treatment, and the like.

【0003】このようなウェット処理を行う基板処理装
置では、ノズルから液体をスプレー(噴射)することが
多い。スプレーされた液体は、基板に付着している不要
物に衝突し、基板から不要物を除去する。不要物とは、
洗浄処理におけるパーティクル、カラーフィルタの現像
処理におけるカラーレジスト、剥離処理におけるパーテ
ィクルやレジスト等である。
In such a substrate processing apparatus that performs wet processing, a liquid is often sprayed (sprayed) from a nozzle. The sprayed liquid collides with unnecessary substances attached to the substrate and removes the unnecessary substances from the substrate. What is unnecessary?
Particles in a cleaning process, color resist in a color filter developing process, particles and a resist in a stripping process, and the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ウェット処理を行う従
来の基板処理装置の中には、処理効率を向上させるため
に、スプレー以外のブラシや超音波といった手段を組み
合わせているものがある。
Some conventional substrate processing apparatuses that perform wet processing combine means other than sprays, such as brushes and ultrasonic waves, in order to improve processing efficiency.

【0005】しかし、精密なパターンが形成されている
プリント基板に対してブラシを用いる場合にはパターン
へのダメージが懸念され、超音波を用いる場合にはコス
トアップを強いられることになる。
However, when a brush is used on a printed circuit board on which a precise pattern is formed, there is a concern that the pattern may be damaged. When an ultrasonic wave is used, the cost is increased.

【0006】また、処理効率の向上を狙って、各チャン
バーのスプレー圧を変える方法を採る装置もある。例え
ば、洗浄処理を行う装置においては、薬液スプレーチャ
ンバー、低圧リンスチャンバー、高圧リンスチャンバ
ー、超純水リンスチャンバー等が並べられるが、それぞ
れのチャンバーにおけるスプレー圧を変えているものが
ある。ここでは、低圧のスプレーによって比較的大きな
不要物を除去し、高圧のスプレーによって比較的小さな
不要物を除去することができる。
There is also an apparatus which employs a method of changing the spray pressure of each chamber in order to improve the processing efficiency. For example, in an apparatus for performing a cleaning process, a chemical spray chamber, a low-pressure rinsing chamber, a high-pressure rinsing chamber, an ultrapure water rinsing chamber, and the like are arranged, and some apparatuses change the spray pressure in each chamber. Here, relatively large unnecessary substances can be removed by low-pressure spray, and relatively small unnecessary substances can be removed by high-pressure spray.

【0007】しかし、スプレー圧を変えるだけでは不要
物を最適な方法で効率的に除去しているとは言えず、飛
躍的な処理時間の短縮は困難である。本発明の課題は、
基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基
板処理装置において、不要物の除去処理の効率を向上さ
せることにある。
However, merely changing the spray pressure does not mean that unnecessary substances are efficiently removed by an optimum method, and it is difficult to drastically reduce the processing time. The object of the present invention is to
It is an object of the present invention to improve the efficiency of unnecessary substance removal processing in a substrate processing apparatus for removing unnecessary substances attached to a substrate by spraying a liquid.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除
去する装置であって、複数のノズルを備えている。これ
らのノズルは、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for removing unnecessary substances adhering to a substrate by spraying a liquid, the apparatus including a plurality of nozzles. These nozzles differ in the particle diameter of the liquid to be ejected.

【0009】ここでは、複数のノズルが、それぞれ粒径
の異なる液体を噴射して、基板から不要物を除去する。
したがって、基板に付着している不要物の構成や種類に
合わせて適切な粒径を設定すれば、基板から不要物を効
率的に除去することができる。
Here, a plurality of nozzles eject liquids having different particle sizes, respectively, to remove unnecessary substances from the substrate.
Therefore, if an appropriate particle size is set according to the configuration and type of the unnecessary material attached to the substrate, the unnecessary material can be efficiently removed from the substrate.

【0010】例えば、不要物のうち比較的大きなものに
対しては、それを除去するのに適した大きな粒径の液体
をあるノズルから噴射させ、不要物のうち比較的小さな
ものやパターン間の小さな隙間にある不要物に対して
は、それを除去するのに適した小さな粒径の液体を違う
ノズルから噴射させることが考えられる。
For example, for a relatively large undesired substance, a liquid having a large particle diameter suitable for removing the undesired substance is ejected from a certain nozzle, and a relatively small undesired substance or a space between patterns is removed. It is conceivable to eject a liquid having a small particle diameter suitable for removing unnecessary matter in a small gap from a different nozzle.

【0011】請求項2に係る基板処理装置は、請求項1
に記載の装置であって、基板を搬送する搬送機構をさら
に備えている。そして、複数のノズルは、基板の搬送に
従って基板に噴射される液体の粒径が次第に小さくなる
ように配置されている、ここでは、複数のノズルは、搬
送されている基板に対して液体を噴射する。したがっ
て、搬送されている基板から見れば、相対的に、各ノズ
ルが順番に異なる粒径の液体を噴射してくる状態とな
る。そして、上記の構成により、基板は、最初に粒径の
大きな液体の噴射を受け、次第に粒径の小さな液体の噴
射を受けるようになる。このため、基板に付着している
不要物のうち比較的大きなものが先に除去され、比較的
小さなものは後に除去される。これにより、大きな不要
物が障害となって小さな不要物が除去されないという不
具合が抑えられるようになる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
3. The apparatus according to claim 1, further comprising a transport mechanism for transporting the substrate. The plurality of nozzles are arranged so that the particle diameter of the liquid ejected to the substrate as the substrate is transported becomes gradually smaller. Here, the plurality of nozzles eject the liquid to the substrate being transported. I do. Therefore, when viewed from the substrate being transported, each nozzle relatively ejects liquid having a different particle size in order. Then, according to the above configuration, the substrate receives the ejection of the liquid having a large particle diameter first, and gradually receives the ejection of the liquid having a small particle diameter. For this reason, a relatively large one of the unnecessary substances adhering to the substrate is removed first, and a relatively small one is removed later. As a result, it is possible to suppress a problem that a large unnecessary object becomes an obstacle and a small unnecessary object is not removed.

【0012】請求項3に係る基板処理装置は、請求項1
又は2に記載の装置であって、複数のノズルは、基板が
絶え間なく液体の噴射を受けるように配置されている。
スプレー圧を変える従来の装置では、各ノズル間の距離
が大きく、特にチャンバー間ではスプレーが途切れるた
め、せっかく除去した比較的大きな不要物が基板に再付
着してしまい、大きな不要物の再付着に阻害されて小さ
な不要物まで除去できなくなるといった不具合が生じる
場合がある。このような現象が起こる場合には、処理の
質を低下させないために、処理時間を長くしなければな
らない。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
Or the apparatus according to 2, wherein the plurality of nozzles are arranged such that the substrate is continuously ejected with the liquid.
With conventional equipment that changes the spray pressure, the distance between each nozzle is large, and the spray is interrupted, especially between chambers. In some cases, such a problem may occur that small undesired substances cannot be removed due to hindrance. If such a phenomenon occurs, the processing time must be increased in order not to degrade the quality of the processing.

【0013】特に、パターンが形成されているプリント
基板では、大きな不要物がパターンの凸部とともに小さ
な不要物を隠すような状態となり、大きな不要物が再付
着すると小さな不要物が除去されにくい傾向がある。
In particular, in a printed circuit board on which a pattern is formed, a large unnecessary object hides a small unnecessary object together with a convex portion of the pattern, and when the large unnecessary object is reattached, the small unnecessary object tends to be difficult to be removed. is there.

【0014】これに対し、請求項3に係る装置では、異
なる粒径の液体を噴射する複数のノズルを使用して処理
効率を上げるとともに、基板が絶え間なく液体の噴射を
受け続けるように各ノズルを配置している。このため、
いったん除去した不要物が基板に再付着することが少な
くなる。したがって、小さな不要物を除去するための液
体の噴射前において除去した大きな不要物が再付着し、
小さな不要物の除去を阻害する現象が抑えられる。これ
により、処理効率がより向上し、処理時間を短縮するこ
とも可能となる。
On the other hand, in the apparatus according to the third aspect, a plurality of nozzles for ejecting liquids having different particle diameters are used to increase the processing efficiency, and each nozzle is provided so that the substrate continuously receives the liquid ejection. Has been arranged. For this reason,
The unnecessary matter once removed is less likely to reattach to the substrate. Therefore, the large unnecessary substances removed before the ejection of the liquid for removing the small unnecessary substances adhere again,
The phenomenon that hinders the removal of small unnecessary substances can be suppressed. Thereby, the processing efficiency is further improved, and the processing time can be shortened.

【0015】請求項4に係る基板処理装置は、請求項1
から3のいずれかに記載の装置であって、複数のノズル
は、互いの間隔が、300mm以下である。ここでは、
隣接するノズルの間隔を300mm以下としているた
め、基板がほぼ絶え間なく液体の噴射を受け続けるよう
になり、いったん除去した不要物の再付着が抑えられ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
3. The apparatus according to any one of items 1 to 3, wherein the plurality of nozzles have a mutual distance of 300 mm or less. here,
Since the distance between the adjacent nozzles is set to 300 mm or less, the substrate can be continuously ejected with the liquid almost continuously, and the re-adhesion of the unnecessary matter once removed can be suppressed.

【0016】請求項5に係る基板処理装置は、請求項1
から4のいずれかに記載の装置であって、複数のノズル
には、少なくとも、第1ノズル及び第2ノズルが含まれ
ている。第2ノズルが噴射する液体の粒径は、第1ノズ
ルが噴射する液体の粒径よりも小さい。第1ノズルから
噴射される液体の粒径は、第2ノズルから噴射される液
体の粒径の2倍以上である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the first aspect.
5. The apparatus according to any one of items 1 to 4, wherein the plurality of nozzles include at least a first nozzle and a second nozzle. The particle size of the liquid ejected by the second nozzle is smaller than the particle size of the liquid ejected by the first nozzle. The particle diameter of the liquid ejected from the first nozzle is at least twice the particle diameter of the liquid ejected from the second nozzle.

【0017】基板処理において除去すべき不要物を効率
的に除去するために試験を繰り返した結果、大きな不要
物及び小さな不要物の両方を効率的に除去するために
は、噴射する液体の粒径に2倍以上(より望ましくは8
倍以上)の開きがある第1及び第2ノズルを設置するこ
とが望ましいことが本願の発明者によって判明した。こ
れに基づき、本請求項の装置では、第1ノズルから噴射
される液体の粒径を、第2ノズルから噴射される液体の
粒径の2倍以上としている。
As a result of repeating the test to efficiently remove unnecessary substances to be removed in the substrate processing, the particle size of the liquid to be jetted is required to efficiently remove both large and small unnecessary substances. More than twice (more preferably 8
It has been found by the present inventor that it is desirable to provide first and second nozzles having an opening of more than twice. Based on this, in the device according to the present invention, the particle diameter of the liquid ejected from the first nozzle is set to be at least twice the particle diameter of the liquid ejected from the second nozzle.

【0018】請求項6に係る基板処理装置は、請求項1
から5のいずれかに記載の装置であって、複数のノズル
は、形状及び液体の供給圧力の違いにより、それぞれ噴
射する液体の粒径が異なる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the first aspect.
6. The apparatus according to any one of items 1 to 5, wherein the plurality of nozzles have different particle diameters of the liquid to be ejected, respectively, depending on the shape and the supply pressure of the liquid.

【0019】請求項7に係る基板処理装置は、請求項6
に記載の装置であって、複数のノズルには、一流体ノズ
ルと二流体ノズルとが含まれている。一流体ノズルは、
液体を単独で噴射する。二流体ノズルは、液体に気体を
混合させて噴射する。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus.
3. The apparatus according to claim 1, wherein the plurality of nozzles include a one-fluid nozzle and a two-fluid nozzle. One-fluid nozzle
Inject the liquid alone. The two-fluid nozzle injects a liquid mixed with a gas.

【0020】ここでは、比較的大きな粒径の液体の噴射
に適している一流体ノズルと比較的小さな粒径の液体の
噴射に適している二流体ノズルとの両方を用いるため、
噴射する液体の最大粒径と最小粒径との寸法の開きを大
きく設定することが容易となる。
Here, since both a one-fluid nozzle suitable for ejecting a liquid having a relatively large particle diameter and a two-fluid nozzle suitable for ejecting a liquid having a relatively small particle diameter are used,
It is easy to set a large difference between the maximum particle size and the minimum particle size of the liquid to be ejected.

【0021】請求項8に係る基板処理装置は、請求項1
から7のいずれかに記載の装置であって、それぞれ噴射
する液体の粒径が異なる複数のノズルは、同じチャンバ
ー内に配置されている。
[0021] The substrate processing apparatus according to the eighth aspect is the first aspect of the invention.
8. The apparatus according to any one of items 1 to 7, wherein a plurality of nozzles each having a different particle diameter of the liquid to be ejected are arranged in the same chamber.

【0022】請求項9に係る基板処理装置は、請求項2
に記載の装置であって、搬送機構は、水平面に対して基
板を傾斜させた状態で、基板を搬送する。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the second aspect.
The transport mechanism transports a substrate in a state where the substrate is inclined with respect to a horizontal plane.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】<全体構成>図1に、本発明の一
実施形態に係る基板処理装置の一部を示す。この基板処
理装置は、表面に配線パターンPT(図2参照)が施さ
れた基板Wを搬送しながら洗浄する装置である。この装
置は、主として、一連のチャンバー(導入チャンバー8
0、水洗チャンバー10,乾燥搬出チャンバー90)
と、各チャンバーを貫通して搬送路を形成する搬送ロー
ラ16とから構成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS <Overall Configuration> FIG. 1 shows a part of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for cleaning while transporting a substrate W having a wiring pattern PT (see FIG. 2) on the surface. This apparatus mainly consists of a series of chambers (introduction chamber 8).
0, washing chamber 10, drying / unloading chamber 90)
And a transport roller 16 that passes through each chamber to form a transport path.

【0024】基板Wが基板処理装置に運ばれてくると、
まず基板Wは導入チャンバー80に搬入される。その
後、基板Wは、水洗チャンバー10に送られて、表面に
付着しているパーティクル等の異物(不要物)が洗い流
される。そして、水洗処理を終えた基板Wは、水洗チャ
ンバー10に隣接する乾燥搬出チャンバー90でエアー
の吹き付けによる乾燥処理が行われた後、装置外に搬出
される。
When the substrate W is carried to the substrate processing apparatus,
First, the substrate W is carried into the introduction chamber 80. Thereafter, the substrate W is sent to the washing chamber 10, where foreign substances (unnecessary substances) such as particles attached to the surface are washed away. Then, the substrate W having been subjected to the rinsing process is carried out of the drying and carrying-out chamber 90 adjacent to the rinsing chamber 10 by a blowing process of air, and then carried out of the apparatus.

【0025】なお、基板Wは図1の左方から右方に向か
う搬送方向Dの向きに搬送されるが、以下、図1左側を
上流側、図1右側を下流側という。すなわち、水洗チャ
ンバー10に関しては、導入チャンバー80が存在する
側が上流側、乾燥搬出チャンバー90が存在する側が下
流側となる。
The substrate W is transported in the transport direction D from left to right in FIG. 1. Hereinafter, the left side in FIG. 1 will be referred to as the upstream side, and the right side in FIG. 1 will be referred to as the downstream side. That is, regarding the washing chamber 10, the side where the introduction chamber 80 exists is the upstream side, and the side where the drying / unloading chamber 90 exists is the downstream side.

【0026】<水洗チャンバーの構成>水洗チャンバー
10は、主として、ケーシング19と、上流スプレーノ
ズル21a,21bと、中流スプレーノズル22a,2
2bと、下流スプレーノズル23a,23bとを備えて
いる。
<Arrangement of Rinse Chamber> The rinse chamber 10 mainly includes a casing 19, upstream spray nozzles 21a and 21b, and middle spray nozzles 22a and 22.
2b and downstream spray nozzles 23a and 23b.

【0027】ケーシング19は、導入チャンバー80と
乾燥搬出チャンバー90との間の空間を囲う枠体であ
り、上流側及び下流側の側面に基板Wを通すための開口
が設けられている。
The casing 19 is a frame that surrounds the space between the introduction chamber 80 and the drying / unloading chamber 90, and has openings on the upstream and downstream sides for passing the substrate W through.

【0028】上流スプレーノズル21a,21bは、ケ
ーシング19内において上流側部分に配置されている。
上流スプレーノズル21aは搬送ローラ16により搬送
される基板Wの上方に配置され、上流スプレーノズル2
1bは基板Wの下方に配置される。これらの上流スプレ
ーノズル21a,21bは、搬送方向Dと直交する方向
に延びる純水供給パイプ11a,11bに装着されてお
り、純水L1を基板Wに向けて噴射する。
The upstream spray nozzles 21a and 21b are arranged in the casing 19 at an upstream portion.
The upstream spray nozzle 21a is disposed above the substrate W transported by the transport roller 16, and the upstream spray nozzle 2a
1b is disposed below the substrate W. These upstream spray nozzles 21a, 21b are mounted on pure water supply pipes 11a, 11b extending in a direction perpendicular to the transport direction D, and spray pure water L1 toward the substrate W.

【0029】また、複数の上流スプレーノズル21a,
21bが装着されている純水供給パイプ11a,11b
は、噴射した純水L1のミストの拡散を防ぐ目的で、図
1に示すような基板W側が開口したミストカバー31
a,31bによって覆われている。
Also, a plurality of upstream spray nozzles 21a,
Pure water supply pipes 11a and 11b to which 21b is attached
Is a mist cover 31 whose substrate W side is open as shown in FIG. 1 for the purpose of preventing the mist of the sprayed pure water L1 from diffusing.
a, 31b.

【0030】中流スプレーノズル22a,22bは、ケ
ーシング19内において上流スプレーノズル21a,2
1bの下流側に配置されている。中流スプレーノズル2
2aは搬送ローラ16により搬送される基板Wの上方に
配置され、中流スプレーノズル22bは基板Wの下方に
配置される。これらの中流スプレーノズル22a,22
bは、搬送方向Dと直交する方向に延びる純水供給パイ
プ12a,12bに装着されており、純水L2を基板W
に向けて噴射する。
The middle spray nozzles 22a, 22b are connected to the upstream spray nozzles 21a, 21
1b is located downstream. Midstream spray nozzle 2
2a is arranged above the substrate W conveyed by the conveyance roller 16, and the midstream spray nozzle 22b is arranged below the substrate W. These midstream spray nozzles 22a, 22
b is attached to pure water supply pipes 12a and 12b extending in a direction orthogonal to the transport direction D, and the pure water L2 is supplied to the substrate W
Inject toward

【0031】また、複数の中流スプレーノズル22a,
22bが装着されている純水供給パイプ12a,12b
は、噴射した純水L2のミストの拡散を防ぐ目的で、図
1に示すような基板W側が開口したミストカバー32
a,32bによって覆われている。
Further, a plurality of midstream spray nozzles 22a,
Pure water supply pipes 12a and 12b to which 22b is attached
Is a mist cover 32 whose substrate W side is open as shown in FIG. 1 for the purpose of preventing the mist of the sprayed pure water L2 from diffusing.
a, 32b.

【0032】下流スプレーノズル23a,23bは、ケ
ーシング19内において中流スプレーノズル22a,2
2bの下流側に配置されている。下流スプレーノズル2
3aは搬送ローラ16により搬送される基板Wの上方に
配置され、下流スプレーノズル23bは基板Wの下方に
配置される。これらの下流スプレーノズル23a,23
bは、搬送方向Dと直交する方向に延びる純水供給パイ
プ13a,13bに装着されており、純水L3を基板W
に向けて噴射する。
The downstream spray nozzles 23a, 23b are connected to the middle spray nozzles 22a, 22
2b is located downstream. Downstream spray nozzle 2
3a is arranged above the substrate W conveyed by the conveyance roller 16, and the downstream spray nozzle 23b is arranged below the substrate W. These downstream spray nozzles 23a, 23
b is attached to pure water supply pipes 13a and 13b extending in a direction orthogonal to the transport direction D, and the pure water L3 is supplied to the substrate W
Inject toward

【0033】また、複数の下流スプレーノズル23a,
23bが装着されている純水供給パイプ13a,13b
は、噴射した純水L3のミストの拡散を防ぐ目的で、図
1に示すような基板W側が開口したミストカバー33
a,33bによって覆われている。
Further, a plurality of downstream spray nozzles 23a,
Pure water supply pipes 13a and 13b to which 23b is attached
Is a mist cover 33 whose substrate W side is open as shown in FIG. 1 for the purpose of preventing the mist of the sprayed pure water L3 from diffusing.
a, 33b.

【0034】<各スプレーノズルから噴射される純水の
粒径>この基板処理装置の水洗チャンバー10では、上
流スプレーノズル21a,21bから噴射される純水L
1の粒径、中流スプレーノズル22a,22bから噴射
される純水L2の粒径、及び下流スプレーノズル23
a,23bから噴射される純水L3の粒径を、段階的に
変えている。装置上流側から下流側に向かって純水の粒
径が段々と小さくなっていくように構成されており、中
流スプレーノズル22a,22bから噴射される純水L
2の粒径は上流スプレーノズル21a,21bから噴射
される純水L1の粒径よりも小さく、下流スプレーノズ
ル23a,23bから噴射される純水L3の粒径は中流
スプレーノズル22a,22bから噴射される純水L2
の粒径よりもさらに小さい。
<Particle Size of Pure Water Sprayed from Each Spray Nozzle> In the washing chamber 10 of the substrate processing apparatus, pure water L sprayed from the upstream spray nozzles 21a and 21b is used.
1, the size of the pure water L2 injected from the midstream spray nozzles 22a and 22b, and the downstream spray nozzle 23
The particle diameter of pure water L3 injected from a and 23b is changed stepwise. The particle size of the pure water gradually decreases from the upstream side to the downstream side of the apparatus, and the pure water L injected from the middle-stream spray nozzles 22a and 22b
2 is smaller than the particle size of the pure water L1 sprayed from the upstream spray nozzles 21a and 21b, and the particle size of the pure water L3 sprayed from the downstream spray nozzles 23a and 23b is sprayed from the midstream spray nozzles 22a and 22b. Pure water L2
Is even smaller than the particle size.

【0035】この基板処理装置における具体的な噴射純
水の設定粒径は、上流スプレーノズル21a,21bで
約300μm、中流スプレーノズル22a,22bで約
100μm、下流スプレーノズル23a,23bで約3
0μmである。
The specific set particle diameter of the jet pure water in this substrate processing apparatus is about 300 μm for the upstream spray nozzles 21a and 21b, about 100 μm for the middle spray nozzles 22a and 22b, and about 3 μm for the downstream spray nozzles 23a and 23b.
0 μm.

【0036】なお、各スプレーノズルから設定粒径の純
水を噴射させるために、各スプレーノズルの先端噴射口
の大きさを変えるとともに、下流スプレーノズル23
a,23bでは、図示しないエアー配管から供給される
エアーをノズル内に引き込み、純水とエアーとを混合さ
せることによって噴射する純水L3の粒径を小さくして
いる。すなわち、ここでは、下流スプレーノズル23
a,23bとして、単独で純水の噴射する一流体ノズル
ではなく、純水にエアーを混合させて噴射する二流体ノ
ズルを採用している。
In order to inject pure water having a set particle diameter from each spray nozzle, the size of the tip injection port of each spray nozzle is changed and the downstream spray nozzle 23 is sprayed.
In a and 23b, the air supplied from an air pipe (not shown) is drawn into the nozzle, and the pure water and the air are mixed to reduce the particle diameter of the injected pure water L3. That is, here, the downstream spray nozzle 23
As a and 23b, not a one-fluid nozzle for jetting pure water alone but a two-fluid nozzle for mixing and jetting air with pure water is adopted.

【0037】また、上記のように各スプレーノズルの構
造を異ならせるとともに、各スプレーノズルに純水を供
給する純水供給ラインをスプレーノズル毎に設けて、各
ノズル構造に適した圧力で純水が各スプレーノズルに供
給されるように構成している。
Further, the structure of each spray nozzle is made different as described above, and a pure water supply line for supplying pure water to each spray nozzle is provided for each spray nozzle, and pure water is supplied at a pressure suitable for each nozzle structure. Is supplied to each spray nozzle.

【0038】<水洗チャンバーでの基板洗浄動作>基板
Wが導入チャンバー80から水洗チャンバー10に搬送
されてくると、基板Wは、まず、上流スプレーノズル2
1a,21bから、約300μmの粒径の純水L1の噴
射を受ける。この約300μmの粒径の純水L1の噴射
は、主として、基板Wの表面に付着している大きな異物
を取り除く。
<Substrate Cleaning Operation in Rinse Chamber> When the substrate W is conveyed from the introduction chamber 80 to the rinse chamber 10, the substrate W is first moved to the upstream spray nozzle 2
Pure water L1 having a particle size of about 300 μm is injected from 1a and 21b. The injection of the pure water L1 having a particle diameter of about 300 μm mainly removes a large foreign matter adhering to the surface of the substrate W.

【0039】基板Wが下流側に搬送されていくと、次
に、中流スプレーノズル22a,22bから、約100
μmの粒径の純水L2が基板Wに噴射される(図2
(a)参照)。ここでは、上流スプレーノズル21a,
21bによる噴射で取り除けなかった異物のうち比較的
大きな異物P1が取り除かれる(図2(b)参照)。
When the substrate W is conveyed to the downstream side, next, about 100 centimeters from the midstream spray nozzles 22a and 22b.
Pure water L2 having a particle size of μm is sprayed onto the substrate W (FIG. 2).
(A)). Here, the upstream spray nozzles 21a,
The relatively large foreign matter P1 is removed from the foreign matter that could not be removed by the injection by 21b (see FIG. 2B).

【0040】さらに下流側に搬送されていくと、基板W
は、図2(c)に示すように、下流スプレーノズル23
a,23bから約30μmの粒径の純水L3の噴射を受
ける。これにより、基板Wの表面に形成されているパタ
ーンPTの間に入り込んだ小さな異物P2や滞留水が除
去される。
When transported further downstream, the substrate W
Is the downstream spray nozzle 23 as shown in FIG.
a, 23b are injected with pure water L3 having a particle size of about 30 μm. As a result, small foreign matter P2 and stagnant water that have entered between the patterns PT formed on the surface of the substrate W are removed.

【0041】なお、図2においては、理解の容易のため
に、基板Wの下面の洗浄については図示を省略してい
る。 <装置の特徴> (1)本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノ
ズル21a,21b、中流スプレーノズル22a,22
b、下流スプレーノズル23a,23bが、それぞれ粒
径の異なる純水L1,L2,L3を噴射して、基板Wか
ら異物を除去する。そして、基板Wに付着している異物
に合わせて各スプレーノズルが噴射する純水の粒径を設
定しているため、基板Wから効率的に異物が除去され
る。
In FIG. 2, the cleaning of the lower surface of the substrate W is not shown for easy understanding. <Features of Apparatus> (1) In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the upstream spray nozzles 21a and 21b, the middle spray nozzles 22a and 22
b, The downstream spray nozzles 23a and 23b eject pure water L1, L2 and L3 having different particle sizes, respectively, to remove foreign matter from the substrate W. Since the particle size of the pure water sprayed from each spray nozzle is set according to the foreign matter attached to the substrate W, the foreign matter is efficiently removed from the substrate W.

【0042】(2)本実施形態の基板処理装置では、上
流スプレーノズル21a,21b、中流スプレーノズル
22a,22b、下流スプレーノズル23a,23b
が、基板Wの搬送に従って基板Wに噴射される純水の粒
径が次第に小さくなるように配置されている。このた
め、図2(a)に示すように基板W上のパターンPT及
び大きな異物P1に囲まれる空間に小さな異物P2が付
着している場合においても、基板Wに付着している大き
な異物P1が先に除去され、小さな異物P2は下流スプ
レーノズル23a,23bからの純水L3の噴射によっ
て後から除去される。すなわち、大きな異物P1が障害
となって小さな異物P2が除去されないという不具合が
少なくなっている。
(2) In the substrate processing apparatus of the present embodiment, the upstream spray nozzles 21a and 21b, the middle spray nozzles 22a and 22b, and the downstream spray nozzles 23a and 23b
However, they are arranged so that the particle size of pure water injected onto the substrate W as the substrate W is transported becomes gradually smaller. For this reason, as shown in FIG. 2A, even when the small foreign matter P2 adheres to the space surrounded by the pattern PT and the large foreign matter P1 on the substrate W, the large foreign matter P1 adhering to the substrate W remains. The small foreign matter P2 removed first is removed later by the injection of the pure water L3 from the downstream spray nozzles 23a and 23b. That is, the problem that the large foreign matter P1 becomes an obstacle and the small foreign matter P2 is not removed is reduced.

【0043】(3)本実施形態の基板処理装置では、上
流スプレーノズル21a,21bが約300μmの粒径
の純水L1を噴射し、下流スプレーノズル23a,23
bが約30μmの粒径の純水L3を噴射する。すなわ
ち、上流スプレーノズル21a,21bから噴射される
純水L1の粒径は、下流スプレーノズル23a,23b
から噴射される純水L3の粒径の約10倍である。この
ような粒径の設定は、洗浄処理において除去すべき一般
的な異物(パーティクル等)を効率的に除去するために
試験を繰り返した結果得られたものである。試験の結
果、大きな異物及び小さな異物の両方を効率的に除去す
るためには、噴射する純水の粒径に2倍以上(より望ま
しくは8倍以上)の開きがある2種以上のスプレーノズ
ルを設置することが望ましいことが本願の発明者によっ
て判明している。
(3) In the substrate processing apparatus of this embodiment, the upstream spray nozzles 21a and 21b inject pure water L1 having a particle size of about 300 μm, and the downstream spray nozzles 23a and 23b.
b injects pure water L3 having a particle size of about 30 μm. That is, the particle size of the pure water L1 injected from the upstream spray nozzles 21a, 21b is
It is about 10 times the particle size of the pure water L3 injected from. Such a setting of the particle size is obtained as a result of repeating a test in order to efficiently remove general foreign substances (particles and the like) to be removed in the cleaning treatment. As a result of the test, in order to efficiently remove both large foreign matter and small foreign matter, two or more types of spray nozzles having an opening of twice or more (more preferably, eight times or more) the diameter of the pure water to be sprayed are required. It has been found by the present inventor that it is desirable to install

【0044】特に、この実施形態では、上流スプレーノ
ズル21a,21bの粒径が、約300μmであって、
中流スプレーノズル22a,22bの粒径(約100μ
m)の約3倍となっている。さらに、中流スプレーノズ
ル22a,22bの粒径が、約100μmであって、下
流スプレーノズル23a,23bの粒径(約30μm)
の約3倍となっている。すなわち、この実施形態では、
上流スプレーノズル21a,21bと中流スプレーノズ
ル22a,22b、中流スプレーノズル22aと下流ス
プレーノズル23a,23bのそれぞれで、約3倍の粒
径差がある。したがって、それぞれのスプレーノズルが
異なった大きさの異物を有効に除去することになり、幅
広く種々の大きさの異物が有効に除去される。
In particular, in this embodiment, the upstream spray nozzles 21a and 21b have a particle size of about 300 μm,
Particle size of the middle stream spray nozzles 22a and 22b (about 100 μm)
m) is about three times. Further, the particle diameter of the middle spray nozzles 22a and 22b is about 100 μm, and the particle diameter of the downstream spray nozzles 23a and 23b (about 30 μm).
It is about three times as large. That is, in this embodiment,
The upstream spray nozzles 21a and 21b and the middle spray nozzles 22a and 22b, and the middle spray nozzle 22a and the downstream spray nozzles 23a and 23b each have a particle size difference of about three times. Therefore, each of the spray nozzles effectively removes foreign matters of different sizes, and foreign matters of various sizes are effectively removed.

【0045】また、ここでは、装置上流側から下流側に
向かって噴射する純水の粒径を段階的に大きなものから
小さなものへと変化させているため、大きな異物から小
さな異物までが段階的に除去されるようになり、除去効
率が向上している。
In this case, since the particle size of pure water injected from the upstream side to the downstream side of the apparatus is changed stepwise from large to small, the size of large foreign matter to small foreign matter is changed stepwise. And the removal efficiency is improved.

【0046】<第1変形例>図3に、上記実施形態の第
1変形例を示す。ここでは、上流スプレーノズル21
a,21bと中流スプレーノズル22a,22b、及び
中流スプレーノズル22a,22bと下流スプレーノズ
ル23a,23bの間隔を詰めて、基板Wが確実に絶え
間なく純水の噴射を受けるように構成している。
<First Modification> FIG. 3 shows a first modification of the above embodiment. Here, the upstream spray nozzle 21
The intervals between the middle spray nozzles 22a and 22b and the middle spray nozzles 22a and 22b, and between the middle spray nozzles 22a and 22b and the downstream spray nozzles 23a and 23b are narrowed so that the substrate W can be reliably and continuously sprayed with pure water. .

【0047】具体的には、搬送方向Dに隣接するスプレ
ーノズル間の間隔Sを300mm以下にして、基板Wへ
の純水の噴射が切れ目無く為されるようにしている。こ
のように、基板Wが絶え間なく純水の噴射を受け続ける
ように各スプレーノズルを配置しているため、いったん
除去した大きな異物が基板に再付着することが少なくな
る。したがって、小さな異物を除去するための純水の噴
射前において除去した大きな異物が再付着し、小さな異
物の除去を阻害する現象が抑えられる。これにより、処
理効率がより向上し、処理時間も短縮される。
More specifically, the interval S between the spray nozzles adjacent to each other in the transport direction D is set to 300 mm or less so that the pure water can be sprayed onto the substrate W without interruption. In this manner, since the spray nozzles are arranged so that the substrate W continuously receives the jet of pure water, the large foreign matter once removed is less likely to adhere to the substrate. Therefore, it is possible to suppress a phenomenon that the large foreign matter removed before the injection of the pure water for removing the small foreign matter is reattached and hinders the removal of the small foreign matter. Thereby, the processing efficiency is further improved and the processing time is shortened.

【0048】また、図3に示すように各スプレーノズル
間の間隔Sを小さくすることによって、水洗チャンバー
10の長さも短くなり、装置のコンパクト化も図られ
る。 <第2変形例>図4に、上記実施形態の第2変形例を示
す。ここでは、ケーシング19の内部空間を仕切板41
により区切っている。仕切板41は、上流スプレーノズ
ル21a,21bと中流スプレーノズル22a,22b
との間、及び中流スプレーノズル22a,22bと下流
スプレーノズル23a,23bとの間に設けられてお
り、ケーシング19の内部空間を3分割している。
Also, as shown in FIG. 3, by reducing the interval S between the spray nozzles, the length of the washing chamber 10 can be shortened, and the apparatus can be made more compact. <Second Modification> FIG. 4 shows a second modification of the above embodiment. Here, the internal space of the casing 19 is
Are separated by The partition plate 41 includes upstream spray nozzles 21a and 21b and midstream spray nozzles 22a and 22b.
And between the middle spray nozzles 22a and 22b and the downstream spray nozzles 23a and 23b, and divides the internal space of the casing 19 into three parts.

【0049】これにより、上流スプレーノズル21a,
21bの純水L1の噴射に起因するミストは概ね上流ス
プレーノズル21a,21bのある空間51だけに拡散
し、下流側には殆ど拡散しなくなる。また、中流スプレ
ーノズル22a,22bの純水L2の噴射に起因するミ
ストについても、概ね中流スプレーノズル22a,22
bのある空間52だけに拡散し、下流側の下流スプレー
ノズル23a,23bのある空間53には殆ど拡散しな
くなる。
Accordingly, the upstream spray nozzles 21a,
The mist caused by the injection of the pure water L1 of the spray 21b is substantially diffused only in the space 51 where the upstream spray nozzles 21a and 21b are present, and hardly diffuses downstream. Further, the mist caused by the injection of the pure water L2 from the middle-stream spray nozzles 22a and 22b is also substantially equal to the middle-stream spray nozzles 22a and 22b.
b, and hardly diffuses into the space 53 having the downstream downstream spray nozzles 23a and 23b.

【0050】したがって、いったん除去された大きな異
物が下流側に流れて基板Wに再付着するという現象が抑
えられ、異物の除去効率が向上する。なお、図4では、
仕切板41の位置において基板Wに対する純水噴射が途
切れているが、基板Wへの純水噴射が途切れないよう
に、各スプレーノズル間の間隔を詰めたり噴射角度を拡
げたりすることがより望ましい。
Therefore, the phenomenon that the large foreign matter once removed flows downstream and adheres again to the substrate W is suppressed, and the foreign matter removal efficiency is improved. In FIG. 4,
Although the pure water injection to the substrate W is interrupted at the position of the partition plate 41, it is more preferable to reduce the interval between the spray nozzles or to increase the injection angle so that the pure water injection to the substrate W is not interrupted. .

【0051】<第3変形例>図5に、上記実施形態の第
3変形例を示す。ここでは、各スプレーノズルを上流側
に傾斜させて、噴射された純水が下流側に流れることを
抑えている。これにより、いったん除去した異物が下流
側に流れて基板Wに再付着するという現象が少なくな
り、除去効率が向上する。
<Third Modification> FIG. 5 shows a third modification of the above embodiment. Here, each spray nozzle is inclined to the upstream side to suppress the injected pure water from flowing to the downstream side. Thereby, the phenomenon that the foreign matter once removed flows downstream and adheres again to the substrate W is reduced, and the removal efficiency is improved.

【0052】<第4変形例>図6に、上記実施形態の第
4変形例を示す。図6は、水洗チャンバー10の横断面
図である。
<Fourth Modification> FIG. 6 shows a fourth modification of the above embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view of the washing chamber 10.

【0053】ここでは、搬送ローラ16は、基板Wを水
平面に対して傾斜させた状態で搬送する。これに合わせ
て、各スプレーノズルも傾斜した状態で配置されてい
る。この場合には、基板Wに噴射された純水が傾斜に沿
って側方に流れるため基板Wの上面に純水が滞留するこ
とが抑えられる。これにより、基板Wに噴射する純水の
粒径を段階的に変えてきめ細かく異物を除去する本発明
の適用の効果が、より明瞭に現れるようになる。
Here, the transport roller 16 transports the substrate W in a state of being inclined with respect to the horizontal plane. In accordance with this, each spray nozzle is also arranged in an inclined state. In this case, the pure water injected to the substrate W flows sideways along the slope, so that the pure water stays on the upper surface of the substrate W is suppressed. Thereby, the effect of the application of the present invention for finely removing the foreign matter by changing the particle size of the pure water to be injected onto the substrate W in a stepwise manner becomes more apparent.

【0054】一方、傾斜搬送で基板Wの上面に純水が溜
まりにくくなるため異物が再付着する恐れがあるが、下
流スプレーノズル23a,23bによる小さな異物の除
去まで基板Wに絶え間なく純水の噴射を続けてやること
によって、再付着を最小限に抑えることができる。
On the other hand, the pure water hardly collects on the upper surface of the substrate W due to the inclined transfer, and thus there is a possibility that foreign matter may adhere again. Continued spraying can minimize redeposition.

【0055】[他の実施形態] (A)上記実施形態の基板処理装置は基板洗浄のための
装置であるが、本発明を適用することのできる基板処理
装置はこれに限定されるものではない。薬液工程の後に
水洗を行う基板処理装置、レジストやパーティクルを除
去するレジスト剥離装置、カラーレジストの除去処理を
含む現像装置、あるいはこれらの複数の処理を連続的に
行う基板処理装置にも本発明を適用することができる。
[Other Embodiments] (A) Although the substrate processing apparatus of the above embodiment is an apparatus for cleaning a substrate, the substrate processing apparatus to which the present invention can be applied is not limited to this. . The present invention is also applied to a substrate processing apparatus that performs water washing after a chemical solution process, a resist stripping apparatus that removes resist and particles, a developing apparatus that includes a color resist removing process, or a substrate processing apparatus that performs a plurality of these processes continuously. Can be applied.

【0056】(B)上記実施形態の基板処理装置は表面
に配線パターンが施された基板を処理対象としている
が、表面に凹凸のない基板を処理する基板処理装置に対
しても本発明の適用は有効である。さらに、処理対象と
なる基板は、半導体基板用のシリコンウエハ、液晶表示
器用のガラス基板、プリント基板等、種々の基板が想定
される。
(B) Although the substrate processing apparatus of the above embodiment is intended for processing a substrate having a wiring pattern on the surface, the present invention is also applicable to a substrate processing apparatus for processing a substrate having no uneven surface. Is valid. Furthermore, various substrates such as a silicon wafer for a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, and a printed substrate are assumed as substrates to be processed.

【0057】(C)上記実施形態の基板処理装置では純
水を基板Wに噴射する方法で基板洗浄を行っているが、
必要がある場合には、これにブラシや超音波による洗浄
を組み合わせることも可能である。但し、本発明が適用
された上記実施形態の基板処理装置は、従来よりも高い
洗浄能力を備えており、従来ブラシや超音波を必要とし
ていたような場合においてもブラシや超音波による洗浄
を省略することができる。
(C) In the substrate processing apparatus of the above embodiment, the substrate is cleaned by a method of injecting pure water onto the substrate W.
If necessary, this can be combined with brush or ultrasonic cleaning. However, the substrate processing apparatus of the above-described embodiment to which the present invention is applied has a higher cleaning ability than before, and eliminates the need for cleaning with a brush or ultrasonic waves even when a conventional brush or ultrasonic wave is required. can do.

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明では、複数のノズルがそれぞれ粒
径の異なる液体を噴射するように構成しているため、基
板に付着している不要物の構成や種類に合わせて適切な
粒径を設定することにより、基板から不要物を効率的に
除去することができる。
According to the present invention, since a plurality of nozzles are configured to eject liquids having different particle diameters, an appropriate particle diameter is selected in accordance with the structure and type of unnecessary substances attached to the substrate. By setting, unnecessary substances can be efficiently removed from the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略
側面図。
FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】基板から異物が除去される状態を表す図。FIG. 2 is a diagram illustrating a state in which foreign matter is removed from a substrate.

【図3】基板処理装置の第1変形例に係る概略側面図。FIG. 3 is a schematic side view according to a first modification of the substrate processing apparatus.

【図4】基板処理装置の第2変形例に係る概略側面図。FIG. 4 is a schematic side view according to a second modification of the substrate processing apparatus.

【図5】基板処理装置の第3変形例に係る概略側面図。FIG. 5 is a schematic side view according to a third modification of the substrate processing apparatus.

【図6】基板処理装置の第4変形例に係る横断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view according to a fourth modification of the substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 水洗チャンバー 16 搬送ローラ(搬送手段) 19 ケーシング 21a,21b 上流スプレーノズル(第1ノズル) 22a,22b 中流スプレーノズル 23a,23b 下流スプレーノズル(第2ノズル) L1 上流スプレーノズルから噴射される純水 L2 中流スプレーノズルから噴射される純水 L3 下流スプレーノズルから噴射される純水 P1 比較的大きな異物 P2 小さな異物 PT パターン W 基板 Reference Signs List 10 Rinse chamber 16 Conveyance roller (conveyance means) 19 Casing 21a, 21b Upstream spray nozzle (first nozzle) 22a, 22b Midstream spray nozzle 23a, 23b Downstream spray nozzle (second nozzle) L1 Pure water jetted from upstream spray nozzle L2 Pure water sprayed from the midstream spray nozzle L3 Pure water sprayed from the downstream spray nozzle P1 Relatively large foreign matter P2 Small foreign matter PT pattern W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/00 H05K 3/00 Z 3/26 3/26 A Fターム(参考) 2H088 FA17 FA21 FA30 2H090 HC18 JC19 3B201 AA02 AB14 BB22 BB24 BB32 BB33 BB62 CD43 5E343 AA02 AA11 AA12 AA26 EE04 GG11 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI theme coat ゛ (reference) H05K 3/00 H05K 3/00 Z 3/26 3/26 A F term (reference) 2H088 FA17 FA21 FA30 2H090 HC18 JC19 3B201 AA02 AB14 BB22 BB24 BB32 BB33 BB62 CD43 5E343 AA02 AA11 AA12 AA26 EE04 GG11

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に付着する不要物を液体の噴射によっ
て除去する基板処理装置であって、 それぞれ噴射する液体の粒径が異なる複数のノズルを備
えた基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for removing unnecessary substances adhering to a substrate by ejecting a liquid, the apparatus comprising a plurality of nozzles each having a different particle diameter of the liquid to be ejected.
【請求項2】基板を搬送する搬送機構をさらに備え、 前記複数のノズルは、基板の搬送に従って基板に噴射さ
れる液体の粒径が次第に小さくなるように配置されてい
る、請求項1に記載の基板処理装置。
2. The apparatus according to claim 1, further comprising a transport mechanism for transporting the substrate, wherein the plurality of nozzles are arranged so that a particle diameter of a liquid ejected to the substrate as the substrate is transported becomes gradually smaller. Substrate processing equipment.
【請求項3】前記複数のノズルは、基板が絶え間なく液
体の噴射を受けるように配置されている、請求項1又は
2に記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of nozzles are arranged so that the substrate is continuously ejected with the liquid.
【請求項4】前記複数のノズルは、互いの間隔が、30
0mm以下である、請求項1から3のいずれかに記載の
基板処理装置。
4. The plurality of nozzles have an interval of 30 from each other.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus has a thickness of 0 mm or less.
【請求項5】前記複数のノズルには、少なくとも、第1
ノズルと、前記第1ノズルよりも噴射する液体の粒径が
小さい第2ノズルとが含まれており、 前記第1ノズルから噴射される液体の粒径が、前記第2
ノズルから噴射される液体の粒径の2倍以上である、請
求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置。
5. The method according to claim 1, wherein the plurality of nozzles include at least a first
A nozzle that includes a second nozzle having a smaller particle diameter of the liquid ejected than the first nozzle, wherein the particle diameter of the liquid ejected from the first nozzle is smaller than the second nozzle.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the diameter of the liquid is two or more times the particle diameter of the liquid ejected from the nozzle.
【請求項6】前記複数のノズルは、形状及び液体の供給
圧力の違いにより、それぞれ噴射する液体の粒径が異な
る、請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of nozzles have different particle diameters of the liquid to be ejected depending on the shape and the supply pressure of the liquid.
【請求項7】前記複数のノズルには、液体を単独で噴射
する一流体ノズルと、液体に気体を混合させて噴射する
二流体ノズルとが含まれている、請求項6に記載の基板
処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the plurality of nozzles include a one-fluid nozzle that ejects a liquid alone and a two-fluid nozzle that ejects a liquid by mixing a gas. apparatus.
【請求項8】それぞれ噴射する液体の粒径が異なる前記
複数のノズルは、同じチャンバー内に配置されている、
請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置。
8. The plurality of nozzles, each having a different particle diameter of the liquid to be ejected, are arranged in the same chamber.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項9】前記搬送機構は、水平面に対して基板を傾
斜させた状態で、基板を搬送する、請求項2に記載の基
板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the transport mechanism transports the substrate in a state where the substrate is inclined with respect to a horizontal plane.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006289240A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Shibaura Mechatronics Corp Treatment apparatus and treatment method of substrate
JP2007289937A (en) * 2006-03-27 2007-11-08 Fujifilm Corp Method and apparatus for manufacturing microporous membrane
JP2009059777A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Hitachi Chem Co Ltd Roughening treatment device
JP2009189999A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Mitsubishi Electric Corp Filter washing apparatus
JP2011054823A (en) * 2009-09-03 2011-03-17 Shibaura Mechatronics Corp Substrate treatment device and method for treating the same
JP2022092713A (en) * 2020-12-11 2022-06-23 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus
JP2022104543A (en) * 2020-12-28 2022-07-08 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006289240A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Shibaura Mechatronics Corp Treatment apparatus and treatment method of substrate
JP2007289937A (en) * 2006-03-27 2007-11-08 Fujifilm Corp Method and apparatus for manufacturing microporous membrane
JP2009059777A (en) * 2007-08-30 2009-03-19 Hitachi Chem Co Ltd Roughening treatment device
JP2009189999A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Mitsubishi Electric Corp Filter washing apparatus
JP2011054823A (en) * 2009-09-03 2011-03-17 Shibaura Mechatronics Corp Substrate treatment device and method for treating the same
JP2022092713A (en) * 2020-12-11 2022-06-23 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing apparatus
JP7312738B2 (en) 2020-12-11 2023-07-21 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing equipment
JP2022104543A (en) * 2020-12-28 2022-07-08 芝浦メカトロニクス株式会社 Substrate processing device
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