JP2006210483A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SON、QFN構造リードレスセラミックパッケージ形の半導体装置において、二次実装回路基板への電気的接続状態において、接続強度の向上を図る。
【解決手段】 インターポーザー4の表面に半導体素子3を実装してなる、SON、QFN構造リードレスセラミック形の半導体装置2において、インターポーザー4の裏面に形成した裏面電極ランド6の形成部分を半円状に凹ませることにより、裏面電極ランド6を回路基板7の電極ランド8に電気的に接続するように、半導体装置2を回路基板7上に実装する際における、はんだペースト9への沈み込みを深くし、側面電極ランド5へのはんだ濡れ上がりを向上させ、十分なフィレット形成をさせることにより、接続強度の強化を図る。
【選択図】図2
【解決手段】 インターポーザー4の表面に半導体素子3を実装してなる、SON、QFN構造リードレスセラミック形の半導体装置2において、インターポーザー4の裏面に形成した裏面電極ランド6の形成部分を半円状に凹ませることにより、裏面電極ランド6を回路基板7の電極ランド8に電気的に接続するように、半導体装置2を回路基板7上に実装する際における、はんだペースト9への沈み込みを深くし、側面電極ランド5へのはんだ濡れ上がりを向上させ、十分なフィレット形成をさせることにより、接続強度の強化を図る。
【選択図】図2
Description
本発明は、回路基板に電気的接続用の電極ランドを有したSON、QFN構造リードレスセラミックパッケージ型半導体装置の改良に関するものである。
図5は従来のSON構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置の側面図、図6は図5の半導体装置の回路基板接続断面図、図7は図5の半導体装置であり、2は従来型の半導体装置、3は半導体素子、4はセラミックからなるインターポーザー、5はインターポーザー4の側面に形成された側面電極ランド、7は回路基板、8は回路基板7に形成された電極ランド、11はインターポーザー4の裏面に形成された裏面電極ランド、12は回路基板7にインターポーザー4を接続するはんだペースト、13ははんだペースト12が溶融した状態である溶融はんだを示す。
従来のSON構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置2は、図7に示すように、裏面電極ランド11および側面電極ランド6を有している。裏面電極ランド11は、図6に示すように半導体素子3と電気的接続されたインターポーザー4の裏面に回路基板7を固定した際に、回路基板7の電極ランド8と電気的接続をするためのものであり、インターポーザー4の表面に実装された半導体素子3は側面電極ランド6および裏面電極ランド11を介して回路基板7に電気的に接続される。
また、図6に示すように、裏面電極ランド11と回路基板7の電極ランド8とは、はんだペースト12を介して接続される。この時、半導体装置2の側面電極ランド5にはんだペースト12が濡れ上がり、はんだフィレットを形成する。
特開平7−38007号公報
特開2004−87998号公報
図6に示す従来の半導体装置2と回路基板7の電極ランド8との電気的に接続した際、同時に半導体装置2と回路基板7の間が溶融はんだ12によって固定される。ここで、接続信頼性加速試験によって半導体装置2と回路基板7の電極ランド8の接続部分に熱的疲労および機械的疲労等の外的負荷が掛かった場合における影響を実験したところ、溶融はんだ13のエッジ部およびフィレット部に繰り返し応力が加わり、エッジ部の剥れ、フィレット部からのはんだ破断により、電気的接続が断たれることがあった。
したがって、回路基板7に対する半導体装置2の接続強度は、図7に示す裏面電極ランド10と図6に示す回路基板7の電極ランド8との接続状態、および図6に示す側面電極ランド5と図6に示す回路基板7の電極ランド8との間で形成される溶融はんだ13のフィレット形状に影響されると仮定できる。
従来の裏面電極ランド11は、インターポーザー4を構成するセラミックキャリア裏面と同一高さに形成されており、回路基板7との接続において、リフロー装置等によりはんだを溶融させて接続させる。この時溶融したはんだは側面電極ランド5にも濡れ上がるが、はんだ溶融時に半導体装置2が沈み込まず、側面電極ランド5への濡れ上がりを阻害する場合がある。このため、はんだ接合面のフィレット形成を最適化できないおそれがある。
本発明は、接合面に形成するフィレットを最適化することにより、SON、QFN型半導体装置の回路基盤への接続強度を、向上させることを実現した半導体装置を提供することを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明は、回路基板に電気的に接続するための複数の裏面電極ランド部およびこの裏面電極ランド部と前記半導体素子とを電気的に接続する側面電極ランド部を有する、SON、QFN構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置において、前記裏面電極ランド部に凹みを設けたことを特徴とする。
このように本発明によれば、接続用の裏面電極ランドを凹ませることにより、回路基板への接続においてSON、QFN型半導体装置を沈み込ませ、溶融はんだの側面電極ランドへの濡れ上がりを助成することができる。また、裏面電極ランドを凹ませることにより、はんだ溶融面積を拡大することが可能になり、裏面電極ランドの接続強度を向上させることが可能になる。
本発明によれば、SON、QFN型半導体装置の回路基盤への接続強度を、向上させることができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
(第1の実施形態)
図1は本発明のSON構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置の側面図、図2は図1の半導体装置の回路基板接続断面図、図3は図1の半導体装置の裏面斜視図であり、1は半導体装置、6は裏面電極ランド、9ははんだペースト、10は溶融はんだを示す。なお、図5〜図7に示す従来技術における部材と同一の部材、あるいは同一機能の部材については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図1は本発明のSON構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置の側面図、図2は図1の半導体装置の回路基板接続断面図、図3は図1の半導体装置の裏面斜視図であり、1は半導体装置、6は裏面電極ランド、9ははんだペースト、10は溶融はんだを示す。なお、図5〜図7に示す従来技術における部材と同一の部材、あるいは同一機能の部材については、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施形態は、図5〜図7に示す従来技術のインターポーザー4における裏面電極ランド11の形成部位に図1に示すように凹みを設けることにより、凹状の裏面電極ランド6としたものである。
裏面電極ランド6の凹みの深さは、図2に示すはんだペースト9の供給高さの1/2程度、かつ側面電極ランド5の20%程度の高さまで凹ませることが望ましい。また、裏面電極ランド6の凹ませる幅は、図5に示す通常の裏面電極ランド11の65%程度であることが望ましく、凹ませる形状については、半円柱もしくは角柱形状が望ましい。また、はんだペースト9としてはPbフリーはんだを用いることが望ましい。
このように裏面電極ランド6を凹ませることにより、図2に示す回路基板7の電極ランド8への電気的接続状態において、図5に示す従来型半導体装置2の電気的接続状態と比較して接続高さが60%程度低くなる。この時裏面電極ランド6の接続面の面積は、1.4倍程度となり、接続面積拡大により接続強度を向上させることができる。さらに、接続高さが60%程度低くなることにより、側面電極ランド5へのはんだ濡れ上がりを容易に向上させることが可能になる。
また上述した回路基板7の電極ランド8への電気的接続状態の接続状態において、図4(a)に示す本実施形態における溶融はんだ10のフィレット形状は、図4(b)に示す従来型の半導体装置2の電気的接続状態での溶融はんだ13のフィレット形状と比較して良好な形状となる。
従来型の半導体装置2では、回路基板7の電極ランド8上の溶融はんだ13の先端と側面電極ランド5上端との直線角度は鈍角であるが、側面電極ランド5上端が接続面から高い位置にあるため、側面電極ランド付近で溶融はんだ13が集合する傾向になる。この時溶融はんだ13のフィレット形状は、回路基板7の電極ランド8の先端より鋭角に濡れ上がり、側面電極ランド5付近より鈍角となる。このような溶融はんだ13のフィレット形状に、外的負荷が加わった場合、溶融はんだ12の鋭角なエッジ部およびはんだ濡れ上がり角度の変化点であるフィレット部より破断しやすくなる。
一方、本実施形態によれば、図2に示すように電気的接続高さが低くなり、回路基板7の電極ランド8上の溶融はんだ10の先端から側面電極ランド5の上端との直線角度は鋭角となるが、側面電極ランド5が接続面から低い位置にあるため、溶融はんだ10が側面電極ランド5付近で集合せず、直線角度ライン通りのフィレットを形成できる。このフィレット形状により、従来型の半導体装置2のフィレットエッジ部の角度は鈍角となり、剥れに対する強度が増し、フィレット濡れ上がり角度が一定のため、外的負荷に対する強度が向上する。
なお、上述した実施形態はSON構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置について説明したが、本発明は、それに限らず、QFN構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置にも適用可能である。また、裏面電極ランド6および側面電極ランド5にNi/AuめっきもしくはSn系めっきを施しても良い。
本発明における、回路基板に電気的接続用の電極ランドを有したSON、QFN構造リードレスセラミックパッケージ型半導体装置は、半導体装置のサイズ、電極ランドピッチ、電極ランドサイズ等に関係無く有用である。
1 半導体装置
3 半導体素子
4 インターポーザー
5 側面電極ランド
6 裏面電極ランド
7 回路基板
8 電極ランド
9 はんだペースト
10 溶融はんだ
3 半導体素子
4 インターポーザー
5 側面電極ランド
6 裏面電極ランド
7 回路基板
8 電極ランド
9 はんだペースト
10 溶融はんだ
Claims (4)
- 回路基板に電気的に接続するための複数の裏面電極ランド部およびこの裏面電極ランド部と前記半導体素子とを電気的に接続する側面電極ランド部を有する、SON、QFN構造リードレスセラミックパッケージ型の半導体装置において、前記裏面電極ランド部に凹みを設けたことを特徴とする半導体装置。
- 前記裏面電極ランド部の凹み形状が半円柱もしくは角柱形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記裏面電極ランド部および前記側面電極ランド部にNi/AuめっきもしくはSn系めっきを施すことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記回路基板の電極ランド部と前記裏面電極ランド部とをPbフリーはんだによって接合することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005018031A JP2006210483A (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005018031A JP2006210483A (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210483A true JP2006210483A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36967007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005018031A Pending JP2006210483A (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006210483A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016025239A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置および電子装置の実装構造 |
-
2005
- 2005-01-26 JP JP2005018031A patent/JP2006210483A/ja active Pending
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