JP2006210356A - 放電灯点灯装置 - Google Patents

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秀樹 中井
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Abstract

【課題】点灯回路において、高周波の漏れ電流を制御することにより、カタホリシス現象の発生を防止する。
【解決手段】高周波で放電ランプLaを点灯させる点灯回路と、放電ランプLaの点灯時に放電ランプLaと器具本体10との間に流れる漏れ電流を抑制する漏れ電流抑制手段とを備える。点灯回路は、交流電源ACを整流する整流器DBと、整流器DB出力をDC−DC変換するチョッパ回路CHPと、チョッパ回路CHP出力をDC−AC変換するインバータ回路INVとを備える。漏れ電流抑制手段として、インバータ回路INVと器具本体10との間に接続され高調波成分をバイパスするコンデンサC01を用いる。
【選択図】図1

Description

本発明は、放電灯点灯装置に関するものである。
一般に、蛍光灯のような放電ランプの両電極間に直流電圧を印加して点灯させると、陽極付近で輝度が低下する現象が知られている。この現象は、放電ランプ内の水銀イオンが陰極側に集まることに起因しており、電気泳動現象ないしカタホリシス現象と呼ばれている(以下ではカタホリシス現象という)。
カタホリシス現象の発生を防止するには、放電ランプの両電極間に交流電圧を印加するのが有効であると考えられてきた。ところが、近年のようにインバータ回路を用いて放電ランプを高周波で点灯させる技術が普及してくると、高周波交流電圧を放電ランプに印加した場合にも、カタホリシス現象の生じる場合があるということがわかってきた。このようなカタホリシス現象は放電ランプを点灯させる環境温度が低いほど顕著になる。
放電ランプを高周波点灯させた場合にカタホリシス現象が生じるのは、次の理由による。一般に、放電ランプ内の放電プラズマと大地との間には容量成分(浮遊容量)が存在するから、電極間に高周波交流電圧を印加して形成された放電プラズマから浮遊容量を通して高周波電流が大地に流れる。一方、放電プラズマの内部の電荷キャリアは水銀イオンと電子であって、水銀イオンよりも電子のほうが移動度が格段に大きいから、浮遊容量を通して高周波電流が流れる際に、放電ランプの管壁には水銀イオンよりも電子のほうがはるかに多く注入され、結果的に放電ランプの管壁は負に帯電することになる。放電ランプの管壁の負の帯電量は放電プラズマの大地に対する電位差(以下では、対地間電圧という)が大きいほど多くなる。
すなわち、対地間電圧が放電ランプの管長方向の各部位で異なっていると、放電ランプの管壁に負電位の勾配が生じる。水銀イオンは負の帯電量が大きいほうに集まるから、負の帯電量が大きいほうが高輝度になる。その結果、上述のように対地間電圧が放電ランプの管長方向において勾配を有していると、カタホリシス現象が生じることになる。ここに、対地間電圧の高いほうを高圧側とすれば、高圧側のほうが負の帯電量が多いということであるから、低圧側の輝度が高圧側よりも低くなる。
放電ランプに高周波電圧を印加する点灯回路には各種の構成が知られているが、図8に示すような回路構成が広く採用されている。この点灯回路は、交流電源ACをダイオードブリッジよりなる整流器DBで全波整流し、チョッパ回路CHPでDC−DC変換した後に、インバータ回路INVでDC−AC変換を行なうものであって、インバータ回路INVの高周波出力を放電ランプLaを含む負荷回路1に印加するのである。ここに、インバータ回路INVとしては、チョッパ回路CHPの出力端間に接続された一対のスイッチング素子Q,Qの直列回路を備え、一方のスイッチング素子Qの両端間に負荷回路1と直流カット用のコンデンサCとの直列回路を接続したハーフブリッジ型のものを採用している(細部は異なるが、類似した構成の点灯回路は特許文献1参照)。
インバータ回路INVとしてこのような構成を採用すれば、4個のスイッチング素子をブリッジ接続したインバータ回路に比較すると回路構成素子数が少なく低コストで提供することができ、また、2個のスイッチング素子の直列回路と2個のコンデンサの直列回路とを並列接続したインバータ回路に比較しても回路部品素子数が少なく低コストで提供することができる。しかも、後者のものでは動作開始直後にコンデンサが充電されるまで定常動作にならず、この間に負荷回路1にストレスがかかるという欠点があるのに対して、図8に示したインバータ回路INVではこの種の問題も生じないから、図8に示す構成のインバータ回路INVが広く採用されているのである。
点灯回路および放電ランプLaは、器具本体10に組み込まれるのであって、器具本体10は一般に金属(板金)により形成されている。チョッパ回路CHPとインバータ回路INVとは整流器DB1の出力端の負極側で、チョッパ回路CHPに設けたコンデンサC0 を通して器具本体10に接地され、器具本体10は大地に接地される。しかして、器具本体10のうち放電ランプLaにもっとも近接しているのは、放電ランプLaの光出力の配光を制御する反射板であるから、放電ランプLaから反射板を通して大地に高周波電流が流れることになる。なお、放電ランプLaの管長方向における中心線と反射板との距離は一定である。
特開平8−273880号公報
上述したインバータ回路INVでは、放電ランプLaの一端がコンデンサCおよびコンデンサCを介して常時接地されているものであるから、放電ランプLaの管長方向において電位に偏りがある。すなわち、接地側(図8における下端側)が低圧側、非接地側が高圧側になっている。したがって、上述したように放電ランプLaの管壁の負の帯電量に勾配が生じて水銀イオンが偏在し、カタホリシス現象が生じる。
このようなカタホリシス現象を放電ランプLaからの漏れ電流という観点で説明する。すなわち、放電プラズマの位置xにおける大地との間の浮遊容量をCx、同位置での対地間電圧をVxとし、インバータ回路INVの出力周波数をfとすれば、放電ランプLaから大地に流れる高周波の漏れ電流ixは、ix=2πfCxVxである。ここに、放電ランプLaの管長方向における中心線と反射板との距離は一定であるから、Cxは位置xにかかわらず一定とみなすことができ、結局、対地間電圧Vxによって電流ixが決定されることになる。しかして、図8に示した回路構成では、放電ランプLaの高圧側の端部のほうが低圧側の端部よりも対地間電圧Vxが高いのであるから、漏れ電流ixも放電ランプLaの高圧側の端部のほうが低圧側の端部よりも多くなる。漏れ電流ixが多ければそれだけ管壁の負の帯電量が多くなり、水銀イオンが集まることになる。つまり、高圧側の端部のほうが輝度が高くなるわけである。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、放電ランプを高周波で点灯するにあたり、点灯回路において高周波の漏れ電流を制御することにより、カタホリシス現象の発生を防止した放電灯点灯装置を提供することにある。
請求項1の発明は、高周波で放電ランプを点灯させる点灯回路と、放電ランプの点灯時に放電ランプと器具本体との間に流れる漏れ電流を抑制する漏れ電流抑制手段とを備え、点灯回路は、交流電源を整流する整流器と、整流器出力をDC−DC変換するチョッパ回路と、チョッパ回路出力をDC−AC変換するインバータ回路とを備え、漏れ電流抑制手段は、インバータ回路と器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスするコンデンサであることを特徴とする。
この構成によれば、放電ランプから器具本体ないし大地への高周波の漏れ電流を抑制することができ、放電ランプの管長方向における電位勾配を低減することでカタホリシス現象の発生を防止することが可能になる。とくに、インバータ回路と器具本体との間で高調波成分を流すことにより放電ランプと器具本体との間を流れる高周波の漏れ電流を低減するから、放電ランプの各電極付近での漏れ電流の不均衡を低減してカタホリシス現象の発生を防止することが可能になる。
請求項2の発明では、請求項1の発明において、交流電源と整流器との間の部位と器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスする第2のコンデンサが付加されていることを特徴とする。
この構成によれば、請求項1の発明の効果に加えて、交流電源と整流器との間からも高周波電流が器具本体に流れるから、放電ランプからの漏れ電流をより一層低減してカタホリシス現象の発生を防止することができる。
請求項3の発明では、請求項1の発明において、前記チョッパ回路を器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスする第3のコンデンサが付加されていることを特徴とする。
この構成によれば、請求項1の発明と同様に、インバータ回路と器具本体との間で高調波成分を流すことにより放電ランプと器具本体との間を流れる高周波の漏れ電流を低減することができる上に、チョッパ回路と器具本体との間にも高調波成分を流す電流経路を形成していることによって、放電ランプと器具本体との間の漏れ電流を一層低減することができる。その結果、放電ランプの各電極付近での漏れ電流の不均衡を一層低減してカタホリシス現象の発生を防止することができる。
本発明の構成によれば、インバータ回路と器具本体との間に高周波成分をバイパスするコンデンサを設けているので、放電ランプと器具本体との間を流れる高周波の漏れ電流を低減することになり、放電ランプの各電極付近での漏れ電流の不均衡を低減し放電ランプから器具本体ないし大地への高周波の漏れ電流を抑制して放電ランプの管長方向における電位勾配を低減することで、カタホリシス現象の発生を防止することが可能になる。
(基本構成)
点灯回路は、図5に示すように、商用電源のような交流電源ACをダイオードブリッジのような整流器DBにより全波整流し、整流器DBの出力をチョッパ回路CHPによりDC−DC変換し、チョッパ回路CHPの直流出力をインバータ回路INVによりDC−AC変換することによって、インバータ回路INVから出力される高周波電圧を放電ランプLaを含む負荷回路1に印加する構成を基本構成としている。放電ランプLaには放電ガスとして水銀蒸気を含むものを用いている。また、負荷回路1は、放電ランプLaに並列接続された共振用のコンデンサCと、共振用のコンデンサCに後述するインピーダンス要素Lxを介して直列接続された共振用のインダクタLとを備える。放電ランプLaは器具本体10に保持され放電ランプLaの近傍には器具本体10に設けた配光制御用の金属製の反射板(後述する)が配置される。
チョッパ回路CHPは、周知の昇圧型のチョッパ回路であって、整流器DBの直流出力端間にインダクタLとスイッチング素子Qとの直列回路を接続し、スイッチング素子Qの両端間にダイオードDを介して平滑用のコンデンサCを接続した構成を有している。スイッチング素子Qは図示していない制御回路により高周波(交流電源の周波数よりも十分に高い周波数)でオンオフされる。
したがって、スイッチング素子Qのオン時には整流器DB→インダクタL→スイッチング素子Q→整流器DBの経路で電流が流れてインダクタLにエネルギが蓄積され、スイッチング素子Qのオフ時には整流器DB→インダクタL→ダイオードD→コンデンサC→整流器DBの経路で電流が流れ、整流器DBの出力電圧とインダクタLの両端電圧との加算電圧がコンデンサCに印加されて、コンデンサCの両端電圧が整流器DBの出力電圧よりも昇圧されるのである。
インバータ回路INVは、コンデンサCの両端間に一対のスイッチング素子Q,Qの直列回路を接続し、一方のスイッチング素子Qの両端間に負荷回路1と直流カット用のコンデンサCとの直列回路を接続したものであって、いわゆるハーフブリッジ型に構成されている。スイッチング素子Q,Qは図示していないインバータ制御回路により高周波で交互にオンオフされる。ここに、インバータ制御回路は他励式でも自励式でもよい。
スイッチング素子Qがオンの期間には、コンデンサC→負荷回路1→コンデンサC→コンデンサC1の経路で電流が流れ、スイッチング素子Qがオンの期間には、コンデンサC→負荷回路1→スイッチング素子Q→コンデンサCの経路で電流が流れる。ここに、スイッチング素子Q,Qをオンオフさせるスイッチング周波数は、一般にインダクタLおよびコンデンサCによる直列共振回路の共振周波数よりも高く設定される。
なお、上述のスイッチング素子Q〜Qはバイポーラトランジスタのコレクタ−エミッタ間にダイオードを逆並列接続したものやMOSFETを用いることができる。チョッパ回路CHPとインバータ回路INVとは整流器DBの出力端の負極側で、チョッパ回路CHPに設けたコンデンサCを通して器具本体10に接地され、器具本体10は大地に接地される。負荷回路1に含まれるインピーダンス要素Lxは高周波を阻止するものであって、ローパスフィルタないしはフェライトビーズなどを用いて構成され、放電ランプLaの高圧側(図5の上側)の一端に接続されている。インピーダンス要素Lxは、スイッチング素子Q,Qのスイッチング周波数の高調波成分を減衰させるように設計され、放電ランプLaの高圧側への印加電圧に含まれるスイッチング周波数の高調波成分を従来構成に比較して大幅に低減することになる。つまり、放電ランプLaの高圧側での高調波成分による漏れ電流の量が減少する分だけ放電ランプLaの低圧側での漏れ電流の量との差が少なくなる。これにより、放電ランプLaの管長方向における電位勾配が減少し、カタホリシス現象が低減されることになる。
なお、実験的に求めた結果では、インバータ回路INVのスイッチング周波数の3次以上の高調波成分の漏れ電流について、放電ランプLaの高圧側の漏れ電流をIH、放電ランプLaの低圧側の漏れ電流をILとして、IH/IL≦1.6となるように設定したときに、カタホリシス現象の発生を防止することができた。
図6はインピーダンス要素Lxを用いておらずカタホリシス現象が発生している場合の放電ランプLaからの漏れ電流の周波数スペクトルを示すものであり、図6(a)は放電ランプLaの高圧側、同図(b)は低圧側を示している。図6(a)(b)を比較すれば、放電ランプLaの高圧側での漏れ電流が低圧側での漏れ電流よりも大きいことがわかる。
一方、図7はインピーダンス要素Lxを用いてカタホリシス現象を発生させないようにした場合の放電ランプLaからの漏れ電流の周波数スペクトルを示し、図7(a)は放電ランプLaの高圧側、同図(b)は低圧側の漏れ電流をそれぞれ示している。図6(a)と図7(a)とを比較すれば明らかなように、高圧側での漏れ電流が大幅に低減されている。この例では3次以上の高調波成分について、IH/IL≦1.6に設定してある。
(実施形態1)
基本構成では、器具本体10に接地したコンデンサCをチョッパ部CHPに設けた例を示したが、本実施形態は、図1に示すように、チョッパ部CHPではなくインバータ部INVにおいてスイッチング素子QとコンデンサCとの接続点にバイパス用のコンデンサC01の一端を接続し、コンデンサC01の他端を器具本体10に接地してある。つまり、インバータ部INVの近傍で高周波成分を器具本体10にバイパスすることにより、ランプ電流への高次高調波成分の重畳量を低減させて放電ランプLaと器具本体10との間の漏れ電流を低減するものである。この構成でも、カタホリシス現象を防止することができる。本実施形態では、インピーダンス要素Lxを設けていないが、他の回路構成および回路動作は基本構成と同様である。
(実施形態2)
本実施形態は、図2に示すように、整流器DB1と交流電源ACとの間にバイパス用のコンデンサC02を設けるとともに、実施形態1と同様にインバータ部INVにもバイパス用のコンデンサC01を設けたものであって、両コンデンサC01,C02はともに一端部を器具本体10に接地してある。つまり、2個のコンデンサC01,C02を高調波成分のバイパスに用いているから、実施形態1よりもさらに高調波成分による漏れ電流を低減することができる。つまり、カタホリシス現象を防止することができる。他の回路構成および動作は実施形態1と同様である。
(実施形態3)
本実施形態は、図3に示すように、基本構成と同様にチョッパ部CHPにバイパス用のコンデンサCを設けるとともに、実施形態1と同様にインバータ部INVにもバイパス用のコンデンサC01を設けたものであって、両コンデンサC,C01はともに一端部を器具本体10に接地してある。つまり、2個のコンデンサC,C01を高調波成分のバイパスに用いているから、実施形態1よりもさらに高調波成分による漏れ電流を低減することができる。つまり、カタホリシス現象を防止することができる。他の回路構成および動作は実施形態1と同様である。
(実施形態4)
本実施形態は、図4に示すように、実施形態3におけるインバータ部INVのコンデンサC01とスイッチング素子Qとの間に正特性サーミスタ(以下PTCという)3を挿入したものである。PTC3は周囲温度を検出するものであり、PTC3の抵抗値は周囲温度が低いほど小さいから、周囲温度が低いほどコンデンサC01を通してバイパスされる高調波成分の量が多くなるように構成してある。つまり、カタホリシス現象は、周囲温度が低いほど生じやすいことが知られているから、周囲温度が低いほど高調波成分のバイパス量を多くして放電ランプLaからの高次高調波成分の漏れ電流量を低減することで、カタホリシス現象を発生しにくくし、かつ周囲温度が高いときには高調波成分も用いて効率を優先するのである。他の回路構成および動作は実施形態1と同様である。
実施形態1を示す回路図である。 実施形態2を示す回路図である。 実施形態3を示す回路図である。 実施形態4を示す回路図である。 基本構成を示す回路図である。 比較例の動作説明図である。 基本構成の動作説明図である。 従来例を示す回路図である。
符号の説明
1 負荷回路
10 器具本体
AC 交流電源
CHP チョッパ回路
コンデンサ
01 コンデンサ
02 コンデンサ
DB 整流器
INV インバータ回路
La 放電ランプ
Lx インピーダンス要素

Claims (3)

  1. 高周波で放電ランプを点灯させる点灯回路と、放電ランプの点灯時に放電ランプと器具本体との間に流れる漏れ電流を抑制する漏れ電流抑制手段とを備え、点灯回路は、交流電源を整流する整流器と、整流器出力をDC−DC変換するチョッパ回路と、チョッパ回路出力をDC−AC変換するインバータ回路とを備え、漏れ電流抑制手段は、インバータ回路と器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスするコンデンサであることを特徴とする放電灯点灯装置。
  2. 交流電源と整流器との間の部位と器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスする第2のコンデンサが付加されていることを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装置。
  3. 前記チョッパ回路を器具本体との間に接続され高調波成分をバイパスする第3のコンデンサが付加されていることを特徴とする請求項1記載の放電灯点灯装置。
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