JP2006195470A - 表示装置及び表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドレイン領域211のコンタクトホール217にスパッタ法により、5nmの厚さのチタン膜219、120nm厚さのITO膜219bを成膜し、パターニングして、画素電極219を形成する。水素雰囲気中で、300℃の温度で加熱処理することにより、活性層203の欠陥が修復されると同時に、チタン膜219aが酸化されて、透光性を有する酸化チタン膜219cになる。チタン膜219aはシリコンよりも酸化ポテンシャルが低く、かつITO膜219bの主成分である酸化インジウムよりも酸化ポテンシャルが高いため、シリコンが酸化されることなく、チタン膜219aのみが酸化されて、酸化チタン膜219cになるので、画素電極219とシリコンのコンタクト抵抗の増加を防止することが可能となる。
【選択図】図4
Description
シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する画素部において、
前記画素電極は、前記半導体層と電気的に接続された第1の透明導電膜と、該第1の透明導電膜上に配置されている第2の透明導電膜とを有し、
前記第1の透明導電膜は酸化ポテンシャルがシリコンよりも低い第1の金属の酸化物で構成され、 前記第2の透明導電膜は、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い第2の金属の酸化物層で構成されることを特徴とする。
シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する画素部において、
前記画素電極は、前記半導体層と電気的に接続された第1の透明導電膜と、該第1の透明導電膜上に配置されている第2の透明導電膜とを有し、
前記第1の透明導電膜は酸化ポテンシャルがシリコンよりも低い第1の金属が加熱により酸化された酸化物層で構成され、
前記第2の透明導電膜は、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い第2の金属の酸化物層で構成されていることを特徴とする。
シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを作製する工程と、
前記薄膜トランジスタの半導体層と電気的に接続された画素電極を形成する工程と、 を有する表示装置の作製方法において、
前記画素電極の形成工程は、
前記半導体層と電気的に接触すように、シリコンよりも酸化ポテンシャルが低い第1の金属の酸化物層から成る第1の透明導電膜層を形成する工程と、
前記第1の金属の酸化物膜の表面に、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い第2の金属の酸化物から成る第2の透明導電膜層を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタを作製する工程と、
前記薄膜トランジスタの半導体層に電気的に接続された画素電極を形成する工程と、 を有する表示装置の作製方法において、
前記画素電極の形成工程は、
シリコンよりも酸化ポテンシャルが低い金属層を前記半導体層と電気的に接触するように形成する工程と、
前記金属膜の表面に、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い金属酸化物から成る透明導電膜層を形成する工程と、
加熱処理により、前記金属層を透明化する工程と、
を有することを特徴とする。
TFTの半導体層103にはシリコンが用いられ、画素電極114はそのシリコン層103に電気的に接続されている。画素電極114は2層の透明導電膜114a、114bで構成される。シリコンと接触する第1の透明導電膜114aはシリコンよりも酸化ポテンシャルの低い金属の酸化物から成り、この金属の酸化物上に形成される第2の透明導電膜114bは、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い第2の金属の酸化物層より成る。
第1の作製方法は、シリコンから成る半導体層と電気的に接触すように、シリコンよりも酸化ポテンシャルが低い第1の金属酸化物層から成る第1の透明導電膜層を形成した後に、第1の金属酸化物膜の表面に、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い第2の金属酸化物から成る第2の透明導電膜層を形成する方法を採用することができる。
画素電極の作製工程において、先ず酸化チタン膜114aを形成した後に、ITO膜114bを形成して、パターニングして画素電極114を形成する。
シリコンよりも酸化ポテンシャルが低い金属層として、チタン膜219aを形成し、次に、シリコンよりも酸化ポテンシャルが高い金属酸化物として、ITO膜219bを成膜する。最後に、加熱することにより、チタン膜219aが酸化されて、透明で且つ導電性を有する酸219b化チタン膜219cに変成される。この結果、酸化チタン膜219c、ITO膜という2層の透明導電膜からなる画素電極219を得る。
なお第2の層間絶縁膜217として、窒化珪素膜の代わりに樹脂膜を形成してもよい。
まずゲイト電極303のパターンを利用して基板301の裏面側からの露光によりレジストマスクのパターンを形成する。さらにアッシングを行い、このレジストマスクのパターンを後退させる。そしてこの後退したレジストマスクのパターン(図示せず)を利用して窒化珪素膜をパターニングすることにより、307で示すパターンを得る。こうして図9(B)に示す状態を得る。
以上の工程を経て、図9(D)に示す薄膜トランジスタが完成する。
12 ゲイト信号線
13 画素電極
14 活性層
103 活性層
107 ソース領域
108 ドレイン領域
111 上層配線・電極
114 画素電極
114a 酸化チタン膜
114b ITO膜
210 ソース領域
211 ドレイン領域
216 上層配線・電極
219 画素電極
219a チタン膜
219b ITO膜
219c 酸化チタン膜210 ソース領域
309 ドレイン領域
313 上層配線・電極
315 画素電極
315a チタン膜
315b ITO膜
315c 酸化チタン膜
Claims (1)
- シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する画素部において、
前記画素電極は、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電膜と、該第1の導電膜上に配置されている第2の導電膜とを有することを特徴とする表示装置。
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