JP2006190682A - 光を放射するデバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】新たな白色発光OLEDを設計する。
【解決手段】第1のスペクトルにある光を放射する少なくとも1つのホストエレメントと、第1のスペクトルとは異なる第2のスペクトルにある光を放射するドーパントエレメントとから構成されているアクティブエレクトロルミネッセンス(EL)層と、アクティブEL層から放射された光を少なくとも部分的に透過させる透明層と、アクティブEL層から放射されて透明層を通過した光のスペクトルを変換するルミネセンス材料とを包含し、ルミネセンス材料が出力スペクトルを発生させる。
【選択図】なし

Description

本発明は、光を放射するデバイスに関する。
LED(発光ダイオード)を基礎とするディスプレイおよび照明システムは種々の用途を有する。そのようなディスプレイおよび照明システムは個々のLEDの行のような複数の光電子素子(エレメント)を配列することによって設計されている。半導体技術を基礎とするLEDは伝統的に無機材料を使用しているが、近年では有機LED(OLED)が流行となっている。有機材料を使用する他のエレメント/デバイスの例には有機太陽電池、有機トランジスタ、有機検出器および有機レーザが含まれる。
有機LEDは典型的には2つまたはそれ以上の薄い有機層(例えば導電性有機層と放射性有機層であり、ここで放射性有機層が光を放射する)から構成されており、これらの層はアノードとカソードに分類される。正の電位が加えられるとアノードは正孔を導電層へと注入し、カソードは電子を放射層へと注入する。注入された正孔および電子それぞれが荷電されている反対側の電極に向かって(外部から加えられる電界の影響のもとで)移動し、放射層における再結合に基づきエレクトロルミネセンス放射が生じる。同様のデバイス構造およびデバイス動作が、小分子有機層および/または高分子有機層からなるOLEDに適用される。各OLEDは受動的/能動的なマトリクスOLEDディスプレイにおけるピクセルエレメントであるか、一般的な分野での光源などにおけるエレメントである。個々のOLEDエレメントまたはデバイスからなるOLED光源およびOLEDディスプレイの構造は当業者に十分公知である。ディスプレイおよび光源は特定のスペクトルにある光を放射するために、1つまたは複数の共通の層、例えば共通の基板、アノードまたはカソードおよびその間に挟まれている1つまたは複数のアクティブ/パッシブ有機層を有することができる。これらの層をフォトレジストまたは電気的なセパレータ(electrical separator)、バス線、電荷輸送層および/または電荷注入層などから構成することができる。
OLEDは典型的に可視スペクトルの特定の部分(すなわち特定の色)にある光、例えば青色、赤色または緑色を放射する。そのようなOLEDから白色光を生じさせることが問題となっている。白色光を放射する有機材料は、赤色および緑色を放射する少量の材料を、青色を放射するホストに加えることによって準備される。しかしながらこのアプローチは時間がかかることが判明している。すなわちこのようなアプローチは所望の白色を得るために成分の濃度の慎重な制御を要求する。さらには得られる白色光の効率は青色を放射するホストの効率に比べて大抵の場合低く、したがってより大きな電力消費量が要求されており、このことは照明用途にとって望ましくない。
択一的に、燐光体層を使用する白色発光OLEDが提案されており、この燐光層はOLED上に配置されているか、OLEDをコーティングする。例えば、赤色燐光体および緑色燐光体によりコーティングされている青色発光OLEDが提案されている。ダウンコンバージョン(down conversion)によって、青色の光が燐光層における赤色および緑色の材料によって部分的に吸収され、部分的に透過される。吸収された光は赤色または緑色で放射する光に変換され、この変換された光が透過された青色の光と組み合わされて3つの成分からなる白色光を形成する。これらの光源から放射される白色光は元の光源(青色発光OLED)よりも効率的である。このアプローチは特許文献1および非特許文献1によって提案されている。
しかしながらそのような装置の安定性は、上述したような青色を放射するポリマーホストに相当依存している。現今では青色の光を放射するホスト、小分子またはポリマーの大部分の寿命は限定的である。
さらに燐光体層は、適切な濃度、粒子サイズおよび吸収特性にある2つの成分、すなわち緑と赤を必要とする。
アメリカ合衆国特許明細書第6,700,322.号 Organic light-emitting devices for illumination quality white light. Appl. Phys. Lett. 80(19): 3470-3472(2002)
したがって本発明の課題は、新たな白色発光OLEDを設計することである。
この課題は、第1のスペクトルにある光を放射する少なくとも1つのホストエレメントと、第1のスペクトルとは異なる第2のスペクトルにある光を放射するドーパントエレメントとから構成されているアクティブエレクトロルミネッセンス(EL)層と、アクティブEL層から放射された光を少なくとも部分的に透過させる透明層と、アクティブEL層から放射されて透明層を通過した光のスペクトルを変換するルミネセンス材料とを包含し、ルミネセンス材料が出力スペクトルを発生させることによって解決される。
本発明の種々の実施形態の説明において使用するように、術語「ルミネセンス材料」とはあらゆる有機および/または無機の物質、化合物、エレメント、もしくは化学作用、摩擦、溶解または光ないし他の放射の影響などの結果生じる燐光放射、蛍光放射または他の光放射のような白熱光に直接的に起因せずに光の放射を生じさせる/許容する製造体(fabrication)を包含する。ルミネセンス材料は事実上フォトルミネセンス、蛍光性または燐光性に分類することができるあらゆるものを包含するが、ルミネセンス材料はこれらに制限されるものではない。そのような「ルミネセンス材料」の例は色変換媒体(CCM)、有機/無機の燐光体を包含し、また染料、粉末、ゲル、ラミネート、ペーストなどの形態でよい。
本発明の少なくとも1つの実施形態においては、1)スペクトルが異なる2つの放射エレメント、すなわち第1の色を放射するホストエレメントおよび第1の色とは異なる第2の色を放射するドーパントエレメントからなるアクティブエレクトロルミネセンス(EL)層、2)OLEDデバイスから放射される光のスペクトル出力(色)を修正し、EL層からの放射路内に配置されている、ホストエレメントおよびドーパントエレメントの色とは異なる第3の色を放射する少なくとも1つのルミネセンス材料を使用するOLEDデバイスが開示されている。本発明の少なくとも1つの実施形態においては、青色を放射するホストエレメントおよび赤色を放射するドーパントエレメントおよび黄色を放射する材料を含有するルミネセンス材料からなるEL層を有するOLEDデバイスが開示されている。本発明の別の例示的な実施形態においては、青色を放射するホストエレメントおよび赤色を放射するドーパントエレメントおよび緑色を放射する材料を含有するルミネセンス材料からなるEL層を有するOLEDデバイスが開示されている。そのような実施形態によりOLEDデバイスからの白色のスペクトル光出力が得られる。上述したようなルミネセンス材料は少なくとも1つのポリマー、モノマー、コポリマー、ポリマーブレンド、小分子、有機燐光体または無機燐光体、カラーフィルタ、CCMなどであってよい。
本発明の少なくとも1つの実施形態においては、EL層は少なくとも2つの発光ポリマー(LEP)、例えば青色を放射するLEPおよび赤色を放射するLEPから構成されている。有利には、光放射の経路内に配置されている多数のスペクトルEL層および燐光体材料を備えたOLEDデバイスはより良好な寿命安定性を提供することができ、また高い色調指数(CRI)での正確な装置出力カラーを達成することができる。色の正確性は表現された色のx座標およびy座標を使用する公知のCIE(国際照明委員会(Commission International de I'Eclairage))座標系のような色座標系によって測定することができる。黒体のような標準的な光源とは対照的な出力光源を用いて測定される場合には、CRIは見掛けの色における歪みの度合いの尺度である。CRIは、他の全ての光源がより低い値を有している状態で黒体光源が100のCRIを有するように規定されている。
図1は本発明の少なくとも1つの実施形態によるOLEDデバイス205の実施形態の断面図を示す。OLEDデバイス205は基板208およびこの基板208の上にある第1の電極211を有する。第1の電極211をピクセル化された用途に関してはパターニングすることができ、またはバックライトの用途に関してはパターニングしなくてもよい。OLEDデバイス205は第1の電極211の上にある半導体層214も有する。半導体層214は少なくとも次のものを包含する:(1)導電ポリマー層215および(2)アクティブエレクトロルミネセンス(EL)層216。本発明の少なくとも1つの実施形態によれば、アクティブEL層216は第1の色(スペクトル)の光を放射するホストエレメントおよび第1の色とは異なる第2の色(スペクトル)の光を放射するドーパントエレメントから構成されている。
第1の電極211がアノードである場合には、導電ポリマー層215は第1の電極211の上にあり、アクティブEL層216は導電ポリマー層215の上にある。択一的に、第1の電極211がカソードである場合には、アクティブEL層216は第1の電極211の上にあり、導電ポリマー層215はアクティブEL層216の上にある。
OLEDデバイス205は半導体層214の上にある第2の電極217も有する。図1に示されている層とは別の層、例えば絶縁層、バリア層、電子/正孔注入層、電子/正孔阻止層、ゲッタ層などを付加することもできる。本発明によれば、ルミネセンス材料230がアクティブEL層216からの光放射の経路内に配置されている。OLEDデバイス205が底面放射型のOLEDデバイスである場合には、燐光体材料230が基板208に配置される。OLEDデバイス205が上面放射型のOLEDデバイスである場合には、燐光体材料230が第1の電極211に配置される。これらの層の実施例を以下より詳細に説明する。
基板208:
基板208は付加的な層および電極を支持することができ、またデバイス内で生じる光の波長に対して透明または半透明であるあらゆる材料であってよい。択一的に、(上面放射型のデバイスに使用される場合には)基板208は不透明でもよい。有利な基板材料はガラス、水晶、シリコンおよびプラスチック、有利には薄くてフレキシブルなガラスを含む。基板208の有利な厚さは使用される材料およびデバイスの用途に依存する。基板208はシートまたは連続被膜の形態であってよい。連続被膜は例えば、プラスチック、金属および金属化されたプラスチックフォイルに殊に適しているロールツーロール製造法に使用される。
第1の電極:
1つのコンフィギュレーションにおいて第1の電極211はアノードとして機能する(アノードは正孔注入層として使用される導電層である)典型的なアノード材料は金属(例えばプラチナ、金、パラジウム、インジウムなど);金属酸化物(例えば酸化鉛、酸化スズ、酸化インジウムスズなど);グラファイト、ドープされた無機半導体(例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ化物など);ドープされた導電性ポリマー(例えばポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなど)を含有する。
択一的なコンフィギュレーションにおいては、第1の電極211がカソードとして機能する(カソードは、電子注入層として使用され且つ低い仕事関数を有する材料を含有する導電層である)。例えば上面放射型のOLEDデバイスの場合には、アノードの代わりにカソードが基板208の上に蒸着される。上面放射型のOLEDデバイスは不透明の基板にけるアノードと、透明で仕事関数の低い材料からなるカソードとを有することができる。典型的なカソード材料は後述の「第2の電極217」に関する項に記載してある。
第1の電極211はデバイス内で生じる波長に対して透明、半透明、または不透明であってよい。有利には、第1の電極211の厚さは約10nmから約1000nmであり、さらに有利には50nmから約200nmであり、最も有利には約100nmである。
典型的には第1の電極層211を、例えば純性の金属または合金または他のフィルム前駆体を使用する、例えば真空蒸着法、スパッタリング、電子ビーム蒸着法または化学気層成長法を含む、薄膜の蒸着に関する公知のあらゆる技術を使用して製造することができる。
導電性ポリマー層215:
導電性ポリマー層215を、水、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)およびポリスチレンスルフォン酸(PSS)からなる溶液から形成することができ、ここでPSS対PEDOTの重量比は1対20からであってよい。有利には、PEDOT対PSSの比率はPEDOTの重量に関して1対PSSの重量に関して20である。各領域の厚さの範囲は典型的には約10nmから約500nmであり、有利には約30nmから200nmである。
アクティブEL層216:
アクティブEL層216は有機エレクトロルミネセンス材料からなり、この有機エレクトロルミネセンス材料は第1の電極211および第2の電極217にわたり電位が加えられることによって光を放射する。そのような有機エレクトロルミネセンス材料の例は以下を含有する:
(i)ポリ(p−フェニレンビニレン)およびフェニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体;
(ii)ポリ(p−フェニレンビニレン)およびビニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体;
(iii)ポリ(p−フェニレンビニレン)およびフェニレン残基の様々な位置で置換され、且つビニレン残基の様々な位置で置換された、その誘導体;
(iv)ポリ(アリーレンビニレン)、ここでアリーレンはナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール、およびその類似体のような残基であってよい;
(v)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体、ここでアリーレンは上記(iv)と同様であってよく、さらにアリーレンの様々な位置に置換基を有してよい;
(vi)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体、ここでアリーレンは上記(iv)と同様であってよく、さらにビニレンの様々な位置に置換基を有してよい;
(vii)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体、ここでアリーレンは上記(iv)と同様であってよく、さらにアリーレンの様々な位置に置換基およびビニレンの様々な位置に置換基を有してよい;
(viii)アリーレンビニレンオリゴマー、例えば(iv)、(v)、(vi)および(vii)と非共役オリゴマーとのコポリマー;および
(ix)ポリp−フェニレンおよびフェニレン残基の様々な位置で置換されたその誘導体、これはラダーポリマー誘導体、例えばポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)およびその類似体を含む;
(x)ポリ(アリーレン)、ここで前記アリーレンはナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾール、およびその類似体:およびアリーレン残基の様々な位置で置換されたその誘導体;
(xi)オリゴアリーレン、例えば(x)と非共役オリゴマーとのコポリマー;
(xii)ポリキノリンおよびその誘導体;
(xiii)ポリキノリンと、例えば溶解性を提供するためのアルキル基またはアルコキシ基でフェニレンが置換されたp−フェニレンとのコポリマー;および
(xiv)固定されたロッドポリマー(rigid rod polymer)、例えばポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスオキサゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンズビスオキサゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾイミダゾール)、およびその誘導体。
他の有機の放射性ポリマー、例えばポリフルオレンを使用するポリマーは緑色、赤色、青色または白色の光またはその系の光を放射するポリマー、コポリマー、誘導体、またはそれらの混合物を含む。他のポリマーは、Covion Organic Semiconductors GmbH, Frankfurt, Germanyから入手可能であるポリスピロフルオレンのようなポリマーを包含する。
択一的にはポリマーの代わりに、蛍光体または燐光体によって放射する有機小分子を有機エレクトロルミネセンス層として使用することができる。小分子有機エレクトロルミネセンス材料の例は以下を含有する:(i)トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq);(ii)1,3−ビス(N,N−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4−オキシジアゾール(OXD−8);(iii)−オキソービス(2−メチル−8−キノリナト)アルミニウム;(iv)ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム;(v)ビス(ヒドロキシベンゾキノリナト)ベリリウム(BeQ.sub.2);(vi)ビス(ジフェニルビニル)ビフェニレン(DPVBI);および(vii)アリールアミン−置換したジスチリルアリーレン(DSAアミン)。そのようなポリマーおよび小分子材料は当業者には公知であり、例えばVanSlykeによるアメリカ合衆国特許明細書第5,047,687号に記載されている。
アクティブEL層216の厚さは約5nmから約500nmであり、有利には約20nmから約100nmであり、さらに有利には約75nmである。アクティブEL層216を、非選択的に蒸着された(例えばスピンコーティング)連続被膜または選択的に蒸着された(例えばインクジェットプリント)非連続的な領域であってよい。
本発明によれば、アクティブEL層216は例えば、上記に挙げた発光素子の内の少なくとも2つから構成されている。
2つの発光素子の場合には、ホストエレメントとドーパントエレメントの相対的な濃度を所望の色が得られるように調節することができる。アクティブEL層216を物理的または化学的もしくはその両方でエレメントをブレンドまたは混合することによって製造することができる。本発明の1つの実施形態においては、アクティブEL層は青色を放射するLEPホストエレメントおよび赤色を放射するLEPドーパントエレメントから構成されている。例えば、赤色を放射する側鎖または側基を有する青色を放射するポリマーからなるポリマーマトリクスをLEPの製造に使用することができる。別の実施例は、青色を放射するホストエレメントと緑色を放射するドーパントエレメントを有するアクティブEL層を含む。一般的に、ホストエレメントは青色を放射する材料であり、ドーパントエレメントは青とは異なる原色を放射するエレメントであってよい。
アクティブEL層216内のドーパントエレメントは、デバイス205の可視出力に影響を及ぼさないように、赤外または近赤外でよい。ドーパントエレメント濃度および/または光効率を特定の所望の出力スペクトルが生じるように選択することができる。例えば、より「ピンクがかった」白色が所望される場合には、赤色を放射するドーパントエレメントを増加させることができるか、より高い光効率を有する赤色を放射するドーパントエレメントを選択することができる。したがってドーパントエレメントはデバイス205の出力の寿命を安定させる役割を担うことができ、またデバイス205の放射の色を調節する役割も担うことができる。例えば、ホストエレメントが青色を放射し且つドーパントエレメントが赤色を放射する場合には、赤色を放射するドーパントの付加がデバイスの総寿命を向上させる(所望のスペクトル出力が比較的長い寿命にわたり安定したままである)ことが証明された。
第2の電極217:
1つのコンフィギュレーションにおいては、第2の電極層217がカソードとして機能する(カソードは、電子注入層として使用され且つ低い仕事関数を有する材料を含有する導電層である)。カソードは多数の異なる材料を含有することができるが、有利な材料はアルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム、バリウム、またはそれらの組み合わせを含有する。さらに有利には、カソードはアルミニウム、アルミニウム合金またはマグネシウムと銀の組み合わせを包含する。付加的なカソード材料はLiFなどのようなフッ化物を含有していても良い。
択一的なコンフィギュレーションにおいては、第2の電極層217がアノードとして機能する(アノードは、正孔注入層として使用され且つ約4.5eVよりも高い仕事関数を有する材料を含有する導電層である)。例えば上面放射型のOLEDデバイスの場合には、カソードの代わりにアノードが半導体層214の上に蒸着されている。典型的なアノード材料は前述の「第1の電極211」に関する項に記載してある。上面放射型のOLEDデバイスは透明電極としてのカソードを有していても良く、その場合にはカソードは放射層の後に蒸着されている。
第2の電極層217の厚さは約10nmから約1000nmであり、有利には約50nmから約500nmであり、さらに有利には約100nmから300nmである。第2の電極217を蒸着させることができる多数の方法が当業者には公知であるが、真空蒸着法およびスパッタリング法が有利である。
ルミネセンス材料230:
OLEDデバイス205が底面放射型のOLEDデバイスである場合には、アクティブEL層216から放射される光は基板208を通過する。本発明の種々の実施形態によれば、アクティブEL層216によって放射される光の色またはスペクトルをシフトさせるために、ルミネセンス材料230は基板208の露出している側に配置されている。殊に、アクティブEL層216において青色を放射するホストエレメントおよび赤色を放射するドーパントエレメントを使用する実施形態においては、OLEDデバイス205から白色の出力放射を生成するために、黄色を放射するルミネセンス材料230を使用することができる。本発明の択一的な実施形態では、アクティブEL層216において青色を放射するホストエレメントおよび赤色を放射するドーパントエレメントを使用する実施形態においては、OLEDデバイス205から白色の出力放射を生成するために、緑色を放射するルミネセンス材料230を使用することができる。
ルミネセンス材料230は有機および/または無機の物質、化合物、エレメント、または生体プロセス、化学作用、摩擦、溶解もしくは光または紫外線または陰極線などの結果生じる燐光放射、蛍光放射または他の光放射のような白熱光に直接的に起因しない光の放射を生じさせる/許容する製造体またはデバイスを包含する。ルミネセンス材料は事実上フォトルミネセンス、蛍光性または燐光性に分類することができるあらゆるものを包含するが、ルミネセンス材料はこれらに制限されるものではない。そのような「ルミネセンス材料」の例はカラーフィルタ、色変化媒体(CCM)、有機/無機の燐光体を包含し、また染料、粉末、ゲル、ラミネート、ペーストなどの形態でよい。またルミネセンス材料230はイットリウム、セリウムおよびアルミニウムのうちの少なくとも1つから構成されている。燐光体材料の例はアメリカ合衆国特許明細書第6,700,322号に記載されている。本発明の少なくとも幾つかの実施形態によれば、ルミネセンス材料230から放射される色はアクティブEL層216のエレメントから放射される色とは異なるが、白色光を形成するためにアクティブEL層216によって形成されるそれらの色を補完する。例えば、アクティブEL層216が赤色を放射する材料でもってドープされている青色を放射するホストエレメントからなる場合には、ルミネセンス材料230から放射される色は緑または黄色またはオレンジである。もしくは択一的に、アクティブEL層216が緑色または黄色を放射する材料でもってドープされている青色を放射するホストエレメントからなる場合には、ルミネセンス材料230から放射される色は赤またはオレンジである。
また本発明によれば、白色発光デバイスはアクティブEL層216から構成されており、このアクティブEL層216はさらに少なくとも1つのホストエレメントおよび少なくとも1つのドーパントエレメント、ならびにデバイスの放射側にコーティングされているルミネセンス材料を包含し、またホストエレメントのエネルギギャップはドーパントエレメントのエネルギギャップおよびルミネセンス材料230のエネルギギャップよりも大きい。エネルギギャップは最高被占軌道(Highest Occupied Molecular Orbital ; HOMO)と最低空軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital : LUMO)との差であり、またバンドギャップとも称される。例えば、本発明の1つの実施形態においてはホストエレメントが2.9eV以上のエネルギギャップを有する青色を放射するポリマーであり、ドーパントエレメントは約2eVのエネルギギャップを有する赤色を放射するポリマーであり、またルミネセンス材料は約2.5eVのエネルギギャップを有する緑色または黄緑色を放射する燐光体である。
ルミネセンス材料230はナノクリスタルおよび/または量子ドット、例えばCdSe(ZnS)の1つまたは複数の層を包含していても良い。この材料は刊行物「Electroluminescence from single monolayers of nanocrystals in molecular organic devices」Nature、第420巻、第800〜803頁(2002年12月)に記載されている。
ルミネセンス材料230は粒子、粉末、フィルム、ペースト、エマルジョン、染料、コーティング、または別個の層の形態であっても良い。ルミネセンス材料230を基板208の上に直接的に蒸着または成形することができるか、別個に準備して接着および/または硬化によって基板208上に取り付けることができる。さらに、ルミネセンス材料230を架橋性材料に組み込むことができ、この架橋性材料を基板208と化学結合させることができる。付加的に、ルミネセンス材料をポリマーマトリクス、例えばポリカーボネートなどに分散させることができ、最終的な分散を種々の技術によって基板208にコーティングすることができる。
アクティブEL層216内の適切なドーパントエレメントの付加は、デバイス205の総出力に付加的なスペクトル成分を形成するために、ルミネセンス材料230に対する要求を低減また無視することができる。例えば、赤色を放射するドーパントエレメントの採用により、白色出力を形成するために(黄色を放出するルミネセンス材料またはオレンジ色を放射するルミネセンス材料に付加的な)赤色を放射するルミネセンス材料に関する要求は除外されるOLEDデバイスが上述したように上面放射型のデバイスである実施形態においては、アクティブEL層216から光を通過させるために電極(カソード217)を透明または不透明にすることができる。そのような場合には、底面放射型のOLEDの場合のような基板208の代わりに、ルミネセンス材料230がカソード217に接触、結合または硬化される。
ルミネセンス材料はアクティブEL層に由来する光を拡散させる役割を果たすこともできる。拡散を例えば、ルミネセンス材料が基板または透明なカソードに取り付けられるラミネートである場合に達成することができる。所定の粉末および結晶も光を拡散させることができる。光の拡散は、明確な投影の代わりに光の拡がりが好まれる用途において役立つ。
図2は本発明の少なくとも1つの実施形態によるOLEDデバイス206の実施形態の断面図を示す。OLEDデバイス205と同じ参照番号が付されているOLED206デバイスにおける層、電極および材料は形状、構成要素および機能がOLEDデバイス205のそれと類似するものである。
付加的に、OLEDデバイス206にはバリア層340が設けられており、このバリア層340はルミネセンス材料230を周囲の物理的および化学的な損傷または劣化から保護する。バリア層のための材料の例は、出願中のアメリカ合衆国特許明細書第10/242,656号、発明の名称「Active Electronic Devices」に記載されており、したがってその開示内容は参照により本願発明に取り入れられる。そのようなバリア層の他の例は、例えば真空蒸着法、スパッタリングまたは他の技術によって蒸着される金属酸化物または金属窒化物、水分または酸素を防ぐあらゆる透明なバリア、ゲッタ材料を包含するもしくは包含しないフレキシブルまたは硬質のあらゆるバリアを包含するが、バリア層はこれらに制限されるものではない。本発明の別の実施形態および変更は、当業者であれば本願明細書に開示されている情報を検討することにより明らかになり、それらの実施形態および変更ならびに等化のものも本発明の範囲に含まれる。前述のOLEDデバイスの組み合わせまたはアレイから形成されるOLED照明源およびディスプレイを、車両における情報表示、産業的および地域的な照明、プリンタおよびイルミネーションサインのような用途に使用することができる。
発光デバイス製造の当業者であれば明細書、図面、また請求項によって規定されている本発明の範囲から逸脱することなく本発明の実施形態を修正および変更することができる例から認識するであろう。
本発明の少なくとも1つの実施形態によるOLEDデバイスの実施形態の断面図。 本発明の少なくとも1つの実施形態によるOLEDデバイスの実施形態の断面図。

Claims (22)

  1. 出力スペクトルにある光を放射するデバイス(205)において、
    第1のスペクトルにある光を放射する少なくとも1つのホストエレメントと、前記第1のスペクトルとは異なる第2のスペクトルにある光を放射するドーパントエレメントとから構成されているアクティブエレクトロルミネッセンス(EL)層(216)と、
    前記アクティブEL層(216)から放射された光を少なくとも部分的に透過させる透明層(208)と、
    前記アクティブEL層(216)から放射されて前記透明層(208)を通過した光のスペクトルを変換するルミネセンス材料(230)とを包含し、該ルミネセンス材料(230)が前記出力スペクトルを発生させることを特徴とする、出力スペクトルにある光を放射するデバイス。
  2. 前記出力スペクトルは白色である、請求項1記載のデバイス。
  3. 前記ルミネセンス材料(230)は燐光材料および蛍光材料のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
  4. 前記ホストエレメントおよび前記ドーパントエレメントはポリマー、ポリマーブレンド、ポリマーマトリクス、コポリマー、小分子、モノマーおよびドープされた小分子のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
  5. 前記ルミネセンス材料(230)は有機材料および無機材料のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
  6. 前記ルミネセンス材料(230)は緑色を放射する材料、オレンジ色を放射する材料および黄色を放射する材料のうちの少なくとも1つである、請求項2記載のデバイス。
  7. 前記第1のスペクトルは青色であり、前記第2のスペクトルは赤色、オレンジ色および黄色のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
  8. 前記ルミネセンス材料(230)は粉末、ペースト、ゲル、ラミネート、エマルション、染料、コーティング、有機層および無機層のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
  9. 前記ルミネセンス材料(230)は前記第1のスペクトルおよび前記第2のスペクトルの両方と異なるスペクトルを放射する、請求項1記載のデバイス。
  10. 前記ルミネセンス材料が周囲に曝されることから保護するバリア層を包含する、請求項1記載のデバイス。
  11. アノード層(211)と、
    カソード層(217)とを包含し、前記アクティブEL層(216)は前記アノード層(211)と前記カソード層(217)との間に配置されている、請求項1記載のデバイス。
  12. 前記アクティブEL層(216)に付加的に少なくとも1つの有機層を包含し、該少なくとも1つの有機層は前記アノード層(211)と前記カソード層(217)との間に配置されている、請求項11記載のデバイス。
  13. 前記ルミネセンス材料(230)は前記アクティブEL層(216)からの光を拡散させる、請求項1記載のデバイス。
  14. 前記ルミネセンス材料(230)は前記透明層(208)と物理的および/または化学的に接している、請求項1記載のデバイス。
  15. 前記ルミネセンス材料(230)は前記透明層(208)の上にラミネートされており、該ルミネセンス材料(230)は前記アクティブEL層(216)からの光を拡散させる、請求項14記載のデバイス。
  16. 前記有機層は電荷輸送層および電荷注入層のうちの少なくとも1つを包含する、請求項12記載のデバイス。
  17. 前記デバイスは光源用途の一部である、請求項1記載のデバイス。
  18. 前記ルミネセンス材料(230)はイットリウム、セリウムおよびアルミニウムのうちの少なくとも1つから構成されている、請求項1記載のデバイス。
  19. 前記ホストエレメントは前記ドーパントエレメントのバンドギャップおよび前記ルミネセンス材料(230)のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する、請求項1記載のデバイス。
  20. 前記透明層は基板である、請求項1記載のデバイス。
  21. 前記透明層はカソード層である、請求項1記載のデバイス。
  22. 前記ルミネセンス材料(230)は量子ドット構造およびナノクリスタルのうちの少なくとも1つである、請求項1記載のデバイス。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013157495A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2014069930A1 (ko) * 2012-11-01 2014-05-08 성균관대학교산학협력단 롤투롤 공정을 이용한 유기 발광 장치 제조 방법
KR101417178B1 (ko) * 2007-02-27 2014-07-08 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 색 변환부를 포함하는 oled
KR20140143406A (ko) 2012-04-20 2014-12-16 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP2015149230A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル
WO2015147073A1 (ja) * 2014-03-25 2015-10-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US9287529B2 (en) 2012-11-01 2016-03-15 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Method for fabricating OLED using roll to roll processing
CN111434666A (zh) * 2019-01-11 2020-07-21 三星显示有限公司 有机电致发光器件和用于有机电致发光器件的多环化合物

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554257B2 (en) * 2005-03-02 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
KR100994677B1 (ko) * 2007-04-24 2010-11-17 한양대학교 산학협력단 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
DE102008025755A1 (de) 2008-05-29 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauteil und Leuchtmittel mit einem solchen Bauteil
KR101791580B1 (ko) 2009-10-17 2017-10-30 삼성전자주식회사 광학 요소, 이를 포함한 제품, 및 그 제조 방법
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9318649B2 (en) * 2013-09-25 2016-04-19 Phoseon Technology, Inc. Multi-wavelength LED curing lamp
US9620686B2 (en) 2015-01-28 2017-04-11 Apple Inc. Display light sources with quantum dots
JP6680868B2 (ja) 2015-08-17 2020-04-15 インフィニット アースロスコピー インコーポレーテッド, リミテッド 光源
WO2017087448A1 (en) 2015-11-16 2017-05-26 Infinite Arthroscopy Inc, Limited Wireless medical imaging system
AU2018221566B2 (en) 2017-02-15 2020-07-23 Infinite Arthroscopy Inc. Limited Wireless medical imaging system comprising a head unit and a light cable that comprises an integrated light source
USD938584S1 (en) 2020-03-30 2021-12-14 Lazurite Holdings Llc Hand piece
USD972176S1 (en) 2020-08-06 2022-12-06 Lazurite Holdings Llc Light source

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09208946A (ja) * 1996-01-26 1997-08-12 Eastman Kodak Co 白色光発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11329734A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JP2000068069A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2002008863A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Toray Ind Inc 発光素子
JP2003086376A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよびその製造方法
JP2003133062A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
JP2003208982A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
WO2004036961A2 (en) * 2002-10-18 2004-04-29 Ifire Technology Corp. Color electroluminescent displays
JP2004311153A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5018048A (en) * 1983-12-19 1991-05-21 Spectrum Control, Inc. Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making
US5125138A (en) * 1983-12-19 1992-06-30 Spectrum Control, Inc. Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making same
US5047687A (en) * 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
ATE233939T1 (de) * 1993-10-04 2003-03-15 3M Innovative Properties Co Vernetztes acrylatbeschichtungsmaterial zur herstellung von kondensatordielektrika und sauerstoffbarrieren
US6083628A (en) * 1994-11-04 2000-07-04 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Hybrid polymer film
US5877895A (en) * 1995-03-20 1999-03-02 Catalina Coatings, Inc. Multicolor interference coating
US5811183A (en) * 1995-04-06 1998-09-22 Shaw; David G. Acrylate polymer release coated sheet materials and method of production thereof
US6218004B1 (en) * 1995-04-06 2001-04-17 David G. Shaw Acrylate polymer coated sheet materials and method of production thereof
US5771562A (en) * 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
JP4477150B2 (ja) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜el素子
WO1998002019A1 (en) * 1996-07-10 1998-01-15 International Business Machines Corporation Siloxane and siloxane derivatives as encapsulants for organic light emitting devices
US5731661A (en) * 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
DE19632626A1 (de) * 1996-08-13 1998-02-19 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkörpern mit MOVPE-Schichtenfolge
JP3813256B2 (ja) * 1996-09-06 2006-08-23 日本バーブラウン株式会社 関数演算回路用の波形整形回路
US5895228A (en) * 1996-11-14 1999-04-20 International Business Machines Corporation Encapsulation of organic light emitting devices using Siloxane or Siloxane derivatives
JPH10312886A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 有機elディスプレイとその製造方法
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6005692A (en) * 1997-05-29 1999-12-21 Stahl; Thomas D. Light-emitting diode constructions
US6198220B1 (en) * 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
US6224948B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3125770B2 (ja) * 1998-11-11 2001-01-22 日本電気株式会社 容量素子の形成方法
US6228436B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US6677709B1 (en) * 2000-07-18 2004-01-13 General Electric Company Micro electromechanical system controlled organic led and pixel arrays and method of using and of manufacturing same
JP2002184581A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光素子
KR100888424B1 (ko) * 2001-05-16 2009-03-11 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 고효율 다칼라 전기 유기 발광 장치
AU2002315208A1 (en) * 2001-06-12 2002-12-23 University Of Florida Method and device for producing near-infrared radiation
JP2004200141A (ja) * 2002-10-24 2004-07-15 Toyota Industries Corp 有機el素子
US6833201B2 (en) * 2003-01-31 2004-12-21 Clemson University Nanostructured-doped compound for use in an EL element

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09208946A (ja) * 1996-01-26 1997-08-12 Eastman Kodak Co 白色光発光有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11329734A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JP2000068069A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2002008863A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Toray Ind Inc 発光素子
JP2003086376A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよびその製造方法
JP2003133062A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
JP2003208982A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
WO2004036961A2 (en) * 2002-10-18 2004-04-29 Ifire Technology Corp. Color electroluminescent displays
JP2004311153A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nitto Denko Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101417178B1 (ko) * 2007-02-27 2014-07-08 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 색 변환부를 포함하는 oled
WO2013157495A1 (ja) * 2012-04-20 2013-10-24 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20140143406A (ko) 2012-04-20 2014-12-16 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자
JPWO2013157495A1 (ja) * 2012-04-20 2015-12-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9972802B2 (en) 2012-04-20 2018-05-15 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element
WO2014069930A1 (ko) * 2012-11-01 2014-05-08 성균관대학교산학협력단 롤투롤 공정을 이용한 유기 발광 장치 제조 방법
US9287529B2 (en) 2012-11-01 2016-03-15 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Method for fabricating OLED using roll to roll processing
JP2015149230A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネル
WO2015147073A1 (ja) * 2014-03-25 2015-10-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
CN111434666A (zh) * 2019-01-11 2020-07-21 三星显示有限公司 有机电致发光器件和用于有机电致发光器件的多环化合物

Also Published As

Publication number Publication date
US20060145599A1 (en) 2006-07-06
JP5348825B2 (ja) 2013-11-20
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DE102006000770A1 (de) 2006-07-13

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