JP2006179952A - 半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子の増加及び端子間隔の狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に基板両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更に信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体搭載用配線基板5は、少なくとも絶縁膜1と、絶縁膜1中に形成された配線2と、配線2とビア3で導通された複数の電極パッド4とからなる配線基板である。電極パッド4は絶縁膜1の表裏両面に、表面を露出して設けられ、かつ、前記電極パッドの側面の少なくとも一部は絶縁膜1に埋設されている。絶縁膜1は、2枚の金属板上に夫々電極パッド4を形成し、その後電極パッド4及び各金属板上に絶縁層と配線を積層形成した後、絶縁層を貼り合わせて一体化し、その後、金属板を除去することにより形成することができる。
【選択図】 図1
Description
2 配線
3 ビア
4 電極パッド
4a パッド
4b パッド
4c パッド
5 半導体搭載用配線基板
6 支持体
7 ソルダーレジスト
8 支持体
9 バンプ
10 ワイヤー
11 半導体デバイス
12 導電性接着剤
13 外部端子ピン
14 半導体パッケージ
15 モールディング
16 半田ボール
17 電極パッド
18 ソルダーレジスト
19 マザーボード
20 半導体パッケージ
21 第1の絶縁層
22 第2の絶縁層
23 第3の絶縁層
24 絶縁膜
25 配線
26 ビア
27 電極パッド
28 ビア
29 半導体搭載用配線基板
30 配線
31 ビア
41 第1の絶縁層
42 第2の絶縁層
43 第3の絶縁層
44 配線
45 ビア
46 第4の絶縁層
47 絶縁膜
48 配線
49 ビア
50 電極パッド
51 ビア
52 半導体搭載用配線基板
61 支持基板
62 電極パッド
63 凹部
64 電極パッド
65 バリア層
66 電極パッド
67a 絶縁層
67b 絶縁層
68a ビアホール
68b ビア
68c ビア
69a 配線
69b 配線
73 支持基板付き配線基板
75 半導体搭載用配線基板
76 支持体
77 ソルダーレジスト
78 絶縁膜
81 支持基板
82 電極パッド
83 絶縁層
83a ビアホール
83a 絶縁層
84 ビア
84a ビア
85 配線
85a 配線
86 支持基板付き配線基板
87 絶縁層
88 ビア
90 支持基板付き配線基板
92 半導体搭載用配線基板
93 下層絶縁層
94 ビア
95 ビア
101 スルーホール
102 配線層
103 ベースコア基板
104 ビア
105 層間絶縁膜
106 導体配線層
107 ソルダーレジスト層
111 樹脂シート
112 導体配線層
113 ビア
114 一括積層基板
Claims (10)
- 支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第1工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第3工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第4工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第5工程と、更に必要に応じて前記第3工程乃至前記第5工程を1又は複数回繰り返す第6工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第7工程と、により支持基板付き配線基板を2個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第1工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第3工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第4工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第5工程と、前記第3工程乃至前記第5工程を1又は複数回繰り返す第6工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第7工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第8工程とにより、支持基板付き配線基板を2個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第1工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第2工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第3工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第4工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第5工程と、更に必要に応じて前記第3工程乃至前記第5工程を1又は複数回繰り返す第6工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第7工程と、により形成される第1の支持基板付き配線基板と、前記第1工程と、前記第2工程と、前記第3工程と、前記第4工程と、前記第5工程と、前記第6工程と、前記第7工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第8工程とにより、形成される第2の支持基板付き配線基板と、を用意し、前記第1の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、前記第2の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、を面合わせで貼り付け、その後、前記第1及び第2の支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 前記第1工程の前に、前記支持基板と前記導電層との間に、下層絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 前記支持基板の一部又は全部を除去した後に、少なくとも1つ以上の前記電極パッドとなる導電層上の前記下層絶縁層に開口部を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 前記開口部をレーザ又はドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 前記導体は導電性ペースト又は半田であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 前記支持基板が薄膜金属層と薄膜金属層よりも厚い支持金属層を構成要素とする支持基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体搭載用配線基板の前記電極パッド上にバンプを形成し、前記バンプと半導体素子とを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記第1の工程において、前記支持基板に凹部を形成し、前記凹部に電極パッドとなる導電層を埋め込むことを特徴とする請求項1に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
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