JP2006168342A - 絶縁性接着シート及びプリント配線板 - Google Patents

Abstract

【課題】プリント配線板の製造等に好適に用いることができる絶縁性接着シートであり、
該シートの表面粗度が小さい場合にも、該表面に形成した金属層との接着性に優れ、さら
には加工性、耐熱性、及び低熱膨張性に優れた絶縁性接着シートとそれを用いてなるプリント配線板を提供する。
【解決手段】一方の最外層Ａが、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有し、且つ
該層上に金属層を形成するための層であるとともに、他方の最外層Ｂが、形成された回路
と対向させるための層である絶縁性接着シートによって上記課題を解決しうる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、プリント配線板に用いる絶縁性接着シートとそれを用いたプリント配線板に
関するものであり、特に、多層フレキシブルプリント配線板、ビルドアップ配線板等のプ
リント配線板用の製造等に好適に用いることができる絶縁性接着シート、それを用いてな
るプリント配線板に関するものである。

表面に配線を形成したプリント配線板が、電子部品や半導体素子等を実装するために広
く用いられ、近年の電子機器の小型化、高機能化の要求に伴い、その様なプリント配線板
には、配線の高密度化や薄型化が強く望まれている。特にライン／スペースの間隔が２５
μｍ／２５μｍ以下であるような微細配線形成方法の確立はプリント配線板分野の重要な
課題である。プリント配線板に用いられる絶縁層としては、その上に配線を形成するため
の役割と、基板上などに形成された回路に積層するための役割を併せ持つ絶縁接着シート
であることが好ましい。

このような絶縁接着シートとしては、微細配線形成のために、微細配線との接着性が高
いこと、表面粗度が微細配線形成に悪影響を与えない程充分に平滑であることが求められ
る。また、微細配線形成の場合、絶縁接着シート表面の凹凸を極力小さくしないと、配線
形状や配線幅、配線厚みなどを設計通りに良好に形成することができない。よって、微細
配線形成のために最も好ましい絶縁接着シートは、表面の凹凸が極めて小さく、且つ微細
配線との接着性が十分高い絶縁層である。

一方、多層フレキシブルプリント配線板やビルドアップ配線板等を製造する際は、既に
基板上に形成された導体回路に対して絶縁性接着シートを積層するが、積層の際に絶縁性
接着シートが流動し、回路配線の線間を埋め込むとともに、絶縁接着シートと導体回路、
および絶縁接着シートと該回路が形成されている絶縁膜が強固に接着されていることが必
要である。つまり、絶縁性接着シートには、内層回路、基板等に対する優れた接着力とと
もに回路配線の線間を埋められる程度の流動性が求められることになる。

また、プリント配線板を製造する場合には、配線板の両面を導通させるビアホール
の形成が不可欠である。そのため、その様なプリント配線板は通常、レーザーによるビア
ホール形成工程、デスミア工程、触媒付与工程、無電解めっき銅を施す工程、等を経て配
線形成がおこなわれる。さらに、通常、微細配線形成はレジスト膜を形成する工程、無電
解めっき膜が露出している部分への電解銅めっき工程、レジスト被膜の除去工程、余分な
無電解銅めっき皮膜のエッチング工程から成る、いわゆるセミアディティブ法により製造
されることが多い。したがって、微細配線と絶縁層間の接着性はこれらのプロセスに耐え
るものであることがより好ましい。

さらには、搭載する部品や導体層との高温時での密着を保つという観点から、絶縁材料のさらなる低熱膨張性が要求されている。

上記要求を満たす絶縁性接着シートを用いることにより、高速・高周波電気信号を必要
とする電子機器用の高密度プリント配線板を提供できると考えられており、強くその出現
が望まれている。

ここで、従来、配線基板に用いられる上記接着材料としては、一般的には、エポキシ系
接着材料が用いられている。上記エポキシ系接着材料は、被着体同士の低温・低圧条件下
での貼り合わせや回路配線の線間埋め込みが可能である等の加工性に優れ、被着体との接
着性にも優れている。ただし、金属層の接着性、すなわちエポキシ系接着材料とこの上に
形成される回路配線間との接着は不充分であった。この問題を改善するために、アンカー
効果と呼ばれる表面の凹凸によって、接着性を向上させていた（例えば特許文献１参照）
。しかし、形成する表面凹凸を小さくし、若しくは特に凹凸を形成せずに配線との充分な
接着力を得ることは困難であった。

一方、耐熱性樹脂フィルムにポリイミドシロキサン前駆体を塗布した上に金属めっき層を積層した樹脂付き金属箔、あるいは、耐熱性樹脂フィルムにポリイミドシロキサン前駆体を塗布し、イミド化した上に金属めっき層を積層した樹脂付き金属箔が開示されている（特許文献２参照）。これによって、無電解金属めっき層との密着性が向上し、微細配線形成が可能となった。しかし、特許文献２では、ビルドアップ配線板等への適用例に関する記載がなく、予め回路が形成されて内層回路と対向させて用いることや、内層回路への埋め込み性については考慮されていない。また、低熱膨張性に関する記載もなく、配線板の低熱膨張化という点も考慮されていない。
特開２０００−１９８９０７ 特開２００２−２６４２５５

背景技術で説明したように、配線を形成する絶縁層の表面凹凸が小さく、且つ頻雑な方
法を用いずとも配線との充分な接着力が得られ、さらには被着体同士の低温・低圧条件下
での貼り合わせや回路配線の線間埋め込みが可能である等の加工性に優れ、且つ低熱膨張性をも併せ持ったプリント配線板用の絶縁接着シートは未だ見出されていない。

従って、本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目
的は、多層フレキシブルプリント配線板やビルドアップ配線板等のプリント配線板用の製造等に好適に用いることができ、微細配線形成に影響を及ぼさない程の充分に小さな表面粗度を有し、さらには加工性に優れ、低熱膨張性をも併せ持つ絶縁性接着シートとそれを用いてなるプリント配線板を提供することにある。また、表面粗度の小さい表面であるにもかかわらず、無電解めっき被膜を強固に形成することができるので、金属層として無電解めっきを形成する場合には特に有用である。

本発明者等は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、下記の新規な絶縁性接着シート
により、上記課題が解決しうることを見出した。すなわち、
１）一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された
回路と対向させるための層である絶縁性接着シートであって、前記最外層Ａは、シロキサ
ン構造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴とする絶縁性接着シート。
２）金属層が無電解めっき層であることを特徴とする１）に記載の絶縁性接着シート。
３）最外層Ｂがエポキシ樹脂を含有することを特徴とする１）〜２）のいずれか１項に記載の絶縁性接着シート。
４）最外層Ａ及び／または最外層Ｂの表面にさらに支持体が形成されていることを特徴と
する１）〜３）のいずれか１項に記載の絶縁性接着シート。
５）１）〜３）のいずれか一項に記載の絶縁接着シートの、最外層Ａの表面に、無電解めっき皮膜が形成されていることを特徴とする積層体。
６）１）〜４）のいずれか１項に記載の絶縁性接着シートを用いることを特徴とするプリ
ント配線板。

本発明では、最外層Ａ、すなわち金属層を形成するための層にシロキサン構造を有する
ポリイミド樹脂を用いることにより、表面粗度が小さい場合でも金属層との接着強度が高
い。さらに、最外層Ｂ、すなわち成された回路と対向させるための層を設けることにより
、本発明にかかる絶縁性接着シートと内層回路基板との低温・低圧条件下での貼り合わせ
や回路配線の線間埋め込みが可能である等の加工性に優れ、且つ低熱膨張性をも併せ持つ。

上記の如く、本発明にかかる絶縁性接着シートは、優れた加工性、及び微細回路形成性
を併せ持つ。よって、微細回路を必要とする電子機器用の高密度プリント配線板に適切に
用いる事が可能である。また、プリント配線板用材料として必要な、樹脂材料、導体材料
への接着性、加工性、耐熱性に優れたものとなり、多層フレキシブルプリント配線板やビ
ルドアップ配線板の製造に好適に用いることができるという効果も奏する。

本発明の実施の一形態について以下に詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。

（本発明の絶縁性接着シートの特徴と材料構成）
本発明の絶縁性接着シートは、一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された回路と対向させるための層である絶縁性接着シートであって、
最外層Ａが、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴としている。

上記最外層Ａ、すなわち金属層を形成するための層にシロキサン構造を有するポリイミ
ド樹脂を用いることにより、表面粗度が小さい場合でも金属層との接着強度が高い。また
、最外層Ｂ、すなわち形成された回路と対向させるための層を設けることにより、本発明
にかかる絶縁性接着シートと内層回路基板との低温・低圧条件下での貼り合わせや回路配
線の線間埋め込みが可能である等の加工性に優れ、且つ低熱膨張性をも併せ持つ絶縁性接着シートを得ることが可能である。特に、最外層Ｂが熱可塑ポリイミド樹脂と熱硬化成分を含有する場合は、加工性のみならず、誘電特性等の電気的特性や耐熱性に優れた絶縁層となるため好ましい。

本発明においては、本発明では金属層を形成するための層Ａと形成された回路と対向させるための層Ｂとに機能を分離させることにより特性のバランスに優れた絶縁性接着シートを得ることができる。一方、例えば、シロキサン構造を有するポリイミドを有する層Ａのみからなる絶縁性接着シートを用いた場合は、金属層は強固に形成され、微細配線形成は可能となるが、この材料をそのままビルドアップ配線板などの用途に用いようとすると、回路埋め込み性や低熱膨張性が不十分となる。また、例えば層Ｂのみからなる絶縁性接着シートを用いた場合は、回路埋め込み性や低熱膨張性は優れるが、金属層との接着性に劣るため微細配線形成ができない。

また、本発明の絶縁性接着シートは、無電解めっき皮膜との接着性が良好であるため、
微細配線形成が可能なセミアディティブ工法に適用することができる。

さらには、常態のみならず、プレッシャークッカ−試験（ＰＣＴ）などの環境試験後の
接着強度も高いため、信頼性に優れる。

本発明の絶縁性接着シートは、最外層Ａ／最外層Ｂなる構成が最も単純な構成であるの
で好ましいが、最外層Ａ層および最外層Ｂの間に別の層を設けても構わない。この別の層
は必要に応じて、幾層形成してもかまわない。さらには最外層Ａ及び／または最外層Ｂの
表面に支持体が形成されていても構わない。
このような絶縁性接着シートを得るための一例について説明する。

（最外層Ａ）
本発明の最外層Ａはシロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する。本発明のシロキ
サン構造を有するポリイミド樹脂は、シロキサン構造を有していれば、いかなるポリイミ
ド樹脂を用いても良い。例えば、（１）シロキサン構造を有する酸二無水物成分あるいは
シロキサン構造を有するジアミン成分を用いて、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミ
ド酸を製造し、これをイミド化してポリイミド樹脂を製造する方法、（２）官能基を有す
る酸二無水物成分あるいは官能基を有するジアミン成分を用いて官能基を有するポリアミ
ド酸を製造し、この官能基と反応しうる官能基、及びシロキサン構造を有する化合物を反
応させて、シロキサン構造が導入されたポリアミド酸を製造し、これをイミド化してポリ
イミド樹脂を製造する方法、（３）官能基を有する酸二無水物成分あるいは官能基を有す
るジアミン成分を用いて官能基を有するポリアミド酸を製造し、これをイミド化して官能
基を有するポリイミドを製造し、この官能基と反応しうる官能基、及びシロキサン構造を
有する化合物を反応させて、シロキサン構造が導入されたポリイミド樹脂を製造する方法
、などが挙げられる。ここで、シロキサン構造を有するジアミンは比較的容易に入手する
ことが可能であるため、上記の中でも、酸二無水物成分と、シロキサン構造を有するジア
ミンを反応させて目的とするポリイミド樹脂を製造することが好ましく、シロキサン構造
を有するジアミンとして、下記一般式（１）で表されるジアミンを用いることが好ましい
。

（式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ11及びＲ22は、それぞれ同一、または異な
っていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ33〜Ｒ66は、それぞれ同一、
または異なっていてよく、アルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、または
アルコキシ基を表す。好ましくは、ｇは１以上１００以下である。またＲ11及びＲ22は、
炭素数が１〜２０のアルキレン基またはフェニレン基であることが好ましい。さらにＲ33
〜Ｒ66は、炭素数１〜２０のアルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、また
はアルコキシ基であることが好ましい。）
ポリイミド樹脂は、酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られる。以下、酸
二無水物成分について説明する。

酸二無水物成分としては特に限定はなく、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無
水物、３，３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェノキシ）ジフェニルプロパン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ｐ−フ
ェニレンジフタル酸無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物、４，４’−ヘキサフ
ルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，４
’−オキシジフタル酸無水物、３，３’−オキシジフタル酸無水物、４，４’−（４，４
’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）、４，４’−ハイドロキノン
ビス（無水フタル酸）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジベンゾエー
ト−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、１，２−エチレンビス（トリメリ
ット酸モノエステル無水物）、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物
）等を挙げることができる。これらは１種のみで用いてもよく、２種以上を組み合わせて
用いることも可能である。

続いて、ジアミン成分について説明する。本発明においては、ジアミン成分として、下
記一般式（１）で表されるジアミン成分を含むことが好ましい。

（式中、ｇは１以上の整数を表す。また、Ｒ11及びＲ22は、それぞれ同一、または異なっ
ていてよく、アルキレン基またはフェニレン基を表す。Ｒ33〜Ｒ66は、それぞれ同一、ま
たは異なっていてよく、アルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、またはア
ルコキシ基を表す。好ましくは、ｇは１以上１００以下である。またＲ11及びＲ22は、炭
素数が１〜２０のアルキレン基またはフェニレン基であることが好ましい。さらにＲ33〜
Ｒ66は、炭素数１〜２０のアルキル基、またはフェニル基、またはフェノキシ基、または
アルコキシ基であることが好ましい。）
一般式（１）で表されるジアミン成分を用いることにより、得られるポリイミド樹脂は
、無電解めっき層と強固に接着するという特徴を有するようになる。

一般式（１）で表されるジアミンとしては、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３
−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラフェノキシ−１
，３−ビス（４−アミノエチル）ジシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサメチル
−１，５−ビス（４−アミノフェニル）トリシロキサン、１,１，３，３，−テトラフェ
ニル−１，３−ビス（２−アミノフェニル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラフ
ェニル−１，３−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１,１，５，５，−テトラ
フェニル−３，３−ジメチル−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１
,１，５，５，−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（３−アミノブチ
ル）トリシロキサン、１,１，５，５，−テトラフェニル−３，３−ジメトキシ−１，５
−ビス（３−アミノペンチル）トリシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，
３−ビス（２−アミノエチル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３
−ビス（３−アミノプロピル）ジシロキサン、１,１，３，３，−テトラメチル−１，３
−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１
，３−ビス（４−アミノブチル）ジシロキサン、１,１，５，５，−テトラメチル−３，
３−ジメトキシ−１，５−ビス（２−アミノエチル）トリシロキサン、１,１，５，５，
−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（４−アミノブチル）トリシロキサ
ン、１,１，５，５，−テトラメチル−３，３−ジメトキシ−１，５−ビス（５−アミノ
ペンチル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ビス（３
−アミノプロピル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサエチル−１，５−
ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、１,１，３，３，５，５−ヘキサプロピル
−１，５−ビス（３−アミノプロピル）トリシロキサン、等が挙げられる。また、一般式
（１）で表される、比較的入手しやすいジアミンとして、信越化学工業株式会社製のＫＦ
−８０１０、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１６１Ｂ、Ｘ−２２−１６６０Ｂ―３、Ｋ
Ｆ−８００８、ＫＦ−８０１２、Ｘー２２−９３６２、等を挙げることができる。上記ジ
アミンは単独で用いてもよく、２種以上を混合してもよい。

ここで、最外層Ａの耐熱性向上等を目的として、上述のジアミンと他のジアミンとを組
み合わせて使用することも好ましく用いられる。他のジアミン成分としては、あらゆるジ
アミンを使用することが可能であり、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン
、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、ビ
ス（３−アミノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）
スルフィド、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スル
ホキシド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホキシド、ビス（３−ア
ミノフェニル）スルホン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニル）スルホン、ビ
ス（４−アミノフェニル）スルホン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（アミノ
フェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４
’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−
ジアミノジフェニルチオエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルチオエーテル、３，３
’−ジアミノジフェニルチオエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミ
ノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，４’−ジアミノベン
ズアニリド、３，３’−ジアミノベンズアニリド、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、
３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、ビス［４−（
３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、ビス［４−（４−アミノフェニキシ）フェニ
ル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］エタン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−
アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ
）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−
アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン
、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフ
ィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エ
ーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，４−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾ
イル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル
］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル
）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチル
ベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ
）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α
，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α
，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフ
ェニルなどを挙げることができる。

一般式（１）で表されるジアミンは、全ジアミン成分に対して２〜１００モル％が好ま
しく、より好ましくは５〜１００モル％である。一般式（１）で表されるジアミンが、全
ジアミン成分に対して２モル％より低い場合、最外層Ａと金属層との接着強度が低くなる
。

前記ポリイミドは、対応する前駆体ポリアミド酸重合体を脱水閉環して得られる。ポリ
アミド酸重合体は、酸二無水物成分とジアミン成分とを実質的に等モル反応させて得られ
る。

反応の代表的な手順として、１種以上のジアミン成分を有機極性溶剤に溶解または分散
させ、そののち１種以上の酸二無水物成分を添加し、ポリアミド酸溶液を得る方法があげ
られる。各モノマーの添加順序はとくに限定されず、酸二無水物成分を有機極性溶媒に先
に加えておき、ジアミン成分を添加し、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよいし、ジア
ミン成分を有機極性溶媒中に先に適量加えて、つぎに過剰の酸二無水物成分を加え、過剰
量に相当するジアミン成分を加えて、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよい。このほか
にも、当業者に公知のさまざまな添加方法がある。具体的には下記の方法が挙げられる。

なお、ここでいう「溶解」とは、溶媒が溶質を完全に溶解する場合のほかに、溶質が溶
媒中に均一に分散または分散されて実質的に溶解しているのと同様の状態になる場合を含
む。反応時間、反応温度は、とくに限定されない。
１）芳香族ジアミンを有機極性溶媒中に溶解し、これと実質的に等モルの芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物を反応させて重合する方法。
２）芳香族テトラカルボン酸二無水物とこれに対し過小モル量の芳香族ジアミン化合物と
を有機極性溶媒中で反応させ、両末端に酸無水物基を有するプレポリマーを得る。続いて
、全工程において芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン化合物が実質的に等
モルとなるように芳香族ジアミン化合物を用いて重合させる方法。
３）芳香族テトラカルボン酸二無水物とこれに対し過剰モル量の芳香族ジアミン化合物と
を有機極性溶媒中で反応させ、両末端にアミノ基を有するプレポリマーを得る。続いてこ
こに芳香族ジアミン化合物を追加添加後、全工程において芳香族テトラカルボン酸二無水
物と芳香族ジアミン化合物が実質的に等モルとなるように芳香族テトラカルボン酸二無水
物を用いて重合する方法。
４）芳香族テトラカルボン酸二無水物を有機極性溶媒中に溶解及び／または分散させた後
、実質的に等モルとなるように芳香族ジアミン化合物を用いて重合させる方法。
５）実質的に等モルの芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンの混合物を有機
極性溶媒中で反応させて重合する方法。

ポリアミド酸の重合反応に用いられる有機極性溶媒としては、たとえば、ジメチルスル
ホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ−、
ｍ−またはｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフ
ェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトンなどをあげ
ることができる。さらに必要に応じて、これらの有機極性溶媒とキシレンあるいはトルエ
ンなどの芳香族炭化水素とを組み合わせて用いることもできる。

前記方法により得られたポリアミド酸溶液を、熱的または化学的方法により脱水閉環し、ポリイミドを得るが、ポリアミド酸溶液を熱処理して脱水する熱的方法、脱水剤を用いて脱水する化学的方法のいずれも用いることができる。また、減圧下で加熱してイミド化する方法も用いることができる。以下に各方法について説明する。

熱的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液を加熱処理によりイミド化反応を進行させると同時に、溶媒を蒸発させる方法を例示することができる。この方法により、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。加熱の条件はとくに限定されないが、２００℃以下の温度で１秒〜２００分の時間の範囲で行なうことが好ましい。

また、化学的に脱水閉環する方法として、前記ポリアミド酸溶液に化学量論以上の脱水
剤と触媒を加えることにより、脱水反応を起こし、有機溶媒を蒸発させる方法を例示する
ことができる。これにより、固形のポリイミド樹脂を得ることができる。脱水剤としては
、たとえば、無水酢酸などの脂肪族酸無水物、無水安息香酸などの芳香族酸無水物などが
あげられる。また、触媒としては、たとえば、トリエチルアミンなどの脂肪族第３級アミ
ン類、ジメチルアニリンなどの芳香族第３級アミン類、ピリジン、α−ピコリン、β−ピ
コリン、γ−ピコリン、イソキノリンなどの複素環式第３級アミン類などがあげられる。
化学的に脱水閉環する際の条件は、１００℃以下の温度が好ましく、有機溶媒の蒸発は、
２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範囲で行なうことが好ましい。

また、ポリイミド樹脂を得るための別の方法として、前記の熱的または化学的に脱水閉
環する方法において、溶媒の蒸発を行なわない方法もある。具体的には、熱的イミド化処
理または脱水剤による化学的イミド化処理を行なって得られるポリイミド溶液を貧溶媒中
に投入して、ポリイミド樹脂を析出させ、未反応モノマーを取り除いて精製、乾燥させ、
固形のポリイミド樹脂を得る方法である。貧溶媒としては、溶媒とは良好に混合するがポ
リイミドは溶解しにくい性質のものを選択する。例示すると、アセトン、メタノール、エ
タノール、イソプロパノール、ベンゼン、メチルセロソルブ、メチルエチルケトンなどが
あげられるが、これらに限定されない。

つぎに、減圧下で加熱してイミド化する方法であるが、このイミド化の方法によれば、
イミド化によって生成する水を積極的に系外に除去できるので、ポリアミド酸の加水分解
を抑えることが可能であり、高分子量のポリイミドが得られる。また、この方法によれば
、原料の酸二無水物中に不純物として存在する片側または両側開環物が再閉環するので、
より一層の分子量の向上効果が期待できる。

減圧下で加熱イミド化する方法の加熱条件は、８０〜４００℃が好ましいが、イミド化
が効率よく行なわれ、しかも水が効率よく除かれる１００℃以上がより好ましく、さらに
好ましくは１２０℃以上である。最高温度は目的とするポリイミドの熱分解温度以下が好
ましく、通常のイミド化の完結温度、すなわち２５０〜３５０℃程度が通常適用される。

減圧する圧力の条件は、小さいほうが好ましいが、具体的には、９×１０４〜１×１０
２Ｐａ、好ましくは８×１０４〜１×１０２Ｐａ、より好ましくは７×１０４〜１×１０
２Ｐａである。

以上、ポリイミド樹脂について説明したが、市販のシロキサン構造を有するポリイミド
樹脂を用いてもよい。本発明の絶縁性接着シートを構成する最外層Ａに用いることができ
る、比較的入手しやすいシロキサン構造を含むポリイミド樹脂の例として、信越化学工業
株式会社製のＸー２２−８９１７、Ｘー２２−８９０４、Ｘー２２−８９５１、Ｘー２２
−８９５６、Ｘー２２−８９８４、Ｘー２２−８９８５、等を挙げることができる。尚、
これらはポリイミド溶液である。

以上、ポリイミド樹脂について説明したが、本発明の絶縁性接着シートの最外層Ａには
、耐熱性向上、粘着性低減等の目的で、他の成分を含有させることも可能である。他の成
分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などの樹脂を適宜使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレ
ンエーテル樹脂、フェノキシ樹脂、また、酸二無水物成分と、一般式（１）で表されるジ
アミンを含むジアミン成分とからなるポリイミド樹脂とは構造の異なる熱可塑性ポリイミ
ド樹脂等を挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる
。

また、熱硬化性樹脂としては、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェ
ノール樹脂、シアナート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、トリアジ
ン樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、アリル硬化樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などをあげる
ことができ、これらを単独または適宜組み合わせて用いることができる。また、前記熱硬
化性樹脂以外に、高分子鎖の側鎖または末端に、エポキシ基、アリル基、ビニル基、アル
コキシシリル基、ヒドロシリル基などの反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子
を使用することも可能である。

また、最外層Ａと金属層との接着性をより向上させる目的で、各種添加剤を高分子材料
に添加、高分子材料表面に塗布等の方法で存在させることも可能である。具体的には有機
チオール化合物などを挙げることができるが、これに限定されない。

また、最外層Ａ表面に微細配線形成を阻害しない程度の表面粗度を形成し、金属層との
接着性を高める目的で、各種有機フィラー、無機フィラーを添加することもできる。

上述の他の成分は、微細配線形成に悪影響を及ぼす程に最外層Ａの表面粗度を大きくし
ない、また、最外層Ａと金属層との接着性を低下させない範囲で組み合わせることが重要
であり、この点には注意を要する。

ここで、微細配線形成のために、本発明の最外層Ａの表面粗度は、カットオフ値０．０
０２ｍｍで測定した最外層Ａの算術平均粗さが０．５μｍ以下であることが好ましい。算
術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（平成６年２月１日改正版）に定義されてい
る。特に本発明では、算術平均粗さＲａの数値は、光干渉式の表面構造解析装置で表面を
観察により求められた数値を示す。本発明のカットオフ値とは、上記ＪＩＳ Ｂ ０６０
１に記載されているが、断面曲線（実測データ）から粗さ曲線を得る際に設定する波長を
示す。即ち、カットオフ値が０．００２ｍｍで測定した値Ｒａとは、実測データから０．
００２ｍｍよりも長い波長を有する凹凸を除去した粗さ曲線から算出された算術平均粗さ
である。

（最外層Ｂ）
本発明にかかる最外層Ｂに用いる成分詳細について説明する。最外層Ｂには本発明の絶縁
性接着シートを回路が形成された凹凸のある表面に対して積層する際、回路間に最外層Ｂ
が流動して、回路を埋め込むことができる、優れた加工性が必要である。一般に、熱硬化
性樹脂は上記加工性に優れており、本発明の最外層Ｂには熱硬化性樹脂を含むことが好ま
しい。この熱硬化性樹脂組成物としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイ
ミド樹脂、シアナートエステル樹脂、ヒドロシリル硬化樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビス
アリルナジイミド樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、アリル樹脂、不飽和ポリエステ
ル樹脂等の熱硬化性樹脂；高分子鎖の側鎖または末端にアリル基、ビニル基、アルコキシ
シリル基、ヒドロシリル基等の反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を適切な
熱硬化剤、硬化触媒と組み合わせた熱硬化性樹脂組成物として適用可能である。その中でも、耐熱性や加工性のバランスの取れたエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂としては、任意のエポキシ樹脂が本発明に使用可能である。例えば、ビスフェノール系エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノール系エポキシ樹脂、フェノールノボラック系エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック系エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック系エポキシ樹脂、ポリフェノール系エポキシ樹脂、ポリグリコール系エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、エポキシ変性ポリシロキサン等を用いることができる。さらに最外層Ｂの靭性を向上させる等の目的で、フェノキシ樹脂や熱可塑性ポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂等を添加することも好ましい。

この中でも、プリント配線板用材料として要求される諸特性バランスに優れるエポキシ樹脂と熱可塑性ポリイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を用いると、回路埋め込み性等の各種特性に優れるだけでなく、内層回路基板との接着性が向上し、また層Ａとも強固に接着するため好ましい。

上記の熱可塑性ポリイミド樹脂について具体的に述べる。本発明における熱可塑性ポリ
イミドとは、圧縮モード（プローブ径３ｍｍφ、荷重５ｇ）の熱機械分析測定（ＴＭＡ）
において、１０〜４００℃（昇温速度：１０℃／ｍｉｎ）の温度範囲で永久圧縮変形を起
こすものをいう。本発明の層Ｂに用いられる熱可塑性ポリイミド樹脂は、上記条件を満た
せばいかなる熱可塑性ポリイミド樹脂を用いても構わないが、内層回路基板との接着性や
層Ａとの接着性という観点から、酸二無水物成分は、下記一般式（２）

（式中、Ｖは、−Ｏ−または−Ｏ−Ｔ−Ｏ−で、Ｔは２価の有機基を表す。）で表される
酸二無水物を含む。この中でも、特に、前記一般式（２）におけるＴが、

で表される基および

（式中、Ｚは、−ＣQＨ2Q−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ2−、−Ｏ−及び−Ｓ−から成る群
より選択される二価の基であり、Ｑは１〜５の整数である。）で表される酸二無水物の群
より選択される少なくとも一種の酸二無水物を用いることが好ましく、層Ａとの接着性や
、熱硬化性成分との相溶性などの諸特性のバランスが良い点などから、一般式（２）にお
けるＴが

で表される４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物
を用いることが特に好ましい。前記酸二無水物は全酸二無水物成分の５０モル％以上用い
ることが好ましい。

一般式（２）で表される酸二無水物以外の酸二無水物としては、例えば以下のものが例
示される。ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３´，４，４´−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１
，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテト
ラカルボン酸二無水物、４、４´−オキシジフタル酸無水物、３，３´，４，４´−ジメ
チルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４´−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン
酸二無水物、４，４´−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、ｐ−フェニレンジフタル酸無水物などが挙げられるが、これに限
定されない。

また、本発明に用いられるポリイミド樹脂は、ジアミン成分として下記一般式（３）

（式中、Ｙは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ2）m−、−ＮＨ
ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または結合を示す。
ｍおよびｎは１以上５以下の整数である。）で表される少なくとも１種類のジアミンを用
いて得られるポリイミド樹脂であることが好ましい。前記ジアミン化合物は、単独で用い
ても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ここで、式（３）において、複数個のＹは
各繰り返し単位間で同一であっても異なっていても良く、各ベンゼン環には、メチル基や
エチル基などの炭化水素基やＢｒやＣｌなどのハロゲン基が導入されていても良い。一般
式（３）で表されるジアミン化合物としては、例えば、ビス［４− （３−アミノフェノ
キシ）フェニル］メタン、ビス［４ −（４−アミノフェニキシ）フェニル］メタン、１
，１ −ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタ ン、１，１−ビス［４−（
４−アミノフェノキシ）フェ ニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノ キ
シ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−ア ミノフェノキシ）フェニル］エタ
ン、２，２−ビス［４ −（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２， ２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プ ロパン、２，２−ビス［４−（３−アミ
ノフェノキシ） フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−アミノフ ェノキシ）フェ
ニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキ サフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノ フェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘ キサフルオロプロパン
、１，３−ビス（３−アミノフェ ノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノ
キ シ）ベンゼン、１，４’−ビス（４−アミノフェノキ シ）ベンゼン、４，４’−ビス
（４−アミノフェノキ シ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ） フェニル
］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキ シ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−
アミノフェノ キシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノ フェノキシ）フェ
ニル］スルフィド、ビス ［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、 ビス［
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ ン、ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］エ ーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ ル］エーテル、
１，４−ビス［４−（３−アミノフェノ キシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［
４−（３ −アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’ −ビス［３−（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゾイル］ジ フェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミ
ノ フェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４， ４’−ビス［４−（４−アミノ
−α，α−ジメチルベン ジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス ［４−（
４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェ ノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４
−｛４−（４− アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、 １，４−ビス［
４−（４−アミノフェノキシ）−α，α −ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス
［４− （４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジ ル］ベンゼン等が挙げられ
る。

さらに、前記一般式（３）で表されるジアミン化合物中、メタ位にアミノ基を有するジ
アミン化合物、すなわち一般式（４）

（式中、Ｙは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＳＯ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＨ2）m−、−ＮＨ
ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または結合を示す。
ｍおよびｎは１以上５以下の整数である。）で表されるジアミン化合物は、パラ位にアミ
ノ基を有するジアミン化合物よりも溶解性に優れた熱可塑性ポリイミド樹脂を与える点で
好ましい。

一般式（４）で表されるジアミン化合物としては１，１ −ビス［４−（３−アミノフ
ェノキシ）フェニル］エタ ン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノ キシ）フェニル
］エタン、２，２−ビス［４ −（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（３−アミノフェノキシ） フェニル］ブタン、２，２−ビス［３−（３−
アミノフ ェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキ サフルオロプロパン、
１，３−ビス（３−アミノフェ ノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ） フェニル］ケトン、ビス［４−（
３−アミノフェノ キシ）フェニル］スルフィド、ビス ［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エ ーテル、１，
４−ビス［４−（３−アミノフェノ キシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−
（３ −アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［３−（３−アミノ
フェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル等が挙げられる。

上記したジアミン化合物のうち、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンを用
いることは層Ａとの接着性、得られる樹脂の溶解性の観点から好ましい。

またジアミン成分は、水酸基及び／またはカルボキシル基を有するジアミンを用いて得
られるポリイミド樹脂であることも好ましい。水酸基及び／またはカルボキシル基を有す
るジアミンを用いたポリイミド樹脂には水酸基及び／またはカルボキシル基が導入されて
いるので、エポキシ樹脂等と反応し得るため、ポリイミド樹脂がエポキシ樹脂等を介して
架橋することが可能であり、耐熱性、に優れた樹脂組成物を与えることが可能である。

水酸基及び／またはカルボキシル基を有するジアミンとしては、水酸基及び／またはカ
ルボキシル基を有していれば特に限定されることはなく、ジアミノ安息香酸類、３，３’
−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル等を例示することができる。

その他の使用可能なジアミン成分としては、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジ ルアミン、ｐ−アミノベンジル
アミン、ビス（３−アミ ノフェニル）スルフィド、（３−アミノフェニル）（４ −アミ
ノフェニル）スルフィド、ビス（４−アミノフェ ニル）スルフィド、ビス（３−アミノ
フェニル）スルホ キシド、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェニ ル）スルホキシ
ド、ビス（３−アミノフェニル）スルホ ン、（３−アミノフェニル）（４−アミノフェ
ニル）ス ルホン、ビス（４アミノフェニル）スルホン、 ３， ４’−ジアミノベンゾフ
ェノン、４，４’−ジアミノベ ンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、
３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジア ミノジフェニルメタン、４，４
’−ジアミノジフェニル エーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、 ３，４’
−ジアミノジフェニルエーテル、ビス［４−（３− アミノフェノキシ）フェニル］スル
ホキシド、ビス［４ −（アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド等を用が挙げられ
るがこれに限定されない。

層Ｂに用いられる熱可塑性ポリイミド樹脂は、上述の層Ａで行った方法と同様にして製
造することが可能である。

また、本発明の層Ｂには市販の熱可塑性ポリイミド樹脂を用いることもでき、ＵＬＴＥ
Ｍ−１０００−１０００、ＵＬＴＥＭ−１０１０−１０００（共にＧＥ社製）を例示する
ことができる。

以上、本発明の層Ｂに用いられる樹脂について説明したが、低熱膨張性発現のため、各
種フィラーを組み合わせることも可能である。

（その他の層）
本発明においては、最外層Ａ／最外層Ｂなる構成が最も単純な構成であるので、好ましく
、最外層Ａ／最外層Ｂなる構成について主に説明したが、低熱膨張性発現等を目的として
、最外層Ａ層および最外層Ｂの間にさらに別の層を設けても構わない。この別の層は、必
要に応じて、幾層設けても構わない。

（金属層）
本発明に係る絶縁性接着シートの最外層Ａに形成される金属層としては、無電解めっき等
の湿式めっきを形成してなる金属層、スパッタ等の乾式めっきを形成してなる金属層が挙
げられる。また銅箔、アルミ箔などの金属箔であってもよい。この場合、最外層Ａに金属
箔を貼り合わせる態様でもよく、予め金属箔と最外層Ａとが接するように金属箔上に本発
明の絶縁性接着シートを形成してもよい。この中でも、微細配線形成性、製造効率、コス
ト等を考慮すると、無電解めっき等の湿式めっきを形成してなる金属層が好ましい。また
、無電解めっき等の湿式めっきを形成してなる金属層の場合には、表面凹凸が小さい表面
への接着性が不充分となる場合が多いので、本発明の効果が顕著に発現し好ましい態様で
ある。無電解めっきの種類としては無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解金め
っき、無電解銀めっき、無電解錫めっき、等を挙げる事ができ本発明に使用可能であるが
、工業的観点、耐マイグレーション性等の電気特性の観点より、無電解銅めっき、無電解
ニッケルめっきが好ましく、特に好ましくは無電解銅めっきである。

（支持体）
本発明の絶縁性接着シートに用いられる支持体の種類は特に限定されるものではなく、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリプロピレン等の公知の樹脂フィルム、銅箔、アルミ箔、
ニッケル箔等の金属箔を用いることができ、また、剥離性を高める目的で、各種剥離処理
を施した樹脂フィルムを用いることも可能であるが、最外層Ａと支持体が接していること
から、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した最外層Ａ表面の算術平均粗さＲａを０．５
μｍ未満に抑えるために、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した支持体表面の算術平均
粗さＲａは０．５μｍ未満であることが好ましい。

（本発明の絶縁性接着シート）
本発明の絶縁性接着シートは、一方の最外層Ａが、シロキサン構造を有するポリイミド樹
脂を含有し、且つ該層上に金属層を形成するための層であるとともに、他方の最外層Ｂが
、形成された回路と対向させるための層であることを特徴とする。すなわち、最外層Ａが無電解めっきを強固に形成するための機能を担い、最外層Ｂが内層回路埋め込み性を担う。

上記最外層Ａ、すなわち金属層を形成するための層にシロキサン構造を有するポリイミ
ド樹脂を用いることにより、表面粗度が小さい場合でも金属層との接着強度が高い。また
、最外層Ｂ、すなわち形成された回路と対向させるための層を設けることにより、本発明
にかかる絶縁性接着シートと内層回路基板との低温・低圧条件下での貼り合わせや回路配
線の線間埋め込みが可能である等の加工性に優れた絶縁性接着シートを得ることが可能で
ある。特に、最外層Ｂが熱可塑ポリイミド樹脂と熱硬化成分を含有する場合は、加工性の
みならず、誘電特性等の電気的特性や耐熱性に優れた絶縁層となるため好ましい。

また、本発明の絶縁性接着シートは、無電解めっき皮膜との接着性が良好であるため、
微細配線形成が可能なセミアディティブ工法に適用することができる。

さらには、常態のみならず、プレッシャークッカ−試験（ＰＣＴ）などの環境試験後の
接着強度も高いため、信頼性に優れる。

本発明の絶縁性接着シートは、最外層Ａ／最外層Ｂなる構成が最も単純な構成であるの
で好ましいが、最外層Ａ層および最外層Ｂの間に別の層を設けても構わない。この別の層
は必要に応じて、幾層形成してもかまわない。さらには、最外層Ａの表面に支持体が形成
されていても構わない。

耐熱性、熱膨張性の観点から、本発明の絶縁性接着シートを構成する最外層Ａは１０Å
〜５０μｍの範囲にあることが好ましく、最外層Ｂは１μｍ〜７０μｍの範囲にあること
が好ましい。本発明の絶縁性接着シートの全体の厚みは、積層する基板の回路厚みによる
が、２〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。

さらに、低熱膨張性の観点から、最外層Ａの厚みと最外層Ｂの厚みが、最外層Ｂの厚みが最外層Ａの厚みの１．５倍以上であることが好ましい。１．５倍よりも小さい場合、最外層Ａの熱膨張係数の影響が強くなり、絶縁性接着シート全体の熱膨張係数が大きくなる傾向にある。

ここで、本発明でいう熱膨張性は、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１に記載の測定方法に準じて得られる熱膨張係数を指標とすることができる。本発明の最外層Ａ／最外層Ｂからなる絶縁性接着シートの熱膨張係数の測定方法の一例を以下に示す。まず、本発明の最外層Ａ／最外層Ｂからなる絶縁性接着シートを所定の硬化温度、硬化時間にて硬化させて、硬化シートを得る。この硬化シートを用いて、下記の条件にて熱膨張係数を測定する。
（測定条件）
測定装置：ＴＭＡ１２０Ｃ（ＳＩＩナノテクノロジー社製）
硬化シート測定方向：ＭＤ方向
硬化シート厚み：３７μｍ
荷重：３ｇ
昇温速度：１０℃／分
１回目スキャン条件（アニ―リング）：室温〜ガラス転移温度＋１０℃
２回目スキャン条件：−７０℃〜３００℃
熱膨張係数算出法：−５５℃〜１２５℃の平均膨張率を熱膨張係数とする。

尚、上記の１回目スキャン条件におけるガラス転移温度とは、下記の条件にて動的粘弾性測定から得たｔａｎδピークトップ温度のことをいう。
（動的粘弾性測定条件）
測定装置：ＤＭＳ６１００（ＳＩＩナノテクノロジー社製）
硬化シート測定方向：ＭＤ方向
昇温速度：１０℃／分
スキャン条件：室温〜３００℃
ガラス転移温度算出法：ｔａｎδピークトップ温度をガラス転移温度とする。

上記のように、熱膨張係数が大きい傾向にある、シロキサン構造を有するポリイミド樹脂を含有する最外層Ａの厚みを薄くすることで熱膨張係数を低下させることができる。

（本発明の絶縁性接着シートの製造方法）
次に本発明の絶縁性接着シートの製造方法について説明するが、これに限定されるもので
はない。先ず、最外層Ａに含まれる熱可塑性ポリイミド樹脂および必要に応じて他の成分
を適当な溶媒に添加し撹拌し、均一に溶解・分散化した最外層Ａに対応する樹脂溶液を得
る。続いて上述した支持体上に流延塗布し、その後最外層Ａ樹脂溶液を乾燥させることに
より最外層Ａを得る。続いて、同様にして調製した最外層Ｂ樹脂溶液を前記最外層Ａ上に
流延塗布し、その後樹脂溶液を乾燥させることにより、支持体上に形成された最外層Ａと
最外層Ｂからなる本発明の絶縁性接着シートを得ることができる。

別の方法としては、最外層Ａ樹脂溶液を流延塗布した後、乾燥させずに、最外層Ｂを乾
燥していない最外層Ａ樹脂溶液状に流延塗布する方法が挙げられる。この方法は生産性に
優れ好ましく実施可能である。

ここで、最外層Ｂは、内層回路を埋め込むという役割を担っているため、その成分であ
る熱硬化性樹脂組成物が半硬化状態（Ｂステージ状態）にあることであり、半硬化状態を
得るために乾燥温度、時間を適切に制御することが重要である。

また、本発明の絶縁性接着シートには最外層Ａおよび最外層Ｂ以外のその他の層（その
他の層をまとめてＣという）が含まれていてもよく、この場合、最外層Ａを形成した後、
同様の手順で層Ｃを形成し、続いて層Ｃ上に最外層Ｂを形成すれば良い。

＜プリント配線板＞
本発明の絶縁性接着シートは、プリント配線板用途に好ましく用いる事ができる。
本発明の絶縁接着シートを用い本発明のプリント配線板を製造する場合、順に、金属箔、
絶縁接着シート、回路パターンが形成された内層基板を、最外層Ｂと回路パターンとを対
向させ互いに積層し、回路パターン間を主に最外層Ｂで埋め込んだ後、サブトラクティブ
法によるパターンエッチング処理を行い所望の導体回路パターンを形成し、本発明のプリ
ント配線板を得ることが可能である。

また、本発明の絶縁接着シートを用い用い本発明のプリント配線板を製造する別の方法
として、順に、金属箔、絶縁接着シート、回路パターンが形成された内層基板を最外層Ｂ
側と回路パターンを対向させ互いに積層し、回路パターン間を主に最外層Ｂで埋め込んだ
後、エッチングにより金属箔を除去することで露出する最外層Ａ樹脂表面に対し無電解め
っきを行い回路パターン用の金属層を得る事も可能である。この方法はアディティブ法に
よる回路パターン形成法に好ましく適用可能であり、特に微細配線形成が必要な場合に好
ましく実施される。

本発明の絶縁接着シートを用い本発明のプリント配線板を製造するさらに別の方法とし
て、順に、樹脂フィルム基材の付いた絶縁接着シート、回路パターンが形成された内層基
板を最外層Ｂ側と回路パターンを対向させ互いに積層し、回路パターン間を主に最外層Ｂ
で埋め込んだ後、樹脂フィルム基材を剥離することにより露出する最外層Ａ樹脂表面に対
し無電解めっきを行い回路パターン用の金属層を得る事も可能である。この方法はアディ
ティブ法による回路パターン形成法に好ましく適用可能であり、特に微細配線形成が必要
な場合に好ましく実施される。

また、多層プリント配線板の製造においては垂直方向の電気的接続の為にヴィアの形成が必要であるが、本発明のプリント配線板においては、レーザー、メカニカルドリル、パンチング等の公知の方法でヴィアを形成し、無電解めっき、導電性ペースト、ダイレクトプレーティング等の公知の方法で導電化することが可能であり、好ましく実施される。

本発明の絶縁性接着シートの、少なくとも最外層Ｂは、半硬化状態では、適度な流動性
を有している。そのため、熱プレス処理、真空プレス処理、ラミネート処理（熱ラミネー
ト処理）、真空ラミネート処理、熱ロールラミネート処理、真空熱ロールラミネート処理
等の熱圧着処理を行うことで、パターン回路の線間を主に最外層Ｂにより良好に埋め込む
ことができる。中でも真空下での処理、すなわち真空プレス処理、真空ラミネート処理、
真空熱ロールラミネート処理がより良好に回路間をボイド無く埋め込むことが可能であり
、好ましく実施可能である。

上記熱圧着処理における処理温度は特に限定されるものではないが、５０℃以上２５０
℃以下の範囲内であることが好ましく、６０℃以上２００℃以下の範囲内であることがよ
り好ましく、８０℃以上１８０℃以下の範囲内であることが好ましい。上記処理温度が２
５０℃を超えると、熱圧着処理時に本願発明の絶縁性接着シートが硬化してしまい、良好
な積層が行えない可能性がある。一方、上記処理温度が５０℃未満であると、最外層Ｂ流
動性が低く、導体回路パターンを埋め込むことが困難となる。

また、上記熱圧着処理における処理時間、処理圧力は特に限定されるものではなく、用
いる装置の特性、最外層Ｂの流動性に応じて適切に設定すべきである。通常、処理時間は
数秒〜３時間であることが好ましく、また処理圧力は０．１ＭＰａ〜５ＭＰａであること
が好ましい。

上記導体回路パターン上に設けられる最外層Ｂは、導体回路パターンを保護する保護材
料あるいは、多層のプリント配線板での層間絶縁材料となる。そのため、パターン回路を
埋め込んだ後、加熱硬化等を行うことによって完全に硬化させることが好ましい。加熱硬
化の具体的な方法は特に限定されるものではなく、絶縁性接着シートの最外層Ｂの熱硬化
性樹脂組成物を十分に硬化できる条件で行うことが好ましい。

最外層Ｂを硬化させる場合には、熱硬化性樹脂組成物の硬化反応を十分に進行させるた
めに、積層工程の後、または同時に、ポスト加熱処理を実施することが好ましい。ポスト
加熱処理の条件は特に限定されるものではないが、１５０℃以上２００℃以下の範囲内の
温度条件下、１０分以上３時間以下の加熱処理を行うことが好ましい。

このように、本発明にかかるプリント配線板は、上述した絶縁性接着シートを含む樹脂
層を備えている。そのため、優れた微細回路形成性を良好に保つことが可能となり、さら
に、加工性・取扱性、耐熱性、樹脂流動性等の諸特性をバランスよく付与することができ
る。これにより、プリント配線板を好適に製造することが可能になる。

また、最外層Ａと無電解めっき層との接着性を向上させる目的で、無電解めっき層を形
成後に加熱処理を施すことも可能である。

本発明について、実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明はこれに限定され
るものではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなく、種々の変更、修正、および
改変を行うことができる。なお、本発明にかかる絶縁性接着シートの特性として、熱膨張係数、無電解めっき銅との接着性、表面粗さＲａ、積層性、及び微細配線形成性は以下のように評価または算出した。

〔熱膨張係数〕
支持体付き絶縁性接着シートを支持体から引き剥がして得た絶縁性接着シートの両面を圧延銅箔（日鉱マテリアルズ社製、ＢＨＹ−２２Ｂ−Ｔ、１８μｍ厚み）のシャイン面で挟み、温度１８０℃、圧力３ＭＰａ、真空下の条件で６０分の加熱加圧を行い、銅箔／シート／銅箔からなる積層体を得た。該積層体の両面の銅箔を塩酸／塩化第二鉄系エッチャントで除去し、６０℃、３０分乾燥させて、厚み３７μｍの硬化シートを得た。この硬化シートを用いて、下記の条件にて熱膨張係数を測定した。
（測定条件）
測定装置：ＴＭＡ１２０Ｃ（ＳＩＩナノテクノロジー社製）
硬化シート測定方向：ＭＤ方向
荷重：３ｇ
昇温速度：１０℃／分
１回目スキャン条件（アニ―リング）：室温〜ガラス転移温度＋１０℃
２回目スキャン条件：−７０℃〜３００℃
熱膨張係数算出法：−５５℃〜１２５℃の平均膨張率を熱膨張係数とした。
尚、上記の１回目スキャン条件におけるガラス転移温度とは、下記の条件にて動的粘弾性測定から得たｔａｎδピークトップ温度である。
（動的粘弾性測定条件）
測定装置：ＤＭＳ６１００（ＳＩＩナノテクノロジー社製）
硬化シート測定方向：ＭＤ方向
昇温速度：１０℃／分
スキャン条件：室温〜３００℃
ガラス転移温度算出法：ｔａｎδピークトップ温度をガラス転移温度とした。

〔接着性評価〕
支持体付き絶縁性接着フィルムの最外層Ｂをガラスエポキシ基板ＦＲ−４（商品番号：Ｍ
ＣＬ−Ｅ−６７、日立化成工業（株）社製；銅箔の厚さ５０μｍ、全体の厚さ１．２ｍｍ
）に対向させ、温度１７０℃、圧力１ＭＰａ、真空下の条件で６分の加熱加圧を行った後
、支持体を引き剥がして、熱風オーブンにて１８０℃で６０分乾燥させて積層体を得た。
その後、露出する最外層Ａ表面に銅層の形成を行った。銅層の形成は、デスミアおよび無
電解銅めっきを行なった後、無電解めっき銅上に厚さ１８μｍの電解めっき銅層を形成し
て行った。その後、１８０℃、３０分の乾燥処理を行った後、ＪＰＣＡ−ＢＵ０１−１９
９８（社団法人日本プリント回路工業会発行）に従い、常態、及びプレッシャークッカー
試験（ＰＣＴ）後の接着強度を測定した。尚、デスミアおよび無電解銅めっきは以下のプ
ロセスで実施した。
常態接着強度：温度２５℃、湿度５０％の雰囲気下、２４時間放置した後に測定した接着
強度。
ＰＣＴ：温度１２１℃、湿度１００％の雰囲気下、９６時間放置した後に測定した接着強
度。

〔表面粗度Ｒａ測定〕
上記接着性測定項目においてサンプル作製手順においてデスミアまで行った状態のサンプ
ルを用い、層Ａの表面粗度Ｒａの測定を行った。測定は、光波干渉式表面粗さ計（ＺＹＧ
Ｏ社製ＮｅｗＶｉｅｗ５０３０システム）を用いて下記の条件で層Ａの算術平均粗さを測
定した。

（測定条件）
対物レンズ：５０倍ミラウ イメージズーム：２
ＦＤＡ Ｒｅｓ：Ｎｏｒｍａｌ
解析条件：
Ｒｅｍｏｖｅ：Ｃｙｌｉｎｄｅｒ
Ｆｉｌｔｅｒ：Ｈｉｇｈ Ｐａｓｓ
Ｆｉｌｔｅｒ Ｌｏｗ Ｗａｖｅｎ：０．００２ｍｍ
〔積層性評価〕
支持体付き絶縁性接着フィルムの層Ｂと、高さが１８μｍ，回路幅が５０μｍ，回路間距
離が５０μｍにて形成された回路を有するガラスエポキシ基板ＦＲ−４（商品番号：ＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７、日立化成工業（株）社製；銅箔の厚さ５０μｍ、全体の厚さ１．２ｍｍ）
の回路形成面とを対向させ、温度１７０℃、圧力１ＭＰａ、真空下の条件で６分の加熱加
圧を行った後、ポリエチレンテレフタレートフィルムを引き剥がして、熱風オーブンにて
１８０℃で６０分乾燥させて積層体を得た。露出した樹脂表面を、光学顕微鏡（倍率５０
倍）を用いて目視によって観察し、回路間において泡のかみ込みの有無を確認した。回路
間の泡のかみ込み（回路間に樹脂が入り込んでいない部分）が確認されなかった場合の積
層性を合格（○）とし、泡のかみ込み確認がされた場合の積層性を不合格（×）として評
価を行った。

〔微細配線形成性〕
支持体付き絶縁性接着フィルムの層Ｂと、高さが１８μｍ，回路幅が５０μｍ，回路間距
離が５０μｍにて形成された回路を有するガラスエポキシ基板ＦＲ−４（商品番号：ＭＣ
Ｌ−Ｅ−６７、日立化成工業（株）社製；銅箔の厚さ５０μｍ、全体の厚さ１．２ｍｍ）
の回路形成面とを対向させ、温度１７０℃、圧力１ＭＰａ、真空下の条件で６分の加熱加
圧を行った後、支持体を引き剥がして、熱風オーブンにて
１８０℃で６０分乾燥させて積層体を得た。その後、ＵＶ−ＹＡＧレーザーにより内層の
ＦＲ−４の電極直上に該電極に至る内径３０μｍのビアホールを開け、続いて基板全面に
無電解銅めっきを施した後１８０℃、３０分の加熱処理を施した。その後、形成した銅め
っき層上にレジストパターンを形成し、厚み１０μｍの電解銅めっきを施した後、レジス
トパターンを剥離し、さらに露出しためっき銅を硫酸／過酸化水素系エッチャントで除去
して、ライン アンド スペース（Ｌ／Ｓ）＝１０μｍ／１０μｍの配線を有するプリン
ト配線板を作製した。該プリント配線板の配線が、断線や形状不良なく良好に作製できて
いる場合を合格（○）とし、断線や形状不良を生じている場合を不合格（×）として評価
を行った。

〔ポリイミド樹脂の合成例１〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製ＫＦ８０１０を６２ｇ
（０．０７５ｍｏｌ）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１５ｇ（０．０７５ｍ
ｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと呼ぶ）を投入し、撹拌しなが
ら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水
物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸の
ＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにと
り、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂１
を得た。

〔ポリイミド樹脂の合成例２〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、信越化学工業株式会社製ＫＦ８０１０を３７ｇ
（０．０５ｍｏｌ）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル２１ｇ（０．１０ｍｏｌ
）と、ＤＭＦを投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４´―（４，４´―イソプロピリデ
ンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し
、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。上記ポリアミド酸溶液をテフロン
（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで、２００℃、１２０分、６６５Ｐ
ａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂２を得た。

〔ポリイミド樹脂の合成例３〕
容量２０００ｍｌのガラス製フラスコに、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン４１ｇ（０．１４３ｍｏｌ）と、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェ
ニル１．６ｇ（０．００７ｍｏｌ）と、ＤＭＦを投入し、撹拌しながら溶解させ、４，４
´―（４，４´―イソプロピリデンジフェノキシ）ビスフタル酸無水物７８ｇ（０．１５
ｍｏｌ）を添加、約１時間撹拌し、固形分濃度３０％ポリアミド酸のＤＭＦ溶液を得た。
上記ポリアミド酸溶液をテフロン（登録商標）コートしたバットにとり、真空オーブンで
、２００℃、１８０分、６６５Ｐａで減圧加熱し、ポリイミド樹脂３を得た。

〔層Ａを形成する溶液の調合例１〕
ポリイミド樹脂１をジオキソランに溶解させ、層Ａを形成する溶液（ａ）を得た。固形分
濃度は１５重量％となるようにした。

〔層Ａを形成するの調合例２〕
ポリイミド樹脂２をジオキソランに溶解させ、層Ａを形成する溶液（ｂ）を得た。固形分
濃度は１５重量％となるようにした。

〔層Ａを形成するの調合例３〕
ポリイミド樹脂３をジオキソランに溶解させ、溶液（ｃ）を得た。固形分濃度は２０重量
％となるようにした。また、信越化学工業株式会社製のポリイミドシリコーン溶液、Ｘー
２２−８９５１（固形分濃度３０重量％、メチルイソブチルケトン溶液）を用い、層Ａを形成する溶液（ｄ）とした。溶液（ｃ）３０ｇと溶液（ｄ）７０ｇを混合して層Ａを形成する溶液（ｅ）を得た。

〔層Ａを形成する溶液の調合例４〕
ジャパンエポキシレジン（株）社製ビフェニル型エポキシ樹脂のＹＸ４０００Ｈ３２．１
ｇ、和歌山精化工業（株）社製ジアミンのビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル
］スルホン１７．９ｇ、四国化成工業（株）社製のエポキシ硬化剤、２,４−ジ-アミノ−
６−［２′−ウンデシルイミダゾリル−（１′）］ーエチル−ｓ―トリアジン０．２ｇを
ジオキソランに溶解させ、固形分濃度５０％の溶液（ｆ）を得た。溶液（ａ）６０ｇと溶
液（ｆ）６ｇを混合して層Ａを形成する溶液（ｇ）を得た。

〔層Ｂ溶液の調合例１〕
溶液（ｃ）５０ｇと溶液（ｆ）２０ｇと（株）龍森社製のシリカ（アドマファインＳ０−
Ｃ５、平均粒径＝１．５μｍ）１０ｇとを混合し、層Ｂを形成する溶液（ｈ）を得た。

〔層Ｂ溶液の調合例２〕
ＧＥ社製熱可塑性ポリイミド樹脂（ＵＬＴＥＭ−１０００−１０００）をジオキソランに
溶解させ、溶液（ｉ）を得た。固形分濃度は２０重量％とした。溶液（ｉ）５０ｇと溶液（ｆ）２０ｇと（株）龍森社製のシリカ（アドマファインＳ０−Ｃ５、平均粒径＝１．５μｍ）１０ｇとを混合し、層Ｂを形成する溶液（ｊ）を得た。
〔層Ｂ溶液の調合例３〕
フェノキシ樹脂（ＹＰ−５０；東都化成製）をジオキソランに溶解し、２０重量％の溶液（ｋ）を得た。溶液（ｋ）５０ｇと溶液（ｆ）４０ｇと（株）龍森社製のシリカ（アドマファインＳ０−Ｃ５、平均粒径＝１．５μｍ）２０ｇとを混合し、層Ｂを形成する溶液（ｌ）を得た。

〔実施例１〕
表３に示す層Ａを形成する溶液を、支持体となるポリエチレンテレフタレートフィルム（
商品名セラピールＨＰ、東洋メタライジング社製）の表面上に流延塗布した。その後、熱
風オーブンにて６０℃の温度で乾燥させ、厚み２μｍの層Ａ／支持体からなる材料を得た
。さらに、上記層Ａ／支持体からなる材料の層Ａ表面上に、層Ｂを形成する溶液を流延塗
布し、６０℃、１００℃、１２０℃、１５０℃の温度で乾燥させ、厚み３５μｍの層Ｂ／
厚み２μｍの層Ａ／支持体からなる支持体付き絶縁性接着シートを得た。該シートを用い
て各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結果を表３に示す。

〔実施例２−６〕
表３に示す層Ａを形成する溶液に従い、実施例１と同様の手順で層Ａ／層Ｂからなる絶縁
性接着シートを得た。得られたシートを各種評価項目の評価手順に従い評価した。評価結
果を表３に示す。

〔比較例１〕
溶液（ｌ）を用い、厚み３５μｍの層Ｂのみからなる絶縁性接着フィルムを作製し、該フィルムを用いて各種評価項目の評価手順に従い評価した。表４から分かるように、熱膨張係数は小さく、内層回路を十分に埋め込むことができ、また表面粗度も小さいが、無電解めっき皮膜との接着強度が低く、微細配線を良好に形成することができなかった。

〔比較例２〕
溶液（ｄ）を用い、厚み３５μｍの層Ａのみからなる絶縁性接着フィルムを作製し、該フ
ィルムを用いて各種評価項目の評価手順に従い評価した。表４から分かるように、表面粗度が小さくとも無電解めっき皮膜との接着強度は高いが、内層回路の埋め込むが不十分であり、熱膨張係数も大きかった。

なお本発明は、以上説示した各構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態や実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明の絶縁性接着シートは、回路を形成する層の表面粗度が小さい場合でも、回路と
の接着強度が高いという特徴を有しているため、微細配線形成性に優れている。

さらに、優れた加工性、高耐熱性、及び低熱膨張性を発揮することができる。そのため、多層フレキシブルプリント配線板やビルドアップ配線板等のプリント配線板の製造等に好適に用いることができる。それゆえ、本発明は、樹脂組成物や接着剤等の素材加工産業や各種化学産業だけでなく、各種電子部品の産業分野に好適に用いることができる。

Claims (6)

1. 一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された回路
   と対向させるための層である絶縁性接着シートであって、前記最外層Ａは、シロキサン構
   造を有するポリイミド樹脂を含有することを特徴とする絶縁性接着シート。
2. 金属層が無電解めっき層であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁性接着シート。
3. 最外層Ｂがエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁性接着シート。
4. 最外層Ａ及び／または最外層Ｂの表面にさらに支持体が形成されていることを特徴とする
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁性接着シート。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁接着シートの、最外層Ａの表面に、無電解めっき皮膜が形成されていることを特徴とする積層体。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁性接着シートを用いることを特徴とするプリン
   ト配線板。