JP2006165487A - 受光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上部に形成される層を支持する基板と、前記基板上に位置するエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層に小さい深さに形成された少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーと、前記エピタキシャル層に小さい深さに形成された少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーと、前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの外部に位置するエピタキシャル層に形成された第1タイプウェルと、前記第1タイプウェルに小さい深さに形成された高濃度ドーピング第1タイプ電極と、前記高濃度ドーピング第1タイプ電極の上部に形成された回路部とを含み、前記第1タイプと前記第2タイプはドーピング状態が相反のタイプである。
【選択図】図4b
Description
101 基板
102 高濃度ドーピング第1タイプ埋込層
103 エピタキシャル層
104 高濃度ドーピング第1タイプフィンガー
105 高濃度ドーピング第2タイプフィンガー
106 再成長エピタキシャル層
107 第1タイプウェル
108 高濃度ドーピング第1タイプ電極
109 回路部
110 無反射コーティング層
Claims (22)
- 上部に形成される層を支持する基板と、
前記基板上に位置するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層に小さい深さに形成された少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーと、
前記エピタキシャル層に小さい深さに形成された少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーと、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの外部に位置するエピタキシャル層に形成された第1タイプウェルと、
前記第1タイプウェルに小さい深さに形成された高濃度ドーピング第1タイプ電極と、
前記高濃度ドーピング第1タイプ電極の上部に形成された回路部とを含み、
前記第1タイプと前記第2タイプはドーピング状態が相反のタイプであることを特徴とする受光素子。 - 前記少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーと前記少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーが交番に前記エピタキシャル層に小さい深さに形成されることを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- 前記エピタキシャル層の厚さが0.2〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの幅が0.09〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの幅が0.09〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガー間の間隔が1〜20μmであることを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記基板の不純物の濃度が1015cm-3〜1021cm-3であり、
前記エピタキシャル層の不純物の濃度が5×1015cm-3以下であり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であり、
前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であることを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記エピタキシャル層、前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガー上に位置するエピタキシャル層をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- 前記再成長エピタキシャルの厚さが0.01〜0.5μmであることを特徴とする請求項5記載の受光素子。
- 前記再成長エピタキシャル層の不純物の濃度が5×1015cm-3以下であることを特徴とする請求項5記載の受光素子。
- 前記基板と前記エピタキシャル層間に位置する高濃度ドーピング第1タイプ埋込層をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- 前記高濃度ドーピング第1タイプ埋込層の不純物の濃度が1015cm-3〜1021cm-3であることを特徴とする請求項8記載の受光素子。
- 上部に形成される層を支持する基板と、
前記基板上に位置するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層に小さい深さに形成されたN個の高濃度ドーピング第1タイプフィンガーと、
前記N個の高濃度ドーピング第1フィンガーと交番に前記エピタキシャル層に小さい深さに形成された(N+1)個の高濃度ドーピング第2タイプフィンガーとを含み、
前記Nは自然数であり、前記第1タイプと前記第2タイプはドーピング状態が相反のタイプであることを特徴とする受光素子。 - 前記エピタキシャル層の厚さが0.2〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの幅が0.09〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの幅が0.09〜5μmであり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガー間の間隔が1〜20μmであることを特徴とする請求項10記載の受光素子。 - 前記基板の不純物の濃度が1015cm-3〜1021cm-3であり、
前記エピタキシャル層の不純物の濃度が5×1015cm-3以下であり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であり、
前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であることを特徴とする請求項10記載の受光素子。 - 前記N個の高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記(N+1)個の高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの外部に位置するエピタキシャル層に形成された第1タイプウェルと、
前記第1タイプウェルに小さい深さに形成された高濃度ドーピング第1タイプ電極と、
前記高濃度ドーピング第1タイプ電極の上部に形成された回路部とをさらに含むことを特徴とする請求項10記載の受光素子。 - 前記エピタキシャル層、前記N個の高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記(N+1)個の高濃度ドーピング第2タイプフィンガー上に位置する再成長エピタキシャル層をさらに含むことを特徴とする請求項10記載の受光素子。
- 前記再成長エピタキシャルの厚さが0.01〜0.5μmであることを特徴とする請求項14記載の受光素子。
- 前記再成長エピタキシャル層の不純物の濃度が5×1015cm-3以下であることを特徴とする請求項14記載の受光素子。
- (A)基板上にエピタキシャル層を形成する段階と、
(B)前記エピタキシャル層に小さい深さに、少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーを形成する段階とを含み、
前記第1タイプと前記第2タイプはドーピング状態が相反のタイプであることを特徴とする受光素子の製造方法。 - 前記(B)段階は、前記エピタキシャル層に小さい深さに、少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーを交番に形成することを特徴とする請求項17記載の受光素子の製造方法。
- (C)前記エピタキシャル層、前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガー上に再成長エピタキシャル層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項17記載の受光素子の製造方法。
- (C)前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの外部に位置するエピタキシャル層に第1タイプウェルを形成する段階と、
(D)前記第1タイプウェルに小さい深さに高濃度ドーピング第1タイプ電極を形成する段階と、
(E)前記高濃度ドーピング第1タイプ電極の上部に回路部を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項17記載の受光素子の製造方法。 - 前記(A)段階で形成された前記エピタキシャル層の厚さが0.2〜5μmであり、
前記(B)段階で形成された前記少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの幅および少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの幅が0.09〜5μmであり、
前記(B)段階で形成された前記少なくとも一つの高濃度ドーピング第1タイプフィンガーおよび前記少なくとも一つの高濃度ドーピング第2タイプフィンガー間の間隔が1〜20μmであることを特徴とする請求項17記載の受光素子。 - 前記基板の不純物の濃度が1015cm-3〜1021cm-3であり、
前記エピタキシャル層の不純物の濃度が5×1015cm-3以下であり、
前記高濃度ドーピング第1タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であり、
前記高濃度ドーピング第2タイプフィンガーの不純物の濃度が1018cm-3〜1021cm-3であることを特徴とする請求項17記載の受光素子の製造方法。
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