JP2006165120A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 電磁波の放射を抑制するとともに、モアレ現象の発生を抑制することができる表示装置を提供する。
【解決手段】 前面支持体１１のガス放電管側の面に、ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの管軸方向と略直交する方向に、一対の表示電極１８を所定ピッチで設け、前面支持体１１のガス放電管側の反対面に、電磁波遮蔽用電極２０を、表示電極１８と同一の形状で設ける。表示電極１８及び電磁波遮蔽用電極２０は、可視光を効率良く射出するように、メッシュ状のパターンを有している。サステイン電極１８は、導電性に優れた金属性の導電材料であるため、安定して所望の電圧を供給することができる。また、表示電極１８と電磁波遮蔽用電極２０の形状が同一であるため、表示電極１８と電磁波遮蔽用電極２０とが干渉することがなく、モアレ現象の発生を抑制することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰ）、有機ＥＬ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、及び複数のガス放電管を支持体上に並設したアレイ型ディスプレイなどの表示装置に関し、より具体的には、電磁波の放射を抑制するとともに、モアレ現象の発生を抑制することができる表示装置に関する。

近年の情報化社会においては、電子機器による電磁波が様々な場面で発生しており、他の電子機器（特に医療器具）及び人体自体に悪影響を及ぼすことが懸念されている。

ＰＤＰ、有機ＥＬ、ＬＣＤ、及びアレイ型ディスプレイなどの表示装置（表示パネル）においては、高精細化にともなって、駆動周波数が高くなるため、電磁波の発生が問題となってきている。そこで、遮蔽フィルタを表示装置の前面に配置したり、装着したりして、電磁波の遮蔽を行うようにしている（例えば、特許文献１参照。）。

遮蔽フィルタとしては、その光透過率の特徴を生かしたＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が用いられている。ＩＴＯは、上述した表示装置の透明電極としても用いられている。ところで、ＩＴＯは、一般にシート抵抗が数１０Ω／ｃｍ² と比較的高く、表示装置が大画面化するにともない、電極として採用するには消費電力の観点から好ましくはない。

また、近年、光透過性を有するポリカーボネートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のフレキシブル基板を用いて折り曲げ可能なフレキシブルディスプレイの実用化が検討されている。しかしながら、ＩＴＯは、折り曲げに対してクラックが発生するなどの弊害が生じるため、フレキシブルディスプレイ用の電極としては不適である。したがって、フレキシブルディスプレイには、シート抵抗が低く、かつ、曲げ特性に優れた金属電極を用いる必要がある。
特開平１０−３８６１号公報

しかしながら、金属電極は、光透過性に劣るため、そのパターンをメッシュ状、梯子状、くし歯状等に成形する必要があった。したがって、表示電極の開口部を通過した光と、電磁波遮蔽用電極の開口部を通過した光との位相差によって、光強度に強弱が生じてしまうという問題があった。つまり、駆動用の表示電極と電磁波遮蔽用電極とが干渉して、モアレ現象が生じ、視認性などの表示品質が低下するという問題があった。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、基板の一方側の面に表示電極を、他方側の面に表示電極と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備える構成とすることにより、電磁波の放射を抑制するとともに、表示電極と電磁波遮蔽体との干渉を防止してモアレ現象の発生を抑制することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、電磁波遮蔽体が表示電極に対応する位置に配置された構成とすることにより、その主たる発生源である表示電極からの電磁波を効率良く遮蔽することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、電磁波遮蔽体が表示電極と同一の形状を有する構成とすることにより、表示面の真正面における輝度低下を抑制した上で、電磁波を最大限に遮蔽することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、表示面に垂直な方向からみて、表示電極より小さい電磁波遮蔽体を備える構成とすることにより、電磁波遮蔽体と表示電極とのアライメントが設計中心から偏心した場合であっても、表示面の真正面における輝度低下を抑制することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、電磁波遮蔽体を導電性金属で構成することにより、表示装置が大型、すなわち大画面である場合であっても、電圧降下量を低くすることができ、消費電力の増大を抑制することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、電磁波遮蔽体を基板に直接設ける構成とすることにより、表示電極を基板に配置する際に、電磁波遮蔽体を同時形成することができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、電磁波遮蔽体が基板とは別体の板を介して基板に配置されている構成とすることにより、基板と別体の板に予め電磁波遮蔽体を設けておき、その板を基板に装着することによって、電磁波遮蔽体を後付で装着することができ、製造工程で不具合が生じた場合などに、電磁波遮蔽体を設けた板を取替えてリペアを行うことができる表示装置の提供を目的とする。

また本発明は、画素と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備える構成とすることにより、電磁波の放射を抑制するとともに、隣り合う画素間の非発光部と電磁波遮蔽体との干渉を防止してモアレ現象の発生を抑制することができる表示装置の提供を目的とする。

さらに本発明は、電磁波遮蔽体が隣り合う画素間の非発光部に対応する位置に配置された構成とすることにより、表示装置の輝度低下を抑制することができる表示装置の提供を目的とする。

第１発明に係る表示装置は、表示電極が一方側の面に配置された基板を有する表示装置において、前記基板の他方側の面に、前記表示電極と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えることを特徴とする。

第１発明にあっては、基板の一方側の面に表示電極を、他方側の面に表示電極と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えることにより、表示電極と電磁波遮蔽体とのピッチが相違することがないため、表示電極と電磁波遮蔽体とが干渉してモアレ現象が生じる虞はなく、視認性などの表示品質の低下を抑制することができる。

第２発明に係る表示装置は、第１発明において、前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極に対応する位置に配置されていることを特徴とする。

第２発明にあっては、電磁波遮蔽体が表示電極に対応する位置に配置されていることにより、その主たる発生源である表示電極からの電磁波を効率良く遮蔽することができる。

第３発明に係る表示装置は、第１発明又は第２発明において、前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極と同一の形状を有することを特徴とする。

第３発明にあっては、電磁波遮蔽体が表示電極と同一の形状を有することにより、表示面の真正面における輝度低下を抑制した上で、電磁波を最大限に遮蔽することができる。また、電磁波遮蔽体をフォトリソグラフィ法で形成する場合には、表示電極と同一のフォトマスクを用いることができ製造効率に優れる。同様に、電磁波遮蔽体をスクリーン印刷法で形成する場合には、表示電極と同一の印刷版を用いることができ製造効率に優れる。

第４発明に係る表示装置は、第１発明又は第２発明において、前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極より小さいことを特徴とする。

第４発明にあっては、基板の他面に垂直な方向、すなわち、表示面に垂直な方向からみて、電磁波遮蔽体が表示電極より小さいことにより、電磁波遮蔽体と表示電極とのアライメントが設計中心から偏心した場合であっても、表示面の真正面における輝度低下を抑制することができる。換言すれば、電磁波遮蔽体と表示電極とのアライメントに要求される精度が緩和される。

第５発明に係る表示装置は、第１発明乃至第４発明のいずれかにおいて、前記電磁波遮蔽体は、導電性金属で構成されていることを特徴とする。

第５発明にあっては、電磁波遮蔽体が導電性金属で構成されていることにより、表示装置が大型、すなわち大画面である場合であっても、電圧降下量を低くすることができ、消費電力の増大を抑制することができる。

第６発明に係る表示装置は、第１発明乃至第５発明のいずれかにおいて、前記電磁波遮蔽体は、前記基板の他方側の面に直接設けられていることを特徴とする。

第６発明にあっては、電磁波遮蔽体が基板の他方側の面に直接設けられている。この場合、表示電極を基板に配置する際に、電磁波遮蔽体を同時形成することができので、製造効率に優れる。

第７発明に係る表示装置は、第１発明乃至第５発明のいずれかにおいて、前記電磁波遮蔽体は、前記基板とは別体の板に設けられて当該基板の他方側の面に配置されていることを特徴とする。

第７発明にあっては、電磁波遮蔽体が基板とは別体の板に設けられ、基板の他方側の面に配置されている。この場合には、基板と別体の板、例えば、フィルム状のフレキシブル基板、又はガラス板のような平面基板に予め電磁波遮蔽体を設けておき、その板を基板に装着する。よって、電磁波遮蔽体を後付で装着することができるため、例えば製造工程で不具合が生じた場合などに、電磁波遮蔽体を設けた板を取替えてリペアを行うことができる。

第８発明に係る表示装置は、隣り合う画素間に非発光部を有する表示装置において、前記画素と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えることを特徴とする。

第８発明にあっては、画素と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えることにより、画素と電磁波遮蔽体とのピッチが相違することがないため、隣り合う画素間の非発光部と電磁波遮蔽体とが干渉してモアレ現象が生じる虞はなく、視認性などの表示品質の低下を抑制することができる。

第９発明に係る表示装置は、第８発明において、前記電磁波遮蔽体は、前記非発光部に対応する位置に配置されていることを特徴とする。

第９発明にあっては、電磁波遮蔽体が隣り合う画素間の非発光部に対応する位置に配置されていることにより、表示装置の輝度低下を抑制することができる。例えば、電磁波遮蔽体と非発光部とが同一形状の場合には、表示面の真正面における輝度低下を抑制することができる。

本発明によれば、電磁波遮蔽体によって電磁波の放射を抑制するとともに、表示電極と電磁波遮蔽体とのピッチが相違することがないため、表示電極と電磁波遮蔽体とが干渉してモアレ現象が生じる虞はなく、視認性などの表示品質の低下を抑制することができる。

また本発明によれば、電磁波遮蔽体によって電磁波の放射を抑制するとともに、画素と電磁波遮蔽体とのピッチが相違することがないため、画素を区画する非発光部と電磁波遮蔽体とが干渉してモアレ現象が生じる虞はなく、視認性などの表示品質の低下を抑制することができる等、優れた効果を奏する。

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。

（実施の形態１）：ガス放電管をアレイ配置した表示装置（プラズマアレイ表示装置）の一例
図１は本発明の実施の形態１に係る表示装置の一例を示す模式的斜視図、図２は要部平面図であり、図３は図１のIII−III線における構造断面図である。なお、図２は分かり易くするため構成要素の一部を省略して示す。

本発明の実施の形態１に係る表示装置１は、赤色ガス放電管１０ａ，緑色ガス放電管１０ｂ，青色ガス放電管１０ｃ，…を、その軸方向と直交する方向に、規則的に多数配置するとともに、前面支持体１１と背面支持体１２とによって挟持される構成を有する。

ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、細長い透明絶縁性の管状体、例えば内径が０．８ｍｍの円筒状で、肉厚が０．１ｍｍの光透過性のガラス管１３からなり、ガラス管１３の内面には、放電が生じるのに必要な電圧（放電電圧）を下げるための二次電子放出膜（保護膜ともいう）１４が形成されている。

ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの内側には、軸断面が三日月状の形状を有する蛍光体支持部材１５が配設されている。蛍光体支持部材１５の内側表面には、放電により発生した紫外光を可視光に変換させるための赤色蛍光体層１６ａ，緑色蛍光体層１６ｂ，青色蛍光体層１６ｃが形成されている。

また、ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの内部には、Ｘｅ−Ｎｅ、Ｘｅ−Ｈｅ等の放電ガス１７が封入されている。これは、希ガスの中で最も共鳴線（主に、１４７ｎｍ）の波長が長く、強度が強いＸｅガスに、Ｎｅ又はＨｅガスを混合して放電を安定化させるためである。

前面支持体１１及び背面支持体１２は、光透過性を有するポリカーボネートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のフレキシブル基板、又はガラス板のような平面基板である。フレキシブル基板である場合には、ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの外周形状に沿って、フレキシブル基板を変形させるようにしてもよい。

前面支持体１１のガス放電管側の面には、ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの管軸方向（画面の列方向）と略直交する方向に、一対の表示電極（以下、サステイン電極という）１８，１８，…（１８ａ及び１８ｂで一対）が所定ピッチで設けられている。サステイン電極１８は、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の導電材料、又はそれらが積層されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等からなり、可視光を効率良く射出するように、メッシュ状のパターンを有している。

一方、背面支持体１２のガス放電管側の面には、ガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃの管軸方向に沿ってアドレス電極１９，１９，…がガス放電管ごとに設けられている。アドレス電極１９は、サステイン電極１８のような光透過性を必要としないので、その形状に制約はなく、ライン状パターンの金属膜で形成されている。

また、前面支持体１１のガス放電管側の反対面には、電磁波遮蔽用電極２０，２０，…が設けられている。電磁波遮蔽用電極２０は、サステイン電極１８と同様、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の導電材料、又はそれらが積層されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等からなり、その形状は、サステイン電極１８の形状と同一であり、メッシュ状である。電磁波遮蔽用電極２０，２０，…は、表示領域外の例えば前面支持体１１の端縁部にて接続されて接地される。すなわち、電磁波遮蔽用電極２０とサステイン電極１８とは、同一のピッチで前面支持体１１のそれぞれの面に配置されている。

このような表示装置１においては、サステイン電極１８ａ，１８ｂの一方の電極を走査電極として用い、走査電極とアドレス電極１９との間に電圧を印加して、表示書き込みのためのアドレス放電（対向放電）を選択的に発生させ、その放電セル対応のガラス内壁に壁電荷を生じさる。引き続いて、一対のサステイン電極１８ａ，サステイン電極１８ｂ間に電圧を印加して、前記アドレス放電によって壁電荷が生じたセルに表示維持のための表示放電（面放電）を発生させる。この放電によって放電ガス中のＸｅと衝突して紫外光が放出される。紫外光は蛍光体層１６ａ，１６ｂ，１６ｃにて可視光に変換され、赤、緑、青色の可視光が外部へ放出される。

サステイン電極１８は、導電性に優れた金属性の導電材料からなるために、電気抵抗が低く、たとえ大画面化するために電極の長さが長くなる場合であっても、電圧降下値が小さく、安定して所望の電圧を供給することができる。また、サステイン電極１８と電磁波遮蔽用電極２０の形状が同一であるため、サステイン電極１８と電磁波遮蔽用電極２０とが干渉することがないため、モアレ現象の発生を抑制することができ、視認性などの表示品質が低下することはない。

なお、電磁波遮蔽用電極２０とサステイン電極１８とのピッチが同一であれば、電磁波を遮蔽することができるが、本実施形態（以下の各実施形態）においては、表示装置の輝度の低下を抑制するのに好適な形態を示した。つまり、電磁波遮蔽用電極２０がサステイン電極１８と同一の形状であることにより、表示面の真正面における輝度低下を抑制し、かつ、サステイン電極１８に印加される高周波電圧によって生じる電磁波を効率良く遮蔽することができる。また、電磁波遮蔽用電極２０の厚みは、電気抵抗が所定の値以下になるように、材料に応じて適宜調整すればよい。つまり、画面サイズが大きい場合には、電磁波遮蔽用電極２０の厚みを厚くして、電気抵抗値を小さくすればよい。

図４及び図５は本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法（サステイン電極及び電磁波遮蔽用電極の形成方法）を説明するための説明図である。

光透過性に優れた基板（ここでは、前面支持体）１１を用意し、前面支持体１１の両方の面に、導電性膜（例えば、金属膜）２１ａ（下面），２１ｂ（上面）をスパッタ法によって形成する（図４（ａ））。そして、紫外線に感光（露光）すると光重合反応して現像液に溶解しない特性を有する感光性樹脂（レジスト）２２ａ（下面），２２ｂ（上面）を塗布した後、塗布させたレジスト２２ａ，２２ｂをオーブン中で乾燥させる（図４（ｂ））。

次に、形成すべきサステイン電極のメッシュ状のパターンを配したフォトマスク２３を介して、レジスト２２ａに紫外線を露光する（図４（ｃ））。同様に、同一のフォトマスク２３を介して、レジスト２２ｂに紫外線を露光する（図４（ｄ））。

そして、現像液をレジスト２２ａ，２２ｂに噴霧（スプレー）して未露光部分のレジスト２２ａ，２２ｂを除去することにより、レジストパターンを形成する（図５（ｅ））。レジストパターンが形成された前面支持体１１をエッチング液に浸漬することによって、レジスト２２ａ，２２ｂが露出された領域の導電性膜２１ａ，２１ｂをエッチングする（図５（ｆ））。そして、レジスト２２ａ，２２ｂを剥離することにより、メッシュ状のサステイン電極１８が前面支持体１１の下面に、メッシュ状の電磁波遮蔽用電極２０が前面支持体１１の上面にそれぞれ形成される（図５（ｇ））。

このように、それ自体公知の製造方法を用いることによって、所望のパターンに形成されたサステイン電極１８及び電磁波遮蔽用電極２０が前面支持体１１のぞれぞれの面に形成される。

なお、レジスト２２ａ，２２ｂとしては、紫外線に感光すると分解反応して現像液に溶解する特性を有する材料を用いても良く、その場合には、フォトマスクとして、形成すべきパターンを抜き（ネガ）パターンとするマスクを用いればよい。

また、導電性膜２１ａ，２１ｂが感光性を有する場合、レジスト２２ａ，２２ｂを用いることなく、前面支持体１１の下面又は上面のいずれか一方の面からフォトマスク２３を用いて、一方の導電性膜を露光及び現像してパターニングし、パターニングした導電性膜をフォトマスクに代用して、他方の導電性膜を露光及び現像してパターニングするようにしてもよい。このようにすれば、サステイン電極１８と電磁波遮蔽用電極２０とのアライメントズレが生じることはなく、また製造効率の点からも好ましい。

また、上述したようなフォトリソグラフィ法の代わりに、それ自体公知のスクリーン印刷法により、前面支持体１１に導電性ペーストを印刷して、サステイン電極１８及び電磁波遮蔽用電極２０を前面支持体１１のぞれぞれの面に転写形成するようにしてもよい。サステイン電極１８及び電磁波遮蔽用電極２０が同一の形状を有しているため、同一の印刷版を用いることができ、製造効率に優れる。

さらに、サステイン電極１８及び電磁波遮蔽用電極２０の形状は、メッシュ状に限定されるものではなく、可視光を効率良く射出するように、図６に示すように、梯子状（図６（ａ））、くし歯状（図６（ｂ））等のパターンを有していてもよい。

（実施の形態２）：ＰＤＰの一例
図７は本発明の実施の形態２に係る表示装置の一例であるＰＤＰを示す要部斜視図、図８は要部平面図である。

本発明の実施の形態２に係る表示装置２は、可視光領域における透過率が優れたガラス等からなる前面基板３１と背面基板３２とを対向配置し、前面基板３１及び背面基板３２の対向面の周縁部を低融点ガラスペースト等の封止材で封止することによって生じた封止空間にＸｅ−Ｎｅ、Ｘｅ−Ｈｅ等の放電媒体を封入した自己発光型の表示装置である。

前面基板３１の背面基板３２対向面には、第１方向（画面の行方向）Ｘに延びる面放電用のサステイン電極３３，３３，…（３３ａ及び３３ｂで一対）が所定ピッチで設けられており、さらに、サステイン電極３３を被覆してＡＣ駆動用の誘電体層３４ａ、及びＭｇＯからなる保護層（図示せず）が順次形成されている。サステイン電極３３は、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の導電材料、又はそれらが積層されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等からなり、可視光を効率良く射出するように、メッシュ状のパターンを有している。

一方、背面基板３２の前面基板３１対向面には、第１方向Ｘと直交する第２方向（画面の列方向）Ｙに延びるアドレス放電用のアドレス電極３５が所定ピッチで形成されており、さらに、アドレス電極３５を被覆して誘電体層３４ｂが形成されている。また、隣り合うアドレス電極３５の略中間領域にあたる誘電体層３４ｂ上に、第２方向Ｙに延びる隔壁３６が形成されており、さらに、隔壁３６の側面及び誘電体層３４ｂの表面にカラー表示用のＲ，Ｇ，Ｂの３色の蛍光体層３７ａ，３７ｂ，３７ｃが規則的に形成されている。

サステイン電極３３とアドレス電極３５とが直交することによって画定される領域が画素単位の表示領域となり、放電により発生した紫外光は蛍光体層３７ａ，３７ｂ，３７ｃにて、赤，緑，青色の可視光に変換され、外部へ放出される。

また、前面基板３１の外側表面には、電磁波遮蔽用電極３８，３８，…が設けられている。電磁波遮蔽用電極３８は、サステイン電極３３と同様、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の導電材料、又はそれらが積層されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等からなり、その形状は、サステイン電極３３の形状と同一であり、メッシュ状である。電磁波遮蔽用電極３８，３８，…は、表示領域外の例えば前面基板３１の端縁部にて接続されて接地される。

このように、サステイン電極３３と電磁波遮蔽用電極３８の形状が同一であるため、サステイン電極３３と電磁波遮蔽用電極３８とが干渉することがないため、モアレ現象の発生を抑制することができ、視認性などの表示品質が低下することはない。

（実施の形態３）：ＬＣＤの一例
図９は本発明の実施の形態３に係る表示装置の一例であるＬＣＤを示す要部断面図、図１０は要部底面図である。

本発明の実施の形態３に係る表示装置３は、可視光領域における透過率が優れたガラス又は石英等からなる基板として機能するアレイ基板４１と対向基板４２とを備えている。アレイ基板４１と対向基板４２とは、各基板の周縁部をシール材及び封止材で封止され、封止によって生じた空隙内に液晶物質４５が充填されている。

アレイ基板４１には、マトリックス状のＴＦＴを構成するＴＦＴ層４６が形成され、ポジ型アクリル系樹脂などの平坦化膜４７が積層されている。さらにＩＴＯ製の透過率が優れた画素電極４８がマトリックス状に形成されており、平坦化膜４７に設けたコンタクトホールを通じて、ＴＦＴ層４６のドレイン電極に接続されている。

画素電極４８には、配向膜４９が被覆形成されている。配向膜４９は、レーヨン製の布により、右から左方向にラビングされ、液晶物質４５の側鎖方向が規制されている。このような構成により、ＴＦＴはゲート電極に供給される走査信号を入力することによってオン／オフ制御され、オン期間にはソース電極に入力されたデータ電圧を画素電極４８に印加し、オフ期間にはそれまでのデータ電圧を保持することができる。また、画素電極４８，４８間に、アレイ基板４１と対向基板４２との間隙寸法を保持するための柱状スペーサがマトリックス状に配置されていてもよい。

対向基板４２のアレイ基板４１対向面には、Ｃｒ又はＷＳｉ² 等の遮光特性に優れた遮光膜（ブラックマトリックスともいう）５０と、画素電極４８に対向するＩＴＯ製の透過率が優れた対向電極（共通電極ともいう）５１とが積層して形成されている。さらに、対向電極５１には、前述のアレイ基板４１と同様に、配向膜５２が被覆形成されており、液晶物質４５の対向基板４２側の配向方向を決定すべく、レーヨン製の布によりラビング処理され、その側鎖方向が規制されている。

遮光膜５０は、画素電極４８が設けられていない部分（実際には、画素電極４８のエッジ部に発生する光漏れを防止するため、遮光膜５０は画素電極４８と僅かながらオーバラップされている。）に対応する位置に形成されている。つまり、遮光膜５０は、隣り合う画素を区画するための非発光部として機能しており、メッシュ状のパターンを有している。

また、アレイ基板４１の外側表面には、電磁波遮蔽用電極５４，５４，…が設けられている。電磁波遮蔽用電極５４は、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等の導電材料からなり、その表示領域における形状は、遮光膜５０の形状と同一であり、メッシュ状である。電磁波遮蔽用電極５４，５４，…は、表示領域外の例えばアレイ基板４１の端縁部にて接続されて接地される。

さらに、相互の偏光軸方向が直交した（クロスニコル状態の）２枚の図示しない偏光板が、その一方の偏光軸と液晶分子長軸との方向を一致させた状態で、アレイ基板４１，対向基板４２の表面にそれぞれ貼付されており、ＴＦＴを介して画素電極４８に印加された電圧と対向電極５１に印加された電圧との電圧差に基づいて、液晶物質４５の光透過率を制御し、対向基板４２の外側に設けたバックライト５５から出射された光の透過量を制御して画像を表示するよう構成されている。

このように、遮光膜５０と電磁波遮蔽用電極５４の形状が同一であるため、遮光膜５０と電磁波遮蔽用電極５４とが干渉することはなく、モアレ現象の発生を抑制することができ、視認性などの表示品質が低下することはない。

本実施形態では、遮光膜５０が対向基板４２に設けられている場合について説明したが、遮光膜がアレイ基板４１に設けられているような形態であってもよい。また、遮光膜５０が設けられていない場合であっても、隣り合う画素と画素との間隙は非発光領域であり、この間隙に対応する位置に、電磁波遮蔽用電極が設けられたような形態であってもよい。

なお、上述した各実施形態では、電磁波遮蔽用電極とサステイン電極（遮光膜）の形状が同一である形態について説明したが、電磁波遮蔽用電極の外形が、サステイン電極（遮光膜）の外形より小さいような形態であってもよい。

（実施の形態４）：プラズマアレイ表示装置の変形例
図１１は本発明の実施の形態４に係る表示装置の一例を示す要部側面図である。

本発明の実施の形態４に係る表示装置４は、前面支持体１１のガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃ側の反対面には、電磁波遮蔽用電極６０，６０，…が設けられている。電磁波遮蔽用電極６０の外形は、サステイン電極１８の外形より小さく、メッシュ状である。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。このようにすれば、図１１に示したように、電磁波遮蔽用電極６０とサステイン電極１８とのアライメントが設計中心から偏心した場合（同図：破線６１）であっても、表示装置４から発光される光が電磁波遮蔽用電極６１に吸収又は反射されることはなく、輝度が減少することはない。つまり、電磁波遮蔽用電極とサステイン電極とのアライメントに要求される精度が緩和される。

また、サステイン電極を形成した面と対向する面（他方の面）に直接的に電磁波遮蔽用電極が形成されている形態について説明したが、前面支持体と別体の基板に電磁波遮蔽用電極を予め形成しておき、この基板を前面支持体に電磁波遮蔽用電極の形成面を対向させて当接させるか、あるいは逆の面を対向させて当接させることで前面支持体に電磁波遮蔽用電極を装着されているような形態であってもよい。

（実施の形態５）：プラズマアレイ表示装置の変形例
図１２は本発明の実施の形態５に係る表示装置の一例を示す要部側面図である。

本発明の実施の形態５に係る表示装置５は、前面支持体１１のガス放電管１０ａ，１０ｂ，１０ｃ側の反対面には、光透過性を有するポリカーボネートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のシート７０が当接されている。シート７０には、電磁波遮蔽用電極７１，７１，…が設けられている。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。このようにすれば、電磁波遮蔽用電極７１を後付で前面支持体１１に装着することができるため、例えば製造工程で不具合が生じた場合などに、シート７０を取替えてリペアを行うことができる。

本発明の主旨は、一定の周期性のある構造物に対して、その周期性と同一の電磁波遮蔽用電極を設けることにより、構造物と電磁波遮蔽用電極との干渉を防止し、モアレ現象の発生を抑制することにあり、一定の周期性のある構造物を備える表示装置であれば、その種類に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬのような表示装置であってもよい。

本発明の実施の形態１に係る表示装置の一例を示す模式的斜視図である。 本発明の実施の形態１に係る表示装置の一例を示す要部平面図である。 図１のIII−III線における構造断面図である。 本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法（サステイン電極及び電磁波遮蔽用電極の形成方法）を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態１に係る表示装置の製造方法（サステイン電極及び電磁波遮蔽用電極の形成方法）を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態１に係る表示装置の他の例を示す要部平面図である。 本発明の実施の形態２に係る表示装置の一例であるＰＤＰを示す要部斜視図である。 本発明の実施の形態２に係る表示装置の一例であるＰＤＰを示す要部平面図である。 本発明の実施の形態３に係る表示装置の一例であるＬＣＤを示す要部断面図である。 本発明の実施の形態３に係る表示装置の一例であるＬＣＤを示す要部底面図である。 本発明の実施の形態４に係る表示装置の一例を示す要部側面図である。 本発明の実施の形態５に係る表示装置の一例を示す要部側面図である。

符号の説明

１，２，３，４，５ 表示装置
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ ガス放電管
１１ 前面支持体
１２ 背面支持体
１８，３３ 表示電極（サステイン電極）
１９，３５ アドレス電極
２０，３８，５４，６０（６１），７１ 電磁波遮蔽用電極
３１ 前面基板
３２ 背面基板
４１ アレイ基板
４２ 対向基板
４８ 画素電極
５０ 遮光膜（ブラックマトリックス）
５１ 対向電極（共通電極）
７０ シート

Claims (9)

1. 表示電極が一方側の面に配置された基板を有する表示装置において、
   前記基板の他方側の面に、前記表示電極と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えること
   を特徴とする表示装置。
2. 前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極に対応する位置に配置されていること
   を特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極と同一の形状を有すること
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
4. 前記電磁波遮蔽体は、前記表示電極より小さいこと
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
5. 前記電磁波遮蔽体は、導電性金属で構成されていること
   を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
6. 前記電磁波遮蔽体は、前記基板の他方側の面に直接設けられていること
   を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の表示装置。
7. 前記電磁波遮蔽体は、前記基板とは別体の板に設けられて当該基板の他方側の面に配置されていること
   を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の表示装置。
8. 隣り合う画素間に非発光部を有する表示装置において、
   前記画素と同一のピッチを有する電磁波遮蔽体を備えること
   を特徴とする表示装置。
9. 前記電磁波遮蔽体は、前記非発光部に対応する位置に配置されていること
   を特徴とする請求項８に記載の表示装置。

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