JP2006164799A - 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板 - Google Patents

導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2006164799A
JP2006164799A JP2004355800A JP2004355800A JP2006164799A JP 2006164799 A JP2006164799 A JP 2006164799A JP 2004355800 A JP2004355800 A JP 2004355800A JP 2004355800 A JP2004355800 A JP 2004355800A JP 2006164799 A JP2006164799 A JP 2006164799A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal oxide
oxide particles
conductive paste
ceramic
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004355800A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Nomiya
正人 野宮
Ryoji Nakamura
良二 中村
Mitsuyoshi Nishide
充良 西出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2004355800A priority Critical patent/JP2006164799A/ja
Publication of JP2006164799A publication Critical patent/JP2006164799A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】未焼成の低温焼結セラミックと導電性ペーストとを同時に焼成する際に、両者の収縮挙動を精度よく合わせ、かつ、未焼成の低温焼結セラミックにおける収縮バラツキを低減し、焼成後の低温焼結セラミックの変形を防止する。
【解決手段】表面に第1の金属酸化物粒子が付着した金属粉末と、前記第1の金属酸化物粒子とは別に添加される第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を含有し、前記金属粉末の平均粒径をD1(μm)、前記第1の金属酸化物粒子をの平均粒径をD2(μm)とし、前記金属粉末および前記第1の金属酸化物粒子の合計100重量%に対する前記第1の金属酸化物粒子の含有量をx(重量%)としたとき、下記式を満足する導電性ペーストを作製する。
Figure 2006164799

【選択図】なし

Description

本発明は、導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板に関する。
セラミック多層基板は、携帯電話など種々の電子機器において、回路基板やモジュールとして用いられている。一般的に、セラミック多層基板は、積層された複数のセラミックグリーンシートを焼成することにより作製される。
焼成前のセラミックグリーンシートの表面には導電性ペーストが印刷され、また、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通するビアホールには導電性ペーストが充填される。このような導電性ペーストは、焼成工程において焼結し、セラミック多層基板の電気回路を構成する導体となる。
さて、このようにセラミックグリーンシートと導電性ペーストを同時に焼成する場合、セラミックグリーンシートの収縮挙動と導電性ペーストの収縮挙動とを合わせることが、大きな技術的課題となる。なぜなら、両者の収縮挙動がずれてしまうと、収縮差による応力によりセラミック多層基板に反りや変形が生じてしまうからである。
この課題を解決するために、例えば、特許文献1や特許文献2では、導電性ペーストに含まれる金属粉末の周囲を金属酸化物で被覆する技術が提案されている。一般的に、金属粉末は、セラミックグリーンシートに含まれるセラミック粉末よりも早く収縮を開始する。そこで、金属粉末の周囲を金属酸化物で被覆することにより、金属粉末どうしの焼結(ネッキング)を抑制して収縮のタイミングを遅らせ、セラミックグリーンシートの収縮挙動と導電性ペーストの収縮挙動とを合わせようとしているわけである。
なお、上述した従来技術では、セラミック多層基板を構成するセラミックとして、銀や銅といった低融点の金属と同時焼成が可能な低温焼結セラミック(LTCC)が用いられている。低温焼結セラミックに含まれるガラス成分は、焼成時に溶融して拡散する。その融液が金属酸化物を溶融することにより、金属粉末どうしの焼結が開始するのである。
また、これらの従来技術では、被覆すべき金属酸化物の金属塩を含む溶液中に金属粉末を浸漬し、溶液から取り出した金属粉末を乾燥、加熱することにより、金属酸化物の周囲に切れ目のない連続的な金属酸化物の被覆膜を形成している。
特公平2−56402号公報 特開平8−31229号公報
しかし、上述した従来技術では、金属酸化物の被覆膜が連続的に形成されているため、セラミックグリーンシートからしみ出すガラス成分が、金属酸化物の被覆膜内部に浸入しにくい。すると、ガラス成分と金属酸化物との接触が不十分となり、金属酸化物の溶融が起こりにくくなり、金属粉末の収縮挙動が緩慢となる。これに対して低温焼結セラックの収縮挙動は急峻であるため、精度よく両者の収縮挙動を合わせることができない。
また、上述した従来技術では、金属粉末どうしの焼結開始が遅れるため、セラミックグリーンシートにおいて導電性ペーストと接触している部分の収縮が抑制されてしまう。すると、セラミックグリーンシート全体の収縮バランスが崩れてしまう。
このように、上述した従来技術では、セラミックグリーンシートの収縮挙動と導電性ペーストの収縮挙動のミスマッチや、セラミックグリーンシートにおける収縮バラツキにより、セラミック多層基板が変形してしまうという問題があった。
本発明は、上記問題点を解決するためのものであり、セラミックグリーンシートの収縮挙動と導電性ペーストの収縮挙動とを精度よく合わせ、かつ、セラミックグリーンシートにおける収縮バラツキを低減することを目的とするものである。
本発明に係る導電性ペーストは、未焼成の低温焼結セラミックと同時に焼成される導電性ペーストであって、表面に第1の金属酸化物粒子が付着した金属粉末と、前記第1の金属酸化物粒子とは別に添加される第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を含有し、前記金属粉末の平均粒径をD1(μm)、前記第1の金属酸化物粒子の平均粒径をD2(μm)とし、前記金属粉末および前記第1の金属酸化物粒子の合計100重量%に対する前記第1の金属酸化物粒子の含有量をx(重量%)とし、前記金属粉末の密度をd1(g/cm3)、前記第1の金属酸化物粒子の密度をd2(g/cm3)としたとき、以下の式1を満足することを特徴とする。
Figure 2006164799
また、さらに以下の式2を満足することが好ましい。
Figure 2006164799
本発明に係る導電性ペーストの製造方法は、前記導電性ペーストの製造方法であって、金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子を機械的に付着させる工程と、前記第1の金属酸化物粒子が付着した前記金属粉末と、第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を混合する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明に係るセラミック多層基板は、複数の積層されたセラミック層からなるセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部および表面の少なくとも一方に形成された導体と、を備えるセラミック多層基板であって、前記セラミック層は低温焼結セラミックからなり、前記導体は、前記導電性ペーストを焼成して形成されたものであることを特徴とする。
本発明の導電性ペーストにおいては、金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子が嵩高く付着し、第1の金属酸化物粒子の間に多数の空隙が形成される。そして、未焼成の低温焼結セラミックから拡散したガラス成分がこの空隙に引き込まれることにより、ガラス成分と第1の金属酸化物粒子との接触面積が増えるため、第1の金属酸化物粒子の溶融が促進される。したがって、未焼成の低温焼結セラミックの収縮挙動と導電性ペーストの収縮挙動とを精度よく合わせることが可能となる。また、本発明の導電性ペーストにおいては、金属粉末どうしの焼結開始が過度に遅れることがないため、未焼成の低温焼結セラミックにおいて導電性ペーストと接触している部分の収縮が抑制されにくい。したがって、未焼成の低温焼結セラミックにおいて、導電性ペーストに起因する収縮バラツキを抑制することが可能となる。
なお、未焼成の低温焼結セラミックからしみ出すガラス成分は、導電性ペーストと未焼成の低温焼結セラミックとを接合するアンカーを形成するが、より強固なアンカーを形成するためには、金属粉末の間に形成される空隙にガラス成分が十分に濡れ広がる必要がある。
そこで、本発明では、導電性ペースト中に第2の金属酸化物粒子が添加されている。金属酸化物粒子は、ガラス成分と混ざり、低温焼結セラミックと導電性ペーストとの界面に集まろうとする性質を有する。したがって、第2の金属酸化物粒子が金属粉末間に存在し、かつ、第2の金属酸化物粒子がガラス成分を引き込みやすいため、ガラス成分の電極内への濡れ広がりが促進される。
以上のように、本発明の導電性ペーストによれば、低温焼結セラミックの変形を防止すると同時に、低温焼結セラミックと導体との接合力の低下を防止することができる。
以下、本発明に係る導電性ペーストの一実施形態について説明する。
本発明に係る導電性ペーストは、未焼成の低温焼結セラミックと同時に焼成されるものである。ここで、低温焼結セラミック(以下、LTCCと省略することがある)とは、ガラス複合系、結晶化ガラス系、非ガラス系の3種類を含む。いずれのLTCCも、焼成時にガラス成分が存在することでは共通している。
ガラス複合系LTCCは、ガラス成分とセラミック成分とを混合して焼成することにより得られるものである。ガラス複合系LTCCとしては、例えば、Al23とホウケイ酸ガラスとを混合して焼成したものや、Al23とSiO2ガラスとを混合して焼成したものなどを挙げることができる。
結晶化ガラス系LTCCは、結晶化ガラスを焼成することにより得られるものである。結晶化ガラス系LTCCとしては、例えば、コージェライト系結晶化ガラスを焼成したものなどを挙げることができる。
非ガラス系LTCCは、ガラス構成元素を含むがそれ自体はガラスではないセラミック成分を複数種混合して焼成することにより得られるものである。非ガラス系LTCCとしては、例えば、BaO−Al23−SiO2系セラミックや、Al23−CaO−SiO2−MgO−B23系セラミックなどを挙げることができる。
また、未焼成の低温焼結セラミックは、一定の形状を有していることが好ましい。例えば、ガラス粉末やセラミック粉末を有機ビヒクル中に分散し、シート状やチップ状に成形したものなどが挙げられる。中でも、シート状に成形されたセラミックグリーンシートや、それを複数積層してなるセラミック積層体は、平板状の形状となるため、収縮応力により変形しやすい。すなわち、本発明に係る導電性ペーストは、セラミックグリーンシートやそれを用いたセラミック積層体と同時焼成する際に、大きな効果を発揮するものである。
本発明に係る導電性ペーストは、表面に第1の金属酸化物粒子が付着した金属粉末と、第1の金属酸化物粒子とは別に添加される第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を含有する。
金属粉末としては、例えば、Cu、Ag、Pd、Ni、およびそれらの合金のうち少なくとも1種を用いることができる。金属粉末の粒径は0.2〜20μm程度であることが好ましく、粗大粉や凝集粉が少ないものを用いることが好ましい。導電性ペースト中の金属粉末の含有割合は、周囲に付着した第1の金属酸化物粒子の重量を含めて、55〜80重量%であることが好ましい。
第1の金属酸化物粒子は、金属粉末どうしの焼結を抑制し、導電性ペーストの収縮を遅らせる作用を有する。第1の金属酸化物粒子としては、金属粉末より融点の高いものを用いることが好ましく、例えば、SiO2、Al23、TiO2、およびZrO2のうち少なくとも1種を用いることができる。第1の金属酸化物粒子の平均粒径は、0.01〜0.2μm程度であることが好ましい。第1の金属酸化物は、ペースト混練時に金属粉末の表面から剥離しない程度に、金属粉末表面に付着していることが好ましい。
第2の金属酸化物粒子は、導電性ペーストと未焼成の低温焼結セラミックとの接合力を高める作用を有する。第2の金属酸化物粒子としては、金属粉末より融点の高いものを用いることが好ましく、例えば、SiO2、Al23、TiO2、およびZrO2のうち少なくとも1種を用いることができる。第2の金属酸化物粒子の平均粒径は、0.3〜2.0μm程度であることが好ましい。導電性ペースト中の第2の金属酸化物粒子の含有割合は、3〜5重量%であることが好ましい。
有機ビヒクルは、有機バインダと溶剤とを含む。有機バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、メタクリル樹脂などを用いることができる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アルコール類などを用いることができる。導電性ペースト中の有機ビヒクルの含有割合は、15〜42重量%であることが好ましい。
また、本発明に係る導電性ペーストにおいては、金属粉末の平均粒径をD1(μm)、第1の金属酸化物粒子の平均粒径をD2(μm)とし、金属粉末および第1の金属酸化物粒子の合計100重量%に対する第1の金属酸化物粒子の含有量をx(重量%)とし、金属粉末の密度をd1(g/cm3)、第1の金属酸化物粒子の密度をd2(g/cm3)としたとき、以下の式1を満足する。
Figure 2006164799
上記式1において、左辺は、第1の金属酸化物粒子を、厚み方向で2つの粒子が重なるように最密で平面上に並べた際に形成される粒子層の厚みを示す。中辺は、金属粉末の表面積に相当する面積を有する平面上に、含有量x(重量%)に相当する量の第1の金属酸化物粒子を並べた際に形成される粒子層の厚みを示す。右辺は、第1の金属酸化物が実質的に作用を奏するための粒子層の厚みを示す。なお、各辺ともに単位はμmである。
中辺で示される粒子層の厚みが、左辺で示される粒子層の厚み以下となるのは、3つ以上の粒子が重なるように粒子層が形成されてしまうと、金属粉末側に形成される粒子間の空隙までガラス成分が到達しにくくなるためである。
すなわち、上記式1は、第1の金属酸化物粒子を金属粉末表面に付着させる際の好適な条件を表したものである。
さらに、本発明に係る導電性ペーストにおいては、以下の式2を満足することが好ましい。
Figure 2006164799
上記式2の中辺は、金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子がどれぐらいの密度で存在するかを示す指標(単位なし)である。この指標の値が上記関係を満足するとき、第1の金属酸化物粒子の間の空隙が最適な割合で形成される。なお、中辺の値は、0.9未満であることがさらに好ましい。
次に、本発明に係る導電性ペーストの製造方法の一実施形態について説明する。
本発明に係る導電性ペーストの製造方法は、金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子を機械的に付着させる工程と、第1の金属酸化物粒子が付着した金属粉末と、第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を混合する工程と、を備える。
金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子を機械的に付着させる手段としては、ボールミルを用いた乾式混合法、表面融合法(メカノフュージョン)、高速気流中衝撃式表面改質法、などを用いることができる。中でも、比較的強い衝撃力により、金属粉末表面に第1の金属酸化物粒子を衝突させ、第1の金属酸化物粒子を安定的に固着させられるものを用いることが好ましい。
金属粉末、第2の金属酸化物粒子、および有機ビヒクルを混合する手段としては、ライカイ機や3本ロールミルなどを用いることができる。なお、混合の際には、金属粉末表面から第1の金属酸化物粒子が剥離しない程度に、適宜混合条件を調整することが望ましい。
次に、本発明に係る導電性ペーストを用いて作製されたセラミック多層基板の一実施形態について説明する。
図1は、本発明に係るセラミック多層基板の一例を示す断面図である。セラミック多層基板10は、複数の積層されたセラミック層11からなるセラミック積層体12と、セラミック層11の層間に形成された内部導体13と、セラミック層11を厚み方向に貫通するように形成されたビア導体14と、セラミック積層体12の表面に形成された外部導体15と、を備える。
セラミック層11は低温焼結セラミックからなる。低温焼結セラミックの定義は、すでに述べた通りである。外部導体15は、本発明に係る導電性ペーストを焼成して形成されたものである。
セラミック層11は、一般的に、セラミックグリーンシートを焼成したものからなる。セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、有機バインダ、溶剤、および可塑剤を混合してなるセラミックスラリーをシート状に成形することにより作製される。ここで、有機バインダとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂などを用いることができる。溶剤としては、例えば、トルエン、イソプロピレンアルコール等のアルコール類を用いることができる。また、可塑剤としては、ジ−n−ブチルフタレートなどを用いることができる。
以下の通り、本発明に係る導電性ペーストを作製し、その特性を評価した。
(1)導電性ペーストの作製
まず、金属粉末として、下記表1に示す平均粒径(式1中のD1(μm))および密度(式2中のd1(g/cm3))を有するCu粉末を準備し、第1の金属酸化物粒子として、表1に示す平均粒径(式1中のD2(μm))および密度(式2中のd2(g/cm3))を有するAl23粒子を準備した。さらに、第2の金属酸化物粒子として平均粒径0.37μmのAl23粒子、有機バインダとしてエチルセルロース、溶剤としてテルピネオールを準備した。
次に、ハイブリダイゼーションシステム(株式会社奈良機械製作所製)を用いて、Cu粉末表面にAl23粒子を機械的に固着させた。このとき、表1に示す通り、Cu粉末に対するAl23粒子の含有量(式1中のx)を振って、表面にAl23が付着したCu粉末を複数種類準備した。
次に、表面にAl23が付着したCu粉末、および第2の金属酸化物粒子としてのAl23粒子を表1に示す割合で秤量し、3本ロールミルを用いて有機ビヒクル中で混合し、導電性ペーストの試料1〜17を作製した。また、参考として、Cu粉末だけを有機ビヒクル中に混合して、導電性ペーストの試料18を作製した。なお、各試料において、有機ビヒクルはペースト中20重量%となるように調製した。
(2)セラミックグリーンシートの作製
次に、低温焼結セラミックの出発原料として、BaCO3、Al23、SiO2、B23、CaOを準備し、これらを混合して仮焼し、得られた仮焼物を粉砕した。次に、得られた粉末をアクリル樹脂およびトルエンからなる有機ビヒクル中で混合し、セラミックスラリーを作製した。次に、ドクターブレード法によりセラミックスラリーをシート状に成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを作製した。
(3)セラミック多層試験基板の作製
まず、スクリーン印刷により、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストの各試料を印刷し、図2に示すような導体パターンを形成した。図2はセラミックグリーンシートを示す平面図であり、セラミックグリーンシート21上に、正方形状の導体パターン22と、長方形状の導体パターン23と、が形成されている。導体パターン22のサイズは、それぞれ焼成後に2mm×2mm×8μmとなるようにし、導体パターン23のサイズは、それぞれ焼成後に10mm×2mm×8μmとなるようにした。
次に、このように導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートの下に、導体パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを複数枚積層して圧着し、未焼成のセラミック積層体を作製した。次に、未焼成のセラミック積層体を、還元雰囲気中1000℃で焼成し、サイズが12mm×30mm×1mmであるセラミック多層基板を得た。さらに、正方形状の導体の表面に、無電解メッキにより厚さ2.5μmのNiメッキ、厚さ0.1μmのAuメッキを順に施した。
以上のように、導電性ペーストの試料1〜17を用いて、17種類のセラミック多層基板の試料(以下、試験基板と呼ぶ)を作製した。
(4)特性の評価
まず、各試験基板を、長方形状の導体パターンが形成された側の側面から観察し、各試験基板の変形量を測定した。図3は、試験基板が反った状態を模式的に示す概略側面図である。図3に示すように、セラミック多層基板31上には、長方形状の導体33が形成されている。変形量とは、セラミック多層基板31の底面中央部と底面端部との高さの差hで表されるものであり、マイクロゲージで測定した。その結果を表1に示す。
次に、各試験基板上に形成された正方形状の導体パターン上に、先端をL字型に曲げた軟銅線を半田付けした。図4は、軟銅線が半田付けされた状態を模式的に示す概略断面図である。図4に示すように、セラミック多層基板41上に形成された導体42と、軟銅線43と、が半田44により固定されている。
次に、軟銅線を鉛直上方に引っ張ることにより、セラミック多層基板41と導体42との接合部を破断させ、破断時の引っ張り強度を今田式引張試験機により測定し、これを接合強度とした。その結果を表1に示す。
Figure 2006164799
なお、表1において、Aとは式1の左辺の値を表し、Bとは式1の中辺の値を表し、Cとは式2中の中辺の値を表している。また、Cの値は、小数点第3位以下が四捨五入されて示されている。また、導体面積あたりの接合強度における導体面積とは、正方形状の導体1つの面積(2mm×2mm)を意味する。また、金属粉末および第2の金属酸化物粒子の含有量は、導電性ペースト全体に対する割合で表されている。
表1からわかるように、試料1〜9,11,16,17は、式1の関係を満足するため、接合強度が大きく、変形量も小さい。また、試料1〜9,11,16,17は、式2の関係も同時に満足している。中でも、試料1,2,4は、Cの値が0.9未満となっているため、特に変形量が小さい。
一方、試料10は、式1および式2のいずれの関係も満足していないため、接合強度が小さく、変形量も大きい。また、試料12は、式1および式2のいずれの関係も満足していないため、接合強度が小さい。さらに、試料13〜15は、第2の金属酸化物粒子を含有していないため、接合強度が小さい。
本発明に係るセラミック多層基板の一例を示す断面図である。 実施例におけるセラミックグリーンシート上の導体パターンを示す平面図である。 実施例において、試験基板が反った状態を模式的に示す概略側面図である。 実施例において、試験基板に軟銅線が半田付けされた状態を模式的に示す概略断面図である。
符号の説明
10 セラミック多層基板
11 セラミック層
12 セラミック積層体
13 内部導体
14 ビア導体
15 外部導体

Claims (4)

  1. 未焼成の低温焼結セラミックと同時に焼成される導電性ペーストであって、
    表面に第1の金属酸化物粒子が付着した金属粉末と、
    前記第1の金属酸化物粒子とは別に添加される第2の金属酸化物粒子と、
    有機ビヒクルと、
    を含有し、
    前記金属粉末の平均粒径をD1(μm)、前記第1の金属酸化物粒子の平均粒径をD2(μm)とし、
    前記金属粉末および前記第1の金属酸化物粒子の合計100重量%に対する前記第1の金属酸化物粒子の含有量をx(重量%)とし、
    前記金属粉末の密度をd1(g/cm3)、前記第1の金属酸化物粒子の密度をd2(g/cm3)としたとき、
    以下の式1を満足することを特徴とする、導電性ペースト。
    Figure 2006164799
  2. さらに以下の式2を満足することを特徴とする、請求項1に記載の導電性ペースト。
    Figure 2006164799
  3. 請求項1または請求項2に記載の導電性ペーストの製造方法であって、
    金属粉末の表面に第1の金属酸化物粒子を機械的に付着させる工程と、
    前記第1の金属酸化物粒子が付着した前記金属粉末と、第2の金属酸化物粒子と、有機ビヒクルと、を混合する工程と、
    を備えることを特徴とする、導電性ペーストの製造方法。
  4. 複数の積層されたセラミック層からなるセラミック積層体と、
    前記セラミック積層体の内部および表面の少なくとも一方に形成された導体と、
    を備えるセラミック多層基板であって、
    前記セラミック層は低温焼結セラミックからなり、
    前記導体は、請求項1または請求項2に記載の導電性ペーストを焼成して形成されたものであることを特徴とするセラミック多層基板。
JP2004355800A 2004-12-08 2004-12-08 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板 Pending JP2006164799A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004355800A JP2006164799A (ja) 2004-12-08 2004-12-08 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004355800A JP2006164799A (ja) 2004-12-08 2004-12-08 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006164799A true JP2006164799A (ja) 2006-06-22

Family

ID=36666560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004355800A Pending JP2006164799A (ja) 2004-12-08 2004-12-08 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006164799A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009054386A1 (ja) * 2007-10-22 2009-04-30 Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. 被覆導電性粉体およびそれを用いた導電性接着剤
USD794697S1 (en) 2015-09-01 2017-08-15 Avant Technology, Inc. Expansion module for a camera

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009054386A1 (ja) * 2007-10-22 2009-04-30 Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. 被覆導電性粉体およびそれを用いた導電性接着剤
US8262940B2 (en) 2007-10-22 2012-09-11 Nippon Chemical Industrial Co., Ltd. Coated conductive powder and conductive adhesive using the same
JP5425636B2 (ja) * 2007-10-22 2014-02-26 日本化学工業株式会社 被覆導電性粉体およびそれを用いた導電性接着剤
KR101505227B1 (ko) 2007-10-22 2015-03-23 니폰 가가쿠 고교 가부시키가이샤 피복 도전성 분체 및 그것을 이용한 도전성 접착제
USD794697S1 (en) 2015-09-01 2017-08-15 Avant Technology, Inc. Expansion module for a camera

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5211970B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JP4703212B2 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP5293605B2 (ja) セラミック多層基板及びその製造方法
JP2008166307A (ja) 多層セラミックス基板
JP2007273914A (ja) 配線基板および配線基板の製造方法
JP5582069B2 (ja) セラミック多層基板
JP2005268204A (ja) 導電性ペースト及びセラミック電子部品
JP2002026528A (ja) 導電性ペーストおよび多層セラミック基板
JP5166049B2 (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
JP2006164799A (ja) 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびにセラミック多層基板
JP2008112787A (ja) 多層セラミックス基板及びその製造方法
JP4844317B2 (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP3929989B2 (ja) 導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いたセラミック多層回路基板。
JPH11284296A (ja) 配線基板
JPH0836914A (ja) セラミック電子部品用焼付型導電性ペースト及びセラミック電子部品
JP2006173222A (ja) 配線基板
JP2008112786A (ja) 多層セラミックス基板及びその製造方法
JP4646362B2 (ja) 導体組成物およびこれを用いた配線基板
JP2007128732A (ja) 導体ペースト及びこれを用いた多層セラミックス基板
WO2023058497A1 (ja) 電子部品
WO2023002894A1 (ja) セラミック電子部品
KR102543291B1 (ko) 도체 형성용 조성물, 도체와 그 제조 방법, 및, 칩 저항기
JP6773114B2 (ja) セラミック電子部品
JP2020077816A (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2010153554A (ja) セラミック基板及びその製造方法