JP2006157277A - 高調波抑制用フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型で第5次高調波まで抑制して送受信モジュールからのスプリアスの発生を抑制する。
【解決手段】 所定の幅を有する複数のLTCC2を多層に構成し、インダクタ成分を形成するために各層のLTTC2にViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、容量成分を形成するために各層のLTCC2上に導体1を構成し、多層に構成されたLTCC2の周囲を外導体4で囲んだ高調波抑制用フィルタ。
【選択図】 図1
【解決手段】 所定の幅を有する複数のLTCC2を多層に構成し、インダクタ成分を形成するために各層のLTTC2にViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、容量成分を形成するために各層のLTCC2上に導体1を構成し、多層に構成されたLTCC2の周囲を外導体4で囲んだ高調波抑制用フィルタ。
【選択図】 図1
Description
この発明は、送受信モジュールに使用する高調波抑制用フィルタ、特に、第5次までの高調波抑制を目的とした広帯域で小型の高調波抑制用フィルタ及びその製造方法に関するものである。
従来の送受信モジュール用の高調波抑制用フィルタとしては、インタディジタルフィルタやコムラインフィルタが使用されている。これらのフィルタは、第5次高調波まで抑制できる従来の同軸フィルタと比較して小型であり、かつ接続部が同軸コネクタではなくマイクロストリップ線路なので、送受信モジュール内の伝送線路において、マイクロストリップ線路−同軸線路変換部を必要とせず、送受信モジュールの小型化にも有効である。しかし、インタディジタルフィルタは第2次高調波までしか抑制できず、コムラインフィルタは第3次高調波までしか抑制できない。
一方、従来の同軸フィルタは広帯域阻止フィルタを実現することが可能であるが、同軸コネクタを使用することと、内導体の誘電体の誘電率が、例えばテフロン(登録商標)の誘電率で2.0と、低いために波長短縮率を大きくできず小型化が困難である。
また、高誘電率の誘電体を使用した広帯域阻止フィルタとして、特許文献1には、誘電率が21〜260と高いLTCC(低温焼成多層セラミック)を使用した広帯域阻止フィルタが記載されている。
従来の高調波抑制用フィルタは以上のように構成されているので、インタディジタルフィルタやコムラインフィルタでは、第2次高調波や第3次高調波までしか抑制できず、より高次の高調波を抑制できないので、送受信モジュールからスプリアスが発生する可能性があるという課題があった。
一方、同軸フィルタを使用した従来の高調波抑制用フィルタは、第5次高調波まで抑制できるが、大型であり、接続部が同軸コネクタなので、RFモジュール内でマイクロストリップ線路−同軸線路変換部を必要とし、送受信モジュールを小型化できないという課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小型で送受信モジュールも小型化することができ、かつ、第5次高調波まで抑制して送受信モジュールからのスプリアスの発生を抑制することができる高調波抑制用フィルタ及びその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る高調波抑制用フィルタは、所定の幅を有する複数のLTCCを多層に構成し、インダクタ成分を形成するために各層のLTTCにViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体を構成し、容量成分を形成するために各層のLTCC上に導体を構成し、多層に構成されたLTCCの周囲を外導体で囲んだものである。
この発明により、小型で送受信モジュールも小型化することができ、かつ、第5次高調波まで抑制し、送受信モジュールからのスプリアスの発生を抑制することができるという効果が得られる。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、第5次高調波まで抑制できる従来の同軸フィルタを小型化するために、高誘電率の複数のLTCC2を円形に構成し、高調波抑制用フィルタのインダクタ成分を形成するために円形の各LTCC2の円の中心にVia(接触孔)を空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、高調波抑制用フィルタの容量成分を形成するために円形のLTCC2上に円形の導体1を構成する。そして、円形の複数のLTCC2を多層に積み重ねて円柱体を構成し、円柱体の円周方向の周囲を外導体4で囲んで同軸フィルタとして構成している。ここで、円形のLTCC2は誘電率が21〜260と高誘電率であるため、波長短縮率が大きくなり、理論上、従来の同軸フィルタの9%のサイズまで小型化することが可能である。
図1はこの発明の実施の形態1による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、第5次高調波まで抑制できる従来の同軸フィルタを小型化するために、高誘電率の複数のLTCC2を円形に構成し、高調波抑制用フィルタのインダクタ成分を形成するために円形の各LTCC2の円の中心にVia(接触孔)を空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、高調波抑制用フィルタの容量成分を形成するために円形のLTCC2上に円形の導体1を構成する。そして、円形の複数のLTCC2を多層に積み重ねて円柱体を構成し、円柱体の円周方向の周囲を外導体4で囲んで同軸フィルタとして構成している。ここで、円形のLTCC2は誘電率が21〜260と高誘電率であるため、波長短縮率が大きくなり、理論上、従来の同軸フィルタの9%のサイズまで小型化することが可能である。
このように、同軸フィルタとして構成された高調波抑制用フィルタを送受信モジュールに実装するには、はんだ7により円柱体の両端の円形の導体1を基板5上のマイクロストリップ線路6にそれぞれ接続し、はんだ7により外導体4をグランドと導通しているパッド8に接続する。
図2は図1のように実装された高調波抑制用フィルタの等価回路を示す図であり、ローパスフィルタの回路構成となっている。円形の導体1により図2の容量成分を形成し、内導体3により図2のインダクタ成分を形成している。このとき、各層において所定の厚さaが異なる円形のLTCC2を使用することにより、内導体3のインダクタンス成分を変化させ、高調波抑制用フィルタの周波数特性を変化させることが可能である。
円形のLTCC2として誘電率が最大の260のものを使用した場合、この高調波抑制用フィルタの直径は1.5mm、長手方向の長さは15mm、円形の導体1の直径は1.2mm、厚さは0.2mm、円形のLTCC2の直径は1.4mm、厚さは0.4〜1.5mmと小型に高調波抑制用フィルタを構成することができる。
図1において、信号をマイクロストリップ線路6から入力することにより、高調波抑制用フィルタが第5次までの高調波を抑制し、送受信モジュールにおける高調波によるスプリアスを抑制することが可能である。
以上のように、この実施の形態1によれば、小型で送受信モジュールも小型化することができ、かつ、第5次高調波まで抑制し、送受信モジュールからのスプリアスの発生を抑制することができるという効果が得られる。
実施の形態2.
図3はこの発明の実施の形態2による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、第5次高調波まで抑制できる従来の同軸フィルタを小型化するために、高誘電率の複数のLTCC12を四角形に構成し、高調波抑制用フィルタのインダクタ成分を形成するために四角形の各LTCC12の中心にViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、高調波抑制用フィルタの容量成分を形成するために四角形のLTCC12上に四角形の導体11を構成する。そして、四角形の複数のLTCC12を多層に積み重ねて角柱体を構成し、角柱体の長手方向の周囲を外導体14で囲んで同軸フィルタとして構成している。ここで、四角形のLTCC12は誘電率が21〜260と高誘電率であるため、波長短縮率が大きくなり、理論上、従来の同軸フィルタの9%のサイズまで小型化することが可能である。
図3はこの発明の実施の形態2による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、第5次高調波まで抑制できる従来の同軸フィルタを小型化するために、高誘電率の複数のLTCC12を四角形に構成し、高調波抑制用フィルタのインダクタ成分を形成するために四角形の各LTCC12の中心にViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体3を構成し、高調波抑制用フィルタの容量成分を形成するために四角形のLTCC12上に四角形の導体11を構成する。そして、四角形の複数のLTCC12を多層に積み重ねて角柱体を構成し、角柱体の長手方向の周囲を外導体14で囲んで同軸フィルタとして構成している。ここで、四角形のLTCC12は誘電率が21〜260と高誘電率であるため、波長短縮率が大きくなり、理論上、従来の同軸フィルタの9%のサイズまで小型化することが可能である。
このように、同軸フィルタとして構成された高調波抑制用フィルタを送受信モジュールに実装するには、はんだ7により角柱体の両端の四角形の導体11を基板5上のマイクロストリップ線路6にそれぞれ接続し、はんだ7により外導体14をグランドと導通しているパッド8に接続する。
図3のように実装された高調波抑制用フィルタの等価回路を示す図は図2と同じであり、ローパスフィルタの回路構成となっている。四角形の導体11により図2の容量成分を形成し、内導体3により図2のインダクタ成分を形成している。このとき、各層において所定の厚さaが異なる四角形のLTCC12を使用することにより、内導体3のインダクタンス成分を変化させ、高調波抑制用フィルタの周波数特性を変化させることが可能である。
四角形のLTCC12として誘電率が最大の260のものを使用した場合、この高調波抑制用フィルタの断面の一辺は1.5mm、長手方向の長さは15mm、四角形の導体11の一辺は1.2mm、厚さは0.2mm、四角形のLTCC12の一辺は1.4mm、厚さは0.4〜1.5mmと小型に高調波抑制用フィルタを構成することができる。
図3において、信号をマイクロストリップ線路6から入力することにより、高調波抑制用フィルタが第5次までの高調波を抑制し、送受信モジュールにおける高調波によるスプリアスを抑制することが可能である。
以上のように、この実施の形態2によれば、小型で送受信モジュールも小型化することができ、かつ、第5次高調波まで抑制し、送受信モジュールからのスプリアスの発生を抑制することができるという効果が得られる。
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、実施の形態1の図1に示す高調波抑制用フィルタから円柱体の両端の円形の導体1を削除し、送受信モジュールに実装するには、はんだ7により円柱体の両端の内導体3をすだれ状の接触部9を介して基板5上のマイクロストリップ線路6にそれぞれ接続する点が図1に示す高調波抑制用フィルタと異なっている。その他の高調波抑制用フィルタの構成及び送受信モジュールへの実装方法は図1と同じである。このように、内導体3をすだれ状の接触部9を介して基板5上のマイクロストリップ線路6に接続することにより、送受信モジュールへの実装を容易に行うことができる。
図4はこの発明の実施の形態3による高調波抑制用フィルタの実装例を示す図である。この高調波抑制用フィルタは、実施の形態1の図1に示す高調波抑制用フィルタから円柱体の両端の円形の導体1を削除し、送受信モジュールに実装するには、はんだ7により円柱体の両端の内導体3をすだれ状の接触部9を介して基板5上のマイクロストリップ線路6にそれぞれ接続する点が図1に示す高調波抑制用フィルタと異なっている。その他の高調波抑制用フィルタの構成及び送受信モジュールへの実装方法は図1と同じである。このように、内導体3をすだれ状の接触部9を介して基板5上のマイクロストリップ線路6に接続することにより、送受信モジュールへの実装を容易に行うことができる。
この実施の形態3では、実施の形態1と同様に円形のLTCC2と円形の導体1を使用しているが、実施の形態2と同様に四角形のLTCC12と四角形の導体11を使用しても良い。
以上のように、この実施の形態3によれば、実施の形態1と同様の効果が得られると共に、送受信モジュールへの実装を容易に行うことができるという効果が得られる。
実施の形態4.
図5はこの発明の実施の形態4による高調波抑制用フィルタの製造例を示す図である。図5(a)に示す所定の厚さを有する板状のLTTCのグリーンシート21にインダクタ成分の形成を目的とした内導体を設けるために、図5(b)に示すようにVia22を複数個空け、さらに、図5(c)に示すように、グリーンシート21のVia22の周囲にキャパシタ成分の形成を目的として円形の導体23をプリントする。同様にして、所定の厚さが異なる板状のLTTCのグリーンシート21に、Via22を複数個空けて、円形の導体23をプリントする。このように、所定の厚さが異なるグリーンシート21を使用することにより、内導体のインダクタンス成分を変化させ、高調波抑制用フィルタの周波数特性を変化させることが可能である。
図5はこの発明の実施の形態4による高調波抑制用フィルタの製造例を示す図である。図5(a)に示す所定の厚さを有する板状のLTTCのグリーンシート21にインダクタ成分の形成を目的とした内導体を設けるために、図5(b)に示すようにVia22を複数個空け、さらに、図5(c)に示すように、グリーンシート21のVia22の周囲にキャパシタ成分の形成を目的として円形の導体23をプリントする。同様にして、所定の厚さが異なる板状のLTTCのグリーンシート21に、Via22を複数個空けて、円形の導体23をプリントする。このように、所定の厚さが異なるグリーンシート21を使用することにより、内導体のインダクタンス成分を変化させ、高調波抑制用フィルタの周波数特性を変化させることが可能である。
次に図5(d)に示すように、多段フィルタの形成を目的として、Via22が設けられ円形の導体23がプリントされた所定の厚さが異なる複数のグリーンシート21を積み重ねてプレスして多層化する。そして、図5(e)に示すように、同軸の形状を作成するために多層化された複数のグリーンシート21を円柱状に切り出す。そして、図5(f)に示すように、円柱状に切り出された多層化された複数のグリーンシート21を金属板24で周囲を囲んで外導体を構成し、図5(g)に示すような高調波抑制用フィルタを製造する。
このようにして製造された高調波抑制用フィルタの送受信モジュールへの実装方法は実施の形態1と同様である。また、この実施の形態4では、グリーンシート21のVia22の周囲に円形の導体23をプリントし、多層化された複数のグリーンシート21を円柱状に切り出しているが、グリーンシート21のVia22の周囲に四角形の導体をプリントし、多層化された複数のグリーンシート21を角柱状に切り出しても良い。
以上のように、この実施の形態4によれば、実施の形態1と同様の効果が得られると共に、高調波抑制用フィルタを容易に製造することができるという効果が得られる。
1 円形の導体、2 円形のLTCC、3 内導体、4 外導体、5 基板、6 マイクロストリップ線路、7 はんだ、8 パッド、9 すだれ状の接触部、11 四角形の導体、12 四角形のLTCC、14 外導体、21 グリーンシート、22 Via、23 円形の導体、24 金属板。
Claims (7)
- 所定の厚さを有する複数のLTCC(低温焼成多層セラミック)を多層に構成し、インダクタ成分を形成するために各層のLTTCにViaを空けて繋ぎ合わせて同軸の内導体を構成し、容量成分を形成するために各層のLTCC上に導体を構成し、多層に構成されたLTCCの周囲を外導体で囲んだ高調波抑制用フィルタ。
- 多層に構成された複数のLTCCの両端に構成された導体が、送受信モジュールのマイクロストリップ線路に接続され、外導体が送受信モジュールのグランドと導通しているパッドに接続されることを特徴とする請求項1記載の高調波抑制用フィルタ。
- 各層において所定の厚さが異なるLTCCを使用することにより、内導体のインダクタ成分を変化させて周波数特性を変化させることを特徴とする請求項1記載の高調波抑制用フィルタ。
- LTCCを円形又は四角形に構成し、導体を円形又は四角形に構成することを特徴とする請求項1記載の高調波抑制用フィルタ。
- 多層に構成された複数のLTCCの両端の内導体が、すだれ状の接続部を介して、送受信モジュールのマイクロストリップ線路に接続され、外導体が送受信モジュールのグランドと導通しているパッドに接続されることを特徴とする請求項1記載の高調波抑制用フィルタ。
- 所定の厚さを有する板状のLTCCのグリーンシートにインダクタンス成分の形成を目的とした内導体を設けるためにViaを空け、上記グリーンシートのViaの周囲にキャパシタ成分の形成を目的として導体をプリントし、上記Viaが設けられ上記導体がプリントされた複数のグリーンシートを、多段フィルタの形成を目的として積み重ねてプレスして多層化し、同軸の形状を作成するために多層化されたグリーンシートを柱状に切り出し、柱状に切り出された多層化されたグリーンシートを金属板で周囲を囲んで外導体を構成する高調波抑制用フィルタの製造方法。
- 所定の厚さが異なる数のグリーンシートを積み重ねてプレスして多層化することを特徴とする請求項6記載の高調波抑制用フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004342716A JP2006157277A (ja) | 2004-11-26 | 2004-11-26 | 高調波抑制用フィルタ及びその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9948263B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
-
2004
- 2004-11-26 JP JP2004342716A patent/JP2006157277A/ja active Pending
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US9948263B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-04-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
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Legal Events
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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