JP2006151966A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 一般式（１）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ^２は一般式（４）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ^２はアルキル基又はハロゲンを表し、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
2. 一般式（８）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ^２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ^２はアルキル基又はハロゲンを表し、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
3. 一般式（１４）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
4. 一般式（１９）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
5. 一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
6. 一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
7. 一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは１であり、Ａｒ ^１ は一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ ^３ は一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ ^１ およびＲ ^３ は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、炭素数１０以下の無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
8. 一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
   

   

   （式中、ｎは１であり、Ａｒ ^１ は一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ ^３ は一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ ^１ およびＲ ^３ は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、炭素数１０以下の無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   最大発光波長が３５０〜４５０ｎｍの間にあるオリゴナフタレン誘導体。
10. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（１）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ^２は一般式（４）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ^２はアルキル基又はハロゲンを表し、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
11. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（８）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ^２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ^２はアルキル基又はハロゲンを表し、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
12. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（１４）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
13. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（１９）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
14. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
15. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは２であり、Ａｒ^１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ^３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
16. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは１であり、Ａｒ ^１ は一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ ^３ は一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ ^１ およびＲ ^３ は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、炭素数１０以下の無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
17. 一対の電極間に発光物質を含む層を有し、
    前記発光物質を含む層は、一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
    

    

    （式中、ｎは１であり、Ａｒ ^１ は一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ ^３ は一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ ^１ およびＲ ^３ は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、炭素数１０以下の無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
18. 請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。