JP2006147874A5 - - Google Patents
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- 絶縁体基板と，
前記絶縁体基板上に導電性材料により形成された電極パターンと，
ｎ型半導体基板と前記ｎ型半導体基板上に形成された，活性層及び電流狭窄層を含む複数のｐ型半導体領域を有し，前記複数のｐ型半導体領域の表面側に発光の出射窓を囲むアノード電極を有して構成される面発光型半導体レーザアレイとを有し，
前記面発光型半導体レーザアレイは，前記電極パターンに電気的に接続されるとともに，ハンダもしくは導電性接着剤により物理的にも接合されていて，且つ，
前記面発光型半導体レーザアレイの前記複数のｐ型半導体領域のそれぞれを分離する素子分離溝が，少なくとも前記電極パターンの対応する部分を分離するまで前記絶縁体基板に達している
ことを特徴とする光デバイス。 - 請求項１において，
前記面発光型半導体レーザアレイは，前記複数のｐ型半導体領域が，１次元又は２次元方向に配列されていることを特徴とする光デバイス。 - 請求項１又は２において，
前記絶縁体基板の前記電極パターンの形成面と反対側面に前記面発光型半導体レーザを駆動するnpnトランジスタによる駆動回路が搭載されていることを特徴とする光デバイス。 - 請求項１又は２において，
前記絶縁体基板の前記前記面発光型半導体レーザアレイの搭載領域の周囲領域に前記面発光型半導体レーザを駆動するnpnトランジスタによる駆動回路が搭載されていることを特徴とする光デバイス。 - 絶縁体基板上に導電性材料により電極パターンを形成し，
前記電極パターンに，ｎ型半導体基板と前記ｎ型半導体基板上に形成された，活性層及び電流狭窄層を含む複数のｐ型半導体領域を有し，前記複数のｐ型半導体領域の表面側に発光の出射窓を囲むアノード電極を有して構成される面発光型半導体レーザアレイを電気的に接続するとともに，物理的にも接合し，
ついで，前記面発光型半導体レーザアレイ側から少なくとも前記電極パターンの対応する部分を分離するまで前記絶縁体基板に達する素子分離溝をダイシングにより形成する
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
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| JP2004336340A JP4772318B2 (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 光デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2004336340A JP4772318B2 (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 光デバイス及びその製造方法 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP4772318B2 (ja) |
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