JPWO2021020393A5 - - Google Patents

Description

図７Ｂに示すように、回路基板１１００が準備される。半導体成長基板１１９４ａは、上下を反転して、ｎ形半導体層１１５１の露出面を介して、導電層１３０が形成された回路基板１１００に貼り合わせられる。ウェハボンディング後、結晶成長用基板１００１がレーザリフトオフ等によって除去される。

光反射プレート１３０ａは、発光素子１５０－１，１５０－２の下方への散乱光を発光面１５３Ｓ１，１５３Ｓ２の側へ反射し、また下方への散乱光を遮光するように設けられている。光反射プレート１３０ａの外周は、ＸＹ平面視で、２つの発光素子１５０－１，１５０－２の外周を含む。

発光素子１５０－２の発光面１５３Ｓ２上にわたって透光性電極１５９ａ２が設けられている。発光素子１５０－２は、発光素子１５０－１によるサブピクセルに隣接するサブピクセルの一部である。発光素子１５０－２は、トランジスタ１０３および発光素子１５０－１が電気的に接続されるのと同様に、トランジスタ１０３とは異なるトランジスタに電気的に接続される。

Claims (24)

1. 発光層を含む半導体層を第１基板上に成長させた第２基板を準備する工程と、
   透光性基板上に形成された回路素子を含む回路と、前記回路を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された光反射性を有する部分を含む導電層と、を含む第３基板を準備する工程と、
   前記半導体層を前記第３基板に貼り合わせる工程と、
   前記半導体層から発光素子を形成する工程と、
   前記導電層、前記発光素子および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通するビアを形成する工程と、
   前記発光素子と前記回路素子とを前記ビアを介して電気的に接続する工程と、
   を備え、
   前記発光素子は、前記部分上に設けられ、
   前記部分の外周は、平面視で前記部分に投影された前記発光素子の外周を含む画像表示装置の製造方法。
2. 前記第３基板は、前記透光性基板と前記回路との間に設けられ、可撓性を有する第４基板をさらに含み、
   前記半導体層を前記第３基板に貼り合わせた後に前記透光性基板を除去する工程をさらに備えた請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
3. 透光性基板は、ガラス基板である請求項２記載の画像表示装置の製造方法。
4. 前記半導体層を前記第３基板に貼り合わせる前に前記第１基板を除去する工程をさらに備えた請求項１～３のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
5. 前記半導体層を前記第３基板に貼り合わせた後に前記第１基板を除去する工程をさらに備えた請求項１～３のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
6. 前記発光素子の前記第１絶縁膜の側の面に対向する発光面を前記第２絶縁膜から露出させる工程をさらに備えた請求項１～５のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
7. 露出された前記発光面に透光性電極を形成する工程をさらに備えた請求項６記載の画像表示装置の製造方法。
8. 前記第１基板は、シリコンまたはサファイアを含む請求項１～７のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
9. 前記半導体層は、窒化ガリウム系化合物半導体を含む請求項１～８のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
10. 前記発光素子上に波長変換部材を形成する工程をさらに備えた請求項１～９のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
11. 第１面を有する透光性基板と、
    前記第１面上に設けられた回路素子と、
    前記回路素子に電気的に接続された第１配線層と、
    前記第１面上で前記回路素子および前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に設けられた光反射性を有する部分を含む導電層と、
    前記部分上に設けられるとともに前記部分に電気的に接続された第１発光素子と、
    前記第１発光素子の少なくとも一部、前記導電層および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１発光素子の前記第１絶縁膜の側の面と対向する発光面を含む面に電気的に接続された第２配線層と、
    前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層および前記第２配線層を電気的に接続する第１ビアと、
    を備え、
    前記部分の外周は、平面視で前記部分に投影された前記第１発光素子の外周を含む画像表示装置。
12. 前記透光性基板は、ガラス基板である請求項１１記載の画像表示装置。
13. 第１面を有する可撓性を有する基板と、
    前記第１面上に設けられた回路素子と、
    前記回路素子に電気的に接続された第１配線層と、
    前記第１面上で前記回路素子および前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に設けられた光反射性を有する部分を含む導電層と、
    前記部分上に設けられるとともに前記部分に電気的に接続された第１発光素子と、
    前記第１発光素子の少なくとも一部、前記導電層および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１発光素子の前記第１絶縁膜の側の面と対向する発光面を含む面に電気的に接続された第２配線層と、
    前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層および前記第２配線層を電気的に接続する第１ビアと、
    を備え、
    前記部分の外周は、平面視で前記部分に投影された前記第１発光素子の外周を含む画像表示装置。
14. 前記第１発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた第１発光層と、前記第１発光層上に設けられ、前記第１導電形と異なる第２導電形の第２半導体層と、を含み、前記第１絶縁膜の側から前記発光面の側に向かって前記第１半導体層、前記第１発光層および前記第２半導体層の順に積層され、
    前記第１半導体層は、前記部分上に設けられるとともに前記部分に電気的に接続された請求項１１～１３のいずれか１つに記載の画像表示装置。
15. 前記第２絶縁膜を貫通し、前記部分および前記第２配線層を電気的に接続する第２ビア
    をさらに備えた請求項１１～１４のいずれか１つに記載の画像表示装置。
16. 前記第１導電形の第３半導体層と、前記第３半導体層上に設けられた第２発光層と、前記第２発光層上に設けられ前記第２導電形の第４半導体層と、を含み、前記第１絶縁膜の側から前記発光面の側に向かって前記第３半導体層、前記第２発光層および前記第４半導体層の順に積層された第２発光素子
    をさらに備え、
    前記第３半導体層は、前記部分上に設けられるとともに前記部分に電気的に接続され、
    前記部分の外周は、平面視で前記部分に投影された前記第１発光素子の外周および前記第２発光素子の外周を含む請求項１４記載の画像表示装置。
17. 前記第１導電形は、ｐ形であり、
    前記第２導電形は、ｎ形である請求項１４または１６に記載の画像表示装置。
18. 前記導電層は、貫通孔を含み、
    前記第１ビアは、前記貫通孔を貫通するとともに前記貫通孔から絶縁された請求項１１～１７のいずれか１つに記載の画像表示装置。
19. 前記第２絶縁膜は、前記発光面を露出させた開口を有し、
    前記発光面上に設けられた透光性電極をさらに備えた請求項１１～１８のいずれか１つに記載の画像表示装置。
20. 前記開口から露出された発光面は、粗面を含む請求項１９記載の画像表示装置。
21. 前記第１発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を含み、
    前記回路素子は、薄膜トランジスタを含む請求項１１～２０のいずれか１つに記載の画像表示装置。
22. 前記第１発光素子上に波長変換部材をさらに備えた請求項１１～２１のいずれか１つに記載の画像表示装置。
23. 第１面を有する透光性基板と、
    前記第１面上に設けられた複数のトランジスタと、
    前記複数のトランジスタに電気的に接続された第１配線層と、
    前記第１面上で前記複数のトランジスタおよび前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に設けられた光反射性を有する部分を含む導電層と、
    前記部分上に設けられ、前記部分に電気的に接続された第１導電形の第１半導体層と、
    前記第１半導体層上に設けられた発光層と、
    前記発光層上に設けられ、前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
    前記第１絶縁膜、前記発光層および前記第１半導体層を覆うとともに前記第２半導体層の少なくとも一部を覆う第２絶縁膜と、
    前記複数のトランジスタに応じて前記第２絶縁膜からそれぞれ露出された、前記第２半導体層の複数の発光面上に配設された透光性電極に接続された第２配線層と、
    前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の配線および前記第２配線層の配線を電気的に接続する複数のビアと、
    を備え、
    前記部分の外周は、平面視で前記部分に投影された前記第１半導体層、前記発光層および前記第２半導体層の外周をすべて含む画像表示装置。
24. 前記第２半導体層は、前記第２絶縁膜によって分離された請求項２３記載の画像表示装置。