JPWO2021065917A5 - - Google Patents

Description

ビア１６１ｋ－１は、第２の層間絶縁膜１５６を貫通して設けられている。ビア１６１ｋ－１の一端は、段差部１５１ａ－１に接続されている。ビア１６１ｋ－２は、第２の層間絶縁膜１５６を貫通して設けられている。ビア１６１ｋ－２の一端は、段差部１５１ａ－２に接続されている。

カラーフィルタ１８０は、遮光部１８１と色変換部１８２とを含む。色変換部１８２は、発光素子１５０－１，１５０－２の発光面１５３Ｓ１，１５３Ｓ２の直上に、発光面１５３Ｓ１，１５３Ｓ２の形状に応じて設けられている。カラーフィルタ１８０では、色変換部１８２以外の部分は、遮光部１８１とされている。遮光部１８１は、いわゆるブラックマトリクスであり、隣接する色変換部１８２から発光される光の混色等によるにじみを低減し、シャープな画像を表示することを可能にする。

Claims (21)

1. 透光性基板上に形成された回路素子を含む回路と、前記回路を覆う第１絶縁膜と、を含む第１基板を準備する工程と、
   前記第１絶縁膜上にグラフェンを含む層を形成する工程と、
   前記グラフェンを含む層上に発光層を含む半導体層を形成する工程と、
   前記半導体層をエッチングして発光素子を形成する工程と、
   前記グラフェンを含む層、前記発光素子および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通するビアを形成する工程と、
   前記発光素子の前記第１絶縁膜の側の面に対向する発光面で、前記発光素子と前記回路素子とを前記ビアを介して電気的に接続する工程と、
   を備えた画像表示装置の製造方法。
2. 前記半導体層を形成する工程では、前記半導体層はスパッタリングにより成長させる請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
3. 可撓性を有し、前記透光性基板と前記回路素子との間に設けられた第２基板をさらに含み、
   前記半導体層を形成する工程の後に前記透光性基板を除去する工程をさらに備えた請求項１または２に記載の画像表示装置の製造方法。
4. 前記透光性基板は、ガラス基板を含む請求項１～３のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
5. 前記発光面を露出させる工程をさらに備えた請求項１～４のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
6. 露出された前記発光面に透光性電極を形成する工程をさらに備えた請求項５記載の画像表示装置の製造方法。
7. 前記半導体層は、窒化ガリウム系化合物半導体を含む請求項１～６のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
8. 前記発光素子上に波長変換部材を形成する工程をさらに備えた請求項１～７のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
9. 第１面を有する透光性基板と、
   前記第１面上に設けられた回路素子と、
   前記回路素子上に設けられ、前記回路素子に電気的に接続された第１配線層と、
   前記第１面上で前記回路素子および前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上に設けられたグラフェンを含む第１部分と、
   前記第１部分上に設けられた発光素子と、
   前記発光素子の少なくとも一部、前記第１部分および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜上に設けられ、前記発光素子の前記第１絶縁膜の側の面と対向する発光面に電気的に接続された第２配線層と、
   前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層および前記第２配線層を電気的に接続する第１ビアと、
   を備えた画像表示装置。
10. 前記透光性基板は、ガラス基板を含む請求項９記載の画像表示装置。
11. 第１面を有し、可撓性を有する基板と、
    前記第１面上に設けられた回路素子と、
    前記回路素子上に設けられ、前記回路素子に電気的に接続された第１配線層と、
    前記第１面上で前記回路素子および前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に設けられたグラフェンを含む第１部分と、
    前記第１部分上に設けられた発光素子と、
    前記発光素子の少なくとも一部、前記第１部分および前記第１絶縁膜を覆う第２絶縁膜と、
    前記第２絶縁膜上に設けられ、前記発光素子の前記第１絶縁膜の側の面と対向する発光面に電気的に接続された第２配線層と、
    前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層および前記第２配線層を電気的に接続する第１ビアと、
    を備えた画像表示装置。
12. 前記第１配線層は、光反射性を有する第２部分を含み、
    前記発光素子は、前記第２部分上に設けられ、
    前記第２部分の外周は、平面視で前記第２部分に投影された前記発光素子の外周を含む請求項９～１１のいずれか１つに記載の画像表示装置。
13. 前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通して設けられた第２ビア
    をさらに備え、
    前記第２ビアは、前記第２部分および前記第２配線層を電気的に接続する請求項１２記載の画像表示装置。
14. 前記第１部分と前記第１配線層との間に設けられたプラグ
    をさらに備え、
    前記発光素子は、前記プラグ上に設けられ、
    前記プラグの外周は、平面視で前記プラグに投影された前記発光素子の外周を含む請求項９～１１のいずれか１つに記載の画像表示装置。
15. 前記第２絶縁膜は、前記発光面を露出させる開口を有し、
    前記発光面上に設けられた透光性電極
    をさらに備えた請求項９～１４のいずれか１つに記載の画像表示装置。
16. 前記開口から露出された前記発光面は、粗面を含む請求項１５記載の画像表示装置。
17. 前記発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた第１発光層と、前記第１発光層上に設けられ、前記第１導電形と異なる第２導電形の第２半導体層と、を含み、前記第１絶縁膜の側から前記発光面の側に向かって前記第１半導体層、前記第１発光層および前記第２半導体層の順に積層され、
    前記第１導電形は、ｎ形であり、前記第２導電形は、ｐ形である請求項９～１６のいずれか１つに記載の画像表示装置。
18. 前記発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体を含む請求項９～１６のいずれか１つに記載の画像表示装置。
19. 前記発光素子上に波長変換部材をさらに備えた請求項９～１８のいずれか１つに記載の画像表示装置。
20. 第１面を有する透光性基板と、
    前記第１面上に設けられた複数のトランジスタと、
    前記複数のトランジスタ上に設けられ、前記複数のトランジスタに電気的に接続された第１配線層と、
    前記第１面上で前記複数のトランジスタおよび前記第１配線層を覆う第１絶縁膜と、
    前記第１絶縁膜上に設けられたグラフェンを含む部分と、
    前記部分上に設けられた第１導電形の第１半導体層と、
    前記第１半導体層上に設けられた発光層と、
    前記発光層上に設けられ、前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
    前記部分、前記第１絶縁膜、前記発光層および前記第１半導体層を覆うとともに前記第２半導体層の少なくとも一部を覆う第２絶縁膜と、
    前記複数のトランジスタに応じて前記第２絶縁膜からそれぞれ露出された、前記第２半導体層の複数の発光面上に配設された透光性電極に接続された第２配線層と、
    前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜を貫通し、前記第１配線層の配線および前記第２配線層の配線を電気的にそれぞれ接続する複数のビアと、
    を備えた画像表示装置。
21. 前記第２半導体層は、前記第２絶縁膜によって分離された請求項２０記載の画像表示装置。