JP7542544B2 - ディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 第1のLED積層と、
前記第1のLED積層の下に位置する第2のLED積層と、
前記第2のLED積層の下に位置する第3のLED積層と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第1のLED積層の下面にオーミック接触する第1の透明電極と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第2のLED積層の上面にオーミック接触する第2の透明電極と、
前記第2のLED積層と前記第3のLED積層との間に介在し、前記第3のLED積層の上面にオーミック接触する第3の透明電極と、
前記第3のLED積層の第1の導電型半導体層上に配置されたn電極パッドと、
前記第3の透明電極上に配置された下部p電極パッドと、
前記第1のLED積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、
前記第1~第3のLED積層は、それぞれ第1の導電型半導体層、活性層および第2の導電型半導体層を含み、
前記バンプパッドは、第1~第3のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、
前記共通バンプパッドは、前記第1~第3のLED積層に共通して電気的に接続され、
前記第1~第3のバンプパッドは、それぞれ前記第1~第3のLED積層に電気的に接続され、
前記n電極パッドの上面は、前記下部p電極パッドの上面と同じ高さに位置するディスプレイ用発光素子。 - 前記第1、第2および第3のLED積層は、それぞれ赤色光、緑色光および青色光を発する、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第1~第3のLED積層は、独立的に駆動可能であり、
前記第1のLED積層で生成された光は、前記第2のLED積層および前記第3のLED積層を透過して外部に放出され、
前記第2のLED積層で生成された光は、前記第3のLED積層を透過して外部に放出される、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第1~第3の透明電極のいずれか一の透明電極は、前記第1~第3の透明電極の他の透明電極とは異なる材料で形成された、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第1の透明電極はITOで形成され、前記第2および第3の透明電極はZnOで形成された、請求項4に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第1~第3の透明電極は、それぞれ第2の導電型半導体層に接触し、
前記第2および第3の透明電極は、それぞれ第2のLED積層の第2の導電型半導体層および第3のLED積層の第2の導電型半導体層よりも狭い面積を有するようにリセスされた、請求項5に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記共通バンプパッドは、前記第1~第3のLED積層の第1の導電型半導体層に共通して電気的に接続され、
前記第1~第3のバンプパッドは、それぞれ第1~第3のLED積層の第2の導電型半導体層に電気的に接続された、請求項6に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第1~第3のLED積層の側面を覆う絶縁層をさらに含み、
前記第1~第3のLED積層の側面および第1の透明電極の側面は、前記絶縁層に接し、前記第2および第3の透明電極の側面は前記絶縁層から離隔された、請求項6に記載のディスプレイ用発光素子。 - 側面が、第3のLED積層の上面に対して75度~90度の範囲で傾斜した、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第2のLED積層と第3のLED積層間に介在した第1のボンディング層と、
前記第1のLED積層と第2のLED積層間に介在した第2のボンディング層と、をさらに含む、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第2のLED積層および第1のボンディング層を貫通して、前記n電極パッドおよび下部p電極パッドをそれぞれ露出させる下部貫通ホールと、
前記n電極パッドに接続した下部共通コネクタと、
前記下部p電極パッドに接続した下部pコネクタと、をさらに含み、
前記下部共通コネクタは、前記LED積層の第1の導電型半導体層に電気的に接続するとともに、前記下部貫通ホールを通じて露出した前記n電極パッドに接続し、
前記下部pコネクタは、前記下部貫通ホールを通じて露出した下部p電極パッドに電気的に接続する、請求項10に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第2の透明電極上に配置されて前記第2のLED積層の第2の導電型半導体層に電気的に接続する上部p電極パッドをさらに含む、請求項11に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第1のLED積層を貫通して第1の透明電極を露出させる貫通ホールと、
前記第1のLED積層、前記第1の透明電極および前記第2のボンディング層を貫通して、それぞれ前記上部p電極パッド、前記下部pコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる貫通ホールと、
前記第1のLED積層上に配置され、前記第1のLED積層を貫通する貫通ホールを通じて前記第1の透明電極、前記上部p電極パッド、前記下部pコネクタ、及び下部共通コネクタに電気的に接続する第1~第3の上部コネクタ及び上部共通コネクタと、をさらに含み、
前記バンプパッドは、それぞれ前記第1~第3の上部コネクタ及び上部共通コネクタ上に配置された、請求項12に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記バンプパッドは、それぞれ前記第1~第3の上部コネクタ及び上部共通コネクタの平坦な部分上に位置する、請求項13に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第1~第3の上部コネクタ及び上部共通コネクタを覆う上部絶縁層をさらに含み、
前記上部絶縁層は、前記第1~第3の上部コネクタ及び上部共通コネクタを露出させる開口部を有し、
前記バンプパッドは、それぞれ前記開口部内に配置された、請求項14に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第1のLED積層と前記上部コネクタ間に配置された中間絶縁層をさらに含み、
前記中間絶縁層は、前記発光素子の側面および前記第1のLED積層を貫通する貫通ホールの側壁を覆い、前記第1の透明電極、前記上部p電極パッド、前記下部pコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる開口部を有する、請求項15に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第1~第3のLED積層は、成長基板から分離された、請求項1に記載のディスプレイ用発光素子。
- 第1のLED積層と、
前記第1のLED積層の下に位置する第2のLED積層と、
前記第2のLED積層の下に位置する第3のLED積層と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第1のLED積層の下面にオーミック接触する第1の透明電極と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第2のLED積層の上面にオーミック接触する第2の透明電極と、
前記第2のLED積層と前記第3のLED積層との間に介在し、前記第3のLED積層の上面にオーミック接触する第3の透明電極と、
前記第1のLED積層上に配置されたバンプパッドを含み、
前記第1~第3のLED積層は、それぞれ第1の導電型半導体層、活性層および第2の導電型半導体層を含み、
前記第1~第3の透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第1~第3のLED積層の第2の導電型半導体層の縁からリセスされたディスプレイ用発光素子。 - 前記第3のLED積層の第1の導電型半導体層上に配置されたn電極パッドと、
前記第3の透明電極上に配置された下部p電極パッドと、をさらに含み、
前記n電極パッドの上面は、前記下部p電極パッドの上面と同じ高さに位置する、請求項18に記載のディスプレイ用発光素子。 - 回路基板と、
前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、
前記発光素子はそれぞれ、
第1のLED積層と、
前記第1のLED積層の下に位置する第2のLED積層と、
前記第2のLED積層の下に位置する第3のLED積層と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第1のLED積層の下面にオーミック接触する第1の透明電極と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第2のLED積層の上面にオーミック接触する第2の透明電極と、
前記第2のLED積層と前記第3のLED積層との間に介在し、前記第3のLED積層の上面にオーミック接触する第3の透明電極と、
前記第3のLED積層の第1の導電型半導体層上に配置されたn電極パッドと、
前記第3の透明電極上に配置された下部p電極パッドと、
前記第1のLED積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、
前記第1~第3のLED積層は、それぞれ第1の導電型半導体層、活性層および第2の導電型半導体層を含み、
前記バンプパッドは、第1~第3のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、
前記共通バンプパッドは、前記第1~第3のLED積層に共通して電気的に接続され、
前記第1~第3のバンプパッドは、それぞれ前記第1~第3のLED積層に電気的に接続され、
前記n電極パッドの上面は、前記下部p電極パッドの上面と同じ高さに位置し、
前記バンプパッドが前記回路基板にボンディングされた、ディスプレイ装置。 - 回路基板と、
前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、
前記発光素子はそれぞれ、
第1のLED積層と、
前記第1のLED積層の下に位置する第2のLED積層と、
前記第2のLED積層の下に位置する第3のLED積層と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第1のLED積層の下面にオーミック接触する第1の透明電極と、
前記第1のLED積層と前記第2のLED積層との間に介在し、前記第2のLED積層の上面にオーミック接触する第2の透明電極と、
前記第2のLED積層と前記第3のLED積層との間に介在し、前記第3のLED積層の上面にオーミック接触する第3の透明電極と、
前記第1のLED積層上に配置されたバンプパッドを含み、
前記第1~第3のLED積層は、それぞれ第1の導電型半導体層、活性層および第2の導電型半導体層を含み、
前記第1~第3の透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第1~第3のLED積層の第2の導電型半導体層の縁からリセスされ、
前記バンプパッドが前記回路基板にボンディングされた、ディスプレイ装置。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11362073B2 (en) * | 2019-02-08 | 2022-06-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same |
US11211528B2 (en) * | 2019-03-13 | 2021-12-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and display apparatus having the same |
KR20220100870A (ko) * | 2019-11-15 | 2022-07-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치 |
US11437353B2 (en) * | 2019-11-15 | 2022-09-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and display apparatus having the same |
US12040344B2 (en) * | 2020-05-28 | 2024-07-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and display apparatus having the same |
US20240355801A1 (en) * | 2021-09-03 | 2024-10-24 | Sony Group Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
CN115394762B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-07-09 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种具有透明衬底的像素级分立器件及其制作方法 |
KR102668393B1 (ko) * | 2022-08-10 | 2024-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090078955A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Iii-N Technlogy, Inc | Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display |
US20090272989A1 (en) | 2008-05-01 | 2009-11-05 | Frank Shum | Light emitting device having stacked multiple leds |
JP2015012244A (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US20170288093A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led light source module and display device |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101354981B1 (ko) | 2007-11-14 | 2014-01-27 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광 다이오드 |
KR101382836B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2014-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
KR101625122B1 (ko) | 2010-01-18 | 2016-05-27 | 서울바이오시스 주식회사 | 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 |
KR101786082B1 (ko) | 2011-01-27 | 2017-10-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101293647B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2013-08-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지 |
CN110600593B (zh) * | 2012-12-06 | 2023-01-03 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
JP6713720B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2020-06-24 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びそれを含む車両用照明装置 |
KR20180084652A (ko) * | 2017-01-16 | 2018-07-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드 |
TWI778010B (zh) | 2017-01-26 | 2022-09-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
KR102430500B1 (ko) * | 2017-05-30 | 2022-08-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈 |
KR20190001050A (ko) | 2017-06-26 | 2019-01-04 | 주식회사 루멘스 | 칩 적층 구조를 갖는 led 픽셀 소자 |
KR102503578B1 (ko) | 2017-06-30 | 2023-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
CN110071134B (zh) * | 2018-01-23 | 2023-09-12 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件、其制造方法及显示模块 |
CN109192821A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-11 | 华灿光电(浙江)有限公司 | 发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列 |
US11362073B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-06-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090078955A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Iii-N Technlogy, Inc | Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display |
US20090272989A1 (en) | 2008-05-01 | 2009-11-05 | Frank Shum | Light emitting device having stacked multiple leds |
JP2015012244A (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US20170288093A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led light source module and display device |
Also Published As
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