JP7542544B2 - ディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 271
- 238000000034 method Methods 0.000 description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 32
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- -1 for example Substances 0.000 description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910015369 AuTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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Description
本開示は、ディスプレイ用発光素子およびディスプレイ装置に関するものであり、特に、複数のＬＥＤの積層構造を有するディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置に関する。
発光ダイオードは、無機光源であり、ディスプレイ装置、車両用ランプ、一般照明のような様々な分野に多様に用いられている。発光ダイオードは、寿命が長く、且つ消費電力が低く、応答速度が速いという長所があるため、既存の光源を速い速度で置き換えている。
一方、従来の発光ダイオードは、ディスプレイ装置においてバックライト光源として主に使用されてきた。しかし、近年、発光ダイオードを用いて直接イメージを具現するＬＥＤディスプレイが開発されている。
ディスプレイ装置は、一般的に、青色、緑色および赤色の混合色を用いて多様な色を具現する。ディスプレイ装置は、多様なイメージを具現するために複数のピクセルを含み、各ピクセルは、青色、緑色および赤色のサブピクセルを備え、これらサブピクセルの色を通じて特定ピクセルの色が決められ、これらピクセルの組合せによってイメージが具現される。
ＬＥＤは、その材料によって多様な色の光を放出することができ、青色、緑色および赤色を放出する個別ＬＥＤチップを二次元平面上に配列してディスプレイ装置を提供できる。しかし、各サブピクセルに一つのＬＥＤチップを配列する場合、ＬＥＤチップの個数が多くなるため実装工程に多くの時間がかかる。
また、サブピクセルを二次元平面上に配列するため、青色、緑色および赤色サブピクセルを含む一つのピクセルが占有する面積が相対的に広くなる。よって、制限された面積内にサブピクセルを配列するためには、各ＬＥＤチップの面積を減らす必要がある。しかし、ＬＥＤチップの大きさを減少させることは、ＬＥＤチップの実装を困難にする可能性があり、さらに、発光面積の減少を招く。
本開示が解決しようとする課題は、制限されたピクセル面積内で各サブピクセルの面積を増やせるディスプレイ用発光素子およびディスプレイ装置を提供することである。
本開示が解決しようとするまた別の課題は、実装工程時間を短縮できるディスプレイ用発光素子およびディスプレイ装置を提供することである。
本開示が解決しようとするまた別の課題は、工程歩留まりを増大させることのできるディスプレイ用発光素子およびディスプレイ装置を提供することである。
本開示の一実施例にかかるディスプレイ用発光素子は、第１のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、前記バンプパッドは第１～第３のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層に共通して電気的に接続され、前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ前記第１～第３のＬＥＤ積層に電気的に接続され、前記ｎ電極パッドの上面は前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置する。
本開示のまた別の実施例にかかるディスプレイ用発光素子は、第１のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、前記第１～第３透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層の縁からリセスされる。
本開示の一実施例にかかるディスプレイ装置は、回路基板と、前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、前記発光素子はそれぞれ上で説明した発光素子であり、前記バンプパッドは前記回路基板に電気的に接続される。
以下、添付の図面を参照して本開示の実施例を詳しく説明する。次に紹介する実施例は、本開示の属する技術分野の通常の技術者に本開示の思想が十分に伝わるようにするために例として提供するものである。よって、本開示は以下で説明する実施例に限定されるのではなく、他の形態に具現化することもできる。そして、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は便宜のために誇張して表現する場合もある。また、一つの構成要素が他の構成要素の「上部に」又は「上に」あると記載されている場合は、各部分が他の部分の「真上部」又は「真上に」ある場合だけでなく、各構成要素と他の構成要素との間にまた別の構成要素が介在する場合も含む。明細書全体に亘って、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
本開示の一実施例にかかるディスプレイ用発光素子は、第１のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、前記バンプパッドは第１～第３のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層に共通して電気的に接続され、前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ前記第１～第３のＬＥＤ積層に電気的に接続され、前記ｎ電極パッドの上面は前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置する。
本明細書では、説明の便宜のために第１のＬＥＤ積層の下に第２のＬＥＤ積層が配置され、第２のＬＥＤ積層の下に第３のＬＥＤ積層が配置されている例を説明しているが、発光素子はフリップボンディングすることができ、よって、これら第１～第３のＬＥＤ積層の上下位置が逆になり得るということに留意する必要がある。
第１～第３のＬＥＤ積層を相互に積層することにより、ピクセル面積を増やさないと共に、各サブピクセルの発光面積を増やすことができる。
さらに、前記ｎ電極パッドの上面と下部ｐ電極パッドの上面とを同じ高さに位置させることにより、これらのいずれか一つのパッドが損傷することを防ぐことができる。
一実施例において、前記第１のＬＥＤ積層は前記第２のＬＥＤ積層よりも長波長の光を放出し、前記第２のＬＥＤ積層は前記第３のＬＥＤ積層よりも長波長の光を放出することができる。例えば、前記第１、第２及び第３のＬＥＤ積層は、それぞれ赤色光、緑色光および青色光を発することができる。他の実施例において、前記第１のＬＥＤ積層は前記第３のＬＥＤ積層よりも長波長の光を放出し、前記第２のＬＥＤ積層は前記第３のＬＥＤ積層よりも短波長の光を放出することができる。例えば、前記第１、第２及び第３のＬＥＤ積層は、それぞれ赤色光、青色光および緑色光を発することができる。
一方、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、独立して駆動することができ、前記第１のＬＥＤ積層で生成された光は、前記第２のＬＥＤ積層および前記第３のＬＥＤ積層を透過して外部に放出され、前記第２のＬＥＤ積層で生成された光は、前記第３のＬＥＤ積層を透過して外部に放出することができる。
一実施例において、前記第１～第３の透明電極のいずれかは、他の透明電極と他の材料で形成することができる。例えば、前記第１の透明電極はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ）で形成され、前記第２および第３の透明電極はＺｎＯで形成することができる。
一方、前記第１～第３の透明電極は、それぞれ第２の導電型半導体層に接触することができ、前記第２および第３の透明電極は、それぞれ第２のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層および第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層よりも狭い面積を有するようにリセスすることができる。
第２および第３の透明電極をリセスさせることにより、製造工程の間、エッチングガスによって損傷することを防ぐことができる。
さらに、前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層に共通して電気的に接続することができ、前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層に電気的に接続できる。しかし、本開示がこれに限定されるのではなく、前記共通バンプパッドが第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層に共通して電気的に接続され、前記第１～第３のバンプパッドがそれぞれ第１～第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層に電気的に接続することもできる。
一方、前記発光素子は、前記第１～第３のＬＥＤ積層の側面を覆う絶縁層をさらに含むことができ、前記第１～第３のＬＥＤ積層の側面および第１の透明電極の側面は前記絶縁層に接し、前記第２および第３の透明電極の側面は前記絶縁層から離隔され得る。
前記発光素子の側面は、第３のＬＥＤ積層の上面に対して７５度～９０度の範囲で傾斜させることができる。前記発光素子の側面の傾斜角を７５度以上にすることにより、第１のＬＥＤ積層の発光面積を確保することができる。
前記発光素子はまた、前記第２のＬＥＤ積層と第３のＬＥＤ積層間に介在した第１のボンディング層と、前記第１のＬＥＤ積層と第２のＬＥＤ積層間に介在した第２のボンディング層と、をさらに含むことができる。
これに加え、前記発光素子は、前記第２のＬＥＤ積層および第１のボンディング層を貫通して、前記ｎ電極パッド及び下部ｐ電極パッドをそれぞれ露出させる下部貫通ホールと、前記ｎ電極パッドに接続された下部共通コネクタと、前記下部ｐ電極パッドに接続された下部ｐコネクタと、をさらに含むことができ、前記下部共通コネクタは前記ＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層に電気的に接続すると共に、前記下部貫通ホールを通じて露出した前記ｎ電極パッドに接続し、前記下部ｐコネクタは前記下部貫通ホールを通じて露出された下部ｐ電極パッドに電気的に接続することができる。
また、前記発光素子は、前記第２の透明電極上に配置されて前記第２のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層に電気的に接続する上部ｐ電極パッドをさらに含むことができる。
さらに、前記発光素子は、前記第１のＬＥＤ積層を貫通して第１の透明電極を露出させる貫通ホールと、前記第１のＬＥＤ積層、前記第１の透明電極および前記第２のボンディング層を貫通してそれぞれ前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる貫通ホールと、及び前記第１のＬＥＤ積層上に配置され、前記第１のＬＥＤ積層を貫通する貫通ホールを通じて前記第１の透明電極、前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタに電気的に接続する第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタと、をさらに含むことができ、前記バンプパッドはそれぞれ前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタ上に配置することができる。
一実施例において、前記バンプパッドはそれぞれ前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタの平坦な部分上に位置することができる。
また、前記発光素子は、前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタを覆う上部絶縁層をさらに含むことができ、前記上部絶縁層は、前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタを露出させる開口部を有することができ、前記バンプパッドはそれぞれ前記開口部内に配置することができる。
さらに、前記発光素子は、前記第１のＬＥＤ積層と前記上部コネクタ間に配置された中間絶縁層をさらに含むことができ、前記中間絶縁層は、前記発光素子の側面および前記第１のＬＥＤ積層を貫通する貫通ホールの側壁を覆い、前記第１の透明電極、前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる開口部を有することができる。
本開示において、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、成長基板から分離されたものでもよい。前記発光素子は、成長基板を保有しない。
本開示のまた別の実施例にかかる発光素子は、第１のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、前記第１～第３透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層の縁からリセスされ得る。
さらに、前記発光素子は、前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、をさらに含むことができ、前記ｎ電極パッドの上面は前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置し得る。
本開示の一実施例にかかるディスプレイ装置は、回路基板と、前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、前記発光素子はそれぞれ上で説明した発光素子であり、前記バンプパッドは前記回路基板に電気的に接続される。
以下、図面を参照して本開示の実施例について具体的に説明する。
図１は、本開示の実施例にかかるディスプレイ装置を説明するための概略的な斜視図である。
本開示の発光素子は、特別限定されないが、特に、スマートウォッチ１０００ａ、ＶＲヘッドセット１０００ｂのようなＶＲディスプレイ装置、又は拡張現実眼鏡１０００ｃのようなＡＲディスプレイ装置内に使用される。
ディスプレイ装置内には、イメージを具現するためのディスプレイパネルが実装される。図２は、本開示の一実施例にかかるディスプレイパネルを説明するための概略的な平面図である。
図２を参照すると、ディスプレイパネルは回路基板１０１及び発光素子１００を含む。
回路基板１０１は、受動マトリックス駆動または能動マトリックス駆動のための回路を含み得る。一実施例において、回路基板１０１は内部に配線および抵抗を含むことができる。他の実施例において、回路基板１０１は配線、トランジスタ及びキャパシタを含むことができる。回路基板１０１はまた、内部に配置された回路に電気的接続を許容するためのパッドを上面に有し得る。
複数の発光素子１００は、回路基板１０１上に整列される。それぞれの発光素子１００は一つのピクセルを構成する。発光素子１００は、バンプパッド７３を有し、バンプパッド７３が回路基板１０１に電気的に接続される。例えば、バンプパッド７３は回路基板１０１上に露出されたパッドにボンディングされ得る。
発光素子１００間の間隔は、少なくとも発光素子の幅よりも広くなり得る。
発光素子１００の具体的な構成に対して、図３ａ、図３ｂ、図３ｃ及び図３ｄを参照して説明する。図３ａは、本開示の一実施例にかかる発光素子１００を説明するための概略的な平面図であり、図３ｂ、図３ｃ及び図３ｄは、それぞれ図３ａの切り取り線Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’及びＣ－Ｃ’に沿って切り取った概略的な断面図である。説明の便宜のために、図３ａ、図３ｂ、図３ｃ及び図３ｄでバンプパッド７３ｒ，７３ｂ，７３ｇ，７３ｃが上側に配置されたことを図示および説明するが、発光素子１００は図２に示したように、回路基板１０１上にフリップボンディングされ、この場合、バンプパッド７３ｒ，７３ｂ，７３ｇ，７３ｃが下側に配置される。
図３ａ、図３ｂ、図３ｃ及び図３ｄを参照すると、発光素子１００は第１のＬＥＤ積層２３、第２のＬＥＤ積層３３、第３のＬＥＤ積層４３、第１の透明電極２５、第２の透明電極３５、第３の透明電極４５、ｎ電極パッド４７ａ、下部ｐ電極パッド４７ｂ、上部ｐ電極パッド５３ｇ、下部ｐコネクタ５３ｂ、下部共通コネクタ５３ｃ、上部共通コネクタ６３ｃ、第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ、第１のボンディング層４９、第２のボンディング層５９、下部絶縁層５１、中間絶縁層６１、上部絶縁層７１及びバンプパッド７３ｒ，７３ｂ，７３ｇ，７３ｃを含み得る。さらに、発光素子１００は第１のＬＥＤ積層２３を貫通する貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４、第２のＬＥＤ積層３３を貫通する貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２を含み得る。
図３ｂに示したように、本開示の実施例は第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３が垂直方向に積層される。一方、各ＬＥＤ積層２３，３３，４３は、互いに異なる成長基板上で成長したものだが、本開示の実施例において成長基板は最終発光素子１００に残留せず全て除去される。よって、発光素子１００は成長基板を含まない。しかし、本開示が必ずしもこれに限定されるのではなく、少なくとも一つの成長基板が含まれてもよい。
第１のＬＥＤ積層２３、第２のＬＥＤ積層３３及び第３のＬＥＤ積層４３は、それぞれ第１の導電型半導体層２３ａ，３３ａ，又は４３ａ、第２の導電型半導体層２３ｂ，３３ｂ，又は４３ｂ及びこれらの間に介在した活性層（図示せず）を含む。活性層は、特に多重量子井戸構造を有し得る。
第１のＬＥＤ積層２３の下に第２のＬＥＤ積層３３が配置され、第２のＬＥＤ積層３３の下に第３のＬＥＤ積層４３が配置される。第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３で生成された光は、最終的に第３のＬＥＤ積層４３を通じて外部に放出される。
一実施例において、第１のＬＥＤ積層２３は第２および第３のＬＥＤ積層３３，４３に比べて長波長の光を放出し、第２のＬＥＤ積層３３は第３のＬＥＤ積層４３に比べて長波長の光を放出し得る。例えば、第１のＬＥＤ積層２３は赤色光を発する無機発光ダイオードであり、第２のＬＥＤ積層３３は緑色光を発する無機発光ダイオードであり、第３のＬＥＤ積層４３は青色光を発する無機発光ダイオードであり得る。第１のＬＥＤ積層２３はＡｌＧａＩｎＰ系列の井戸層を含んでもよく、第２のＬＥＤ積層３３はＡｌＧａＩｎＰ系列またはＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含んでもよく、第３のＬＥＤ積層４３はＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含んでもよい。
第１のＬＥＤ積層２３は、第２および第３のＬＥＤ積層３３，４３に比べて長波長の光を放出するため、第１のＬＥＤ積層２３で生成された光は、第２および第３のＬＥＤ積層３３，４３を透過して外部に放出できる。また、第２のＬＥＤ積層３３は、第３のＬＥＤ積層４３に比べて長波長の光を放出するため、第２のＬＥＤ積層３３で生成された光は第３のＬＥＤ積層４３を透過して外部に放出できる。
別の実施例において、第１のＬＥＤ積層２３は第２および第３のＬＥＤ積層３３，４３に比べて長波長の光を放出し、第２のＬＥＤ積層３３は第３のＬＥＤ積層４３に比べて短波長の光を放出できる。例えば、第１のＬＥＤ積層２３は赤色光を発する無機発光ダイオードで、第２のＬＥＤ積層３３は青色光を発する無機発光ダイオードで、第３のＬＥＤ積層４３は緑色光を発する無機発光ダイオードになり得る。第１のＬＥＤ積層２３はＡｌＧａＩｎＰ系列の井戸層を含んでもよく、第２のＬＥＤ積層３３はＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含んでもよく、第３のＬＥＤ積層４３はＡｌＧａＩｎＰ系列またはＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含んでもよい。
第２のＬＥＤ積層３３で生成された光の一部は、第３のＬＥＤ積層４３で吸収され得る。よって、第２のＬＥＤ積層３３から放出される光の光度を第１又は第３のＬＥＤ積層２３，４３から放出される光の光度に比べて相対的に低くすることができる。これにより、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３から放出される光の光度割合を制御することができる。
一方、各ＬＥＤ積層２３，３３又は４３の第１の導電型半導体層２３ａ，３３ａ，４３ａはそれぞれｎ型半導体層であり、第２の導電型半導体層２３ｂ，３３ｂ，４３ｂはｐ型半導体層である。また、本実施例において、第１のＬＥＤ積層２３の上面はｎ型半導体層２３ａであり、第２のＬＥＤ積層３３の上面はｐ型半導体層３３ｂであり、第３のＬＥＤ積層４３の上面はｐ型半導体層４３ｂである。つまり、第１のＬＥＤ積層２３だけ半導体層の順序が逆になっている。第２のＬＥＤ積層３３の半導体層を第３のＬＥＤ積層４３の半導体層と同じ順序で配置することにより、工程安定性を確保することができ、これについては製造方法を説明しながら下記で詳しく説明する。
第２のＬＥＤ積層３３は、第２の導電型半導体層３３ｂが除去されて第１の導電型半導体層３３ａの上面を露出させるメサエッチング領域を含む。第３のＬＥＤ積層４３もまた、第２の導電型半導体層４３ｂが除去されて第１の導電型半導体層４３ａの上面を露出させるメサエッチング領域を含む。これに対し、第１のＬＥＤ積層２３は、メサエッチング領域を含まない。貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２は、メサエッチング領域内に形成され得る。よって、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２の側壁は段差のある構造を有し得る。これに対し、第１のＬＥＤ積層２３は、メサエッチング領域を含まないため、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は段差のある側壁を有さず、一定に傾斜した側壁を有し得る。
一方、第３のＬＥＤ積層４３は平坦な下部面を有し得るが、これに限定されない。例えば、第１の導電型半導体層４３ａの表面に凹凸を含むことができ、この凹凸によって光抽出効率を向上させることができる。第１の導電型半導体層４３ａの表面に形成された凹凸は、パターニングされたサファイア基板を分離することによって形成されたものでもよいが、必ずしもこれに限定されるのではなく、成長基板を分離した後にテクスチャリングを通じて追加形成されたものでもよい。第２のＬＥＤ積層３３もまた、表面がテクスチャリングされた第１の導電型半導体層３３ａを有し得る。
さらに、本実施例において、第１のＬＥＤ積層２３、第２のＬＥＤ積層３３及び第３のＬＥＤ積層４３は、互いに重なり合って、また、ほぼ同じ大きさの発光面積を有し得る。但し、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４、及び貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２によって第１のＬＥＤ積層２３の発光面積が第２のＬＥＤ積層３３の発光面積よりも小さくてもよく、第２のＬＥＤ積層３３の発光面積が第３のＬＥＤ積層４３の発光面積よりも小さくてもよい。また、発光素子１００の側面は、第１のＬＥＤ積層２３から第３のＬＥＤ積層４３に行くほど幅が広くなるように傾斜し得る。これによって、第３のＬＥＤ積層４３の発光面積が第１のＬＥＤ積層２３の発光面積よりもさらに大きくなり得る。第３のＬＥＤ積層４３の上面に対して発光素子１００の側面が成す傾斜角は、約７５度～９０度になり得る。傾斜角が７５度よりも小さいと第１のＬＥＤ積層２３の発光面積が小さすぎて発光素子１００の大きさを減らすことが難しい。
第１の透明電極２５は、第１のＬＥＤ積層２３と第２のＬＥＤ積層３３との間に配置される。第１の透明電極２５は、第１のＬＥＤ積層２３の第２の導電型半導体層２３ｂにオーミック接触し、第１のＬＥＤ積層２３で生成された光を透過させる。第１の透明電極２５は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明酸化物層や金属層を利用して形成できる。第１の透明電極２５は、第１のＬＥＤ積層２３の第２の導電型半導体層２３ｂの全面を覆うことができ、その側面は第１のＬＥＤ積層２３の側面と並んで配置できる。つまり、第１の透明電極２５の側面は、第２のボンディング層５９で覆われない場合がある。さらに、貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第２の透明電極２５を貫通し得る。よって、これら貫通ホールの側壁に第２の透明電極２５が露出し得る。一方、貫通ホール２３ｈ１は、第１の透明電極２５の上面を露出させる。しかし、本開示がこれに限定されるのではなく、第１のＬＥＤ積層２３の縁に沿って第１の透明電極２５が部分的に除去されることにより、第１の透明電極２５の側面が第２のボンディング層５９で覆われてもよい。また、貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４が形成される領域で第１の透明電極２５を予めパターニングして除去することにより、貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の側壁に第１の透明電極２５が露出しないようにすることができる。
一方、第２の透明電極３５は、第２のＬＥＤ積層３３の第２の導電型半導体層３３ｂにオーミック接触する。図示したように、第２の透明電極３５は第１のＬＥＤ積層２３と第２のＬＥＤ積層３３との間で第２のＬＥＤ積層３３の上面に接触する。第２の透明電極３５は、赤色光に透明な金属層または導電性酸化物層で形成できる。導電性酸化物層の例としては、ＳｎＯ２、ＩｎＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ等を挙げることができる。特に、第２の透明電極３５はＺｎＯで形成できるが、ＺｎＯは第２のＬＥＤ積層３３上に単結晶で形成することができるため金属層や他の導電性酸化物層に比べて、電気的および光学的特性に優れる。特に、ＺｎＯは第２のＬＥＤ積層３３に対する接合力が強くレーザーリフトオフを用いて成長基板を分離しても損傷せず残る。
一方、第２の透明電極３５は、第２のＬＥＤ積層３３の縁に沿って部分的に除去することができ、これにより、第２の透明電極３５の外側の側面は、外部に露出せず、下部絶縁層５１で覆われる。つまり、第２の透明電極３５の側面は、第２のＬＥＤ積層３３の側面よりも内側にリセスされ、第２の透明電極３５がリセスされた領域は、下部絶縁層５１及び第２のボンディング層５９で埋められる。一方、第２のＬＥＤ積層３３のメサエッチング領域近くでも第２の透明電極３５がリセスされ、リセスされた領域は下部絶縁層５１及び第２のボンディング層５９で埋められる。
第３の透明電極４５は、第３のＬＥＤ積層３３の第２の導電型半導体層４３ｂにオーミック接触する。第３の透明電極４５は、第２のＬＥＤ積層３３と第３のＬＥＤ積層４３の間に位置することができ、第３のＬＥＤ積層４３の上面に接触する。第３の透明電極４５は、赤色光および緑色光に透明な金属層または導電性酸化物層で形成することができる。導電性酸化物層の例としては、ＳｎＯ２、ＩｎＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ等を挙げることができる。特に、第３の透明電極４５はＺｎＯで形成できるが、ＺｎＯは第３のＬＥＤ積層４３上に単結晶で形成され得るため、金属層や他の導電性酸化物層に比べて電気的および光学的特性に優れる。特に、ＺｎＯは第３のＬＥＤ積層４３に対する接合力が強くレーザーリフトオフを用いて成長基板を分離しても損傷せず残る。
第３の透明電極４５は、第３のＬＥＤ積層４３の縁に沿って部分的に除去することができ、これにより、第３の透明電極４５の外側の側面は、外部に露出せず、第１のボンディング層４９で覆われる。つまり、第３の透明電極４５の側面は、第３のＬＥＤ積層４３の側面よりも内側にリセスされ、第３の透明電極４５がリセスされた領域は、第１のボンディング層４９で埋められる。一方、第３のＬＥＤ積層４３のメサエッチング領域近くでも第３の透明電極４５がリセスされ、リセスされた領域は第１のボンディング層４９で埋められる。
第２の透明電極３５及び第３の透明電極４５を上のようにリセスすることにより、これらの側面がエッチングガスに露出することを防ぐため、発光素子１００の工程歩留まりを向上させることができる。
一方、本実施例において、第２の透明電極３５及び第３の透明電極４５は、同種の導電性酸化物層、例えば、ＺｎＯで形成することができ、第１の透明電極２５は第２および第３の透明電極３５，４５と異なる種類の導電性酸化物層、例えば、ＩＴＯで形成することができる。しかし、本開示はこれに限定されず、これら第１～第３の透明電極２５，３５，４５は全て同種でもよく、少なくとも一つが別の種類でもよい。
第１～第３の透明電極２５，３５，４５は、熱蒸着、スパッタリング、ソル－ゲル（ｓｏｌ－ｇｅｌ）法、水熱合成（Ｈｙｄｒｏｔｈｅｒｍａｌ ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）等の技術を用いて形成できる。特に、水熱合成法のような化学的薄膜形成方法を通じて形成された透明電極は、多孔性薄膜で形成することができる。多孔性薄膜内のボイドは、ＬＥＤ積層の光抽出効率を向上させるように作用し、さらに、ストレスを緩和することができる。
ボイドは、ＬＥＤ積層の光学特性を強化するための位置に分布されるように制御できる。ボイドは、凡そ透明電極の１／２地点で第２の導電型半導体層側の近くに分布され得る。水熱合成法で形成された透明電極は、ボイドを有しつつ結晶性も有することができ、特に、単結晶で形成することができる。
一実施例において、ボイドは広い領域に亘って相対的に均一に分布することができる。ボイドが分布された透明電極は、ボイドがない透明電極に比べて改善された光抽出効率を表す。このような透明電極は、例えば、ＺｎＯ層またはドーピングされたＺｎＯ層でもよい。ドーピングされたＺｎＯ層は、例えば、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）及びパラジウム（Ｐｄ）の少なくとも一つをドーパントとして含むことができる。
一実施例において、ＺｎＯ層はまた、ＺｎＯシード層とＺｎＯバルク層を含み得る。ＺｎＯシード層は、相対的に連続表面を有する。また、ＺｎＯシード層とＺｎＯバルク層は単結晶構造を形成する。一実施例において、ＺｎＯシード層とＺｎＯバルク層は、ＺｎＯシード層とＺｎＯバルク層間の如何なる界面も表れない。一実施例において、ＺｎＯシード層は、数百オングストロームの厚さを有している。ＺｎＯシード層は、例えば、２００オングストローム以下の厚さを有し得る。一方、ＺｎＯバルク層は１μｍ以下の厚さを有し得る。一実施例において、ＺｎＯバルク層は８０００オングストローム以下の厚さを有する。
ｎ電極パッド４７ａは、第３のＬＥＤ積層４３の第１の導電型半導体層４３ａにオーミック接触する。ｎ電極パッド４７ａは、第２の導電型半導体層４３ｂを通じて露出された第１の導電型半導体層４３ａ上に、つまり、メサエッチング領域に配置され得る。ｎ電極パッド４７ａは、例えば、Ｃｒ／Ａｕ／Ｔｉによって形成することができる。ｎ電極パッド４７ａの上面は、第２の導電型半導体層４３ｂの上面、さらに、第３の透明電極４５の上面よりも高くなり得る。例えば、ｎ電極パッド４７ａの厚さは、約２ｕｍ以上になり得る。ｎ電極パッド４７ａは、円錐台形状になり得るが、これに限定されるのではなく、四角錐台、円筒形、四角筒形等の多様な形状を有することができる。
下部ｐ電極パッド４７ｂは、ｎ電極パッド４７ａと同じ材料で形成することができる。但し、下部ｐ電極パッド４７ｂの上面は、ｎ電極パッド４７ａの上面と同じ高さに位置させることができ、よって、下部ｐ電極パッド４７ｂの厚さはｎ電極パッド４７ａよりも小さくなり得る。つまり、下部ｐ電極パッド４７ｂの厚さは、第２の透明電極４５上に突出したｎ電極パッド４７ａ部分の厚さと大体同じになり得る。例えば、下部ｐ電極パッド４７ｂの厚さは、約１．２ｕｍ以下になり得る。下部ｐ電極パッド４７ｂの上面がｎ電極パッド４７ａの上面と同じ高さに位置するようにさせることにより、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２を形成する際、下部ｐ電極パッド４７ｂとｎ電極パッド４７ａが同時に露出するようにできる。ｎ電極パッド４７ａと下部ｐ電極パッド４７ｂの高さが異なる場合、いずれかの電極パッドがエッチング工程で大きく損傷する場合がある。よって、ｎ電極パッド４７ａと下部ｐ電極パッド４７ｂの高さを大体同じに合わせることにより、いずれかの電極パッドが大きく損傷することを防ぐことができる。
第１のボンディング層４９は、第２のＬＥＤ積層３３を第３のＬＥＤ積層４３に結合する。第１のボンディング層４９は、第１の導電型半導体層３３ａと第３の透明電極４５との間でこれらを結合させることができる。第１のボンディング層４９は、第２の導電型半導体層４３ｂに部分的に接することができ、メサエッチング領域に露出された第１の導電型半導体層４３ａに部分的に接し得る。さらに、第１のボンディング層４９は、ｎ電極パッド４７ａ及び下部ｐ電極パッド４７ｂを覆うことができる。
第１のボンディング層４９は、透明有機物層で形成されてもよく、透明無機物層で形成されてもよい。有機物層は、ＳＵ８、ポリメチルメタアクリレート（ｐｏｌｙ（ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）：ＰＭＭＡ）、ポリイミド、パリレン、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）等を例として挙げることができ、無機物層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等を例として挙げることができる。また、第１のボンディング層４９はスピン－オン－ガラス（ＳＯＧ）で形成することもできる。
貫通ホール３３ｈ１及び貫通ホール３３ｈ２は、第２のＬＥＤ積層３３及び第１のボンディング層４９を貫通してそれぞれｎ電極パッド４７ａ及び下部ｐ電極パッド４７ｂを露出させる。上で説明した通り、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２は、メサエッチング領域内に形成され得る。よって、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２は段差のある側壁を有することができる。
下部絶縁層５１は、第２のＬＥＤ積層３３上に形成され、第２の透明電極３５を覆う。下部絶縁層５１はまた、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２の側壁を覆う。下部絶縁層５１は、ｎ電極パッド４７ａ、下部ｐ電極パッド４７ｂ、第１の導電型半導体層３３ａ及び第２の透明電極３５を露出させる開口部５１ａを有することができる。下部絶縁層５１は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成することができ、例えば、約８００ｎｍの厚さに形成できる。
下部共通コネクタ５３ｃは、下部絶縁層５１上に配置され、下部絶縁層５１の開口部５１ａを通じて露出された第１の導電型半導体層３３ａ及びｎ電極パッド４７ａに接続できる。下部共通コネクタ５３ｃは、第２のＬＥＤ積層３３のメサエッチング領域内で第１の導電型半導体層３３ａに接続し、さらに、貫通ホール３３ｈ１を通じてｎ電極パッド４７ａに接続する。
下部ｐコネクタ５３ｂは、下部絶縁層５１上に配置され、下部絶縁層５１の開口部５１ａを通じて露出した下部ｐ電極パッド４７ｂに接続され得る。下部ｐコネクタ５３ｂの少なくとも一部は、下部絶縁層５１上に位置する。
一方、上部ｐ電極パッド５３ｇは、下部絶縁層５１の開口部５１ａ内で第２の透明電極３５上に配置され得る。図３ａ及び図３ｃに示したように、上部ｐ電極パッド５３ｇは開口部５１ａに比べて幅が狭く、開口部５１ａ内に配置され得る。しかし、本開示がこれに限定されるのではなく、上部ｐ電極パッド５３ｇの幅が開口部５１ａの幅よりも大きい場合もあり、上部ｐ電極パッド５３ｇの一部が下部絶縁層５１上に位置してもよい。
下部共通コネクタ５３ｃ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び上部ｐ電極パッド５３ｇは、同じ工程で同じ材料により一緒に形成できる。これらは、例えば、Ｎｉ／Ａｕ／Ｔｉによって形成することができ、約２ｕｍの厚さに形成できる。
第２のボンディング層５９は、第１のＬＥＤ積層２３を第２のＬＥＤ積層３３に結合する。図示したように、第２のボンディング層５９は第１の透明電極２５と下部絶縁層５１との間に配置できる。第２のボンディング層５９はまた、下部共通コネクタ５３ｃ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び上部ｐ電極パッド５３ｇを覆うことができる。第２のボンディング層５９はまた、下部絶縁層５１の開口部５１ａを通じて露出された第２の透明電極３５に部分的に接し得る。第２のボンディング層５９は、前述の第１のボンディング層４９について説明した材料と同じ材料で形成することができ、重複を避けるために詳しい説明は省略する。
一方、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第１のＬＥＤ積層２３を貫通する。貫通ホール２３ｈ１は、第１の透明電極２５に電気的接続を許容するための通路を提供するために形成される。本実施例において、貫通ホール２３ｈ１は第１の透明電極２５の上面を露出させ、第１の透明電極２５を貫通しない。しかし、本開示がこれに限定されず、貫通ホール２３ｈ１が第１の透明電極２５への電気的接続のための通路を提供する限り、第１の透明電極２５を貫通する場合もある。
貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第１のＬＥＤ積層２３を貫通するとともに、第２のボンディング層５９を貫通し得る。貫通ホール２３ｈ２は上部ｐ電極パッド５３ｇを露出させ、貫通ホール２３ｈ３は下部ｐコネクタ５３ｂを露出させ、貫通ホール２３ｈ４は下部共通コネクタ５３ｃを露出させる。
貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第１の導電型半導体層２３ａ及び第２の導電型半導体層２３ｂを同じ工程でエッチングして形成することができ、よって、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の側壁は段差のある構造を有さず、滑らかな傾斜面を有し得る。
中間絶縁層６１は、第１のＬＥＤ積層２３を覆い、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の側壁を覆う。中間絶縁層６１はまた、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の側面を覆うことができる。中間絶縁層６１は、それぞれの貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の底部を露出させる開口部６１ａを有するようにパターニングされ得る。前記開口部６１ａによって貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４内で第１の透明電極２５、上部ｐ電極パッド５３ｇ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び下部共通コネクタ５３ｃが露出される。さらに、中間絶縁層６１は第１のＬＥＤ積層２３の上面、つまり、第１の導電型半導体層２３ａを露出させる開口部６１ｂを有し得る。中間絶縁層６１は、アルミニウム酸化膜、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成でき、例えば、約８００ｎｍの厚さに形成できる。
第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃは、中間絶縁層６１上に配置される。これら上部コネクタ６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ，６３ｃは、それぞれ中間絶縁層６１の開口部６１ａを通じて露出された第１の透明電極２５、上部ｐ電極パッド５３ｇ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び下部共通コネクタ５３ｃに接続する。さらに、上部共通コネクタ６３ｃは、開口部６１ｂに露出された第１の導電型半導体層２３ａに接続できる。
第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃは、同じ工程で同じ材料により形成することができ、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ／Ｔｉによって形成できる。ＡｕＧｅは、第１の導電型半導体層２３ａにオーミック接触できる。ＡｕＧｅは、約１００ｎｍの厚さに形成することができ、Ｎｉ／Ａｕ／Ｔｉは約２ｕｍの厚さに形成できる。ＡｕＧｅの代わりにＡｕＴｅを使用することもできる。
上部絶縁層７１は、中間絶縁層６１を覆い、第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃを覆う。上部絶縁層７１はまた、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の側面において中間絶縁層６１を覆うことができる。上部絶縁層７１は、第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃを露出させる開口部７１ａを有し得る。上部絶縁層７１の開口部７１ａは、概ね、第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃの平らな面上に配置することができる。上部絶縁層７１は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成することができ、中間絶縁層６１よりも薄く、例えば、約４００ｎｍの厚さに形成できる。
バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃは、それぞれ上部絶縁層７１の開口部７１ａ内で第１の上部コネクタ６３ｒ、第２の上部コネクタ６３ｇ、第３の上部コネクタ６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃ上に配置されてこれらに電気的に接続できる。
第１のバンプパッド７３ｒは、第１の上部コネクタ６３ｒ及び第１の透明電極２５を通じて第１のＬＥＤ積層２３の第２の導電型半導体層２３ｂに電気的に接続できる。
第２のバンプパッド７３ｇは、第２の上部コネクタ６３ｇ、上部ｐ電極パッド５３ｇ及び第２の透明電極３５を通じて、第２のＬＥＤ積層３３の第２の導電型半導体層３３ｂに電気的に接続できる。
第３のバンプパッド７３ｂは、第３の上部コネクタ６３ｂ、下部ｐコネクタ５３ｂ、下部ｐ電極パッド４７ｂ及び第３の透明電極３５を通じて第３のＬＥＤ積層４３の第２の導電型半導体層４３ｂに電気的に接続できる。
共通バンプパッド７３ｃは、上部共通コネクタ６３ｃを通じて、第１のＬＥＤ積層２３の第１の導電型半導体層２３ａに電気的に接続され、また、下部共通コネクタ５３ｃを通じて第２のＬＥＤ積層３３の第１の導電型半導体層３３ａに電気的に接続し、さらに、ｎ電極パッド４７ａを通じて第３のＬＥＤ積層４３の第１の導電型半導体層４３ａに電気的に接続できる。
つまり、第１～第３のバンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂは、それぞれ第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の第２の導電型半導体層２３ｂ，３３ｂ，４３ｂに電気的に接続され、共通バンプパッド７３ｃは第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の第１の導電型半導体層２３ａ，３３ａ，４３ａに共通して電気的に接続される。
前記バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃは、上部絶縁層７１の開口部７１ａ内に配置することができ、バンプパッドの上面は平坦な面になり得る。バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃは、第１～第３の上部コネクタ６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃの平坦な面上に位置し得る。前記バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃは、Ａｕ／Ｉｎによって形成することができ、例えば、Ａｕは３ｕｍの厚さに形成され、Ｉｎは約１ｕｍの厚さに形成できる。発光素子１００は、Ｉｎを用いて回路基板１０１上のパッドにボンディングされ得る。本実施例において、Ｉｎを用いてバンプパッドをボンディングすることについて説明するが、Ｉｎに限定されず、Ｐｂ又はＡｕＳｎを用いてボンディングすることもできる。
本実施例において、バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃの上面が平坦である場合を説明および図示しているが、本開示がこれに限定されない。例えば、バンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃの上面が不規則な面の場合もあり、バンプパッドの一部が上部絶縁層７１上に位置する場合もある。
本実施例によると、第１のＬＥＤ積層２３はバンプパッド７３ｒ，７３ｃに電気的に接続され、第２のＬＥＤ積層３３はバンプパッド７３ｇ，７３ｃに電気的に接続され、第３のＬＥＤ積層４３はバンプパッド７３ｂ，７３ｃに電気的に接続される。これにより、第１のＬＥＤ積層２３、第２のＬＥＤ積層３３及び第３のＬＥＤ積層４３のカソードが共通バンプパッド７３ｃに電気的に接続され、アノードが第１～第３のバンプパッド７３ａ，７３ｂ，７３ｃにそれぞれ電気的に接続する。よって、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３は、独立的に駆動し得る。
以下で説明する発光素子１００の製造方法を通じて、発光素子１００の構造についてもより詳しく理解できると考える。図４ａ、図４ｂ及び図４ｃは、本開示の一実施例に従って成長基板上に成長した第１～第３のＬＥＤ積層を説明するための概略的な断面図である。
先ず、図４ａを参照すると、第１の基板２１上に第１の導電型半導体層２３ａ及び第２の導電型半導体層２３ｂを含む第１のＬＥＤ積層２３が成長する。第１の導電型半導体層２３ａと第２の導電型半導体層２３ｂとの間に活性層（図示せず）が介在し得る。
第１の基板２１は、第１のＬＥＤ積層２３を成長させるために使用できる基板、例えば、ＧａＡｓ基板になり得る。第１の導電型半導体層２３ａ及び第２の導電型半導体層２３ｂは、ＡｌＧａＩｎＡｓ系列またはＡｌＧａＩｎＰ系列の半導体層で形成でき、活性層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系列の井戸層を含み得る。第１のＬＥＤ積層２３は、例えば、緑色光を発するようにＡｌＧａＩｎＰの組成比が定められ得る。
第２の導電型半導体層２３ｂ上に第１の透明電極２５が形成され得る。第１の透明電極２５は、上で説明したように、第１のＬＥＤ積層２３で生成された光、例えば、赤色光を透過する金属層または導電性酸化物層で形成することができる。例えば、第１の透明電極２５は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）で形成できる。
一方、第２の基板３１上に第１の導電型半導体層３３ａ及び第２の導電型半導体層３３ｂを含む第２のＬＥＤ積層３３が成長する。第１の導電型半導体層３３ａと第２の導電型半導体層３３ｂとの間に活性層（図示せず）が介在し得る。
第２の基板３１は、第２のＬＥＤ積層３３を成長させるために使用できる基板、例えば、サファイア基板、ＧａＮ基板またはＧａＡｓ基板であり得る。第１の導電型半導体層３３ａ及び第２の導電型半導体層３３ｂは、ＡｌＧａＩｎＡｓ系列またはＡｌＧａＩｎＰ系列の半導体層、ＡｌＧａＩｎＮ系列の半導体層で形成でき、活性層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系列の井戸層またはＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含み得る。第２のＬＥＤ積層３３は、例えば、緑色光を発するようにＡｌＧａＩｎＰ又はＡｌＧａＩｎＮの組成比を定めることができる。
第２の導電型半導体層３３ｂ上に第２の透明電極３５が形成され得る。第２の透明電極３５は、上で説明したように、第１のＬＥＤ積層２３で生成された光、例えば、赤色光を透過する金属層または導電性酸化物層で形成することができる。特に、第２の透明電極３５は、ＺｎＯで形成できる。
一方、第３の基板４１上に第１の導電型半導体層４３ａ及び第２の導電型半導体層４３ｂを含む第３のＬＥＤ積層４３が成長する。第１の導電型半導体層４３ａと第２の導電型半導体層４３ｂとの間に活性層（図示せず）が介在し得る。
第３の基板４１は、第３のＬＥＤ積層４３を成長させるために使用できる基板、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板またはＧａＮ基板であり得る。一実施例において、第３の基板４１は平らなサファイア基板であり得るが、パターニングされたサファイア基板でもよい。第１の導電型半導体層４３ａ及び第２の導電型半導体層４３ｂは、ＡｌＧａＩｎＮ系列の半導体層で形成することができ、活性層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＮ系列の井戸層を含み得る。第３のＬＥＤ積層４３は、例えば、青色光を発するようにＡｌＧａＩｎＮの組成比を定めることができる。
第２の導電型半導体層４３ｂ上に第３の透明電極４５が形成され得る。第３の透明電極４５は、上で説明したように、第１および第２のＬＥＤ積層２３，３３で生成された光、例えば、赤色光および緑色光を透過する金属層または導電性酸化物層で形成できる。特に、第３の透明電極４５は、ＺｎＯで形成することができる。
第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３は、それぞれ相互異なる成長基板２１，３１，４１上で成長し、よって、その製造工程順序には制限はない。
以下では、成長基板２１，３１，４１上に成長した第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３を用いて発光素子１００を製造する方法を説明する。以下では、主に一つの発光素子１００領域について図示および説明するが、当業者であれば成長基板２１，３１，４１上に成長したＬＥＤ積層２３，３３，４３を用いて同じ製造工程で複数の発光素子１００が一括して製造できることを理解できると考える。
図５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄは、本開示の一実施例にかかるディスプレイ用発光素子１００を製造する方法を説明するための概略的な平面図および断面図である。ここで、断面図は、それぞれ図３ｂ、図３ｃ及び図３ｄの断面図に対応するように図示した。
先ず、図５ａ、図５ｂ、図５ｃ及び図５ｄを参照すると、フォトリソグラフィーおよびエッチング技術を用いて第３の透明電極４５及び第２の導電型半導体層４３ｂをパターニングして第１の導電型半導体層４３ａを露出させる。この工程は、例えば、メサエッチング工程に該当する。フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して行うことができる。例えば、エッチングマスクを形成した後、湿式エッチング技術で第３の透明電極４５を先にエッチングし、次いで、同一エッチングマスクを用いて乾式エッチング技術で第２の導電型半導体層４３ｂをエッチングできる。これにより、第３の透明電極４５はメサエッチング領域からリセスできる。図５ａには図面を簡略して表すために、メサの縁を図示し、第３の透明電極４５の縁は図示していない。しかし、同じエッチングマスクを使用して第３の透明電極４５を湿式エッチングするため、第３の透明電極４５の縁がメサの縁からメサ内側にリセスされることを容易に理解することができる。同じエッチングマスクを用いるため、フォトリソグラフィー工程数が増加しなく、工程コストを節約することができる。しかし、本開示はこれに限定されず、メサエッチング工程のためのエッチングマスクと第３の透明電極４５をエッチングするためのエッチングマスクをそれぞれ使用することもできる。
続いて、ｎ電極パッド４７ａ及び下部ｐ電極パッド４７ｂがそれぞれ第１の導電型半導体層４３ａ及び第３の透明電極４５上に形成される。ｎ電極パッド４７ａと下部ｐ電極パッド４７ｂは互いに異なる厚さに形成できる。特に、ｎ電極パッド４７ａと下部ｐ電極パッド４７ｂの上面が同じ高さに位置し得る。
図６ａ、図６ｂ、図６ｃ及び図６ｄを参照すると、図５ａ、図５ｂ、図５ｃ及び図５ｄを参照して説明した第３のＬＥＤ積層４３上に図４ｂを参照して説明した第２のＬＥＤ積層３３がボンディングされる。ＴＢＤＢ（ｔｅｍｐｏｒａｒｙ ｂｏｎｄｉｎｇ／ｄｅｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いて一時基板に第２のＬＥＤ積層３３をボンディングし、第２の基板３１が第２のＬＥＤ積層３３から先に除去される。第２の基板３１は、例えば、レーザーリフトオフ技術を用いて除去され得る。第２の基板３１が除去された後、第１の導電型半導体層３３ａの表面に粗い面が形成され得る。その後、一時基板にボンディングされた第２のＬＥＤ積層３３の第１の導電型半導体層３３ａが、第３のＬＥＤ積層４３に向くように配置されて第３のＬＥＤ積層４３にボンディングされ得る。第２のＬＥＤ積層３３と第３のＬＥＤ積層４３は、第１のボンディング層４９によって互いにボンディングされる。第２のＬＥＤ積層３３をボンディングした後、一時基板もレーザーリフトオフ技術を用いて除去することができる。これにより、第２の透明電極３５が上面に配置された形態で第２のＬＥＤ積層３３が第３のＬＥＤ積層４３に配置され得る。
ＩＴＯは、レーザーリフトオフ技術を用いて第２の基板３１を分離する際、第２のＬＥＤ積層３３から剥離され得る。よって、レーザーリフトオフ技術を用いて第２の基板３１を除去する場合、第２の透明電極３５は接合力に優れるＺｎＯで形成されたものが有利となる。
次いで、第２の透明電極３５及び第２の導電型半導体層３３ｂをパターニングして第１の導電型半導体層３３ａを露出させる。第２の透明電極３５及び第２の導電型半導体層３３ｂは、フォトリソグラフィーおよびエッチング技術を用いてパターニングできる。この工程は、前述の第３の透明電極４５及び第２の導電型半導体層４３ｂをエッチングしたメサエッチング工程と同じ方法で湿式エッチング及び乾式エッチング技術を用いて行うことができる。
例えば、エッチングマスクを形成した後、湿式エッチング技術で第２の透明電極３５を先にエッチングし、次いで同じエッチングマスクを用いて乾式エッチング技術で第２の導電型半導体層３３ｂをエッチングできる。これにより、第２の透明電極３５はメサエッチング領域からリセスされ得る。図６ａには図面を簡略して表すためにメサの縁を図示し、第２の透明電極３５の縁は図示していない。しかし、同じエッチングマスクを使用して第２の透明電極３５を湿式エッチングするため、第２の透明電極３５の縁がメサの縁からメサ内側にリセスされることを容易に理解できる。同じエッチングマスクを用いるため、フォトリソグラフィー工程数が増加せず、工程コストを節約することができる。しかし、本開示はこれに限定されず、メサエッチング工程のためのエッチングマスクと第２の透明電極３５をエッチングするためのエッチングマスクをそれぞれ使用することもできる。
図６ａに示した通り、第２のＬＥＤ積層３３のメサエッチング領域は、第３のＬＥＤ積層４３のメサエッチング領域と一部重なり得る。例えば、第２のＬＥＤ積層３３のメサエッチング領域の一部はｎ電極パッド４７ａ上部に形成できる。また、メサエッチング領域のまた別の一部は、下部ｐ電極パッド４７ｂ上部に位置し得る。これに加え、第２のＬＥＤ積層３３のメサエッチング領域の一部は、第３のＬＥＤ積層４３のメサ領域上に位置し得る。
図７ａ、図７ｂ、図７ｃ及び図７ｄを参照すると、第２のＬＥＤ積層３３を貫通する貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２が形成される。貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２は、第１のボンディング層４９を貫通してｎ電極パッド４７ａ及び下部ｐ電極パッド４７ｂを露出させる。貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２は、メサエッチング領域内に形成され得る。よって、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２の側壁に段差のある構造が形成できる。
下部ｐ電極パッド４７ｂとｎ電極パッド４７ａの上面が同じ高さに位置し得るため、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２を形成する間にいずれかのパッドが先に露出して損傷することを防ぐことができる。
図８ａ、図８ｂ、図８ｃ及び図８ｄを参照すると、第２のＬＥＤ積層３３上に下部絶縁層５１が形成される。下部絶縁層５１は、第２の透明電極３５を覆い、第２の導電型半導体層３３ｂを覆う。また、下部絶縁層５１は、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２の側壁を覆う。一方、下部絶縁層５１は、第２の透明電極３５、第１の導電型半導体層３３ａ、ｎ電極パッド４７ａ及び下部ｐ電極パッド４７ｂを露出させる開口部５１ａを有する。
続いて、下部絶縁層５１上に下部共通コネクタ５３ｃ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び上部ｐ電極パッド５３ｇが形成される。下部共通コネクタ５３ｃ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び上部ｐ電極パッド５３ｇは、同じ材料で一緒に形成することができる。
上部ｐ電極パッド５３ｇは、開口部５１ａに露出した第２の透明電極３５上に配置できる。下部ｐコネクタ５３ｂは、開口部５１ａを通じて露出した下部ｐ電極パッド４７ｂに接続すると共に、下部絶縁層５１上に一部が配置される。下部共通コネクタ５３ｃは、開口部５１ａを通じて露出した第１の導電型半導体層３３ａ及びｎ電極パッド４７ａに接続し、下部絶縁層５１上に一部が配置される。
図９ａ、図９ｂ、図９ｃ及び図９ｄを参照すると、図４ａで説明した第１のＬＥＤ積層２３が第２のＬＥＤ積層３３にボンディングされる。第２のボンディング層５９を用いて第１の透明電極２５が第２のＬＥＤ積層３３に向くように第１のＬＥＤ積層２３と第２のＬＥＤ積層３３がボンディングされ得る。これにより、第２のボンディング層５９は、第１の透明電極２５に接するとともに、下部絶縁層５１、下部ｐコネクタ５３ｂ、上部ｐ電極パッド５３ｇ及び下部共通コネクタ５３ｃに接し、さらに、上部ｐ電極パッド５３ｇ周囲に露出した第２の透明電極３５に接することができる。第１の基板２１は、第１のＬＥＤ積層２３から除去される。第１の基板２１は、例えば、エッチング技術を用いて除去できる。
図１０ａ、図１０ｂ、図１０ｃ及び図１０ｄを参照すると、第１のＬＥＤ積層２３を貫通する貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４が形成される。貫通ホール２３ｈ１は、第１の透明電極２５を露出させ、貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第２のボンディング層５９を貫通してそれぞれ上部ｐ電極パッド５３ｇ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び下部共通コネクタ５３ｃを露出させる。貫通ホール２３ｈ１と貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、深さが互いに異なるため、互いに異なる工程によって形成できる。一方、貫通ホール２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、深さがほぼ同じため、同じ工程で一緒に形成できる。
貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４は、第１のＬＥＤ積層２３全体を貫通するように形成することができ、よって、これら貫通ホールの側壁は、貫通ホール３３ｈ１，３３ｈ２と異なり、段差がないように形成することができる。
図１１ａ、図１１ｂ、図１１ｃ及び図１１ｄを参照すると、アイソレーション工程によって発光素子１００領域を定義するための分離溝が形成される。分離溝は、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の周りに沿って第３の基板４１を露出させることができる。発光素子領域間で第１のＬＥＤ積層２３、第１の透明電極２５、第２のボンディング層５９、下部絶縁層５１、第２のＬＥＤ積層３３、第１のボンディング層４９、第３のＬＥＤ積層４３を順に除去することにより、分離溝が形成できる。第２の透明電極３５及び第３の透明電極４５は、アイソレーション工程を行うあいだ露出されなく、よって、エッチングガスによって損傷しない。第２及び第３の透明電極３５，４５がＺｎＯで形成される場合、ＺｎＯはエッチングガスによって容易に損傷し得る。しかし、本開示は第２及び第３の透明電極３５，４５を予めリセスさせることにより、これらがエッチングガスに露出することを防ぐことができる。
本実施例において、アイソレーション工程を通じて第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３が順にパターニングされることを説明するが、本開示は必ずしもこれに限定されない。第２のＬＥＤ積層３３をボンディングする前に、分離溝が形成される領域で第３のＬＥＤ積層４３があらかじめ除去される場合もあり、第１のＬＥＤ積層２３をボンディングする前に、分離溝が形成される領域で第２のＬＥＤ積層３３があらかじめ除去される場合もある。この場合、第３のＬＥＤ積層４３が除去された領域は、第１のボンディング層４９で埋めることができ、第２のＬＥＤ積層３３が除去された領域は、第２のボンディング層５９で埋めることができる。これにより、アイソレーション工程で第２および第３のＬＥＤ積層３３，４３は、露出されなくなり得る。
図１２ａ、図１２ｂ、図１２ｃ及び図１２ｄを参照すると、中間絶縁層６１が第１のＬＥＤ積層２３上に形成される。中間絶縁層６１は、分離溝を通じて露出した第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の側面、第１および第２のボンディング層４９，５９の側面、第１の透明電極２５の側面および下部絶縁層５１の側面を覆うことができる。
中間絶縁層６１はまた、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の側壁を覆うことができる。但し、中間絶縁層６１は貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４の底を露出させる開口部６１ａ及び第２のＬＥＤ積層２３の第１の導電型半導体層２３ａを露出させる開口部６１ｂを有するようにパターニングされる。開口部６１ａは、貫通ホール２３ｈ１，２３ｈ２，２３ｈ３，２３ｈ４内で、第１の透明電極２５、上部ｐ電極パッド５３ｇ、下部ｐコネクタ５３ｂ及び下部共通コネクタ５３ｃを露出させる。
中間絶縁層６１上に第１～第３の上部コネクタ６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃが形成される。第１の上部コネクタ６３ｒは第１の透明電極２５に接続され、第２の上部コネクタ６３ｇは上部ｐ電極パッド５３ｇに接続され、第３の上部コネクタ６３ｂは下部ｐコネクタ５３ｂに接続できる。一方、上部共通コネクタ６３ｃは、下部共通コネクタ５３ｃに接続できる。
図１３ａ、図１３ｂ、図１３ｃ及び図１３ｄを参照すると、中間絶縁層６１及びコネクタ６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ，６３ｃを覆う上部絶縁層７１が形成される。上部絶縁層７１は、第１～第３のＬＥＤ積層２３，３３，４３の側面でも中間絶縁層６１を覆うことができる。但し、上部絶縁層７１は第１～第３の上部コネクタ６３ｒ，６３ｇ，６３ｂ及び上部共通コネクタ６３ｃを露出させる開口部７１ａを有するようにパターニングすることができる。
次いで、前記開口部７１ａ内にそれぞれバンプパッド７３ｒ，７３ｇ，７３ｂ，７３ｃが形成される。第１のバンプパッド７３ｒは、第１の上部コネクタ６３ｒ上に配置され、第２のバンプパッド７３ｇは第２の上部コネクタ６３ｇ上に配置され、第３のバンプパッド７３ｂは第３の上部コネクタ６３ｂ上に配置される。共通バンプパッド７３ｃは上部共通コネクタ６３ｃ上に配置される。
続いて、発光素子１００を回路基板１０１上にボンディングし、基板４１を分離することにより、基板４１から分離された発光素子１００が完成する。回路基板１０１にボンディングされた発光素子１００の概略的な断面図は図１４に示した。
図１４は、単一の発光素子１００が回路基板１０１上に配置されたことを示しているが、回路基板１０１上には複数の発光素子１００が実装される。それぞれの発光素子１００は、青色光、緑色光および赤色光を放出できる一つのピクセルを構成し、回路基板１０１上に複数のピクセルが整列してディスプレイパネルが提供される。
一方、基板４１上には複数の発光素子１００が形成でき、これら発光素子１００は一つずつ回路基板１０１に転写されるのではなく、集団で回路基板１０１上に転写できる。図１５ａ、図１５ｂ、及び図１５ｃは、発光素子を回路基板に転写する方法を説明するための概略的な断面図である。ここでは、基板４１上に形成された発光素子１００を集団で回路基板１０１に転写する方法を説明する。
図１５ａを参照すると、発光素子の製造方法を通じて説明した通り、図１３ａ、図１３ｂ、図１３ｃ及び図１３ｄの工程が完了したら、基板４１上に複数の発光素子１００が分離溝によって分離されて整列される。
一方、上面にパッドを有する回路基板１０１が提供される。パッドはディスプレイのためのピクセルの整列位置に対応するように回路基板１０１上に配列される。一般的に、基板４１上に整列された発光素子１００の間隔は、回路基板１０１内のピクセルの間隔に比べてより密である。
図１５ｂを参照すると、発光素子１００のバンプパッドを回路基板１０１上のパッドにボンディングする。バンプパッドとパッドは、Ｉｎボンディングを用いてボンディングできる。一方、ピクセル領域間に位置する発光素子１００は、ボンディングされるパッドがないため、回路基板１０１から離れた状態を維持する。
次いで、基板４１上にマスク２０１を配置し、レーザーを照射する。マスク２０１の光透過領域は、ボンディングされた発光素子１００に対応するように配置され、よって、パッドにボンディングされた発光素子１００に選択的にレーザーが照射される。その後、レーザーが照射された発光素子１００を基板４１から分離することにより、発光素子１００が回路基板１０１に転写される。これにより、回路基板１０１上に発光素子１００が整列されたディスプレイパネルが提供される。ディスプレイパネルは、図１を参照して説明したような多様なディスプレイ装置に実装することができる。
以上で、本開示の多様な実施例について説明したが、本開示はこれら実施例に限定されるのではない。また、一つの実施例について説明した事項や構成要素は、本開示の技術的思想から外れない限り、別の実施例にも適用できる。
Claims (21)
- 第１のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、
前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、
前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、
前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、
前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、
前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、
前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、
前記バンプパッドは、第１～第３のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、
前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層に共通して電気的に接続され、
前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ前記第１～第３のＬＥＤ積層に電気的に接続され、
前記ｎ電極パッドの上面は、前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置するディスプレイ用発光素子。 - 前記第１、第２および第３のＬＥＤ積層は、それぞれ赤色光、緑色光および青色光を発する、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第１～第３のＬＥＤ積層は、独立的に駆動可能であり、
前記第１のＬＥＤ積層で生成された光は、前記第２のＬＥＤ積層および前記第３のＬＥＤ積層を透過して外部に放出され、
前記第２のＬＥＤ積層で生成された光は、前記第３のＬＥＤ積層を透過して外部に放出される、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第１～第３の透明電極のいずれか一の透明電極は、前記第１～第３の透明電極の他の透明電極とは異なる材料で形成された、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第１の透明電極はＩＴＯで形成され、前記第２および第３の透明電極はＺｎＯで形成された、請求項４に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第１～第３の透明電極は、それぞれ第２の導電型半導体層に接触し、
前記第２および第３の透明電極は、それぞれ第２のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層および第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層よりも狭い面積を有するようにリセスされた、請求項５に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層に共通して電気的に接続され、
前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層に電気的に接続された、請求項６に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第１～第３のＬＥＤ積層の側面を覆う絶縁層をさらに含み、
前記第１～第３のＬＥＤ積層の側面および第１の透明電極の側面は、前記絶縁層に接し、前記第２および第３の透明電極の側面は前記絶縁層から離隔された、請求項６に記載のディスプレイ用発光素子。 - 側面が、第３のＬＥＤ積層の上面に対して７５度～９０度の範囲で傾斜した、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第２のＬＥＤ積層と第３のＬＥＤ積層間に介在した第１のボンディング層と、
前記第１のＬＥＤ積層と第２のＬＥＤ積層間に介在した第２のボンディング層と、をさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第２のＬＥＤ積層および第１のボンディング層を貫通して、前記ｎ電極パッドおよび下部ｐ電極パッドをそれぞれ露出させる下部貫通ホールと、
前記ｎ電極パッドに接続した下部共通コネクタと、
前記下部ｐ電極パッドに接続した下部ｐコネクタと、をさらに含み、
前記下部共通コネクタは、前記ＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層に電気的に接続するとともに、前記下部貫通ホールを通じて露出した前記ｎ電極パッドに接続し、
前記下部ｐコネクタは、前記下部貫通ホールを通じて露出した下部ｐ電極パッドに電気的に接続する、請求項１０に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第２の透明電極上に配置されて前記第２のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層に電気的に接続する上部ｐ電極パッドをさらに含む、請求項１１に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第１のＬＥＤ積層を貫通して第１の透明電極を露出させる貫通ホールと、
前記第１のＬＥＤ積層、前記第１の透明電極および前記第２のボンディング層を貫通して、それぞれ前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる貫通ホールと、
前記第１のＬＥＤ積層上に配置され、前記第１のＬＥＤ積層を貫通する貫通ホールを通じて前記第１の透明電極、前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタに電気的に接続する第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタと、をさらに含み、
前記バンプパッドは、それぞれ前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタ上に配置された、請求項１２に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記バンプパッドは、それぞれ前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタの平坦な部分上に位置する、請求項１３に記載のディスプレイ用発光素子。
- 前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタを覆う上部絶縁層をさらに含み、
前記上部絶縁層は、前記第１～第３の上部コネクタ及び上部共通コネクタを露出させる開口部を有し、
前記バンプパッドは、それぞれ前記開口部内に配置された、請求項１４に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第１のＬＥＤ積層と前記上部コネクタ間に配置された中間絶縁層をさらに含み、
前記中間絶縁層は、前記発光素子の側面および前記第１のＬＥＤ積層を貫通する貫通ホールの側壁を覆い、前記第１の透明電極、前記上部ｐ電極パッド、前記下部ｐコネクタ、及び下部共通コネクタを露出させる開口部を有する、請求項１５に記載のディスプレイ用発光素子。 - 前記第１～第３のＬＥＤ積層は、成長基板から分離された、請求項１に記載のディスプレイ用発光素子。
- 第１のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、
前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、
前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドを含み、
前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、
前記第１～第３の透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層の縁からリセスされたディスプレイ用発光素子。 - 前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、
前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、をさらに含み、
前記ｎ電極パッドの上面は、前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置する、請求項１８に記載のディスプレイ用発光素子。 - 回路基板と、
前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、
前記発光素子はそれぞれ、
第１のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、
前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、
前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、
前記第３のＬＥＤ積層の第１の導電型半導体層上に配置されたｎ電極パッドと、
前記第３の透明電極上に配置された下部ｐ電極パッドと、
前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドと、を含み、
前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、
前記バンプパッドは、第１～第３のバンプパッドと共通バンプパッドを含み、
前記共通バンプパッドは、前記第１～第３のＬＥＤ積層に共通して電気的に接続され、
前記第１～第３のバンプパッドは、それぞれ前記第１～第３のＬＥＤ積層に電気的に接続され、
前記ｎ電極パッドの上面は、前記下部ｐ電極パッドの上面と同じ高さに位置し、
前記バンプパッドが前記回路基板にボンディングされた、ディスプレイ装置。 - 回路基板と、
前記回路基板上に整列された複数の発光素子と、を含み、
前記発光素子はそれぞれ、
第１のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層の下に位置する第２のＬＥＤ積層と、
前記第２のＬＥＤ積層の下に位置する第３のＬＥＤ積層と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第１のＬＥＤ積層の下面にオーミック接触する第１の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層と前記第２のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第２のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第２の透明電極と、
前記第２のＬＥＤ積層と前記第３のＬＥＤ積層との間に介在し、前記第３のＬＥＤ積層の上面にオーミック接触する第３の透明電極と、
前記第１のＬＥＤ積層上に配置されたバンプパッドを含み、
前記第１～第３のＬＥＤ積層は、それぞれ第１の導電型半導体層、活性層および第２の導電型半導体層を含み、
前記第１～第３の透明電極の少なくとも一つの透明電極は、前記第１～第３のＬＥＤ積層の第２の導電型半導体層の縁からリセスされ、
前記バンプパッドが前記回路基板にボンディングされた、ディスプレイ装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962802784P | 2019-02-08 | 2019-02-08 | |
| US62/802,784 | 2019-02-08 | ||
| US16/782,594 US11362073B2 (en) | 2019-02-08 | 2020-02-05 | Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same |
| US16/782,594 | 2020-02-05 | ||
| PCT/KR2020/001703 WO2020162687A1 (ko) | 2019-02-08 | 2020-02-06 | 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022519656A JP2022519656A (ja) | 2022-03-24 |
| JP7542544B2 true JP7542544B2 (ja) | 2024-08-30 |
Family
ID=71945317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021545853A Active JP7542544B2 (ja) | 2019-02-08 | 2020-02-06 | ディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11362073B2 (ja) |
| EP (2) | EP4407697A2 (ja) |
| JP (1) | JP7542544B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210113983A (ja) |
| CN (2) | CN118335864A (ja) |
| BR (1) | BR112021014915A2 (ja) |
| MX (1) | MX2021009292A (ja) |
| WO (1) | WO2020162687A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11362073B2 (en) * | 2019-02-08 | 2022-06-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same |
| US11211528B2 (en) * | 2019-03-13 | 2021-12-28 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and display apparatus having the same |
| US11437353B2 (en) * | 2019-11-15 | 2022-09-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and display apparatus having the same |
| KR20220100870A (ko) * | 2019-11-15 | 2022-07-18 | 서울바이오시스 주식회사 | 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치 |
| US12040344B2 (en) * | 2020-05-28 | 2024-07-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device and display apparatus having the same |
| EP4386726A1 (en) * | 2021-09-03 | 2024-06-19 | Sony Group Corporation | Light-emitting device and electronic equipment |
| CN115394762B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-07-09 | 诺视科技(苏州)有限公司 | 一种具有透明衬底的像素级分立器件及其制作方法 |
| KR102668393B1 (ko) * | 2022-08-10 | 2024-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090078955A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Iii-N Technlogy, Inc | Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display |
| US20090272989A1 (en) | 2008-05-01 | 2009-11-05 | Frank Shum | Light emitting device having stacked multiple leds |
| JP2015012244A (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US20170288093A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led light source module and display device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| KR101786082B1 (ko) | 2011-01-27 | 2017-10-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| KR101293647B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2013-08-13 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 전도성 산화물 박막 기판, 그 제조방법, 이를 포함하는 유기전계발광소자 및 광전지 |
| CN109979925B (zh) * | 2012-12-06 | 2024-03-01 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
| KR20180084652A (ko) * | 2017-01-16 | 2018-07-25 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드 |
| TWI778010B (zh) * | 2017-01-26 | 2022-09-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件 |
| KR20190001050A (ko) | 2017-06-26 | 2019-01-04 | 주식회사 루멘스 | 칩 적층 구조를 갖는 led 픽셀 소자 |
| KR102503578B1 (ko) | 2017-06-30 | 2023-02-24 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| US11362073B2 (en) * | 2019-02-08 | 2022-06-14 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device including multiple transparent electrodes for display and display apparatus having the same |
-
2020
- 2020-02-05 US US16/782,594 patent/US11362073B2/en active Active
- 2020-02-06 CN CN202410415848.4A patent/CN118335864A/zh active Pending
- 2020-02-06 EP EP24169073.4A patent/EP4407697A2/en active Pending
- 2020-02-06 BR BR112021014915-5A patent/BR112021014915A2/pt unknown
- 2020-02-06 WO PCT/KR2020/001703 patent/WO2020162687A1/ko unknown
- 2020-02-06 KR KR1020217020417A patent/KR20210113983A/ko active IP Right Grant
- 2020-02-06 CN CN202080013013.6A patent/CN113424314B/zh active Active
- 2020-02-06 MX MX2021009292A patent/MX2021009292A/es unknown
- 2020-02-06 EP EP20753265.6A patent/EP3923326B1/en active Active
- 2020-02-06 JP JP2021545853A patent/JP7542544B2/ja active Active
-
2022
- 2022-05-26 US US17/826,106 patent/US20220285329A1/en active Pending
- 2022-07-31 US US17/878,024 patent/US20220367429A1/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090078955A1 (en) | 2007-09-26 | 2009-03-26 | Iii-N Technlogy, Inc | Micro-Emitter Array Based Full-Color Micro-Display |
| US20090272989A1 (en) | 2008-05-01 | 2009-11-05 | Frank Shum | Light emitting device having stacked multiple leds |
| JP2015012244A (ja) | 2013-07-01 | 2015-01-19 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| US20170288093A1 (en) | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Led light source module and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3923326C0 (en) | 2024-04-10 |
| EP4407697A2 (en) | 2024-07-31 |
| EP3923326A4 (en) | 2022-11-02 |
| US11362073B2 (en) | 2022-06-14 |
| CN113424314B (zh) | 2024-04-26 |
| CN118335864A (zh) | 2024-07-12 |
| EP3923326A1 (en) | 2021-12-15 |
| BR112021014915A2 (pt) | 2021-09-28 |
| US20200258872A1 (en) | 2020-08-13 |
| CN113424314A (zh) | 2021-09-21 |
| MX2021009292A (es) | 2021-10-13 |
| US20220367429A1 (en) | 2022-11-17 |
| US20220285329A1 (en) | 2022-09-08 |
| KR20210113983A (ko) | 2021-09-17 |
| JP2022519656A (ja) | 2022-03-24 |
| WO2020162687A1 (ko) | 2020-08-13 |
| EP3923326B1 (en) | 2024-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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