JP2006147836A - 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この光半導体装置では、透光性を有する完全硬化の樹脂32によって、基板1上に配置される発光素子21および受光素子22を覆っている。また、上記完全硬化の樹脂32によって、偏光子41、ビームスプリッター42およびプリズム45を支持して固定している。
【選択図】 図1
Description
(b)上記トランスファーモールド金型と上記封止樹脂との離型が悪い場合、上記トランスファーモールド金型に上記封止樹脂が引っ張られて、上記基板と上記封止樹脂との間で剥離が生じ、さらに、上記半導体光素子と上記封止樹脂との間で剥離が生じることがあり、歩留まりが低下する。また、この剥離を防止するために、上記トランスファーモールド金型に離型材を別途散布する必要があり、作業効率が下がって費用がかかる。
(c)トランスファーモールドは、樹脂の流れを利用して成型するため、気泡、未充填およびワイヤ倒れといった光学素子にとっては、致命的な不良が発生する。また、金型汚れ、金型キズによる凹凸キズも発生する。
基板に半導体光素子を配置する第1の工程と、
上記基板を囲む注型用枠の中に上記半導体光素子の全部を埋め込むまで液状の樹脂を注入し、この液状の樹脂をゲル状に固化してから、このゲル状の樹脂の表面に光学素子を配置する第2の工程と、
この樹脂を完全に硬化させる第3の工程と
を備えることを特徴としている。
(e)上記ゲル状の樹脂の表面は粘性を有するので、上記光学素子の位置が振動などでずれない。
(f)上記液状の樹脂から上記ゲル状の樹脂に固化させる時間は、例えば略4時間であるので、上記液状の樹脂を完全に硬化させる時間が、例えば略16時間である場合に比べて、製造時間を短縮できる。
基板に半導体光素子および支持部材を配置する第1の工程と、
上記支持部材に光学素子を配置してから、上記基板を囲む注型用枠の中に上記半導体光素子の全部を埋め込むと共に上記光学素子の一部を埋め込むまで液状の樹脂を注入する第2の工程と、
この樹脂を完全に硬化させる第3の工程と
を備えることを特徴としている。
基板と、
上記基板上に配置されると共に青紫光を発光または受光する半導体光素子と、
上記基板上に配置される支持部材と、
上記半導体光素子に対して一定の距離をもつように上記支持部材に支持される光学素子と、
上記基板上に配置され、上記半導体光素子を覆うと共に上記光学素子を固定するシリコーン樹脂と
を備えることを特徴としている。
図1は、この発明の光半導体装置の第1の実施形態である断面図を示している。この光半導体装置は、基板1と、この基板1上に配置された複数の半導体光素子2と、上記基板1上に配置されると共に上記複数の半導体光素子2を覆う透光性を有する完全硬化の樹脂32と、上記半導体光素子2に対して一定の距離をもつように上記完全硬化の樹脂32によって支持されて固定された複数の光学素子4とを備える。
(e)上記ゲル状の樹脂3の表面は粘性を有するので、上記光学素子4の位置が振動などでずれない。
(f)上記液状の樹脂31から上記ゲル状の樹脂3に固化させる時間は、例えば略4時間であるので、上記液状の樹脂31を完全に硬化させる時間が、例えば略16時間である場合に比べて、製造時間を短縮できる。
(h)完全硬化後の樹脂の表面は滑らかであるので、上記光学素子4の位置が振動などでずれる。
(i)上記液状の樹脂31を完全に硬化させる時間は、例えば略16時間であるので、上記液状の樹脂31から上記ゲル状の樹脂3に固化させる時間が、例えば略4時間である場合に比べて、製造時間がかかる。
図3は、この発明の第2の実施形態を示している。この第2の実施形態の光半導体装置は、いわゆるピックアップ受光素子であり、基板1と、この基板1上に配置される受光素子22(上記半導体光素子2)および支持部材6と、上記基板1上に配置されると共に上記受光素子22および上記支持部材6を覆う透光性を有する完全硬化の樹脂32と、上記支持部材6にて支持されると共に上記完全硬化の樹脂32にて支持されて固定される板ガラス43(上記光学素子4)とを備える。
図5Aと図5Bは、この発明の第3の実施形態を示し、この第3の実施形態の光半導体装置は、いわゆるフォトカプラである。
図6は、この発明の第4の実施形態を示し、この第4の実施形態の光半導体装置は、いわゆるLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)である。
図7Aと図7Bは、この発明の第5の実施形態を示し、この第5の実施形態の光半導体装置は、いわゆるフォトダイオード、フォトトランジスタ、リモコン受光素子またはファイバー受光ユニットである。
図8Aと図8Bは、この発明の第6の実施形態を示し、この第6の実施形態の光半導体装置は、いわゆるIrDA(Infrared Data Association:赤外線通信)素子または埃センサである。
図9は、この発明の第7の実施形態を示し、この第7の実施形態の光半導体装置は、いわゆるフォトインタラプタ素子である。
図10は、この発明の第8の実施形態を示し、この第8の実施形態の光半導体装置は、いわゆる位置検出素子である。
2 半導体光素子
21 発光素子
22 受光素子
3 ゲル状の樹脂
31 液状の樹脂
32 完全硬化の樹脂
4 光学素子
41 偏光子
42 ビームスプリッター
43 板ガラス
44 ミラー
45 プリズム
46 コーナーキューブ
47 凸レンズ
48 凹レンズ
49 遮光板
5 注型用枠
6 支持部材
Claims (6)
- 基板に半導体光素子を配置する第1の工程と、
上記基板を囲む注型用枠の中に上記半導体光素子の全部を埋め込むまで液状の樹脂を注入し、この液状の樹脂をゲル状に固化してから、このゲル状の樹脂の表面に光学素子を配置する第2の工程と、
この樹脂を完全に硬化する第3の工程と
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光半導体装置の製造方法において、
上記第2の工程と上記第3の工程の間に、上記注型用枠の中に上記光学素子の全部を埋め込むまで液状の樹脂を注入する第4の工程を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光半導体装置の製造方法において、
上記第2の工程と上記第3の工程の間に、上記注型用枠の中に上記光学素子の一部を埋め込むまで液状の樹脂を注入する第4の工程を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光半導体装置の製造方法において、
上記第2の工程と上記第3の工程の間に、上記注型用枠の中に上記光学素子の全部を埋め込むまで液状の樹脂を注入し、この液状の樹脂をゲル状に固化してから、このゲル状の樹脂の表面に他の光学素子を配置する第4の工程を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 基板に半導体光素子および支持部材を配置する第1の工程と、
上記支持部材に光学素子を配置してから、上記基板を囲む注型用枠の中に上記半導体光素子の全部を埋め込むと共に上記光学素子の一部を埋め込むまで液状の樹脂を注入する第2の工程と、
この樹脂を完全に硬化する第3の工程と
を備えることを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 基板と、
上記基板上に配置されると共に青紫光を発光または受光する半導体光素子と、
上記基板上に配置される支持部材と、
上記半導体光素子に対して一定の距離をもつように上記支持部材に支持される光学素子と、
上記基板上に配置され、上記半導体光素子を覆うと共に上記光学素子を固定するシリコーン樹脂と
を備えることを特徴とする光半導体装置。
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