JP2006145195A - 基板焼成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 搬送路に沿って搬送されつつある基板に対し外部との連通を遮断した上で加熱処理を施す。
【解決手段】 搬送路１１を包囲した状態で配設された焼成装置本体２０内に、上流側から下流側に向けて、外部から入口２３１を介して導入される基板Ｂを受入れた状態で内部の気体を置換する上流側置換室Ｖ１と、この上流側置換室Ｖ１から導入口２６５を介して送り込まれた基板Ｂに対して低酸素気体を導入することにより焼成処理を施す処理室Ｖ２と、この処理室Ｖ２の導出口２６８から導出される基板Ｂを受入れた状態で内部の気体を置換する、下流端に基板排出用の出口２４１を備えた下流側置換室Ｖ３とが順次形成され、上流側置換室Ｖ１の入口２３１および下流側置換室Ｖ３の出口２４１には、気体の流通を抑止するシャッター装置５０が設けられ、処理室Ｖ２の導入口２６５および導出口２６８には、気体の流通を遮断するゲートバルブ装置６０が設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶やプラズマディスプレイパネル等の製造工程において、各種の電子部品等がマウントされる各種の基板に対し、印刷処理等で形成されたペーストライン等を定着させるべく焼成処理を施すために用いられる基板焼成装置に関するものである。

従来、特許文献１に記載されているような基板焼成装置が知られている。この基板焼成装置は、プラズマディスプレイパネル用の基板に対して焼成処理を施すものであり、搬送ローラが並設されてなる基板搬送用の搬送路に沿って基板焼成装置が設けられ、この基板焼成装置内に運び込まれた基板に対して所定の焼成処理を施すようになっている。

かかる基板焼成装置は、上流側に加熱部が形成されているとともに、下流側に冷却部が設けられ、加熱部で加熱処理が施された基板は、下流側の冷却部で冷却されたのち搬送路に沿って系外に排出されるようになっている。加熱部は、ヒーターによって基板を昇温する加熱ゾーンと、所定の温度に到達した基板の温度をキープ（保持）する温度キープゾーンとに分けられている。そして、加熱ゾーンで所定の温度に到達した基板は、搬送路に沿って温度キープゾーンに運ばれた後、ここでの所定時間の温度保持が行われてから冷却ゾーンに運ばれ、冷風吹きつけによる冷却処理が施された後、系外に排出されるようになっている。

このように構成された基板焼成装置において、加熱ゾーンの上流端に設けられた基板受入れ用の開口、加熱ゾーンと温度キープゾーンとの間の連絡開口および温度キープゾーンと冷却部との間にはそれぞれ開閉式のシャッターが設けられている。そして、基板に対し加熱ゾーンおよび温度キープゾーンでそれぞれ昇温処理および温度キープ処理が施されているときシャッターは閉じられ、これらゾーン内の高温気体が外部に漏洩したり、逆に外部の低温空気がゾーン内に入り込むことを防止するようになされている。
特開２００１−２８２３９号公報

しかしながら、特許文献１のものは、加熱部にシャッターが設けられているのみの一重閉止構造であり、冷却ゾーンと外気との間は開放されている。このため、加熱部内では、特別の雰囲気下で基板に加熱処理を施す態様を採用することは困難である。

本発明は、かかる状況に鑑みなされたものであって、特別の雰囲気下で基板に焼成処理を施すことを可能とし、かつ、前工程と後工程とで雰囲気の置換を行わせることで基板に適正な焼成環境を与えることができる基板焼成装置を提供することを目的としている。

請求項１記載の発明は、搬送路に沿って搬送される基板に焼成処理を施す基板焼成装置であって、前記搬送路に沿い、かつ、該搬送路を包囲した状態で配設された焼成装置本体内が、上流側から下流側に向けて、上流側置換室と、焼成処理を施す処理室と、下流側置換室とに区画形成され、前記上流側置換室の入口には第１の開閉扉部が、前記上流側置換室から前記処理室への導入口には第２の開閉扉部が、前記処理室から前記下流側置換室への導出口には第３の開閉扉部が、前記下流側置換室の出口には第４の開閉扉部が、それぞれ設けられるとともに、前記上流側置換室、前記処理室および前記下流側置換室の内部を所定の気体雰囲気とするための雰囲気形成手段を設けたことを特徴とするものである。

かかる構成によれば、搬送路に沿って搬送されつつある基板は、焼成装置本体の上流端の第１の開閉扉部が開放された入口から上流側置換室に導入され、第１の開閉扉部が閉止された状態で内部が焼成雰囲気に置換されることによりこの雰囲気中に一旦保持される。引き続き、処理室の上流側の導入口に設けられた第２の開閉扉部が開放され、基板が導入口を介し処理室内に搬送されたのち第２の開閉扉部が閉止され、これによって処理室内は低酸素雰囲気で密閉状態になる。この状態で処理室内で基板の焼成処理が実行される。そして、加熱処理が完了した基板は、処理室の導出口側の第３の開閉扉部が開放された状態で下流側置換室へ導出され、ここでの所定時間の滞留によって冷却され、最後に焼成装置本体の下流端の第４の開閉扉部が開放された後、搬送路に沿って外部に排出される。

また、請求項４記載の発明のように、それ程厳密に密閉状態が要求されない上流側および下流側置換室と外部との間には、外気の侵入を抑止し得る程度の気体の流通を抑止する簡単な構造の低密閉用開閉扉部が設けられている一方、処理室の導入口および導出口には気体の流通を遮断する高密閉用開閉扉部が設けられているため、装置コストを抑えた上で、焼成処理の心臓部である低酸素雰囲気の処理室内に外気が流入することで低酸素雰囲気が阻害されるような不都合の発生が確実に防止される。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記処理室は、基板に対して前処理を施す前処理室と、該前処理室の下流側に設けられて基板に加熱処理を施す加熱室と、該加熱室の下流側に設けられて基板に冷却処理を施す冷却室とからなることを特徴とするものである。

かかる構成によれば、上流側置換室に導入された基板は、加熱室に搬送される前に一旦キュア室において例えば紫外線が照射される等の前処理が実行されるため、基板の特性に応じたより良好な焼成処理が実現する。また、焼成室における焼成処理が完了した基板は、処理室の最下流側に設けられた冷却室で冷却処理が施された後に下流側置換室に導入され、これによって実質的に２段階で冷却処理が施されるため、例えば基板がガラス基板の場合など、急冷されることによって破損するような不都合の発生が抑止される。

そして、前処理室における基板に対する前処理は、加熱室における焼成処理の前処理とみなされるとともに、冷却室における基板に対する冷却処理は、加熱室における焼成処理の後処理とみなされ、これら前処理室、加熱室および冷却室（すなわち処理室）における一連の処理を焼成処理とみなすことができるため、前処理室の上流端およびに冷却室の下流端に高密閉用開閉扉部が設けられることにより、一連の焼成処理に係わる気密性が確保され、焼成処理を円滑に実行する上で好都合である。

請求項８記載の発明は、請求項４または５記載の発明において、前記低密閉用開閉扉部は、水平方向に延びるシャッター軸回りに回動自在に軸支されたシャッター板と、このシャッター板をシャッター軸回りに回動操作する第１アクチュエータとを備えて構成されていることを特徴とするものである。

かかる構成によれば、第１アクチュエータの駆動でシャッター板をシャッター軸回りに正逆回動させることにより、所定の開口を閉止したり開放したりすることができ、簡単な構造であるため装置コストを抑えた上でさほどの気密性が要求されない開口に対し好適に使用される。

そして、本発明においては、上流側置換室および下流側置換室は、いずれも外部に対して隣設される空間であり、低密閉用開閉扉部の開閉動作によって一旦は室内が外部と連通し、このとき外気が室内に侵入したり、逆に室内の気体が排出される等の外気との連通状態が生じてしまう空間であるから、かかる空間を対象として設けられる低密閉用開閉扉部として厳密な気密性を要求する必要性は乏しく、したがって、かかる上流側置換室および下流側置換室を対象としてシャッター板を備えてなる廉価な低密閉用開閉扉部を採用することに意義がある。

請求項９記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記高密閉用開閉扉部は、所定の開口を閉止し得る平板状のバルブ板と、開口を閉止した閉止位置と、開口を開放した開放位置との間で前記バルブ板を位置変更させる第２アクチュエータと、閉止位置に位置設定されたバルブ板を開口に向けて押圧する第３アクチュエータとを備えて構成されていることを特徴とするものである。

かかる構成によれば、第２アクチュエータの駆動によりバルブ板が開口を閉止した閉止位置に位置設定された状態で、当該バルブ板は、第３アクチュエータの駆動により開口に向かって押圧されるため、バルブ板が開口の周縁部に密着し、これによって内部の空間の気密性が確実に確保される。

そして、本発明においては、焼成処理の心臓部分である加熱室は、極めて高度な気密性が要求されるため、導入口および導出口を対象としてバルブ板と第２および第３アクチュエータとを備えてなる気密性に富んだ高密閉用開閉扉部が好適に使用される。

請求項１記載の発明によれば、いわゆる平流し方式で搬送される基板に対し、処理装置内を確実に所定の気体雰囲気に保った状態のもとで焼成処理を行うことができる。また請求項４に記載の発明のように、上流側および下流側置換室と外部との間には、外気の侵入を抑止し得る程度の気体の流通を抑止する簡単な構造の低密閉用開閉扉部が設けられている一方、処理室の導入口および導出口には気体の流通を遮断する高密閉用開閉扉部が設けられているため、装置コストを抑えた上で、処理室内への外気の流入により低酸素雰囲気が阻害されることを確実に防止することができ、いわゆる横流し方式で搬送される基板の確実な焼成処理を実現することができる。

請求項２記載の発明によれば、前処理室の上流端およびに冷却室の下流端に開閉扉部が設けられることにより、一連の焼成処理に係わる心臓部分、すなわち処理室の気密性が確保され、基板に対する焼成処理を円滑に実行することができる。

請求項８記載の発明によれば、シャッター板をシャッター軸回りに正逆回動させることで開閉する低密閉用開閉扉部は、非常に簡単な構造であるため、装置コストを抑えた上でさほどの気密性が要求されない開口に対し好適に使用することができる。

請求項９記載の発明によれば、焼成処理の心臓部分である処理室は、極めて高度な気密性が要求されるため、かかる加熱室の導入口および導出口を対象としてバルブ板と第２および第３アクチュエータとを備えてなる気密性に富んだ高密閉用開閉扉部を好適に使用することができる。

図１は、本発明に係る第１実施形態の基板焼成装置を示す一部切欠き斜視図であり、図２は、そのＡ−Ａ線断面図である。なお、図１および図２において、Ｘ−Ｘ方向を幅方向、Ｙ−Ｙ方向を前後方向といい、特に−Ｘ方向を左方、＋Ｘ方向を右方、−Ｙ方向を前方または下流方向、＋Ｙ方向を後方または上流方向という。

図１および図２に示すように、基板焼成装置１０は、扁平でかつ細長い直方体状を呈した焼成装置本体２０と、搬送路１１に沿って焼成装置本体２０内に導入された基板Ｂに対し焼成処理等の所定の処理を施すためにこの焼成装置本体２０内に所定の気体を供給する気体供給部３０と、この焼成装置本体２０内の気体を排気する気体排出部４０とを備えた基本構成を有している。

前記焼成装置本体２０は、平面視で矩形状を呈した底板２１と、この底板２１の幅方向両側縁部から立設された一対の側板２２と、底板２１の後縁部から立設された後板２３と底板２１の前縁部から立設された前板２４と、これら側板２２、後板２３および前板２４に架設された天板２５とを備えている。これら各板２１，２２，２３，２４，２５に囲繞された空間に基板Ｂを処理する処理空間Ｖが形成されている。前記後板２３には、搬送路１１に沿って系外から処理空間Ｖに導入される基板Ｂを通過させるための入口２３１が開口されているとともに、前記前板２４には、搬送路１１に沿って基板Ｂを処理空間Ｖから導出させるための出口２４１が開口されている。

前記処理空間Ｖは、前後方向に所定の間隔で設けられた４枚の仕切り板２６（上流側から第１仕切り板２６１、第２仕切り板２６２、第３仕切り板２６３および第４仕切り板２６４の４枚）によって５室に仕切られている。

そして、後板２３と第１仕切り板２６１との間には、外部から入口２３１を通して導入される基板Ｂを所定の気体雰囲気で受入れる上流側置換室Ｖ１が形成され、第１仕切り板２６１と第４仕切り板２６４との間には、基板Ｂに対して実質的に所定の気体雰囲気で焼成のための複数の処理を施す処理室Ｖ２が形成され、第４仕切り板２６４と前板２４との間に処理室Ｖ２から導出された基板Ｂを所定の気体雰囲気で受入れる下流側置換室Ｖ３が形成されている。

そして、前記処理室Ｖ２は、第１仕切り板２６１と第２仕切り板２６２との間に形成された、基板Ｂに対して前処理としてのＵＶ硬化、いわゆるキュア処理（事前加熱処理）を行うためのキュア処理用気体が導入されるキュア室（前処理室）Ｖ２１と、第２仕切り板２６２と第３仕切り板２６３との間に形成された、基板Ｂに対して低酸素気体が導入されることによる低酸素雰囲気で加熱処理を施す加熱室Ｖ２２と、第３仕切り板２６３と第４仕切り板２６４との間に形成された、加熱処理後の基板Ｂに対して冷却処理を施すための冷却用気体が導入される冷却室Ｖ２３とを備えている。そして、この実施形態の装置は、基板Ｂに対しキュア処理、加熱処理、冷却処理の３つの工程からなる焼成処理を施すものであり、かつ、これら全ての工程を所定の低酸素雰囲気で行うようになっている。したがって、キュア処理用気体および冷却処理用気体としては、加熱室Ｖ２２に導入する低酸素気体と同種のもの、具体的には不活性ガス、例えば窒素ガスが用いられる。

前記第１仕切り板２６１には、上流側置換室Ｖ１内の基板Ｂを処理室Ｖ２に導入するための導入口２６５が開口されているとともに、前記第４仕切り板２６４には、処理室Ｖ２内の基板Ｂを下流側置換室Ｖ３に向けて導出するための導出口２６８が設けられている。また、第２仕切り板２６２には、キュア室Ｖ２１内の基板Ｂを加熱室Ｖ２２へ向けて送り込むための上流側通過口２６６が設けられているとともに、第３仕切り板２６３には、加熱室Ｖ２２内の基板Ｂを冷却室Ｖ２３へ向けて送り込むための下流側通過口２６７が設けられている。

前記搬送路１１は、基板搬送方向に向けて並設された基板搬送方向に直交する基板幅方向に延びた複数本の搬送ローラ１２によって形成されている。かかる搬送ローラ１２は、焼成装置本体２０の上流側、焼成装置本体２０の処理空間Ｖ内および焼成装置本体２０の下流側に亘って敷設されている。これらの搬送ローラ１２は、無端チェーンあるいは無端ベルトを介して互いに供回り可能に連結され、いずれか１本の搬送ローラ１２が図略の駆動モータの駆動で駆動回転することにより残りの搬送ローラ１２が従動回転し、これによって搬送ローラ１２上に載置された基板Ｂが入口２３１を介して処理空間Ｖ内へ導入され、処理空間Ｖ内で搬送されるようになっている。

前記気体供給部３０は、窒素貯留タンク等の気体供給源３１と、この気体供給源３１から導出された気体供給本管３２と、この気体供給本管３２から分岐されて焼成装置本体２０の処理空間Ｖに連通された複数本（本実施形態においては５本）の気体供給支管３３と、各気体供給支管３３にそれぞれ設けられた複数個（本実施形態においては５個）の制御弁３４とを備えて構成されている。

そして、気体供給支管３３の内の最上流側のものである第１供給支管３３１には第１制御弁３４１が設けられ、上流側から２番目の第２供給支管３３２には第２制御弁３４２が設けられ、同３番目の第３供給支管３３３には第３制御弁３４３が設けられ、同４番目の第４供給支管３３４には第４制御弁３４４が設けられ、同最後（５番目）の第５供給支管３３５には第５制御弁３４５が設けられ、これらの制御弁３４の開度が制御されることにより、処理空間Ｖに供給される気体の量が調節されるようになっている。

また、第１供給支管３３１は下流端が天板２５を介して上流側置換室Ｖ１に連通され、第２供給支管３３２は下流端が天板２５を介して処理室Ｖ２のキュア室Ｖ２１に連通され、第３供給支管３３３は下流端が天板２５を介して処理室Ｖ２の加熱室Ｖ２２に連通され、第４供給支管３３４は下流端が天板２５を介して処理室Ｖ２の冷却室Ｖ２３に連通され、第５供給支管３３５は下流端が天板２５を介して下流側置換室Ｖ３に連通されている。

前記キュア室Ｖ２１内には、紫外線ランプ３５が設けられ、キュア室Ｖ２１に搬入された基板Ｂは、低酸素雰囲気中でこの紫外線ランプ３５からの紫外線の照射を受け、本格的な焼成処理が施される前の前処理としてのキュア処理が実行されるようになっている。また、加熱室Ｖ２２内には、基板Ｂを挟むようにして搬送路１１の上下に配設された通電発熱体からなるヒーター３６が設けられ、加熱室Ｖ２２内に搬入された基板Ｂは、これらヒーター３６からの熱線を受けて焼成処理が施されるようになっている。

したがって、上流側置換室Ｖ１に導入された基板Ｂは、第１供給支管３３１を介して供給された常温の気体に曝されることになるのに対し、処理室Ｖ２のキュア室Ｖ２１に導入された基板Ｂは、紫外線ランプ３５によって加熱されたキュア処理用の温度の気体に曝されることになり、同加熱室Ｖ２２に導入された基板Ｂは、ヒーター３６によって加熱された温度の気体に曝されることになる。また、同冷却室Ｖ２３に導入された基板Ｂは、第４供給支管３３４を介して供給された徐冷用の温度の気体に曝され冷却処理が施されることになる。最終段階の下流側置換室Ｖ３に導入された基板Ｂは、第５供給支管３３５を介して供給される常温の気体に曝された後、出口２４１を通って系外に排出される。

そして、本実施形態においては、第２供給支管３３２を介してキュア室Ｖ２１に供給された気体は、紫外線ランプ３５によって１５０℃〜２００℃に加熱され、第３供給支管３３３を介して加熱室Ｖ２２に供給される気体は、ヒーター３６によって２５０℃〜３５０℃に加熱されるようになっている。したがって、キュア室Ｖ２１に導入された基板Ｂは、１５０℃〜２００℃の気体に曝されることによる事前加熱が行われることによって、つぎの加熱室Ｖ２２での２５０℃〜３５０℃での適正な焼成処理に引き継がれ、これによって基板Ｂが当初から高温環境に曝されることによる急激な熱歪みに起因した破損が確実に防止されるようになっている。

また、本実施形態においては、冷却室Ｖ２３に供給される気体の温度は、キュア室Ｖ２１内の温度と同様の１５０℃〜２００℃に設定されているため、加熱室Ｖ２２で２５０℃〜３５０℃に加熱された基板Ｂの急に常温に曝されることによる熱応力に起因した破損が確実に防止されるようになっている。

前記気体排出部４０は、底板２１を貫通して焼成装置本体２０の処理空間Ｖに連通された複数本（本実施形態においては５本）の気体排出支管４１と、各気体排出支管４１の下流端が接続される気体排出本管４２と、前記各気体排出支管４１に設けられた複数個（本実施形態においては５個）の排気弁４３とを備えて構成されている。前記気体排出支管４１は、上流側置換室Ｖ１に連通した第１排出支管４１１と、上記キュア室Ｖ２１に連通した第２排出支管４１２と、上記加熱室Ｖ２２に連通した第３排出支管４１３と、上記冷却室Ｖ２３に連通した第４排出支管４１４と、前記下流側置換室Ｖ３に連通した第５排出支管４１５とを備えている。第１排出支管４１１には第１排気弁４３１が、第２排出支管４１２には第２排気弁４３２が、第３排出支管４１３には第３排気弁４３３が、第４排出支管４１４には第４排気弁４３４が、第５排出支管４１５には第５排気弁４３５がそれぞれ設けられている。

前記気体排出本管４２は、本実施形態においては、工場内に敷設された各所の排気を集合させるために設けられたものが利用されている。かかる気体排出本管４２の下流端には、所定の気体浄化装置が設けられ、気体排出本管４２に集められた各所の排気は、この気体浄化装置により一括して浄化処理が施され、清浄な気体となって外気中に排出されるようになっている。

このように構成された基板焼成装置１０において、前記焼成装置本体２０の後板２３、第２仕切り板２６２、第３仕切り板２６３および前板２４には、それぞれに設けられた基板Ｂを通過させるための開口である入口２３１、上流側通過口２６６、下流側通過口２６７および出口２４１を開閉するためのシャッター装置（低密閉用開閉扉部）５０が設けられているとともに、第１仕切り板２６１および第４仕切り板２６４には、それぞれに設けられた基板Ｂを処理空間Ｖに導入するための導入口２６５および基板Ｂを処理空間Ｖから導出するための導出口２６８を開閉操作するゲートバルブ装置（高密閉用開閉扉部）６０が設けられている。

以下、図３を基に、シャッター装置５０について後板２３に装着されているものを例に挙げて説明する。図３は、シャッター装置５０の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、（イ）は、シャッター装置５０が開放された状態、（ロ）は、シャッター装置５０が閉止された状態をそれぞれ示している。なお、図３におけるＸおよびＹによる方向表示は図１の場合と同様である。

図３に示すように、シャッター装置５０は、板状のシャッター板５１と、このシャッター板５１を開閉するように駆動する開閉シリンダ装置（第１アクチュエータ）５２とを備えて構成されている。前記シャッター板５１は、平面寸法が入口２３１の平面寸法より大きめに設定され、これによって入口２３１を閉止し得るようになっている。

かかるシャッター板５１には、基端側の左右の端縁から互いに離間する方向に向けて同心で突設された一対の突設軸（シャッター軸）５１１が設けられている一方、前記後板２３には、入口２３１上方に突設された幅方向一対のブラケット５３が設けられ、前記各突設軸５１１が対応したブラケット５３の装着孔に嵌入されることにより、シャッター板５１は、突設軸５１１回りに正逆回動して入口２３１を開放した開放姿勢と、入口２３１を閉止した閉止姿勢との間で姿勢変更可能になっている。

かかるシャッター板５１の裏面側には、周縁に沿って環状のシール部材５１２が貼設され、シャッター板５１が閉止姿勢に姿勢設定された状態で、このシール部材５１２が後板２３に密着することによりシャッター板５１による上流側置換室Ｖ１（図１）内のシール性が確保されるようになっている。

前記開閉シリンダ装置５２は、シャッター板５１を開閉させるべく一方（本実施形態では右方）の側板２２の上下方向の略中央位置に前後方向に延びた状態で設けられている。かかる開閉シリンダ装置５２は、油圧あるいは空気圧等の流体圧が供給されるシリンダ５２１と、このシリンダ５２１に摺接状態で内装されたピストン５２２と、このピストン５２２から後方に向けて突設されたピストンロッド５２３とを備えて構成されている。

一方、右方の突設軸５１１は、右方の側板２２のさらに右方にまで延設され、その先端部に連結アーム５４が固定されている。この連結アーム５４と前記ピストンロッド５２３の先端部とが互いに連結されることにより、ピストンロッド５２３の進退が突設軸５１１を介してシャッター板５１に伝達され、これによるシャッター板５１の突設軸５１１回りの正逆一体回動によって入口２３１が開閉されるようになっている。

かかる構成のシャッター装置５０によれば、ピストンロッド５２３がシリンダ５２１から突出された状態で、図３の（イ）に示すように、シャッター板５１が閉止姿勢から突設軸５１１回りに時計方向に回動して開放姿勢に姿勢設定され、これによって入口２３１が開放された状態になっている。

この状態（シャッター板５１が開放姿勢に姿勢設定された状態）で開閉シリンダ装置５２の駆動によりピストンロッド５２３がシリンダ５２１内に引き戻されると、シャッター板５１は、連結アーム５４を介した突設軸５１１回りの反時計方向への回動によって、図３の（ロ）に示すように、開放姿勢から閉止姿勢に姿勢変更され、焼成装置本体２０の入口２３１がシャッター板５１によって閉止される。

そして、入口２３１がシャッター板５１によって閉止された状態では、シャッター板５１のシール部材５１２が入口２３１の周縁部外側の後板２３に密着するため、入口２３１を介した気体の流出入が有効に抑制される。

なお、上記の説明では、シャッター装置５０について焼成装置本体２０の後板２３に設けられるものについて説明したが、第２仕切り板２６２および第３仕切り板２６３に設けられるものに付いても同一に構成されているため、それらの説明は省略する。

つぎに、図４を基に、ゲートバルブ装置６０について第１仕切り板２６１に設けられているものを例に挙げて説明する。図４は、ゲートバルブ装置６０の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、図４の（イ）は、ゲートバルブ装置６０が開放された状態、図４の（ロ）は、ゲートバルブ装置６０が閉止された状態をそれぞれ示している。なお、図４におけるＸおよびＹによる方向表示は図１の場合と同様である。

これらの図に示すように、ゲートバルブ装置６０は、第１仕切り板２６１に開口された基板Ｂを処理室Ｖ２内に導入するための導入口２６５を閉止し得る平面寸法を備えたバルブ板６１と、このバルブ板６１を昇降させて導入口２６５を開放する下位の開放位置（図４の（イ））と、導入口２６５を閉止する上位の閉止位置（図４の（ロ））との間で位置変更させる昇降シリンダ装置（第２アクチュエータ）６２と、閉止位置に位置設定されたバルブ板６１を第１仕切り板２６１へ向けて押圧する押圧シリンダ装置（第３アクチュエータ）６３とを備えて構成されている。

前記バルブ板６１はＴ字状に形成され、その下面の幅方向（左右方向）中央位置から下方に向けて突設された角柱状の突設柱６１１が設けられているとともに、その前面に前記導入口２６５の周縁部と対応する矩形環状のシール部材６１２が貼設されている一方、前記底板２１には、導入口２６５の上流側の直下位置に突設柱６１１が嵌挿される角孔２１１が穿設され、突設柱６１１が上からこの角孔２１１に嵌挿された状態でバルブ板６１の上面が導入口２６５の下縁部より下方に位置し、かつ、シール部材６１２が第１仕切り板２６１に摺接するようになされている。

前記角孔２１１の内周面には、ゴムや軟質の合成樹脂からなる図略の弾性部材が貼設され、突設柱６１１は、かかる弾性部材に圧接した状態で角孔２１１に嵌挿されている。したがって、突設柱６１１が角孔２１１内で前後左右に動いても、弾性部材の弾性変形によって両者間の隙間のシールが確保され、これによって上流側置換室Ｖ１と外部との間の角孔２１１を介した気体の流通が抑制されるようになっている。

前記昇降シリンダ装置６２は、バルブ板６１を導入口２６５の下方に位置させて導入口２６５を開放する開放位置と、導入口２６５を閉止する閉止位置との間で位置変更させるものであり、油圧あるいは空気圧等の流体圧が供給されるシリンダ本体６２１と、このシリンダ本体６２１に摺接状態で上下動可能に内装されたピストン６２２と、このピストン６２２の上面に固定され、シリンダ本体６２１から気密状態で上方に突出したピストンロッド６２３とを備えて構成されている。かかる昇降シリンダ装置６２は、そのピストンロッド６２３の上端部が突設柱６１１の下面に固定されることにより、当該昇降シリンダ装置６２の正逆駆動でバルブ板６１を開放位置と閉止位置との間で昇降させるようになっている。

前記押圧シリンダ装置６３は、閉止位置に位置設定されたバルブ板６１を第１仕切り板２６１へ向けて押圧し、これによって閉止された導入口２６５の気密性を確保するためのものであり、上流側置換室Ｖ１内の幅方向の中央部において天板２５の下面に前後方向に延びた状態で固定されている。

かかる押圧シリンダ装置６３は、油圧あるいは空気圧等の流体圧が供給されるシリンダ本体６３１と、このシリンダ本体６３１に摺接状態で前後動可能に内装されたピストン６３２と、このピストン６３２の前面に固定され、シリンダ本体６３１から気密状態で前方に突出したピストンロッド６３３とを備えて構成されている。かかる押圧シリンダ装置６３は、そのピストンロッド６３３の前端部が閉止位置に上昇されたバルブ板６１の後面を押圧することにより、当該バルブ板６１のシール部材６１２を第１仕切り板２６１に押圧当接させ、これによるシール部材６１２の圧縮弾性変形でバルブ板６１と導入口２６５との間の気密性を確実に確保し得るようになっている。

このように構成されたゲートバルブ装置６０は、第４仕切り板２６４の下流側置換室Ｖ３側にも設けられているが、その構造は図４に示す第１仕切り板２６１に設けられたものと同様であるため、説明を省略する。

そして、かかるゲートバルブ装置６０を第１仕切り板２６１と第４仕切り板２６４とに設けることにより、第１仕切り板２６１と第４仕切り板２６４とによって仕切られた空間である処理室Ｖ２は、各バルブ板６１で導入口２６５および導出口２６８が閉止された状態で各バルブ板６１が押圧シリンダ装置６３により第１仕切り板２６１および第４仕切り板２６４に向けて押圧され、これによって確実な密封状態を得ることができる。

したがって、処理室Ｖ２内でのキュア室Ｖ２１における基板Ｂに対するキュア処理、加熱室Ｖ２２内における基板Ｂに対する加熱処理および冷却室Ｖ２３内における基板Ｂに対する冷却処理を、外部の環境に影響されることなく、清浄な環境下で確実に実行することができる。

以上詳述したように、第１実施形態に係る基板焼成装置１０は、搬送路１１に沿って搬送されつつある基板Ｂに対し、所定の焼成処理を施すものであり、搬送路１１に沿い、かつ、該搬送路１１を包囲した状態で配設された焼成装置本体２０内に、所定の気体雰囲気で基板Ｂに対して焼成処理を行うため、内部を所定雰囲気に保った状態で基板Ｂに焼成処理を施す処理室Ｖ２と、この処理室Ｖ２の上流側および下流側に設けられてその内部を処理室Ｖ２と同じ気体雰囲気とされる上流側置換室Ｖ１および下流側置換室Ｖ３とに区画形成され、上流側置換室Ｖ１の入口２３１および下流側置換室Ｖ３の出口２４１には、気体の流通を抑止するシャッター装置５０が設けられ、処理室Ｖ２の導入口２６５および導出口２６８には、気体の流通を遮断するゲートバルブ装置６０が設けられてなるものである。

かかる構成によれば、搬送路１１に沿って搬送されつつある基板Ｂは、焼成装置本体２０の上流端のシャッター装置５０が開放された入口２３１から上流側置換室Ｖ１に導入され、シャッター装置５０が閉止された状態で内部の気体が置換されることにより置換気体の雰囲気中に一旦保持される。引き続き、処理室Ｖ２の上流側の導入口２６５に設けられたゲートバルブ装置６０が開放され、基板Ｂが導入口２６５を介し処理室Ｖ２内に搬送されたのちゲートバルブ装置６０が閉止され、これによって処理室Ｖ２内は、密閉状態になる。この状態で基板Ｂが処理室Ｖ２で搬送されることにより、基板Ｂに対して加熱処理とその前後のキュア処理および冷却処理を含めた焼成処理が施される。そして、焼成処理が完了した基板Ｂは、処理室Ｖ２の導出口２６８側のゲートバルブ装置６０が開放された状態で下流側置換室Ｖ３へ導出され、ここでの気体の置換を伴った所定時間の滞留によって最終的な冷却処理が施され、その後、焼成装置本体２０の下流端のシャッター装置５０が開放された後、搬送路１１に沿って外部に排出される。

そしてこのように、キュア処理、加熱処理、冷却処理からなる焼成処理の全てを低酸素雰囲気で行うことにより、例えば銅ペーストを基板Ｂに対して塗布し焼成処理して液晶ディスプレイ製造用基板の配線を形成する場合でも、焼成処理中の銅の酸化を防止することができ、良好な基板処理が実現する。

このように、上流側および下流側置換室Ｖ１，Ｖ３と外部との間には、外気の侵入を抑止し得る程度の気体の流通を抑止する簡単な構造のシャッター装置５０が設けられている一方、処理室Ｖ２の導入口２６５および導出口２６８には気体の流通を遮断するゲートバルブ装置６０が設けられているため、気体の流通をなくす部材のコストを抑えた上で、処理室Ｖ２内に外部の気体の流入による焼成雰囲気の変化により焼成処理に不具合を来したり、逆に低酸素気体が流出することにより焼成効率が低下するような不都合の発生が確実に防止される。

また、加熱室Ｖ２２と上流側置換室Ｖ１との間には、基板Ｂにキュア処理を施すキュア室Ｖ２１が介設されているとともに、加熱室Ｖ２２と下流側置換室Ｖ３との間には、冷却用気体が導入される冷却室Ｖ２３が介設され、ゲートバルブ装置６０は、上流側置換室Ｖ１とキュア室Ｖ２１との間、および下流側置換室Ｖ３と冷却室Ｖ２３との間に設けられ、シャッター装置５０は、加熱室Ｖ２２とキュア室Ｖ２１との間、および加熱室Ｖ２２と冷却室Ｖ２３との間に設けられているため、上流側置換室Ｖ１に導入された基板Ｂは、加熱室Ｖ２２に搬送される前に一旦キュア室Ｖ２１において紫外線ランプ３５からの紫外線の照射を受けてキュア処理が施され、これによる養生で予め加熱室Ｖ２２での焼成処理に馴染まされるため、総合的に見て焼成処理の効率化が達成される。また、加熱室Ｖ２２における焼成処理が完了した基板Ｂは、下流側置換室Ｖ３の上流側に設けられた冷却室Ｖ２３で冷却用気体が供給されることにより冷却された後に下流側置換室Ｖ３に導入されるため、冷却室Ｖ２３が存在しない場合に比較し冷却処理の効率化が実現するとともに、基板Ｂが急冷されることによる破損を確実に防止することができる。

そして、キュア室Ｖ２１における基板Ｂに対するキュア処理は、加熱室Ｖ２２における加熱処理の前処理とみなされるとともに、冷却室Ｖ２３における基板Ｂに対する冷却処理は、加熱室Ｖ２２における加熱処理の後処理とみなされ、これらキュア室Ｖ２１、加熱室Ｖ２２および冷却室Ｖ２３における一連の処理を焼成処理とみなすことができるため、キュア室Ｖ２１の上流端およびに冷却室Ｖ２３の下流端にゲートバルブ装置６０が設けられることにより、一連の焼成処理に係わる重要部分の気密性が確保され、焼成処理を必要な雰囲気条件の下で円滑に実行する上で好都合である。

また、シャッター装置５０は、水平方向に延びる突設軸５１１回りに回動自在に軸支されたシャッター板５１と、このシャッター板５１を突設軸５１１回りに回動操作する開閉シリンダ装置５２とを備えて構成されているため、開閉シリンダ装置５２の駆動でシャッター板５１を突設軸５１１回りに正逆回動させることにより、入口２３１および出口２４１等を閉止したり開放したりすることができる。かかる開閉シリンダ装置５２は、簡単な構造であるため装置コストを抑えた上でさほどの気密性が要求されない開口に対し好適に使用することができる。

そして、本実施形態においては、上流側置換室Ｖ１および下流側置換室Ｖ３は、いずれも外部に対して隣設される空間であり、シャッター装置５０の開閉動作によって一旦は室内が外部と連通し、このとき外気が室内に侵入したり、逆に室内の気体が排出される等の外気との連通状態が生じてしまう空間であるから、かかる空間を対象として設けられるシャッター装置５０として厳密な気密性を要求する必要性は乏しく、したがって、かかる上流側置換室Ｖ１および下流側置換室Ｖ３を対象としてシャッター板５１を備えてなる廉価なシャッター装置５０を採用することができる。

また、ゲートバルブ装置６０は、平板状のバルブ板６１と、開口を閉止した閉止位置と、開口を開放した開放位置との間でバルブ板６１を位置変更させる昇降シリンダ装置６２と、閉止位置に位置設定されたバルブ板６１を開口に向けて押圧する押圧シリンダ装置６３とを備えて構成されているため、昇降シリンダ装置６２の駆動によりバルブ板６１が開口を閉止した閉止位置に位置設定された状態で、当該バルブ板６１は、押圧シリンダ装置６３の駆動により開口に向かって押圧されるため、バルブ板６１が開口の周縁部に密着し、これによって処理室Ｖ２内の空間の気密性を確実に確保することができる。

そして、本実施形態においては、焼成処理の心臓部分である加熱室Ｖ２２は、極めて高度な気密性が要求されるため、導入口２６５および導出口２６８を対象としてバルブ板６１、昇降シリンダ装置６２および押圧シリンダ装置６３とを備えてなる気密性に富んだゲートバルブ装置６０を好適に使用することができる。

図５は、本発明に係る第２実施形態の基板焼成装置を示す分解斜視図であり、図６は、その組み立て斜視図である。また、図７は、図６のＣ−Ｃ線断面図である。なお、図５および図６において、ＸおよびＹによる方向表示は、図１の場合と同様（Ｘは幅方向（−Ｘ：左方、＋Ｘ：右方）、Ｙは前後方向（−Ｙ：前方、＋Ｙ：後方））である。

図５に示すように、第２実施形態に係る基板焼成装置１０′は、各部（前記上流側置換室Ｖ１に対応した上流側置換部、同キュア室Ｖ２１に対応したキュア部、同加熱室Ｖ２２に対応した加熱部、同冷却室Ｖ２３に対応した冷却部および同下流側置換室Ｖ３に対応した下流側置換部）が互いに独立した単位装置（上流側置換装置１０１、キュア装置１０２、加熱装置１０３、冷却装置１０４および下流側置換装置１０５）として構成され、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５が直列で組み付けられることにより、図６および図７に示すような基板焼成装置１０′が形成されるようになされている点が第１実施形態の基板焼成装置１０と基本的に相違している。

各部を各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５毎に分割して独立させることにより基板焼成装置１０の製造現場から据え付け現場への運び込みや据え付け工事等が容易になる。

従って、基本的に各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５の構成は、第１実施形態の処理空間Ｖにおける上流側置換室Ｖ１、処理室Ｖ２（キュア室Ｖ２１、加熱室Ｖ２２、冷却室Ｖ２３）および下流側置換室Ｖ３と同様に構成されている。因みに、第２実施形態でも各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５の内部について上流側置換室Ｖ１、キュア室Ｖ２１、加熱室Ｖ２２、冷却室Ｖ２３および下流側置換室Ｖ３という用語を採用する。

前記上流側置換装置１０１は、基板Ｂが搬入される度に雰囲気の置換を行うためのものであり、箱形を呈した装置本体２０１と、この装置本体２０１内に前後方向に向かって並設された幅方向に延びる複数本の搬送ローラ１２とを備えて構成されている。装置本体２０１の右側の側板２２には基板Ｂを上流側置換室Ｖ１内に搬入するための入口２２１が開口されているとともに、この入口２２１を開閉するシャッター装置５０が設けられている。また、装置本体２０１の前板２４には基板Ｂを搬出するための出口２４１が開口されているとともに、この出口２４１を開閉するゲートバルブ装置６０が設けられている。

シャッター装置５０およびゲートバルブ装置６０の構造については、第１実施形態で採用されたものと同様である。入口２２１を介した上流側置換室Ｖ１内への基板Ｂの搬入操作については、図略の移載用のロボットによって行われるようになされており、この点がローラ搬送によって上流側置換室Ｖ１内に搬入される第１実施形態の場合と相違している。

前記キュア装置１０２は、上流側置換装置１０１から搬入された基板Ｂに対して事前の前処理としての加熱処理（キュア処理）を施すためのものであり、箱形を呈した装置本体２０２と、この装置本体２０２内で前後方向に向けて並設された幅方向に延びる複数本の搬送ローラ１２とを備えて構成されている。装置本体２０２の後板２３には、上流側置換装置１０１の出口２４１に対向した入口２３１が設けられているとともに、同前板２４には出口２４１が設けられている。かかるキュア装置１０２の前板２４には、その内面側に出口２４１を開閉するための第１実施形態のものと同様のシャッター装置５０が設けられている。

前記加熱装置１０３は、キュア装置１０２から搬入された基板Ｂに対して加熱処理を施すためのものであり、箱形を呈した装置本体２０３と、この装置本体２０３内で前後方向に向けて並設された幅方向にのびる複数本の搬送ローラ１２とを備えて構成されている。装置本体２０３の後板２３には、キュア装置１０２の出口２４１に対応した入口２３１が設けられ、キュア処理の完了した基板Ｂは、この入口２３１を介して加熱室Ｖ２２内に導入され、ここで所定の加熱処理が施された後に前板２４に設けられた出口２４１を通って冷却装置１０４へ向けて搬出されるようになっている。

かかる加熱装置１０３は、本実施形態においては、加熱室Ｖ２２が後部加熱室Ｖ２２１と、前部加熱室Ｖ２２２とに二分割されている。後部加熱室Ｖ２２１と前部加熱室Ｖ２２２との間には仕切り板２７が介設されているとともに、この仕切り板２７には通過口２７１が設けられ、後部加熱室Ｖ２２１内の基板Ｂは、この通過口２７１を通って前部加熱室Ｖ２２２へ搬入されるようになっている。

前記仕切り板２７には、通過口２７１を開閉する第１実施形態のものと同様のシャッター装置５０が設けられ、このシャッター装置５０が閉止されることにより後部加熱室Ｖ２２１と前部加熱室Ｖ２２２との加熱環境を異ならせることができるようになされている。

前記冷却装置１０４は、加熱装置１０３から搬入された基板Ｂに対して第１実施形態と同様の冷却処理を施すためのものであり、箱形を呈する装置本体２０４と、この装置本体２０４内で前後方向に向けて並設された幅方向にのびる複数本の搬送ローラ１２とを備えて構成されている。装置本体２０４の後板２３には、加熱装置１０３の出口２４１に対応した入口２３１が設けられ、加熱処理の完了した基板Ｂは、この入口２３１を介して冷却室Ｖ２３内に導入され、ここで所定の冷却処理が施された後に前板２４に設けられた出口２４１を通って下流側置換装置１０５へ向けて搬出されるようになっている。かかる冷却装置１０４の後板２３の内面側には、入口２３１を開閉する第１実施形態のものと同様のシャッター装置５０が設けられている。

なお、第２実施形態においては、搬送ローラ１２の上方位置に冷却面を基板Ｂに対向させるように配設されたクーリングパネル２８（図７）が設けられ、基板Ｂは、第１実施形態と同様の通風による冷却処理に加えてクーリングパネル２８からの放射冷熱を受けることによっても冷却処理が施されるようになっている。

前記下流側置換装置１０５は、基板Ｂが搬出される度に雰囲気の置換を行うためのものであり、箱形を呈した装置本体２０５と、この装置本体２０５内に前後方向に向かって並設された幅方向に延びる複数本の搬送ローラ１２とを備えて構成されている。装置本体２０５の後板２３には、冷却装置１０４からの基板Ｂを下流側置換室Ｖ３内に搬入するための入口２３１が開口されているとともに、右側の側板２２には基板Ｂを外部に排出するための出口２２２が開口されている。そして、下流側置換室Ｖ３の入口２３１には第１実施形態のものと同様のゲートバルブ装置６０が設けられているとともに、同出口２２２にも第１実施形態のものと同様のシャッター装置５０が設けられている。

このような各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５が直列に連結されることによって、図６および図７に示すような第２実施形態に係る基板焼成装置１０′が形成される。なお、図７に示すように、第２実施形態における気体供給源３１から気体供給本管３２および気体供給支管３３を介して気体を各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５内に導入する構造的な気体供給部３０の構成、および各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５内の気体を気体排出支管４１を介して気体排出本管４２へ排出する気体排出部４０の構造的な構成については、図１および図２に示す第１実施形態のものと同様である。

そして、第２実施形態の基板焼成装置１０′は、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５がそれぞれ気密状態で直列に連結される必要があることから、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５間に気密構造７０が介設されているとともに、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５のメンテナンス作業を容易に行い得るようにするために各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５の各天板２５に蓋構造８０が設けられている。

以下、気密構造７０について図８を基にキュア装置１０２と加熱装置１０３との間に介設されるものを例に挙げて説明する。図８は、キュア装置１０２と加熱装置１０３との間に介設される気密構造７０の一実施形態を示す図であり、（イ）は斜視図、（ロ）は（イ）のＤ−Ｄ線断面図である。図８に示すように、気密構造７０は、キュア装置１０２の前板２４および加熱装置１０３の後板２３にそれぞれ固定されるフランジ７１と、これら各フランジ７１間に介設されるゴム等の弾性材料製のシール部材としてのパッキン７２とを備えた基本構成を有している。

前記フランジ７１は、例えばステンレススチール製の中実の金属板によって正面視で矩形状に形成され、中央位置にキュア室Ｖ２１内の基板Ｂを加熱装置１０３へ向けて送り出すための出口２４１およびキュア装置１０２からの基板Ｂを加熱装置１０３内に受け入れるための入口２３１としての機能を果たす基板通過口７１１が開口されているとともに、周縁部には全周に亘って周方向に等ピッチで複数のボルト孔７１２が穿設されている。

かかるフランジ７１は、キュア装置１０２および加熱装置１０３の筐体を構成する板金１１０の前板２４および後板２３に対応する部分にそれぞれ形成された装着開口２００に嵌め込まれた状態で、周縁部が板金１１０に溶接止めされることによって前板２４および後板２３に固定されている。板金１１０によって囲繞された空間にはグラスウール等からなる断熱材１１１が装填され、これによってキュア室Ｖ２１内および加熱室Ｖ２２内は外部に対して断熱処理が施された状態になっている。

そして、フランジ７１は、前板２４および後板２３の装着開口２００にそれぞれ嵌め込まれて固定された状態で当該各フランジ７１の対向面が前板２４および後板２３の表面からそれぞれ若干凹没した位置に位置するように厚み寸法および設置位置が設定され、これによってキュア装置１０２の前板２４が加熱装置１０３の後板２３と互いに当接された状態で、それぞれのフランジ７１間にパッキン７２が挟持され得るパッキン装着凹部７３が形成されるようになっている。

前記パッキン７２は、平面寸法がフランジ７１のそれと同一に設定されているとともに、フランジ７１の基板通過口７１１と同一寸法の基板通過口７２１が開口され、これによってキュア装置１０２と加熱装置１０３とが連結された状態でキュア装置１０２内の基板Ｂは、これら基板通過口７１１，７２１を通って加熱装置１０３内に搬入されるようになっている。また、パッキン７２の周縁部におけるフランジ７１のボルト孔７１２と対応した位置にはボルト孔７２２が穿設されている。

そして、キュア装置１０２の前板２４のパッキン装着凹部７３にパッキン７２を嵌め込み、引き続き加熱装置１０３の後板２３のパッキン装着凹部７３をパッキン７２に外嵌するようにして後板２３を前板２４に当接させた状態で、図８の（ロ）に示すように、互いに対向した一対のフランジ７１のボルト孔７１２およびパッキン７２のボルト孔７２２にボルト７４を挿通した後、ナット７５をボルト７４の先端に螺着して締結することにより、キュア装置１０２と加熱装置１０３とは、内部が互いに気密状態で互いに連結されるようになっている。

ついで蓋構造８０について図９〜図１１を基にキュア装置１０２に装着されるものを例に挙げて説明する。図９および図１０は、蓋構造８０を説明するためのキュア装置１０２の上部を示す斜視図であり、図９は、メンテナンス用蓋体８３が開放された状態、図１０は、メンテナンス用蓋体８３が閉止された状態をそれぞれ示している。また、図１１は、図１０のＥ−Ｅ線断面図である。

まず図９に示すように、蓋構造８０は、キュア装置１０２の天板２５に設けられた平面視で矩形状のメンテナンス開口８９の下方位置に形成された装置側フランジ８１と、メンテナンス開口８９に嵌め込まれた状態で前記装置側フランジ８１上に積層されるシール部材としてのパッキン８２と、メンテナンス開口８９に嵌め込まれた状態で前記パッキン８２に積層されるメンテナンス用蓋体８３とを備えて構成されている。前記メンテナンス用蓋体８３は、内側蓋体８４と、この内側蓋体８４に積層される外側蓋体８５とからなっている。

前記装置側フランジ８１は、キュア装置１０２の天板２５を構成する板金１１０のメンテナンス開口８９に対応した内壁面に溶接止めで固定されている。かかる装置側フランジ８１には、全周に亘って等ピッチで複数のボルト孔８１１が穿設されている。

前記パッキン８２は、装置側フランジ８１と内側蓋体８４との間に介設されてキュア装置１０２内の気密性を確保するためのものであり、ゴム等の弾性材料によって形成されている。かかるパッキン８２は、周縁がメンテナンス開口８９の周壁に摺接し得るように寸法設定され、中央位置にキュア装置１０２のメンテナンス開口８９に対応したメンテナンス開口８２１が設けられているとともに、全周に亘って前記装置側フランジ８１のボルト孔８１１と対応するように穿設された複数のボルト孔８２２が設けられている。

前記内側蓋体８４は、前記装置側フランジ８１とでパッキン８２を挟持するためのものであり、パッキン８２の上部で装置側フランジ８１と対向するように設けられる蓋側フランジ８４１と、この蓋側フランジ８４１の上部に積層されて溶接止め等により当該蓋側フランジ８４１に溶接等によって固定された板金材８４２とからなっている。蓋側フランジ８４１は、装置側フランジ８１と同一形状に設定されているとともに、板金材８４２は、平面視の形状が蓋側フランジ８４１のそれと同一に設定されている。

かかる内側蓋体８４には、全周に亘って前記パッキン８２のボルト孔８２２に対応した位置に蓋側フランジ８４１および板金材８４２を貫通した複数のボルト孔８４３が穿設されている。そして、メンテナンス開口８９内の装置側フランジ８１上にパッキン８２を装着し、引き続きこのパッキン８２上に内側蓋体８４を積層した状態で各ボルト孔８４３，８２２，８１１にボルト８６を差し通し、装置側フランジ８１の下面にボルト孔８１１と同心で溶接止めにより固定されたナット８０２（図１１）に螺着して締結することにより、内側蓋体８４がパッキン８２を介して密着状態で装置側フランジ８１に固定されるようになっている。かかる内側蓋体８４の装置側フランジ８１への装着によって、メンテナンス開口８９は、気密状態で閉止されることになる。

また、内側蓋体８４の上面四隅部には、当該内側蓋体８４のメンテナンス開口８９に対する着脱操作の手掛かりになる円形を呈した着脱操作リング８４４が固定され、これらの着脱操作リング８４４に作業用のロープ等を差し通して吊り上げたり吊り降ろしたりすることにより内側蓋体８４をメンテナンス開口８９に対し容易に着脱操作し得るようになっている。

前記外側蓋体８５は、金属製の板材にプレス処理を施すことによって形成された角皿状の断熱材装填皿８５１と、この断熱材装填皿８５１の上面開口を閉止する外装板８５２とを備えて構成されている。断熱材装填皿８５１は、メンテナンス開口８９に摺接状態で嵌め込まれ得るように平面寸法が設定されているのに対し、外装板８５２は、平面寸法が断熱材装填皿８５１のそれより若干大きめに設定されている。かかる外装板８５２は、断熱材装填皿８５１内に所定の断熱材１１１が充填された状態で断熱材装填皿８５１の上縁部に全周に亘って溶接止めで固定されている。

また、外装板８５２の周縁部は、断熱材装填皿８５１から外方に向かって突出した状態になっており、この外方に突出した部分の適所に所定個数のボルト孔８５３が穿設されている一方、キュア装置１０２の天板２５には、ボルト孔８５３に対応した位置に螺子孔２５１が螺設され、メンテナンス用蓋体８３がメンテナンス開口８９に装着された状態で、ボルト８６をボルト孔８５３を介して螺子孔２５１に螺着締結することにより、外側蓋体８５が、図１０および図１１に示すように、キュア装置１０２の天板２５に固定されるようになっている。

なお、断熱材装填皿８５１には、内側蓋体８４に螺着されたボルト８６および内側蓋体８４に固定された着脱操作リング８４４にそれぞれ対応する位置に、これらを逃がすための逃がし凹部８５４が上方に向かって膨設され、外側蓋体８５が内側蓋体８４に重ねられた状態でボルト８６および着脱操作リング８４４が逃がし凹部８５４に嵌り込むことで着脱操作リング８４４およびボルト８６の外側蓋体８５に対する干渉が回避されるようになされている。

このように構成された蓋構造８０によれば、メンテナンス用蓋体８３がキュア装置１０２の天板２５に形成されたメンテナンス開口８９に装着された状態では、図１１に示すように、装置側フランジ８１と蓋側フランジ８４１とがパッキン８２を介しボルト８６によって一体的に結合されているため、キュア装置１０２内は良好な状態で気密性が確保される。

また、メンテナンス用蓋体８３は、内側蓋体８４と、これに積層された外側蓋体８５とによって構成され、しかも、外側蓋体８５内には断熱材１１１が充填されているため、キュア装置１０２の天板２５は、断熱性に富んだ状態になっており、これによってキュア装置１０２は良好な熱効率で基板Ｂに対し処理を施し得るようになっている。

そして、キュア装置１０２内の搬送ローラ１２等の機器に対して各種のメンテナンス作業を施すときには、ボルト８６を緩めて外し、外側蓋体８５および内側蓋体８４を順次開放することによりメンテナンス開口８９が外部に向けて開放された状態になるため、従来のようにキュア装置１０２そのものを解体したり天板２５に切断処理を施したりする等の面倒な作業を行うことなく、この外部に開放されたメンテナンス開口８９を介して各種のメンテナンス作業を容易に行うことができる。

さらに第２実施形態においては、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５間に形成された基板Ｂを通過させるための入口２３１および出口２４１の内のシャッター装置５０またはゲートバルブ装置６０が付設されていない側に、室内へ向かって突設された口角筒体２９が設けられている。図１２は、キュア装置１０２の入口２３１に設けられた口角筒体２９の一実施形態を示す斜視図である。図１２に示すように、口角筒体２９は、開口面積が入口２３１のそれと同一に設定され、角筒状を呈して後板２３からキュア装置１０２内に向けて突設されている。

かかる口角筒体２９を設けることにより、上流側置換装置１０１とキュア装置１０２との間がゲートバルブ装置６０（図５）の開放動作により入口２３１を介して流通可能になった状態で、一方側から他方側に向かおうとする気流は、口角筒体２９内を通過するときの圧力損失が増大するため、口角筒体２９が存在しない場合に比較し、一方側から他方側に流通し難くなっており、これによって一方側の気体が他方側の気体に混入することが有効に防止されるようになっている。口角筒体２９の突出量は、異種の気体間の拡散係数と、口角筒体２９の開口面積と、この開口面積を通過しようとする気体の流速とから公知の計算式を用いて算出することができる。因みに本実施形態においては口角筒体２９の突出量は略５０ｍｍに設定されている。

加えて、第２実施形態においては、上流側置換装置１０１とキュア装置１０２との間、および冷却装置１０４と下流側置換装置１０５との間で各室内の圧力差を制御することにより、処理室Ｖ２（キュア室Ｖ２１、加熱室Ｖ２２および冷却室Ｖ２３）内の雰囲気を酸素濃度が極めて低い極低酸素雰囲気にすることが行われている。以下、この差圧制御について図１３を基に上流側置換装置１０１とキュア装置１０２との間におけるものを例に挙げて説明する。

図１３は、差圧制御を説明するための説明図であり、スタンバイ期間Ｔ１、上流側置換室Ｖ１への基板Ｂ挿入期間Ｔ２、上流側置換室Ｖ１のパージ期間Ｔ３およびキュア室Ｖ２１への基板移動期間Ｔ４のそれぞれにおける、第１制御弁３４１の開度の大小、第１排気弁４３１の開閉状態、シャッター装置５０の開閉状態、第２制御弁３４２の開度の大小、第２排気弁４３２の開閉状態、およびゲートバルブ装置６０の開閉状態をそれぞれ模式図およびタイムチャートで示している。

まず、スタンバイ期間Ｔ１では、シャッター装置５０およびゲートバルブ装置６０が閉止された状態で第１制御弁３４１の開度は「小」に設定され、かつ、第１排気弁４３１は閉止されている。これによって上流側置換室Ｖ１には少量の窒素ガスが常に押し込まれる状態になり、これによって上流側置換室Ｖ１内は大気圧より大きな圧力で窒素ガスが充満しているため、外気が上流側置換室Ｖ１内に侵入することはない。また、キュア室Ｖ２１については、第２制御弁３４２の開度が「小」に設定された状態で第２排気弁４３２が開通されているため、キュア室Ｖ２１内では常に窒素ガスが流通し、これによってキュア室Ｖ２１内は窒素ガスで満たされた状態になっている。

ついで、上流側置換室Ｖ１内に基板Ｂを挿入する基板挿入期間Ｔ２では、第１排気弁４３１の閉止が継続された状態で第１制御弁３４１の開度が「大」に変更されるとともに、シャッター装置５０が開放されるため、大量の窒素ガスが上流側置換室Ｖ１に供給されて入口２２１から外部に流出した状態になっている。この状態で基板Ｂが入口２２１から上流側置換室Ｖ１内に挿入されるため、このときの上流側置換室Ｖ１内への外気の侵入は有効に防止される。

ついで、基板Ｂの上流側置換室Ｖ１内への挿入が完了してシャッター装置５０が閉止された後のパージ期間Ｔ３においては、第１制御弁３４１の開度の「大」が継続された状態で第１排気弁４３１が開通されるため、上流側置換室Ｖ１内は、大量の窒素ガスで置換されることになり、従って、たとえ基板挿入期間Ｔ２で外気が上流側置換室Ｖ１内に侵入していたとしても、この雰囲気は完全に新たに供給された窒素ガスと置換され、これによって上流側置換室Ｖ１内はほとんど空気が存在しない極めて残存酸素濃度が低い状態になる。

ついで、上流側置換室Ｖ１内の基板Ｂをキュア室Ｖ２１へ移す基板移動期間Ｔ４においては、第１制御弁３４１の開度が「小」に変更されるとともに、シャッター装置５０の閉止および第１排気弁４３１の開通が継続された状態で第２制御弁３４２の開度が「大」に変更され、さらに第２排気弁４３２が閉止された状態でゲートバルブ装置６０が開通される。これによってキュア室Ｖ２１内は上流側置換室Ｖ１内より高圧になり、キュア室Ｖ２１内から大量の窒素ガスが出口２４１を通って上流側置換室Ｖ１へ流入するため、上流側置換室Ｖ１内の雰囲気がキュア室Ｖ２１へ移ることはない。この状態で基板Ｂは、上流側置換室Ｖ１内からキュア室Ｖ２１内へ搬送されるため、キュア室Ｖ２１内が基板Ｂに同伴した上流側置換室Ｖ１内の雰囲気で汚染されることが確実に防止される。

このような弁類の開閉制御が行われることにより、基板Ｂが移動される下流側の雰囲気は、常に上流側の雰囲気より圧力が大きい、いわゆる差圧制御が実現し、これによってキュア室Ｖ２１内を酸素濃度が極めて低い窒素雰囲気にすることができる。

なお、基板Ｂを冷却装置１０４から下流側置換装置１０５を介して基板焼成装置１０′から外部に排出するに際しても同様の差圧制御が行われるが、この場合は、基板Ｂが移動される下流側の圧力を上流側の圧力より低くするように差圧制御される点が基板Ｂを基板焼成装置１０′に導入する場合の制御と異なっている。

以上詳述したように、第２実施形態の基板焼成装置１０′によれば、まず、基板焼成装置１０′は、それぞれ独立した単位装置である上流側置換装置１０１、キュア装置１０２、加熱装置１０３、冷却装置１０４および下流側置換装置１０５を合体させることにより形成されるため、製造現場で製造された各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５を据え付け場所へ運び込んで組み立てることにより基板焼成装置１０′を容易に完成させることができ、装置の製造が容易であるという利点を有する。

また、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５間には、フランジ７１およびパッキン７２を備えた気密構造７０が介設されるため、基板焼成装置１０′内の確実な気密性を確保することができる。

また、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５には、それぞれの天板２５に開閉可能なメンテナンス用蓋体８３を備えた蓋構造８０が採用されているため、メンテナンス用蓋体８３を開放することで基板焼成装置１０′内のメンテナンス作業を容易に行うことができる。しかも、この蓋構造８０は、装置側フランジ８１、パッキン８２および蓋側フランジ８４１を備えて気密性を確保し得るように構成されているため、外気が蓋構造８０を介して基板焼成装置１０′内に侵入するような不都合の発生を確実に防止することができる。

さらに、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５において、基板Ｂを導入する入口２３１または出口２４１部分に口角筒体２９が設けられているため、口角筒体２９内を流通しようとする気流は、口角筒体２９内を通過するときの圧力損失の増大により、口角筒体２９が存在しない場合に比較し流通し難くなっており、これによって外気が上流側置換装置１０１内に侵入したり、一方の単位装置から他方の単位装置へ気体が混入したりすることを有効に防止することができる。

加えて、上流側置換装置１０１およびキュア装置１０２においては、移動される基板Ｂの下流側の圧力が上流側の圧力より大きくなるよう制御する差圧制御が採用されているとともに、冷却装置１０４および下流側置換装置１０５においては、移動される基板Ｂの下流側の圧力が上流側の圧力より小さくなるように制御する差圧制御が採用されているため、基板Ｂの基板焼成装置１０′内への挿入時、基板焼成装置１０′内での移動時、および基板焼成装置１０′からの排出時に外気が基板焼成装置１０′内に侵入することを確実に防止することが可能になり、基板焼成装置１０′内を極めて低い酸素濃度の雰囲気にすることができる。

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下の内容をも包含するものである。

（１）上記の実施形態においては、焼成装置本体２０内の処理空間Ｖを、上流側から順次、上流側置換室Ｖ１、キュア室Ｖ２１、加熱室Ｖ２２、冷却室Ｖ２３および下流側置換室Ｖ３の５室に分割しているが、本発明は、処理空間Ｖを５室に分割することに限定されるものではなく、例えば、キュア室Ｖ２１および冷却室Ｖ２３を省略して上流側置換室Ｖ１と、加熱室Ｖ２２と、下流側置換室Ｖ３との３室としてもよい。すなわち、処理室を加熱室のみとしてもよい。但しこの場合、上流側置換室Ｖ１にキュア室Ｖ２１の機能を担わさせるとともに、下流側置換室Ｖ３に冷却室Ｖ２３の機能を担わさせることが好ましい。

そして、特に第２実施形態においては、加熱室Ｖ２２を複数室（後部加熱室Ｖ２２１および前部加熱室Ｖ２２２の２室）設けているため、処理に長時間を要する加熱を行うための加熱室Ｖ２２を複数設けたことで各室における必要処理時間が短縮され、スループットを向上させることができる。さらにそれら各加熱室で加熱温度を異ならせる等の異なった加熱処理を基板Ｂに施すようにしてもよい。こうすることによって、より木目の細かい焼成処理が実現する。

（２）上記の実施形態においては、処理空間Ｖから導出された使用済みの気体は、工場内に配設された汎用の気体排出本管４２へ導出されるようになされているが、本発明は、処理空間Ｖで使用済みの気体をこのような気体排出本管４２に導出することに限定されるものではなく、各気体排出支管４１から専用の気体清浄化装置に送り込み、この専用の気体清浄化装置でそれぞれ別個に処理を施すようにしてもよい。

（３）上記の実施形態においては、第１〜第３アクチュエータとして、開閉シリンダ装置５２、昇降シリンダ装置６２および押圧シリンダ装置６３が採用されているが、本発明は、アクチュエータとしてシリンダ装置を採用することに限定されるものではなく、駆動モータやソレノイド装置等のシリンダ装置以外の駆動源を採用することができる。

（４）上記の実施形態においては、搬送路１１を形成する部材として搬送ローラ１２が採用されているが、こうする代わりに、搬送路１１を形成するものとして搬送ベルトを採用してもよい。

（５）上記の実施形態においては、キュア室Ｖ２１内の雰囲気温度は紫外線ランプ３５からの紫外線の照射により１５０℃〜２００℃に加熱されるとともに、加熱室Ｖ２２内の雰囲気温度は、ヒーター３６からの熱線の放射により２５０℃〜３５０℃に加熱されているが、これらキュア室Ｖ２１および加熱室Ｖ２２内の雰囲気温度を紫外線ランプ３５およびヒーター３６のみに頼るのではなく、キュア室Ｖ２１および加熱室Ｖ２２内に導入される気体供給源３１からの低酸素気体そのものを予め外部の気体加熱装置により加熱し、その低酸素気体を気体加熱装置と循環させるようにしてもよい。こうすることによって、キュア室Ｖ２１および加熱室Ｖ２２内の温度制御をより高精度で行うことができる。

（６）上記の第２実施形態においては、基板焼成装置１０′の天板２５に蓋構造８０が設けられているが、蓋構造８０は、第２実施形態の基板焼成装置１０′にのみ設けられることに限定されるものではなく、第１実施形態の基板焼成装置１０に適用してもよい。

（７）上記の第２実施形態においては、各単位装置１０１，１０２，１０３，１０４，１０５間の接続位置における入口２３１または出口２４１および下流側置換装置１０５の出口２４１に口角筒体２９を設けているが、口角筒体２９は、第２実施形態の基板焼成装置１０′にのみ設けられることに限定されるものではなく、第１実施形態の基板焼成装置１０に適用してもよい。

また、上流側置換装置１０１の入口２２１と、下流側置換装置１０５の出口２４１にそれぞれ上流側および下流側へ向かって口角筒体２９を設けてもよい。この場合、シャッター装置５０のシャッター板５１を口角筒体２９の突設される端面に沿って配設するようにすればよい。

（８）基板Ｂを基板焼成装置内に挿入したり、基板焼成装置内で移動させたりするに際して行われる差圧制御については、第２実施形態の基板焼成装置１０′に基づいて説明したが、本発明は、差圧制御を第２実施形態の基板焼成装置１０′に適用することに限定されるものではなく、第１実施形態の基板焼成装置１０に適用してもよい。

本発明に係る基板焼成装置の一実施形態を示す一部切欠き斜視図である。 図１に示す基板焼成装置のＡ−Ａ線断面図である。 シャッター装置の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、（イ）は、シャッター装置が開放された状態、（ロ）は、シャッター装置が閉止された状態をそれぞれ示している。 ゲートバルブ装置の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、（イ）は、ゲートバルブ装置が開放された状態、（ロ）は、ゲートバルブ装置の一実施形態を示す一部切り欠き斜視図であり、ゲートバルブ装置が閉止された状態をそれぞれ示している。 本発明に係る第２実施形態の基板焼成装置を示す分解斜視図である。 図５に示す基板焼成装置の組み立て斜視図である。 図６のＣ−Ｃ線断面図である。 キュア装置と加熱装置との間に介設される気密構造の一実施形態を示す図であり、（イ）は斜視図、（ロ）は（イ）のＤ−Ｄ線断面図である。 蓋構造を説明するためのキュア装置の上部を示す斜視図であり、メンテナンス用蓋体が開放された状態を示している。 蓋構造を説明するためのキュア装置の上部を示す斜視図であり、メンテナンス用蓋体が閉止された状態を示している。 図１０のＥ−Ｅ線断面図である。 キュア装置の入口に設けられた口角筒体の一実施形態を示す斜視図である。 差圧制御を説明するための説明図であり、スタンバイ期間、上流側置換室への基板Ｂ挿入期間、上流側置換室のパージ期間およびキュア室への基板移動期間のそれぞれにおける、第１制御弁の開度の大小、第１排気弁の開閉状態、シャッター装置の開閉状態、第２制御弁の開度の大小、第２排気弁の開閉状態、およびゲートバルブ装置の開閉状態をそれぞれ模式図およびタイムチャートで示している。

符号の説明

１０，１０′ 基板焼成装置 １０１ 上流側置換装置
１０２ キュア装置 １０３ 加熱装置
１０４ 冷却装置 １０５ 下流側置換装置
１１ 搬送路 １１０ 板金
１１１ 断熱材 １２ 搬送ローラ
１４１ シャッター ２０ 焼成装置本体
２００ 装着開口 ２０１ 装置本体
２０２ 装置本体 ２０３ 装置本体
２０４ 装置本体 ２０５ 装置本体
２１ 底板 ２１１ 角孔
２２ 側板 ２３ 後板
２２１，２３１ 入口 ２４ 前板
２２２，２４１ 出口 ２５ 天板
２５１ 螺子孔 ２６，２７ 仕切り板
２６１〜２６４ 第１〜第４仕切り板板
２６５ 導入口 ２６６ 上流側通過口
２６７ 下流側通過口 ２６８ 導出口
２７１ 通過口 ２８ クーリングパネル
２９ 口角筒体 ３０ 気体供給部
３１ 気体供給源 ３２ 気体供給本管
３３ 気体供給支管 ３３１〜３３５ 供給支管
３４ 制御弁 ３４１〜３４５ 第１〜第５制御弁
３５ 紫外線ランプ ３６ ヒーター
４０ 気体排出部 ４１ 気体排出支管
４１１〜４１５ 排出支管 ４２ 気体排出本管
４３ 排気弁 ４３１〜４３５ 第１〜第５排気弁
５０ シャッター装置（低密閉用開閉扉部）
５１ シャッター板 ５１１ 突設軸（シャッター軸）
５１２ シール部材 ５２ 開閉シリンダ装置（第１アクチュエータ）
５２１ シリンダ ５２２ ピストン
５２３ ピストンロッド ５３ ブラケット
５４ 連結アーム ６０ ゲートバルブ装置（高密閉用開閉扉部）
６１ バルブ板 ６１１ 突設柱
６１２ シール部材 ６２ 昇降シリンダ装置（第２アクチュエータ）
６２１ シリンダ本体 ６２２ ピストン
６２３ ピストンロッド ６３ 押圧シリンダ装置（第３アクチュエータ）
６３１ シリンダ本体 ６３２ ピストン
６３３ ピストンロッド ７０ 気密構造
７１ フランジ ７１１ 基板通過口
７１２ ボルト孔 ７２ パッキン
７２１ 基板通過口 ７２２ ボルト孔
７３ パッキン装着凹部 ７４ ボルト
７５ ナット ８０ 蓋構造
８０２ ナット ８１ 装置側フランジ
８１１ ボルト孔 ８２ パッキン
８２１ メンテナンス開口 ８２２ ボルト孔
８３ メンテナンス用蓋体 ８４ 内側蓋体
８４１ 蓋側フランジ ８４２ 板金材
８４３ ボルト孔 ８４４ 着脱操作リング
８５ 外側蓋体 ８５１ 断熱材装填皿
８５２ 外装板 ８５３ ボルト孔
８５４ 凹部 ８６ ボルト
８９ メンテナンス開口 Ｂ 基板
Ｔ１ スタンバイ期間 Ｔ２ 基板挿入期間
Ｔ３ パージ期間 Ｔ４ 基板移動期間
Ｖ 処理空間 Ｖ１ 上流側置換室
Ｖ２ 処理室 Ｖ２１ キュア室（前処理室）
Ｖ２２ 加熱室 Ｖ２２１ 後部加熱室
Ｖ２２２ 前部加熱室 Ｖ２３ 冷却室
Ｖ３ 下流側置換室

Claims (9)

1. 搬送路に沿って搬送される基板に焼成処理を施す基板焼成装置であって、
   前記搬送路に沿い、かつ、該搬送路を包囲した状態で配設された焼成装置本体内が、上流側から下流側に向けて、上流側置換室と、焼成処理を施す処理室と、下流側置換室とに区画形成され、
   前記上流側置換室の入口には第１の開閉扉部が、
   前記上流側置換室から前記処理室への導入口には第２の開閉扉部が、
   前記処理室から前記下流側置換室への導出口には第３の開閉扉部が、
   前記下流側置換室の出口には第４の開閉扉部が、それぞれ設けられるとともに、
   前記上流側置換室、前記処理室および前記下流側置換室の内部を所定の気体雰囲気とするための雰囲気形成手段を設けたことを特徴とする基板焼成装置。
2. 前記処理室は、基板に対して前処理を施す前処理室と、該前処理室の下流側に設けられて基板に加熱処理を施す加熱室と、該加熱室の下流側に設けられて基板に冷却処理を施す冷却室とからなることを特徴とする請求項１記載の基板焼成装置。
3. 前記前処理室と前記加熱室との間には第５の開閉扉部が、前記加熱室と前記冷却室との間には第６の開閉扉部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板焼成装置。
4. 前記第２および第３の開閉扉部は、気体の流通を遮断する高密閉用開閉扉部であり、前記第１および第４の開閉扉部は、気体の流通を抑止する低密閉用開閉扉部であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板焼成装置。
5. 前記第５および第６の開閉扉部は、気体の流通を抑止する低密閉用開閉扉部であることを特徴とする請求項３記載の基板焼成装置。
6. 前記雰囲気形成手段は、前記上流側置換室、前記処理室および前記下流側置換室の内部を排気する気体排気部と、前記上流側置換室、前記処理室および前記下流側置換室の内部に所定の気体を導入する気体供給部とを備えてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板焼成装置。
7. 前記所定の気体の雰囲気は、低酸素気体による低酸素雰囲気であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板焼成装置。
8. 前記低密閉用開閉扉部は、水平方向に延びるシャッター軸回りに回動自在に軸支されたシャッター板と、このシャッター板をシャッター軸回りに回動操作する第１アクチュエータとを備えて構成されていることを特徴とする請求項４または５記載の基板焼成装置。
9. 前記高密閉用開閉扉部は、所定の開口を閉止し得る平板状のバルブ板と、開口を閉止した閉止位置と、開口を開放した開放位置との間で前記バルブ板を位置変更させる第２アクチュエータと、閉止位置に位置設定されたバルブ板を開口に向けて押圧する第３アクチュエータとを備えて構成されていることを特徴とする請求項４記載の基板焼成装置。

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