JP2006134794A - 電界放出素子およびその製造方法ならびにその電界放出素子を利用した画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の電界放出素子は、カソード電極層12と、カソード電極層12上に選択的に設けられ、このカソード電極層12と電気的に接続されると共に、表面に複数の突起部16Aを有するカソード素子16と、カソード電極層12と対向して設けられ、カソード素子16と対向する位置に開口を有する厚膜のゲート電極層15と、ゲート電極層15を基準としてカソード電極層12とは反対側にゲート電極層15と対向して設けられたアノード電極層24とを備える。
【選択図】 図1
Description
(A1)第1電極層
(A2)第1電極層上に選択的に設けられ、この第1電極層と電気的に接続されると共に、表面に複数の突起部を有する電子放出層
(A3)第1電極層と対向して設けられ、電子放出層と対向する位置に開口を有する厚膜の第2電極層
(A4)第2電極層を基準として第1電極層とは反対側に第2電極層と対向して設けられた第3電極層
(B1)第1電極層上にこの第1電極層と電気的に接続される電子放出層を選択的に形成する工程
(B2)第1電極層および電子放出層上に絶縁層を形成する工程
(B3)絶縁層のうち電子放出層と対向する領域以外の領域上に厚膜の第2電極層をめっき法により選択的に形成する工程
(B4)絶縁層のうち電子放出層と対向する領域を選択的にエッチングしてゲートホールを形成する工程
(C1)マトリクス状に配置された画素を選択駆動することにより画像を表示すること
(C2)画素を構成する電界放出素子
(C3)入力される走査信号に基づき、駆動対象の画素の行を選択するための走査電圧を電界放出素子に順次印加する第1電極駆動手段
(C4)映像信号に対応した画素電圧を電界放出素子に印加する第2電極駆動手段
(C5)電子引出電圧を電界放出素子に印加する第3電極駆動手段と
(D1)第1電極駆動手段により走査電圧が印加される第1電極層
(D2)第1電極層上に選択的に設けられ、この第1電極層と電気的に接続されると共に、表面に複数の突起部を有する電子放出層
(D3)第1電極層と対向して設けられ、電子放出層と対向する位置に開口を有すると共に、第2電極駆動手段により画素電圧が印加される厚膜の第2電極層
(D4)第2電極層を基準として第1電極層とは反対側に第2電極層と対向して設けられると共に、第3電極駆動手段により電子引出電圧が印加される第3電極層
(D5)第3電極層の、第2電極層とは反対側の表面に設けられた蛍光体層
有機スズおよび有機インジウム:10〜50質量%
酢酸ブチル:30〜80質量%
ドデチル硫酸ナトリウム:0.1〜5質量%
CNT:0.001〜20質量%
雰囲気:大気中
焼成温度:500℃
焼成時間:30分
エッチング液:塩酸、塩化鉄および水の混合液
エッチング時間:30秒〜10分
エッチング温度:23℃〜60℃
めっき液:メルッテックス社製メルプレート802
印加電流:100mA
成膜時間:30秒
成膜温度:60℃
(無電解めっきの条件の一例)
めっき液:メルッテックス社製メルプレート802
めっき時間:10分〜130分
めっき温度:60℃
エッチング液:ITO−06N(関東化学製)
エッチング時間:5秒〜60秒
エッチング温度:10℃〜60℃
装置:RIE(Reactive Ion Etching) 装置
導入ガス:酸素(O2 )を含むガス
プラズマ励起パワー:500W
バイアスパワー:0〜150W
エッチング時間:10秒以上
溶液:KMnO4
エッチング温度:20℃〜80℃
エッチング時間:10秒〜20分
本実施の形態では、カソード素子17と対向する領域に孔16Aを有する平板状の形状からなるゲート電極層16を用いていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、図7に示すように、中心部分に孔16Aが設けられたドーナツ状の形状からなるゲート電極層16を用いてもよい。
本実施の形態では、円板状のカソード素子17を用いていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、電子放出層の表面のうち中心部分に電子が放出されないような仕組みを設けるようにしてもよい。具体的には、図10に示すように、円板状のカソード素子17のうち中央部分に自身を貫通する小孔17Bを設けるようにしてもよい。そこで、以下、上記のようなドーナツ状の形状を有するカソード素子17を備えた、本変形例にかかる電界放出素子2について説明する。
上記の第1の変形例では、ゲート電極層16をドーナツ状の形状とし、一方、上記の第2の変形例では、カソード素子17の中央部分に小孔17Bを設けるようにしたが、図11,図12に示すように、これらを組み合わせてもよい。これらを組み合わせた場合には、双方の効果を同時に有することができ、より好ましいからである。
Claims (11)
- 第1電極層と、
前記第1電極層上に選択的に設けられ、この第1電極層と電気的に接続されると共に、表面に複数の突起部を有する電子放出層と、
前記第1電極層と対向して設けられ、前記電子放出層と対向する位置に開口を有する厚膜の第2電極層と、
前記第2電極層を基準として前記第1電極層とは反対側に前記第2電極層と対向して設けられた第3電極層と
を備えたことを特徴とする電界放出素子。 - 前記第2電極層は、無電解めっきにより形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子。 - 前記第2電極層は、前記開口を中心孔とするドーナツ状に形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子。 - 前記第1電極層と前記第2電極層との距離をti、前記第2電極層の厚さをtg、前記開口の直径をφ1、前記第2電極層と第3電極層との電位差により生じる電界をEsとすると、ti、tg、φ1およびEsは以下の条件を満たす
ことを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子。
3μm≦ti≦7μm…(1)
1μm≦tg≦40μm−ti…(2)
2(tg+ti)≦φ1≦3(tg+ti)…(3)
4V/μm≦Es≦10V/μm…(4) - 前記電子放出層は、前記開口と対向する部分の表面のうち中心部分を除いたドーナツ状の領域にのみ前記突起部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子。 - 前記ドーナツ状の領域の内径をφ2とすると、φ2は以下の条件を満たす
ことを特徴とする請求項5に記載の電界放出素子。
φ1/10≦φ2≦φ1/2…(5) - 前記突起部は、カーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバーを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の電界放出素子。 - 第1電極層、第2電極層および第3電極層を含んで構成された3極構造体を備えた電界放出素子の製造方法であって、
前記第1電極層上にこの第1電極層と電気的に接続される電子放出層を選択的に形成し、
前記第1電極層および前記電子放出層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層のうち前記電子放出層と対向する領域以外の領域上に厚膜の第2電極層をめっき法により選択的に形成し、
前記絶縁層のうち前記電子放出層と対向する領域を選択的にエッチングしてゲートホールを形成する
ことを特徴とする電界放出素子の製造方法。 - 前記第2電極層をマスクとして、前記絶縁層のうち前記電子放出層と対向する領域を前記電子放出層が露出するまで連続的にエッチングして前記ゲートホールを形成する
ことを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。 - 前記電子放出層を、繊維状材料とバインダ材料とを含むように構成し、
前記電子放出層のうち前記ゲートホールの底部で露出しているバインダ材料をエッチングして前記繊維状材料を露出させると共に、前記繊維状材料が露出した表面に粘着性部材を接触させたのち、前記粘着性部材を剥がすことにより前記繊維状材料を前記電子放出層の底面にほぼ垂直に配向させて複数の突起部を形成する
ことを特徴とする請求項8に記載の電界放出素子の製造方法。 - マトリクス状に配置された画素を選択駆動することによって画像を表示する画像表示装置であって、
前記画素を構成する電界放出素子と、
入力される走査信号に基づき、駆動対象の画素の行を選択するための走査電圧を前記電界放出素子に順次印加する第1電極駆動手段と、
映像信号に対応した画素電圧を前記電界放出素子に印加する第2電極駆動手段と、
電子引出電圧を前記電界放出素子に印加する第3電極駆動手段と
を備え、
前記電界放出素子は、
前記第1電極駆動手段により前記走査電圧が印加される第1電極層と、
前記第1電極層上に選択的に設けられ、この第1電極層と電気的に接続されると共に、表面に複数の突起部を有する電子放出層と、
前記第1電極層と対向して設けられ、前記電子放出層と対向する位置に開口を有すると共に、前記第2電極駆動手段により前記画素電圧が印加される厚膜の第2電極層と、
前記第2電極層を基準として前記第1電極層とは反対側に前記第2電極層と対向して設けられると共に、前記第3電極駆動手段により前記電子引出電圧が印加される第3電極層と
前記第3電極層の、前記第2電極層とは反対側の表面に設けられた蛍光体層と
を有する
ことを特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004324770A JP2006134794A (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 電界放出素子およびその製造方法ならびにその電界放出素子を利用した画像表示装置 |
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JP2004324770A JP2006134794A (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 電界放出素子およびその製造方法ならびにその電界放出素子を利用した画像表示装置 |
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JP2006134794A true JP2006134794A (ja) | 2006-05-25 |
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Family Applications (1)
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JP2004324770A Pending JP2006134794A (ja) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 電界放出素子およびその製造方法ならびにその電界放出素子を利用した画像表示装置 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06243777A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-09-02 | Nec Corp | 冷陰極 |
JPH0950758A (ja) * | 1995-05-30 | 1997-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子源、それを用いた陰極線管及び電子源の製造方法 |
JPH11213863A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Toshiba Corp | 電界放出型冷陰極及びその製造方法 |
JP2003086080A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-03-20 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子及び冷陰極電界電子放出表示装置 |
JP2004087158A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sony Corp | 表示装置 |
-
2004
- 2004-11-09 JP JP2004324770A patent/JP2006134794A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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