JPH0973869A - 電界放射型ディスプレイ、その製造方法及びその駆動方法 - Google Patents
電界放射型ディスプレイ、その製造方法及びその駆動方法Info
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- JPH0973869A JPH0973869A JP22262095A JP22262095A JPH0973869A JP H0973869 A JPH0973869 A JP H0973869A JP 22262095 A JP22262095 A JP 22262095A JP 22262095 A JP22262095 A JP 22262095A JP H0973869 A JPH0973869 A JP H0973869A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スペーサ部材に電子が入射しにくくし、スペ
ーサ部材に入射した場合でもチャージアップしにくい構
造の電界放射型ディスプレイを提供する。 【解決手段】 電界放射型の電子放出素子３がアレイ状
に配された電子放出素子アレイ基板４と、電子放出素子
３が発した電子の照射により蛍光を発する蛍光基板８と
が、互いに接触しないようにするためのスペーサ部材９
を介して対向するように設けられている電界放射型ディ
スプレイにおいて、スペーサ部材９を導電性材料から構
成し、且つ電子放出素子３のゲート電極２及び蛍光基板
８のアノード電極５とに接触しない位置に設ける。
ーサ部材に入射した場合でもチャージアップしにくい構
造の電界放射型ディスプレイを提供する。 【解決手段】 電界放射型の電子放出素子３がアレイ状
に配された電子放出素子アレイ基板４と、電子放出素子
３が発した電子の照射により蛍光を発する蛍光基板８と
が、互いに接触しないようにするためのスペーサ部材９
を介して対向するように設けられている電界放射型ディ
スプレイにおいて、スペーサ部材９を導電性材料から構
成し、且つ電子放出素子３のゲート電極２及び蛍光基板
８のアノード電極５とに接触しない位置に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットパネルデ
ィスプレイ型の画像表示装置である電界放射型ディスプ
レイに関する。
ィスプレイ型の画像表示装置である電界放射型ディスプ
レイに関する。
【０００２】
【従来の技術】微小電子源の一種である電界放射型電子
放出素子をアレイ状に配した電子放出素子アレイ（Fiel
d Emitter Array (FEA))基板と、蛍光基板とを組み合わ
せた電界放射型ディスプレイ（Field Emission Display
(FED))は、高輝度・高精細・低消費電力という利点を有
するために、フラットパネルディスプレイとしての応用
が期待されており、既にモノクロやフルカラーのフラッ
トディスプレイが試作されている（ＩＥＤＭ．９１−１
９７等）。
放出素子をアレイ状に配した電子放出素子アレイ（Fiel
d Emitter Array (FEA))基板と、蛍光基板とを組み合わ
せた電界放射型ディスプレイ（Field Emission Display
(FED))は、高輝度・高精細・低消費電力という利点を有
するために、フラットパネルディスプレイとしての応用
が期待されており、既にモノクロやフルカラーのフラッ
トディスプレイが試作されている（ＩＥＤＭ．９１−１
９７等）。
【０００３】このようなＦＥＤの発光は、ＦＥＡの電子
放出素子から放出された電子が、蛍光基板のアノード電
極上に層状に配設された蛍光体を励起した結果生ずる。
この場合、蛍光体が発する光の輝度は、照射電子電流密
度とアノード電極・エミッタ電極間電圧と蛍光体の発光
効率との積に依存する。従って、実用レベルの輝度を実
現するために、アノード電極とエミッタ電極との間に
は、通常、数百〜数千Ｖの電圧が印加されている。
放出素子から放出された電子が、蛍光基板のアノード電
極上に層状に配設された蛍光体を励起した結果生ずる。
この場合、蛍光体が発する光の輝度は、照射電子電流密
度とアノード電極・エミッタ電極間電圧と蛍光体の発光
効率との積に依存する。従って、実用レベルの輝度を実
現するために、アノード電極とエミッタ電極との間に
は、通常、数百〜数千Ｖの電圧が印加されている。
【０００４】一方、電子放出素子のエミッタ電極から電
子を放出させるためにゲート電極とエミッタ電極との間
に印加されている電圧は、通常、数十〜百数十Ｖであ
る。この結果、ＦＥＡ基板のゲート電極と蛍光基板のア
ノード電極との間には、数百〜数千Ｖの電圧が印加され
ていることになる。
子を放出させるためにゲート電極とエミッタ電極との間
に印加されている電圧は、通常、数十〜百数十Ｖであ
る。この結果、ＦＥＡ基板のゲート電極と蛍光基板のア
ノード電極との間には、数百〜数千Ｖの電圧が印加され
ていることになる。
【０００５】従って、このような高い電圧を印加しても
アノード電極・ゲート電極との間で放電が起こらないよ
うにするために、ＦＥＡ基板と蛍光基板との周囲をシー
ルしてセルを構成し、セル内を真空とし、しかもその基
板間隔を一定に保持する必要がある。
アノード電極・ゲート電極との間で放電が起こらないよ
うにするために、ＦＥＡ基板と蛍光基板との周囲をシー
ルしてセルを構成し、セル内を真空とし、しかもその基
板間隔を一定に保持する必要がある。
【０００６】ところで、ＦＥＡ基板と蛍光基板との間隔
を一定に保持するために、従来よりそれらの基板の間
に、種々の絶縁性スペーサ部材、例えばガラスビーズ
（ＩＥＤＭ．９１−１９７頁）、ポリイミド（特表平３
−５０１５４７号公報）を配することが行なわれてい
る。なお、電界放射型電子放出素子ではないが、表面伝
導型電子放出素子を使用したディスプレイの場合には、
スペーサ部材として感光性ガラスを使用することが提案
されている（特開平２−２９９１３６号公報）。
を一定に保持するために、従来よりそれらの基板の間
に、種々の絶縁性スペーサ部材、例えばガラスビーズ
（ＩＥＤＭ．９１−１９７頁）、ポリイミド（特表平３
−５０１５４７号公報）を配することが行なわれてい
る。なお、電界放射型電子放出素子ではないが、表面伝
導型電子放出素子を使用したディスプレイの場合には、
スペーサ部材として感光性ガラスを使用することが提案
されている（特開平２−２９９１３６号公報）。
【０００７】ここで、ガラスビーズからなるスペーサ部
材をＦＥＡ基板と蛍光基板との間に配する方法として
は、直径２００μｍ程度のガラスビーズをＦＥＡ基板又
は蛍光基板上に機械的に均一に散布した後、両方の基板
を重ね合わせることが行なわれている。また、ポリイミ
ドあるいは感光性ガラスからなるスペーサ部材を両方の
基板の間に配設する場合には、フォトリソグラフィー法
を利用して行なわれている。
材をＦＥＡ基板と蛍光基板との間に配する方法として
は、直径２００μｍ程度のガラスビーズをＦＥＡ基板又
は蛍光基板上に機械的に均一に散布した後、両方の基板
を重ね合わせることが行なわれている。また、ポリイミ
ドあるいは感光性ガラスからなるスペーサ部材を両方の
基板の間に配設する場合には、フォトリソグラフィー法
を利用して行なわれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようなガラスビーズ、ポリイミドあるいは感光性ガラ
スなどの絶縁性のスペーサ部材の場合、電子放出素子か
らの電子がスペーサ部材に入射すると、スペーサ部材が
チャージアップし、それにより電子放出素子から放出さ
れる電子ビームが偏向したり、スペーサ部材自体に絶縁
破壊が生じてショートしたり、スペーサ部材からガスが
放出されたりするという問題があった。
たようなガラスビーズ、ポリイミドあるいは感光性ガラ
スなどの絶縁性のスペーサ部材の場合、電子放出素子か
らの電子がスペーサ部材に入射すると、スペーサ部材が
チャージアップし、それにより電子放出素子から放出さ
れる電子ビームが偏向したり、スペーサ部材自体に絶縁
破壊が生じてショートしたり、スペーサ部材からガスが
放出されたりするという問題があった。
【０００９】加えて、ガラスビーズを使用した場合に
は、スペーサ部材の散布位置を正確に制御できないた
め、スペーサ部材が電子放出素子上に散布されることが
多く、その状態で蛍光基板をＦＥＡ基板上に重ね合わせ
た場合には、いくつかの電子放出素子自体が破壊され、
その結果、ディスプレイに黒点が生じるという問題があ
った。
は、スペーサ部材の散布位置を正確に制御できないた
め、スペーサ部材が電子放出素子上に散布されることが
多く、その状態で蛍光基板をＦＥＡ基板上に重ね合わせ
た場合には、いくつかの電子放出素子自体が破壊され、
その結果、ディスプレイに黒点が生じるという問題があ
った。
【００１０】なお、感光性ガラスやポリイミドを使用し
た場合には、スペーサ部材の配設位置を制御することは
可能であるが、例えば、高さが約１００μｍのスペーサ
部材では、露光系の焦点深度や現像の分解能の制限から
幅が約５０μｍ程度に制限されてしまい、それ以上の微
細化は困難であり、より微細化できるような製造方法も
望まれていた。
た場合には、スペーサ部材の配設位置を制御することは
可能であるが、例えば、高さが約１００μｍのスペーサ
部材では、露光系の焦点深度や現像の分解能の制限から
幅が約５０μｍ程度に制限されてしまい、それ以上の微
細化は困難であり、より微細化できるような製造方法も
望まれていた。
【００１１】本発明は、上述の従来技術の課題を解決し
ようとするものであり、スペーサ部材に電子が入射しに
くく、しかもスペーサ部材に電子が入射した場合でもス
ペーサ部材がチャージアップしにくい構造の電界放射型
ディスプレイを提供することを目的とする、また、その
ような電界放射型ディスプレイを、そのスペーサ部材を
微細化できるように製造できるようにすることも目的と
する。
ようとするものであり、スペーサ部材に電子が入射しに
くく、しかもスペーサ部材に電子が入射した場合でもス
ペーサ部材がチャージアップしにくい構造の電界放射型
ディスプレイを提供することを目的とする、また、その
ような電界放射型ディスプレイを、そのスペーサ部材を
微細化できるように製造できるようにすることも目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の常識
に反して導電性材料からスペーサ部材を構成し、そのス
ペーサ部材をＦＥＡ基板の電子放出素子のゲート電極と
蛍光基板のアノード電極とに接触しない位置に設けるこ
とにより電子放出素子からの電子をスペーサ部材に入射
しにくくでき、しかも入射した場合でも導電性であるた
めに各スペーサ部材においてそれぞれ電荷が分散して局
所的なチャージアップを抑制できること、また、スペー
サ部材をスペーサ配線上に設けることにより、スペーサ
部材の電位をコントロールでき、スペーサ部材への電子
の入射を防止することができること、そしてそのような
電子放出素子を製造するに際し、ＦＥＡ基板又は蛍光基
板上に予めスペーサ配線を形成しておき、その上にスペ
ーサ部材を配設することにより、微細なスペーサ部材を
作製可能な電鋳法を利用できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
に反して導電性材料からスペーサ部材を構成し、そのス
ペーサ部材をＦＥＡ基板の電子放出素子のゲート電極と
蛍光基板のアノード電極とに接触しない位置に設けるこ
とにより電子放出素子からの電子をスペーサ部材に入射
しにくくでき、しかも入射した場合でも導電性であるた
めに各スペーサ部材においてそれぞれ電荷が分散して局
所的なチャージアップを抑制できること、また、スペー
サ部材をスペーサ配線上に設けることにより、スペーサ
部材の電位をコントロールでき、スペーサ部材への電子
の入射を防止することができること、そしてそのような
電子放出素子を製造するに際し、ＦＥＡ基板又は蛍光基
板上に予めスペーサ配線を形成しておき、その上にスペ
ーサ部材を配設することにより、微細なスペーサ部材を
作製可能な電鋳法を利用できることを見出し、本発明を
完成するに至った。
【００１３】即ち、本発明は、電界放射型の電子放出素
子がアレイ状に配された電子放出素子アレイ基板と、電
子放出素子が発した電子が入射することにより蛍光を発
する蛍光基板とが、互いに接触しないようにするための
スペーサ部材を介して対向するように設けられている電
界放射型ディスプレイにおいて、スペーサ部材が導電性
であり且つ電子放出素子のゲート電極と蛍光基板のアノ
ード電極とに接触しない位置に設けられていることを特
徴とする電界放射型ディスプレイを提供する。
子がアレイ状に配された電子放出素子アレイ基板と、電
子放出素子が発した電子が入射することにより蛍光を発
する蛍光基板とが、互いに接触しないようにするための
スペーサ部材を介して対向するように設けられている電
界放射型ディスプレイにおいて、スペーサ部材が導電性
であり且つ電子放出素子のゲート電極と蛍光基板のアノ
ード電極とに接触しない位置に設けられていることを特
徴とする電界放射型ディスプレイを提供する。
【００１４】また、本発明は、前述の電界放射型ディス
プレイの特に好ましい態様として、電子放出素子アレイ
基板又は蛍光基板の対向面上に、スペーサ部材に電圧を
印加するためのスペーサ配線が設けられており、そのス
ペーサ配線上にスペーサ部材が設けられている電界放射
型ディスプレイを提供する。
プレイの特に好ましい態様として、電子放出素子アレイ
基板又は蛍光基板の対向面上に、スペーサ部材に電圧を
印加するためのスペーサ配線が設けられており、そのス
ペーサ配線上にスペーサ部材が設けられている電界放射
型ディスプレイを提供する。
【００１５】また、本発明は、スペーサ配線上にスペー
サ部材が配設された好ましい態様の電界放射型ディスプ
レイの製造方法において： （Ａ）電子放出素子アレイ基板又は蛍光基板のいずれか
の表面にスペーサ配線を形成する工程； （Ｂ）スペーサ部材形成予定部に開孔部を有するレジス
トパターン層をスペーサ配線上に形成する工程； （Ｃ）そのレジストパターン層の開孔部内にスペーサ部
材を形成する工程；及び （Ｄ）レジストパターン層を除去する工程を含むことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法も提供す
る。
サ部材が配設された好ましい態様の電界放射型ディスプ
レイの製造方法において： （Ａ）電子放出素子アレイ基板又は蛍光基板のいずれか
の表面にスペーサ配線を形成する工程； （Ｂ）スペーサ部材形成予定部に開孔部を有するレジス
トパターン層をスペーサ配線上に形成する工程； （Ｃ）そのレジストパターン層の開孔部内にスペーサ部
材を形成する工程；及び （Ｄ）レジストパターン層を除去する工程を含むことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法も提供す
る。
【００１６】また、本発明はスペーサ配線上にスペーサ
部材が配設された好ましい態様の電界放射型ディスプレ
イの駆動方法であって、スペーサ部材に電位を付与する
ことを特徴とする駆動方法を提供する。
部材が配設された好ましい態様の電界放射型ディスプレ
イの駆動方法であって、スペーサ部材に電位を付与する
ことを特徴とする駆動方法を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電界放射型ディス
プレイについて、図面を参照しつつ詳細に説明する。な
お、以下の説明において、各電子放出素子としては鈍角
エッジ型エミッタ（特願平７−７２１２１号）を使用し
た素子を例にとり説明するが、公知のコーン型エミッタ
やディスク型エミッタを使用した素子も適用可能であ
る。ここで、鈍角エッジ型エミッタは、図１３（ａ）
（上面図）及び図１３（ｂ）（断面図）に示すように、
基板３１上に、エミッタ配線層３２、エミッタ下地層３
３及びエミッタ３４が形成され、エミッタ下地層３３及
びエミッタ３４の周囲には、それらと接触しないように
絶縁層３５とゲート３６とがエミッタ配線層３２上に形
成された構造を有し、特に、エミッタの上面３４ａと側
面３４ｂとが形成する角θが９０度より大きい鈍角とな
っていることが特徴となっている。これにより、電子放
出の分配率が改善されている。
プレイについて、図面を参照しつつ詳細に説明する。な
お、以下の説明において、各電子放出素子としては鈍角
エッジ型エミッタ（特願平７−７２１２１号）を使用し
た素子を例にとり説明するが、公知のコーン型エミッタ
やディスク型エミッタを使用した素子も適用可能であ
る。ここで、鈍角エッジ型エミッタは、図１３（ａ）
（上面図）及び図１３（ｂ）（断面図）に示すように、
基板３１上に、エミッタ配線層３２、エミッタ下地層３
３及びエミッタ３４が形成され、エミッタ下地層３３及
びエミッタ３４の周囲には、それらと接触しないように
絶縁層３５とゲート３６とがエミッタ配線層３２上に形
成された構造を有し、特に、エミッタの上面３４ａと側
面３４ｂとが形成する角θが９０度より大きい鈍角とな
っていることが特徴となっている。これにより、電子放
出の分配率が改善されている。
【００１８】図１は、本発明の電界放射型ディスプレイ
の断面図である。このディスプレイは、電子放出素子ア
レイ（ＦＥＡ）用基板１上に、周囲にゲート電極２を有
する電子放出素子３が設けられたＦＥＡ基板４と、透明
基板５上にアノード電極６及び蛍光体層７が形成された
蛍光基板８とが、スペーサ部材９を介して対向してお
り、その周囲がシール部材１０でシールされている構造
を有する。
の断面図である。このディスプレイは、電子放出素子ア
レイ（ＦＥＡ）用基板１上に、周囲にゲート電極２を有
する電子放出素子３が設けられたＦＥＡ基板４と、透明
基板５上にアノード電極６及び蛍光体層７が形成された
蛍光基板８とが、スペーサ部材９を介して対向してお
り、その周囲がシール部材１０でシールされている構造
を有する。
【００１９】ここで、スペーサ部材９は導電性の材料か
ら構成する。また、スペーサ部材９は、電子放出素子３
のゲート電極２と接触しない位置に形成する。これによ
り、電子放出素子３からの電子をスペーサ部材９に入射
しにくくすることができる。しかも仮に電子が入射した
場合でもスペーサ部材９は導電性であるために、そこで
電荷が分散するので局所的なチャージアップを抑制する
ことができる。
ら構成する。また、スペーサ部材９は、電子放出素子３
のゲート電極２と接触しない位置に形成する。これによ
り、電子放出素子３からの電子をスペーサ部材９に入射
しにくくすることができる。しかも仮に電子が入射した
場合でもスペーサ部材９は導電性であるために、そこで
電荷が分散するので局所的なチャージアップを抑制する
ことができる。
【００２０】スペーサ部材９の形状としては、円柱、四
角柱などの柱様形状や、底面が細長い長方形の壁や曲線
状壁、あるいは複数の壁を組み合わせたものなどの壁様
形状が好ましい。なお、通常、一つのディスプレイには
多数個のスペーサ部材９が設けられるが、それらがすべ
て同一の形状でなくてもよく、設ける位置等に応じて適
宜、形状を変化させることができる。
角柱などの柱様形状や、底面が細長い長方形の壁や曲線
状壁、あるいは複数の壁を組み合わせたものなどの壁様
形状が好ましい。なお、通常、一つのディスプレイには
多数個のスペーサ部材９が設けられるが、それらがすべ
て同一の形状でなくてもよく、設ける位置等に応じて適
宜、形状を変化させることができる。
【００２１】スペーサ部材９を構成する導電材料として
は、種々の導電性材料、例えば、金属材料、半導体材
料、有機導電性材料等を使用することができるが、中で
も、良好な機械的強度を示し、しかも電鋳法により容易
に形成することができる点から金属材料を使用すること
が好ましい。このような金属材料としては、ディスプレ
イ製造の際にスペーサ形成後に封着等の昇温プロセスが
施されることを考慮すると耐熱性の良好な高融点金属が
望ましく、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ又はそれらの合金を挙げることが
できる。
は、種々の導電性材料、例えば、金属材料、半導体材
料、有機導電性材料等を使用することができるが、中で
も、良好な機械的強度を示し、しかも電鋳法により容易
に形成することができる点から金属材料を使用すること
が好ましい。このような金属材料としては、ディスプレ
イ製造の際にスペーサ形成後に封着等の昇温プロセスが
施されることを考慮すると耐熱性の良好な高融点金属が
望ましく、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ又はそれらの合金を挙げることが
できる。
【００２２】スペーサ部材９の大きさとしては、目的と
するディスプレイの大きさや性能に応じて適宜決定する
ことができるが、高さについては、低すぎるとアノード
電極とゲート電極間に形成される強電界により蛍光基板
から蛍光体が脱落する傾向があり、高すぎると電子の広
がり角により画素がぼける傾向があるので、好ましくは
２０μｍ〜５００μｍとする。また、幅については、高
精細化のためや無効面積を小さくするためには、スペー
サ部材の幅は小さいほど好ましいが、機械的強度を保持
するために、好ましくは５μｍ〜１００μｍとする。
するディスプレイの大きさや性能に応じて適宜決定する
ことができるが、高さについては、低すぎるとアノード
電極とゲート電極間に形成される強電界により蛍光基板
から蛍光体が脱落する傾向があり、高すぎると電子の広
がり角により画素がぼける傾向があるので、好ましくは
２０μｍ〜５００μｍとする。また、幅については、高
精細化のためや無効面積を小さくするためには、スペー
サ部材の幅は小さいほど好ましいが、機械的強度を保持
するために、好ましくは５μｍ〜１００μｍとする。
【００２３】本発明において、スペーサ部材９以外の他
の構成要素については、従来の電界放射型ディスプレイ
と同様の構成要素を使用することができる。
の構成要素については、従来の電界放射型ディスプレイ
と同様の構成要素を使用することができる。
【００２４】本発明の電界放射型ディスプレイにおいて
は、図２に示すように、ＦＥＡ基板４上に、スペーサ部
材９に電圧を印加するためのスペーサ配線１１を設け、
そのスペーサ配線１１上にスペーサ部材９を設けること
が好ましい。あるいは、図３に示すように蛍光基板８上
にスペーサ配線１１を設け、そのスペーサ配線１１上に
スペーサ部材９を設けることが好ましい。これにより、
スペーサ部材９の電位をコントロールすることが可能と
なる。従って、スペーサ部材９にゲート電極２よりも低
い電位、好ましくはエミッタ電位付近の電位を印加した
場合には、スペーサ部材９に向かって飛翔した電子は減
速し且つ反射し、スペーサ部材９への入射を抑制でき
る。よって、このようなスペーサ部材９を各画素（電子
放出素子）近傍に設け、スペーサ部材９による電子の反
射を積極的に利用することにより、ある画素の電子が他
の画素の蛍光体に入射することを防止し、画像のぼけを
抑制することができる。
は、図２に示すように、ＦＥＡ基板４上に、スペーサ部
材９に電圧を印加するためのスペーサ配線１１を設け、
そのスペーサ配線１１上にスペーサ部材９を設けること
が好ましい。あるいは、図３に示すように蛍光基板８上
にスペーサ配線１１を設け、そのスペーサ配線１１上に
スペーサ部材９を設けることが好ましい。これにより、
スペーサ部材９の電位をコントロールすることが可能と
なる。従って、スペーサ部材９にゲート電極２よりも低
い電位、好ましくはエミッタ電位付近の電位を印加した
場合には、スペーサ部材９に向かって飛翔した電子は減
速し且つ反射し、スペーサ部材９への入射を抑制でき
る。よって、このようなスペーサ部材９を各画素（電子
放出素子）近傍に設け、スペーサ部材９による電子の反
射を積極的に利用することにより、ある画素の電子が他
の画素の蛍光体に入射することを防止し、画像のぼけを
抑制することができる。
【００２５】このように、電界放射型ディスプレイの駆
動の際に、スペーサ部材９に電位を付与する駆動方法
は、電子の入射によるスペーサ部材の劣化やガス放出を
抑制することができ、しかも電子の広がりによる画像の
ぼけを抑制でき、長寿命・高精細なディスプレイを提供
することを可能とする。
動の際に、スペーサ部材９に電位を付与する駆動方法
は、電子の入射によるスペーサ部材の劣化やガス放出を
抑制することができ、しかも電子の広がりによる画像の
ぼけを抑制でき、長寿命・高精細なディスプレイを提供
することを可能とする。
【００２６】なお、スペーサ部材９の形成位置と形状に
ついて、スペーサ部材９をＦＥＡ基板のスペーサ配線１
１上に形成した場合を例にとりその概略平面図（図４〜
図８）を参照しながら具体的に説明する。
ついて、スペーサ部材９をＦＥＡ基板のスペーサ配線１
１上に形成した場合を例にとりその概略平面図（図４〜
図８）を参照しながら具体的に説明する。
【００２７】図４の例では、スペーサ部材９は直径１０
μｍ高さ１００μｍの円柱状であり、各画素の辺の中央
に配置されている。図５に示す例では、直径１０μｍ高
さ１００μｍの柱状スペーサが各画素の辺に２個ずつ配
置されている。これらの例の場合も、図２の態様と同様
に、電子の広がりを抑制することができる。
μｍ高さ１００μｍの円柱状であり、各画素の辺の中央
に配置されている。図５に示す例では、直径１０μｍ高
さ１００μｍの柱状スペーサが各画素の辺に２個ずつ配
置されている。これらの例の場合も、図２の態様と同様
に、電子の広がりを抑制することができる。
【００２８】図６の例では、スペーサ部材９は、壁を２
つ組み合わせたＬ字壁形状であり、図７の例ではＴ字壁
形状、図８の例では十字壁形状となっている。このよう
な形状のスペーサ部材９は、電子の広がりを抑制するだ
けでなく、機械的強度も高いという利点を有する。
つ組み合わせたＬ字壁形状であり、図７の例ではＴ字壁
形状、図８の例では十字壁形状となっている。このよう
な形状のスペーサ部材９は、電子の広がりを抑制するだ
けでなく、機械的強度も高いという利点を有する。
【００２９】図１に示した本発明の電界放射型ディスプ
レイは、次に説明するように製造することができる（図
９参照）。
レイは、次に説明するように製造することができる（図
９参照）。
【００３０】工程（１Ａ） まず、透明基板５上にアノード配線６を形成して蛍光基
板８を得る（図９（ａ））。
板８を得る（図９（ａ））。
【００３１】工程（１Ｂ） 次に、その蛍光基板８上に、スペーサ部材形成予定部に
開口部１２Ａを有するレジストパターン層１２を形成す
る（図９（ｂ））。
開口部１２Ａを有するレジストパターン層１２を形成す
る（図９（ｂ））。
【００３２】工程（１Ｃ） 次に、レジストパターン層１２の開口部１２Ａの内部に
スペーサ部材９を形成する（図９（ｃ））。この場合、
スペーサ部材９の形成方法としては、金属粉を溶剤と混
合させて金属粉ペーストを調製し、それを開口部１２Ａ
内に塗り込むことにより形成することができる。
スペーサ部材９を形成する（図９（ｃ））。この場合、
スペーサ部材９の形成方法としては、金属粉を溶剤と混
合させて金属粉ペーストを調製し、それを開口部１２Ａ
内に塗り込むことにより形成することができる。
【００３３】工程（１Ｄ） 次にレジストパターン層１２を常法により除去し、スペ
ーサ部材９を焼成することにより固化させる（図９
（ｄ））。
ーサ部材９を焼成することにより固化させる（図９
（ｄ））。
【００３４】工程（１Ｅ） この後は、アノード配線６上に蛍光体層７を常法により
形成する。そして、ゲート配線２及び電子放出素子３が
形成された公知のＦＥＡ基板４と組み合わせ、周囲をシ
ール部材１０でシールすることにより図９（ｅ）に示す
電界放射型ディスプレイが得られる。
形成する。そして、ゲート配線２及び電子放出素子３が
形成された公知のＦＥＡ基板４と組み合わせ、周囲をシ
ール部材１０でシールすることにより図９（ｅ）に示す
電界放射型ディスプレイが得られる。
【００３５】また、図２に示した本発明の電界放射型デ
ィスプレイは、次に説明するように製造することができ
る（図１０参照）。
ィスプレイは、次に説明するように製造することができ
る（図１０参照）。
【００３６】工程（２Ａ） まず、基板１上に周囲にゲート電極２を有する電子放出
素子３が配設された電子放出素子アレイ基板４の表面に
スペーサ配線１１を形成する（図１０（ａ））。この形
成は公知のフォトリソグラフィー法を利用して形成する
ことができる。特に、電子放出素子アレイ基板４のゲー
ト配線２と同時に形成することが、製造工程の簡略化の
ために好ましい。この場合、ゲート電極２と後述するス
ペーサ部材９との材質が異なる場合には、スペーサ配線
１１上にスペーサ部材９と同じ材料の薄膜を成膜して密
着性を向上させることが好ましい。
素子３が配設された電子放出素子アレイ基板４の表面に
スペーサ配線１１を形成する（図１０（ａ））。この形
成は公知のフォトリソグラフィー法を利用して形成する
ことができる。特に、電子放出素子アレイ基板４のゲー
ト配線２と同時に形成することが、製造工程の簡略化の
ために好ましい。この場合、ゲート電極２と後述するス
ペーサ部材９との材質が異なる場合には、スペーサ配線
１１上にスペーサ部材９と同じ材料の薄膜を成膜して密
着性を向上させることが好ましい。
【００３７】工程（２Ｂ） 次に、スペーサ配線１１上に、スペーサ部材形成予定部
に開孔部１２Ａを有するレジストパターン層１２を形成
する（図１０（ｂ））。ここで、レジストパターン層１
２としては、従来より凹凸な面に対するパターニングや
サブミクロンでのパターニングに用いられている多層レ
ジスト層を使用することが好ましい。これは、約１００
μｍの高さのレジストパターンに対する単層レジスト層
の解像度が５０μｍ程度であるのに対し、多層レジスト
層の場合には約５μｍの解像度を達成できるからであ
る。
に開孔部１２Ａを有するレジストパターン層１２を形成
する（図１０（ｂ））。ここで、レジストパターン層１
２としては、従来より凹凸な面に対するパターニングや
サブミクロンでのパターニングに用いられている多層レ
ジスト層を使用することが好ましい。これは、約１００
μｍの高さのレジストパターンに対する単層レジスト層
の解像度が５０μｍ程度であるのに対し、多層レジスト
層の場合には約５μｍの解像度を達成できるからであ
る。
【００３８】このような多層レジスト層の一例を以下に
説明する。
説明する。
【００３９】まず、基板側からスペーサ高さ以上の厚み
を有する厚レジスト層（下層）、ＳｉＯ2層（中間層）
及び高解像度レジスト層（上層）を積層し、次に露光し
現像して、スペーサ部材形成予定部の高解像度レジスト
層を除去する。そして、ＣＦ4ガスを用いた異方性の反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は緩衝フッ酸による
ウェットエッチングによりＳｉＯ2層をエッチングす
る。次に、このＳｉＯ2層をエッチングマスクとして利
用し、酸素ガスを用いた異方性のＲＩＥにより厚レジス
ト層を基板に至るまでエッチングする。これにより、ス
ペーサ部材に相当する開孔部が形成できる。
を有する厚レジスト層（下層）、ＳｉＯ2層（中間層）
及び高解像度レジスト層（上層）を積層し、次に露光し
現像して、スペーサ部材形成予定部の高解像度レジスト
層を除去する。そして、ＣＦ4ガスを用いた異方性の反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は緩衝フッ酸による
ウェットエッチングによりＳｉＯ2層をエッチングす
る。次に、このＳｉＯ2層をエッチングマスクとして利
用し、酸素ガスを用いた異方性のＲＩＥにより厚レジス
ト層を基板に至るまでエッチングする。これにより、ス
ペーサ部材に相当する開孔部が形成できる。
【００４０】なお、中間層としてはＳｉＯ2以外のＡｌ
などの金属材料を使用することができる。また、ＲＩＥ
ガスとしてＯ2ガス以外のＳＦ6などのハロゲン系ガスを
使用することができる。
などの金属材料を使用することができる。また、ＲＩＥ
ガスとしてＯ2ガス以外のＳＦ6などのハロゲン系ガスを
使用することができる。
【００４１】工程（２Ｃ） 次に、レジストパターン層１２の開孔部１２Ａ内にスペ
ーサ部材９を形成する（図１０（ｃ））。この場合、ス
ペーサ部材９の形成方法としては、蒸着法により行うこ
とも原理的に可能であるが、スペーサ部材９を高アスペ
クト比でも形成することができ、しかも真空蒸着等に比
べ、必要な部分に必要なだけ形成することのできる電鋳
法により行うことが好ましい。このときスペーサ配線１
１は電鋳用の電極として利用する。また、蒸着法と電鋳
法とを組み合わせてもよい。
ーサ部材９を形成する（図１０（ｃ））。この場合、ス
ペーサ部材９の形成方法としては、蒸着法により行うこ
とも原理的に可能であるが、スペーサ部材９を高アスペ
クト比でも形成することができ、しかも真空蒸着等に比
べ、必要な部分に必要なだけ形成することのできる電鋳
法により行うことが好ましい。このときスペーサ配線１
１は電鋳用の電極として利用する。また、蒸着法と電鋳
法とを組み合わせてもよい。
【００４２】工程（２Ｄ） 次にレジストパターン層１２を常法により除去する（図
１０（ｄ））。
１０（ｄ））。
【００４３】工程（２Ｅ） この後は、基板５上にアノード電極６、更に蛍光体層７
が形成された公知の蛍光基板８と組み合わせ、周囲をシ
ール部材１０でシールすることにより図１０（ｅ）に示
す電界放射型ディスプレイが得られる。
が形成された公知の蛍光基板８と組み合わせ、周囲をシ
ール部材１０でシールすることにより図１０（ｅ）に示
す電界放射型ディスプレイが得られる。
【００４４】なお、スペーサ配線１１が蛍光基板８上に
形成されている図３のディスプレイの製造は、基本的に
図１０（ａ）のＦＥＡ基板４に代えて蛍光基板８を使用
し、同様の操作を行うことにより製造することができ
る。
形成されている図３のディスプレイの製造は、基本的に
図１０（ａ）のＦＥＡ基板４に代えて蛍光基板８を使用
し、同様の操作を行うことにより製造することができ
る。
【００４５】以上の本発明の電界放射型ディスプレイ
は、従来の電界放射型ディスプレイと同様に駆動させる
ことができ、また、同様の用途に使用することができ
る。
は、従来の電界放射型ディスプレイと同様に駆動させる
ことができ、また、同様の用途に使用することができ
る。
【００４６】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００４７】実施例１ 本実施例は、図２に例示する電界放射型ディスプレイの
製造に関するものであり、図１１を参照しながら説明す
る。
製造に関するものであり、図１１を参照しながら説明す
る。
【００４８】まず、ＦＥＡ作製用のガラス基板１０１を
用意した（図１１（ａ））。
用意した（図１１（ａ））。
【００４９】次に、この基板１０１上に、常法によりＮ
ｂゲート配線１０２を形成して電子放出素子１０３を構
成させ、同時にＮｂスペーサ配線１１１を形成し（図１
１（ｂ））、更にＮｂスペーサ配線１１１上に、真空蒸
着法およびリフトオフ法を用いて０．１μｍのＮｉ薄膜
１１１ａを形成した（図１１（ｃ））。
ｂゲート配線１０２を形成して電子放出素子１０３を構
成させ、同時にＮｂスペーサ配線１１１を形成し（図１
１（ｂ））、更にＮｂスペーサ配線１１１上に、真空蒸
着法およびリフトオフ法を用いて０．１μｍのＮｉ薄膜
１１１ａを形成した（図１１（ｃ））。
【００５０】次に、厚さ１５０μｍの厚レジスト層１１
２ａ、０．５μｍのＳｉＯ2層１１２ｂ及び２μｍの高
解像度レジスト層１１２ｃからなる３層レジスト層を形
成した（図１１（ｄ））。
２ａ、０．５μｍのＳｉＯ2層１１２ｂ及び２μｍの高
解像度レジスト層１１２ｃからなる３層レジスト層を形
成した（図１１（ｄ））。
【００５１】この３層レジスト層に対して、露光操作と
現像操作とを行い、更に、緩衝フッ酸を用いたウェット
エッチングによりＳｉＯ2層１１２ｂをエッチングし、
続いてＯ2ガスを用いたＲＩＥによる厚レジスト層１１
２ａの異方性エッチングを行い、スペーサ配線１１１上
の所定の位置に幅１０μｍ、長さ１００μｍの孔１１２
Ａを有する厚さ１５０μｍのレジストパターン１１２を
形成した（図１１（ｅ））。
現像操作とを行い、更に、緩衝フッ酸を用いたウェット
エッチングによりＳｉＯ2層１１２ｂをエッチングし、
続いてＯ2ガスを用いたＲＩＥによる厚レジスト層１１
２ａの異方性エッチングを行い、スペーサ配線１１１上
の所定の位置に幅１０μｍ、長さ１００μｍの孔１１２
Ａを有する厚さ１５０μｍのレジストパターン１１２を
形成した（図１１（ｅ））。
【００５２】続いて、電鋳法により、孔１１２Ａの中に
Ｎｉを１００μｍ堆積させてスペーサ部材１０９を形成
し（図１１（ｆ））、ついで常法によりレジストパター
ン１１２を除去した（図１１（ｇ））。
Ｎｉを１００μｍ堆積させてスペーサ部材１０９を形成
し（図１１（ｆ））、ついで常法によりレジストパター
ン１１２を除去した（図１１（ｇ））。
【００５３】こうして得られたＦＥＡ基板１０４を、ガ
ラス基板１０５上にアノード電極１０６、更にその上に
蛍光体層１０７が形成されている蛍光基板１０８と位置
合わせし、低融点ガラスからなるシール部材１１０を用
いてパネル化することにより図１１（ｈ）の電界放射型
ディスプレイを製造した。
ラス基板１０５上にアノード電極１０６、更にその上に
蛍光体層１０７が形成されている蛍光基板１０８と位置
合わせし、低融点ガラスからなるシール部材１１０を用
いてパネル化することにより図１１（ｈ）の電界放射型
ディスプレイを製造した。
【００５４】この電界放射型ディスプレイの非選択ゲー
ト電極の電位を０Ｖとし、選択ゲート電極に８０Ｖの電
位を印加した。そしてエミッタ電極には目的輝度に応じ
て０〜−４０Ｖの電位を印加した。更に、アノード電極
に４００Ｖの電位を印加することによりカラー表示を行
った。この時、スペーサ部材の電位を０Ｖに設定した場
合、電子の広がりによる画素のぼけが観測されたが、−
４０Ｖに設定することにより、発光を完全に画素内に収
めることができた。
ト電極の電位を０Ｖとし、選択ゲート電極に８０Ｖの電
位を印加した。そしてエミッタ電極には目的輝度に応じ
て０〜−４０Ｖの電位を印加した。更に、アノード電極
に４００Ｖの電位を印加することによりカラー表示を行
った。この時、スペーサ部材の電位を０Ｖに設定した場
合、電子の広がりによる画素のぼけが観測されたが、−
４０Ｖに設定することにより、発光を完全に画素内に収
めることができた。
【００５５】実施例２ 本実施例は、図３に例示する電界放射型ディスプレイの
製造に関するものであり、図１２を参照しながら説明す
る。
製造に関するものであり、図１２を参照しながら説明す
る。
【００５６】まず、蛍光基板作製用にＩＴＯ付きのガラ
ス基板２０５を用意し、フォトリソソグラフ技術及びウ
ェットエッチングによってアノード電極２０６のパター
ンを形成した（図１２（ａ））。
ス基板２０５を用意し、フォトリソソグラフ技術及びウ
ェットエッチングによってアノード電極２０６のパター
ンを形成した（図１２（ａ））。
【００５７】次に、アノード電極２０６の所定の位置に
蛍光体層形成用組成物をパターン印刷し、焼成すること
により蛍光体層２０７を形成した（図１２（ｂ））。
蛍光体層形成用組成物をパターン印刷し、焼成すること
により蛍光体層２０７を形成した（図１２（ｂ））。
【００５８】次に、スペーサ配線に相当する部分に孔を
有するレジストパターンを形成し、Ｃｒを０．０５μ
ｍ、Ｎｉを０．２μｍ真空蒸着により成膜し、リフトオ
フにてスペーサ配線２１１を形成した（図１２
（ｃ））。
有するレジストパターンを形成し、Ｃｒを０．０５μ
ｍ、Ｎｉを０．２μｍ真空蒸着により成膜し、リフトオ
フにてスペーサ配線２１１を形成した（図１２
（ｃ））。
【００５９】次に、厚さ１２０μｍのメッキ用厚レジス
ト層２１２ａを形成した（図１２（ｄ））。
ト層２１２ａを形成した（図１２（ｄ））。
【００６０】メッキ用厚レジスト層２１２ａに対して露
光操作と現像操作とを行い、スペーサ配線２１１上の所
定の位置に幅５０μｍ、長さ５００μｍの孔２１２Ａを
有する厚さ１２０μｍのレジストパターン２１２を形成
した（図１２（ｅ））。
光操作と現像操作とを行い、スペーサ配線２１１上の所
定の位置に幅５０μｍ、長さ５００μｍの孔２１２Ａを
有する厚さ１２０μｍのレジストパターン２１２を形成
した（図１２（ｅ））。
【００６１】続いて、電鋳法により、孔２１２Ａの中に
Ｎｉを１００μｍ堆積させてスペーサ部材２０９を形成
し（図１２（ｆ））、ついで常法によりレジストパター
ン２１２を除去した（図１２（ｇ））。
Ｎｉを１００μｍ堆積させてスペーサ部材２０９を形成
し（図１２（ｆ））、ついで常法によりレジストパター
ン２１２を除去した（図１２（ｇ））。
【００６２】こうして作製した蛍光基板２０８を、ＦＥ
Ａ基板２０１上に周囲にゲート電極２０２を有する電子
放出素子２０３が設けられたＦＥＡ基板２０４と位置合
わせし、低融点ガラスからなるシール部材２１０を用い
てパネル化することにより図１２（ｈ）の電界放射型デ
ィスプレイを製造した。
Ａ基板２０１上に周囲にゲート電極２０２を有する電子
放出素子２０３が設けられたＦＥＡ基板２０４と位置合
わせし、低融点ガラスからなるシール部材２１０を用い
てパネル化することにより図１２（ｈ）の電界放射型デ
ィスプレイを製造した。
【００６３】なお、蛍光体塗布とスペーサ形成の順序に
ついてはどちらが先でもよいが、蛍光体塗布法として印
刷法を用いる場合には蛍光体塗布を先に行う必要があ
る。蛍光体塗布法として電着法を用いる場合にはいずれ
も可能である。
ついてはどちらが先でもよいが、蛍光体塗布法として印
刷法を用いる場合には蛍光体塗布を先に行う必要があ
る。蛍光体塗布法として電着法を用いる場合にはいずれ
も可能である。
【００６４】この電界放射型ディスプレイの非選択ゲー
ト電極の電位を０Ｖ、選択ゲート電極に８０Ｖの電位を
印加した。そしてエミッタ電極には目的輝度に応じて０
〜−４０Ｖの電位を印加した。更に、アノード電極に４
００Ｖの電位を印加することによりカラー表示を行っ
た。この時、スペーサ部材の電位を０Ｖに設定した場
合、輝度を大きくした時にスペーサ配線で電流が観測さ
れたが、−４０Ｖを印加することにより電流を０にでき
た。
ト電極の電位を０Ｖ、選択ゲート電極に８０Ｖの電位を
印加した。そしてエミッタ電極には目的輝度に応じて０
〜−４０Ｖの電位を印加した。更に、アノード電極に４
００Ｖの電位を印加することによりカラー表示を行っ
た。この時、スペーサ部材の電位を０Ｖに設定した場
合、輝度を大きくした時にスペーサ配線で電流が観測さ
れたが、−４０Ｖを印加することにより電流を０にでき
た。
【００６５】
【発明の効果】本発明の電界放射型ディスプレイによれ
ば、スペーサ部材には電子が照射されにくく、しかもス
ペーサ部材に電子が入射した場合でもチャージアップし
にくいものとなっている。また、スペーサ部材をスペー
サ配線上に設けることにより、スペーサ部材に所定の電
位を与えることができる。
ば、スペーサ部材には電子が照射されにくく、しかもス
ペーサ部材に電子が入射した場合でもチャージアップし
にくいものとなっている。また、スペーサ部材をスペー
サ配線上に設けることにより、スペーサ部材に所定の電
位を与えることができる。
【００６６】また、本発明の電界放射型ディスプレイの
製造方法によれば、高アスペクト比のスペーサ部材を形
成できる。
製造方法によれば、高アスペクト比のスペーサ部材を形
成できる。
【図１】本発明の電界放射型ディスプレイの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の電界放射型ディスプレイの断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の電界放射型ディスプレイの断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の電界放射型ディスプレイにおけるスペ
ーサ部材の形成位置の説明図である。
ーサ部材の形成位置の説明図である。
【図５】本発明の電界放射型ディスプレイにおけるスペ
ーサ部材の形成位置の説明図である。
ーサ部材の形成位置の説明図である。
【図６】本発明の電界放射型ディスプレイにおけるスペ
ーサ部材の形成位置の説明図である。
ーサ部材の形成位置の説明図である。
【図７】本発明の電界放射型ディスプレイにおけるスペ
ーサ部材の形成位置の説明図である。
ーサ部材の形成位置の説明図である。
【図８】本発明の電界放射型ディスプレイにおけるスペ
ーサ部材の形成位置の説明図である。
ーサ部材の形成位置の説明図である。
【図９】図１に示した電界放射型ディスプレイの製造工
程説明図である。
程説明図である。
【図１０】図２に示した電界放射型ディスプレイの製造
工程説明図である。
工程説明図である。
【図１１】実施例１の電界放射型ディスプレイの製造工
程説明図である。
程説明図である。
【図１２】実施例２の電界放射型ディスプレイの製造工
程説明図である。
程説明図である。
【図１３】鈍角エミッタを備えた電子放出素子の上面図
（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。
（同図（ａ））及び断面図（同図（ｂ））である。
１ ＦＥＡ用基板 ２ ゲート電極 ３ 電子放出素子 ４ ＦＥＡ基板 ５ 透明基板 ６ アノード電極 ７ 蛍光体層 ８ 蛍光基板 ９ スペーサ部材 １０ シール部材 １１ スペーサ配線 １２ レジストパターン層
Claims (11)
- 【請求項１】 電界放射型の電子放出素子がアレイ状に
配された電子放出素子アレイ基板と、電子放出素子が発
した電子が入射することにより蛍光を発する蛍光基板と
が、互いに接触しないようにするためのスペーサ部材を
介して対向するように設けられている電界放射型ディス
プレイにおいて、スペーサ部材が導電性であり且つ電子
放出素子のゲート電極及び蛍光基板のアノード電極に接
触しない位置に設けられていることを特徴とする電界放
射型ディスプレイ。 - 【請求項２】 スペーサ部材が柱様形状又は壁様形状を
有する請求項１記載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項３】 スペーサ部材の材料が金属である請求項
１又は２記載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項４】 金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ又はこれらの合金か
ら選ばれる請求項３記載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項５】 スペーサ部材の高さが２０μｍ〜５００
μｍであり、幅が５μｍ〜１００μｍである請求項１〜
４のいずれかに記載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項６】 電子放出素子アレイ基板又は蛍光基板の
対向面上に、スペーサ部材に電圧を印加するためのスペ
ーサ配線が設けられており、そのスペーサ配線上にスペ
ーサ部材が設けられている請求項１〜５のいずれかに記
載の電界放射型ディスプレイ。 - 【請求項７】 請求項６記載の電界放射型ディスプレイ
の製造方法において： （Ａ）電子放出素子アレイ基板又は蛍光基板のいずれか
の表面にスペーサ配線を形成する工程； （Ｂ）スペーサ部材形成予定部に開孔部を有するレジス
トパターン層をスペーサ配線上に形成する工程； （Ｃ）そのレジストパターン層の開孔部内にスペーサ部
材を形成する工程；及び （Ｄ）レジストパターン層を除去する工程を含むことを
特徴とする電界放射型ディスプレイの製造方法。 - 【請求項８】 工程（Ａ）のスペーサ配線を形成する際
に、電子放出素子アレイ基板のゲート配線を同時に形成
する請求項７記載の製造方法。 - 【請求項９】 工程（Ｂ）におけるレジストパターン層
の形成を多層レジスト法により行う請求項７又は８記載
の製造方法。 - 【請求項１０】 工程（Ｃ）のスペーサ部材の形成を電
鋳法により行う請求項７〜９のいずれかに記載の製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項６に記載の電界放射型ディスプ
レイの駆動方法において、スペーサ部材に電位を付与す
ることを特徴とする駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22262095A JPH0973869A (ja) | 1995-07-04 | 1995-08-07 | 電界放射型ディスプレイ、その製造方法及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-192481 | 1995-07-04 | ||
| JP19248195 | 1995-07-04 | ||
| JP22262095A JPH0973869A (ja) | 1995-07-04 | 1995-08-07 | 電界放射型ディスプレイ、その製造方法及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973869A true JPH0973869A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=26507341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22262095A Pending JPH0973869A (ja) | 1995-07-04 | 1995-08-07 | 電界放射型ディスプレイ、その製造方法及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973869A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001232599A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-28 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 立体構造体 |
| EP1172836A1 (en) * | 2000-07-14 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Front plate for field-emission display |
| US6472803B1 (en) * | 1998-08-10 | 2002-10-29 | Pioneer Corporation | Electron emission light-emitting device and display apparatus using the same |
| KR100434557B1 (ko) * | 1997-12-05 | 2004-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계효과 표시소자 및 그 스페이서 제조방법 |
| KR100903615B1 (ko) * | 2006-11-02 | 2009-06-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 디스플레이용 스페이서 및 전자 방출 디스플레이 |
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