JP2006128689A - 化学的機械的平坦化用の水性スラリー組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】1)金属酸化物研磨剤0.5〜10重量%、2)重量平均分子量100万〜300万の第1ポリアクリル酸又はその誘導体と、重量平均分子量200万〜800万の第2ポリアクリル酸又はその誘導体との組合せ0.01〜5重量%、この際、前記第1ポリアクリル酸又はその誘導体の重量平均分子量が前記第2ポリアクリル酸又はその誘導体の重量平均分子量より50万以上小さく、3)塩基性中和剤0.1〜2重量%を含み、この際、第1及び第2ポリアクリル酸又はその誘導体は前記研磨剤と相互作用して100〜5,000nmサイズの錯体を形成する、化学的機械的平坦化(CMP)用の水性スラリー組成物。
【選択図】 図4A
Description
約40nmの平均粒子サイズを有するシリカ粒子を8%含有する水性スラリーに、重量平均分子量400万の「カルボポール940」及び重量平均分子量125万の「カルボポール941」(ノベオン(Noveon社製))、及び水酸化アンモニウムを、前記シリカ、カルボポール940、カルボポール941及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ7.5、4.5、0.5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してシリカ水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するアルミナ粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量400万の「カルボポール940」及び重量平均分子量125万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記シリカ、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.5、4.5、0.5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してアルミナ水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量400万の「カルボポール940」及び重量平均分子量125万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.2、4.5、0.5、及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を1%含有する水性スラリーに、重量平均分子量400万の「カルボポール940」及び重量平均分子量125万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ0.9、0.9、0.1及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量400万の「カルボポール940」及び重量平均分子量125万の「カルボポール941」、水酸化カリウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化カリウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.2、4.5、0.5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量200万の「カルボポール940」及び重量平均分子量150万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.3、0.9、0.1及び2重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を1%含有する水性スラリーに、重量平均分子量300万の「カルボポール940」及び重量平均分子量200万の「カルボポール941」、水酸化カリウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化カリウムの量が混合物総量に対してそれぞれ0.9、0.9、0.1及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量300万の「カルボポール940」及び重量平均分子量200万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.7、0.9、0.1及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量300万の「カルボポール940」及び重量平均分子量200万の「カルボポール941」、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.5、3.6、0.4及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を10%含有する水性スラリーに、重量平均分子量300万の「カルボポール940」及び重量平均分子量200万の「カルボポール941」、水酸化カリウム及び蒸留水を、前記セリア、カルボポール940、カルボポール941、及び水酸化カリウムの量が混合物総量に対してそれぞれ8.7、4.5、0.5及び2重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するシリカ粒子を10%含有する水性スラリーに、重量平均分子量1万の「ポリアクリル酸」(ノベオン社製)、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記シリカ、ポリアクリル酸及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ8.9、5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してシリカ水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量1万の「ポリアクリル酸」(ノベオン社製)、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、ポリアクリル酸及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.5、5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
約40nmの平均粒子サイズを有するセリア粒子を5%含有する水性スラリーに、重量平均分子量100万の「ポリアクリル酸」(ノベオン社製)、水酸化アンモニウム及び蒸留水を、前記セリア、ポリアクリル酸及び水酸化アンモニウムの量が混合物総量に対してそれぞれ4.5、5及び1重量%になるように攪拌しながら添加した。安定化のために混合物を30分間さらに攪拌してセリア水性スラリー組成物を製造した。
二酸化ケイ素絶縁膜を2ミクロンの厚さにPE−TEOS(プラズマエンハンスト・テトラエチルオルトシリケート)法に従って1ミクロンの厚さパターンを有するシリコーンウエハ上に形成して平坦化用膜を得た。
5…研磨剤−高分子錯体、
SHi…CMP前の段差、SHf…従来のスラリー組成物を用いたCMP後の段差、
SHf’…本発明のスラリー組成物を用いたCMP後の段差。
Claims (14)
- 1)金属酸化物研磨剤0.5〜10重量%、
2)重量平均分子量100万〜300万の第1ポリアクリル酸又はその誘導体と、重量平均分子量200万〜800万の第2ポリアクリル酸又はその誘導体との組合せ0.01〜5重量%、この際、前記第1ポリアクリル酸又はその誘導体の重量平均分子量が前記第2ポリアクリル酸又はその誘導体の重量平均分子量より50万以上小さく、
3)塩基性中和剤0.1〜2重量%を含み、
この際、第1及び第2ポリアクリル酸又はその誘導体は前記研磨剤と相互作用して100〜5,000nmサイズの錯体を形成する、
化学的機械的平坦化(CMP)用の水性スラリー組成物。 - 前記金属酸化物研磨剤が、シリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、セリア(CeO2)、ジルコニア(ZrO2)、チタニア(TiO2)、マグネシア(MgO2)、酸化第2鉄(Fe3O4)、ハフニア(HfO2)及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 前記第1又は第2ポリアクリル酸誘導体が、アミン系、ニトリル系、アミド系、スルホネート系誘導体及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 前記第1及び第2ポリアクリル酸又はその誘導体の重量比が1:5〜10の範囲であることを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 前記塩基性中和剤が水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 前記pHが4〜9の範囲であることを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 前記錯体が200〜1,000nmのサイズを有することを特徴とする請求項1記載の組成物。
- 多層構造の半導体素子の製造工程中に形成された段差を有する層の化学的機械的平坦化(CMP)方法であって、研磨剤とポリアクリル酸又はその誘導体の錯体を含有する請求項1記載の水性スラリー組成物を、前記層と回転研磨手段の間に形成された界面に供給し、前記層を研磨して前記層の段差を除去することを含む方法。
- 前記研磨が1〜10psiの圧力及び10〜100rpmの研磨手段の回転速度で行われることを特徴とする請求項8記載の方法。
- STI(shallow trench isolation)、ILD(inter-layer dielectric)、IMD(inter-metal dielectric)又は金属CMPのために行われることを特徴とする請求項8記載の方法。
- 研磨される層がパターン部を有するウエハ上に蒸着された絶縁膜であり、前記絶縁膜がパターン部の厚さの4倍以下の厚さを有することを特徴とする請求項8記載の方法。
- 研磨する間、研磨剤とポリアクリル酸又はその誘導体との錯体が、段差が高い地域では平らな形態を取り、段差が低い地域では球形に近い本来の形態を維持することを特徴とする請求項8記載の方法。
- 請求項8記載の方法によって得られた半導体素子の層。
- 0.92以上の平坦度を有することを特徴とする請求項13記載の層。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101945221B1 (ko) | 2011-08-15 | 2019-02-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 구리의 화학 기계적 연마 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009158810A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
US9358659B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-06-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing glass |
CN104723208A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械抛光的方法 |
CN113004800B (zh) * | 2019-12-20 | 2024-04-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285967A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの化学的機械的研磨装置およびそれを用いてウエハを研磨する方法 |
WO2001017006A1 (fr) * | 1999-08-26 | 2001-03-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compose de polissage chimiomecanique et procede de polissage |
JP2004506337A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 金属基板の化学機械平坦化 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100797218B1 (ko) | 1998-12-25 | 2008-01-23 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
TWI267549B (en) * | 1999-03-18 | 2006-12-01 | Toshiba Corp | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded wiring |
JP4832690B2 (ja) | 1999-08-24 | 2011-12-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | 絶縁体及び金属のcmp用組成物及びそれに関する方法 |
KR100378180B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
JP3768401B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Necエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
US6568997B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-05-27 | Rodel Holdings, Inc. | CMP polishing composition for semiconductor devices containing organic polymer particles |
KR20020083264A (ko) * | 2001-04-26 | 2002-11-02 | 삼성전자 주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리와 그 제조방법 |
KR100475457B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 슬러리용 첨가제 조성물, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및연마 방법 |
KR100445757B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-08-25 | 제일모직주식회사 | 금속배선 연마용 슬러리 조성물 |
KR100640583B1 (ko) * | 2004-08-16 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법과 cmp용 슬러리조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법 |
-
2005
- 2005-10-25 KR KR1020050100748A patent/KR100645957B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-26 US US11/259,013 patent/US20060086056A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-26 JP JP2005311843A patent/JP2006128689A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285967A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハの化学的機械的研磨装置およびそれを用いてウエハを研磨する方法 |
WO2001017006A1 (fr) * | 1999-08-26 | 2001-03-08 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Compose de polissage chimiomecanique et procede de polissage |
JP2004506337A (ja) * | 2000-08-11 | 2004-02-26 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 金属基板の化学機械平坦化 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101945221B1 (ko) | 2011-08-15 | 2019-02-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 구리의 화학 기계적 연마 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060049343A (ko) | 2006-05-18 |
KR100645957B1 (ko) | 2006-11-14 |
US20060086056A1 (en) | 2006-04-27 |
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