JP2006120957A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 キャパシタセルが形成された絶縁性基板51上にドープドポリシリコン層57とドープドアモルファスシリコン膜58を形成する(図1(A)〜(D))。その後、HSG化処理によりシリコン原子をマイグレーションさせて表面にHSG粒58aを形成する(図1(E))。この時ポストアニール時間を長くすることにより過度に成長させたHSG粒58aを形成する。次に、自然酸化膜やアッシング酸化膜を除去後、アンモニア過酸化水素水などでHSG粒の粒間隔をウェットエッチングし、所定の粒間隔を有する下部電極を形成する(図1(F)〜(G))。
【選択図】 図1
Description
まず、半導体基板40上に、拡散層へと続くシリコンプラグ41が形成された絶縁膜を形成した後、シリコン窒化膜42及びシリコン酸化膜43を堆積させる(図7(A))。
次に、下部電極に相当するドープドポリシリコン層45をキャパシタ上に20nmの膜厚で形成する。さらに、アモルファスシリコンを堆積させてアモルファスシリコン膜46を20nm程度の膜厚で形成する(図7(C))。この後、スタックセル44内部をフォトレジストで埋め、ドープドポリシリコン層45及びアモルファスシリコン膜46に対してドライエッチングを行うことによって、スタックセル44内部以外のドープドポリシリコン層45とアモルファスシリコン46とを除去する(図7(D))。
次に、下部電極上にHSG膜を形成した後、HSG膜に導電性を持たすために、例えばPH3を用いHSG膜にリンを熱拡散させる。
また、粒間隔は、容量絶縁膜の膜厚の2倍より大きいことが好ましい。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1(A)〜(G)は、HSG粒による凹凸形状の下部電極を有する容量素子を備えた半導体装置のキャパシタ製造工程を示す断面図である。なお、図2(A)〜(F)は、図1(G)に示す領域50に相当する箇所を拡大したものである。
(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。第2の実施形態が第1の実施形態と異なるのは、図1(D)において、ドープドポリシリコン層57上にノンドープドアモルファスシリコン膜58を成膜することに代えて、1.0×1020原子/cm3以上のリン濃度を持つアモルファスシリコンを25nmの膜厚で成膜する点である。
230 HSG領域
231 非HSG領域
232 粒同士が結合しなかったHSG領域
232a ウェットエッチング後の粒同士が結合しなかったHSG領域
24 HSG粒間隔
240 HSG粒間隔
250 タンタルオキサイド膜がつながった状態
260 チタンナイトライドの針状部分
31 HSG粒中に含まれるリン
32 HSG粒が結合した部分
33 エッチング領域
40 半導体基板
41 ポリシリコンプラグ
42 シリコンナイトライド膜
43 シリコン酸化膜
44 ホール
45 ドープドポリシリコン膜
46 アモルファスシリコン膜
46b HSG粒
47 タンタルオキサイド膜
48 チタンナイトライド膜
50 キャパシタセル表面部分
51 絶縁性基板
52 シリコン酸化膜
53 プラグ用ホール
530 リンドープポリシリコンプラグ
54 シリコンナイトライド膜
55 シリコン酸化膜
56 スタックセル
57 ドープドポリシリコン層
58 アモルファスシリコン膜
58a HSG粒
59 タンタルオキサイド膜
60 チタンナイトライド膜
61 HSG粒成長時の粒間隔分布
62 HSG粒を過度に成長させた場合の粒間隔分布
63 HSG粒を過度に成長させた後エッチングした粒間隔分布
71 ポストアニール時間に対する従来法の有効表面積
72 ポストアニール時間に対する本発明の有効表面積
81 従来のキャパシタセル容量
810 従来のキャパシタセルリーク電流
82 本発明のキャパシタセル容量
820 本発明のキャパシタリーク電流
Claims (6)
- 凹凸形状の下部電極を有する容量素子を備えた半導体装置の製造方法であって、
基板に達するホールを備えた絶縁膜上にドープドポリシリコン膜とHSG(Hemi Spherical Grain)シード層となるアモルファスシリコン膜とを形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜を変形して前記ドープドポリシリコン膜上にシリコン結晶粒を形成するHSG化処理工程と、
前記シリコン結晶粒をウェットエッチングすることにより、該シリコン結晶粒の粒間隔を拡げる工程とを含み、
前記HSG化処理工程において、前記シリコン結晶粒の断面投影が前記アモルファスシリコン膜厚の2倍以上の高さを持ち、且つ、前記シリコン結晶粒の平面投影がアメーバ形状となるまでポストアニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記HSG化処理工程前に、前記アモルファスシリコン膜を洗浄することにより、該アモルファスシリコン膜上の不純物と酸化膜を除去する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポストアニールの時間は5分以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記粒間隔は、容量絶縁膜の膜厚の2倍より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記アモルファスシリコン膜は、1.0×1020原子/cm3以上のリンを含むドープドアモルファスシリコン膜であり、
前記ウェットエッチングにおいて、前記シリコン結晶粒同士が結合した部分のエッチング速度が速くなり、エッチングが異方的に進むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 凹凸形状の下部電極を有する容量素子を備えた半導体装置の製造装置であって、
基板上のホールを開口した絶縁膜上にドープドポリシリコン膜とHSGシード層となるアモルファスシリコン膜とを形成する手段と、
前記アモルファスシリコン膜を変形して前記ドープドポリシリコン膜上にシリコン結晶粒を形成するHSG化処理手段と、
前記シリコン結晶粒をウェットエッチングすることにより、該シリコン結晶粒の粒間隔を拡げる手段とを備え、
前記HSG化処理手段は、前記シリコン結晶粒の断面投影が前記アモルファスシリコン膜厚の2倍以上の高さを持ち、且つ、前記シリコン結晶粒の平面投影がアメーバ形状となるまでポストアニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造装置。
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JP2004308797A JP2006120957A (ja) | 2004-10-22 | 2004-10-22 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003078028A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-10-22 JP JP2004308797A patent/JP2006120957A/ja not_active Ceased
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