JP2006120800A - Cmos固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 CMOS固体撮像素子における色分離性の向上を図る。
【解決手段】 半導体基体34にフォトダイオードPDとトランジスタTr1 ,Tr2 からなる画素35{35R,35G,35B〕が複数配列され、半導体基体34上に多層配線層45、カラーフィルタ48及びオンチップマイクロレンズ49が順次積層され、各色の画素35R〜35BのフォトダイオードPD上に対応する位置で且つ半導体基体34とオンチップマイクロレンズ49との間に、色分離を増長するための光透過率依存性の多重干渉膜51〔52、53〕が設けられて成る
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基体34にフォトダイオードPDとトランジスタTr1 ,Tr2 からなる画素35{35R,35G,35B〕が複数配列され、半導体基体34上に多層配線層45、カラーフィルタ48及びオンチップマイクロレンズ49が順次積層され、各色の画素35R〜35BのフォトダイオードPD上に対応する位置で且つ半導体基体34とオンチップマイクロレンズ49との間に、色分離を増長するための光透過率依存性の多重干渉膜51〔52、53〕が設けられて成る
【選択図】 図1
Description
本発明は、CMOS固体撮像素子に関し、特に微細画素を備えたCMOS固体撮像素子の色分離性に関する。
固体撮像素子として、CMOS固体撮像素子が知られている。このCMOS固体撮像素子は、フォトダイオードと複数のMOSトランジスタにより単位画素を形成し、複数の単位画素を所要のパターンに配列して構成される。このフォトダイオードは、受光量に応じた信号電荷を生成し蓄積する光電変換素子であり、複数のMOSトランジスタはフォトダイオードからの信号を読み出すための素子である。
図7に、従来のCMOS固体撮像素子の例を示す。図7は画素領域における画素の要部の概略断面構造を示している。このCMOS固体撮像素子1は、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板2に第2導電型であるp型の半導体ウェル領域4を有する半導体基体21の表面側に各画素を区画するための画素分離領域3が形成され、各区画領域に1つのフォトダイオードPDと複数のMOSトランジスタ、例えば電荷読み出しトランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び垂直選択トランジスタの4つのMOSトランジスタが形成されて単位画素5が構成される。そして、この画素5が多数個2次元マトリクス状に配列される。
図6では、赤(R)、緑(G)及び青(B)に対応した画素5R,5G,5Bを示している。フォトダイオードPDは、p型半導体基板2の表面側に形成したn型半導体領域、すなわちn型電荷蓄積領域6とその表面絶縁膜との界面に形成したp+アキューミュレーション層7を有して形成される。このフォトダイオードPDに隣接して、n型電荷蓄積領域6とフローティングディフュージョン(FD)となるn型ソース・ドレイン領域8とゲート絶縁膜9と転送ゲート電極10とからなる電荷読み出しトランジスタTr1が形成される。また画素内にその他のゲート電極11を有するMOSトランジスタTr2が形成される。
半導体基体21の表面上には、層間絶縁膜12、13を介して多層配線14を配置した多層配線層15が形成される。多層配線14及びMOSトランジスタの相互間は導電プラグ16により接続される。多層配線層15上にはパシベーション膜17を介してカラーフィルタ18及びオンチップレンズ19が形成される。
このCMOS固体撮像素子1は、半導体基体21の表面側からオンチップレンズ19を通して光を入射し、フォトダイオードPDにおいて光電変換して受光量に応じた信号電荷を蓄積するようになされる。
このような表面照射型のCMOS固体撮像素子は、特許文献1の図5においても開示されている。
特開平11−122532号公報
上述した図7に示すCMOS固体撮像素子では、カラーフィルタ18のみで各画素5R,5G,5Bに入射する光波長領域を制限してその画素の色情報を取得している。すなわち各画素の色分離をカラーフィルタ18のみで行っている。しかし、カラーフィルタ18のみの色分離では、波長帯域のカット特性が良くないため、例えば、青の画素に少なからず緑の感度情報も混在する領域がある。図8はカラーフィルタ18の分光特性を示すものである。この図8から分かるように、分光特性のすそ引きが長く、青の画素では緑波長領域の帯域を含んでいる。
一方、画素セルの微細化に伴い、多層配線14としてダマシン(Damacene)法にて線幅が90nm程度の銅(Cu)配線を形成したCMOS固体撮像素子21(図6参照)の開発が行われている。多層配線14としてこのような銅配線を用いるときは、図6に示すように、銅拡散を防止するために、各銅の配線29を上下で挟むように例えばシリコン酸化(SiO2)膜による各層間絶縁膜13間に、例えばSiC膜やSiN膜による拡散防止膜29が形成される。
このCMOS固体撮像素子21では、絶縁膜13の層間に光にとって干渉膜となるSiC膜やSiN膜のような拡散防止膜29が形成されるために、入射光が各層間で多重反射して干渉を起こし、光透過率の波長依存性に変化をもたらす。
本発明は、上述の点に鑑み、各色波長帯域の光透過率の均一化を図り、色分離性を向上したCMOS固体撮像素子を提供するものである。
本発明に係るCMOS固体撮像素子は、半導体基体にフォトダイオードとトランジスタからなる画素が複数配列され、半導体基体上に多層配線層、カラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズが順次積層され、各色の画素のフォトダイオード上に対応する位置で且つ半導体基体とオンチップマイクロレンズとの間に、色分離を増長するための光透過率依存性の多重干渉膜が設けられて成ることを特徴とする。
多重干渉膜の膜構成及び膜厚は、各色光に対応して設定される。
多重干渉膜としては、SiC膜、SiN膜、SiON膜、SiO2膜から選ばれた積層膜で形成することができる。
多重干渉膜としては、SiC膜、SiN膜、SiON膜、SiO2膜から選ばれた積層膜で形成することができる。
本発明に係るCMOS固体撮像素子によれば、各色の画素のフォトダイオード上に対応する位置で且つ半導体基体とオンチップマイクロレンズとの間に、色分離を増長するための光透過率依存性の多重干渉膜を設けることにより、カラーフィルタとの組み合わせで従来の分光特性より色分離性が向上した分光特性を実現することができる。従って、高S/N比のCMOS固体撮像素子を実現でき、色再現性を向上することができる。
各色の画素に対応して多重干渉膜の膜構成(膜材料、膜層数)及び膜厚を設定することにより、各色の画素に対して所望の波長帯域の光のみを入射することができる。
多重干渉膜を、SiC膜、SiN膜、SiON膜、SiO2膜から選ばれた積層膜で形成することにより、所望の光透過率波長依存性を作り出すことができる。
多重干渉膜を、SiC膜、SiN膜、SiON膜、SiO2膜から選ばれた積層膜で形成することにより、所望の光透過率波長依存性を作り出すことができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1に、本発明に係るCMOS固体撮像素子の一実施の形態を示す。本実施の形態は、配線の線幅を90nm程度にした微細画素を有するCMOS固体撮像素子に適用した場合である。図1は画素領域における画素の要部の概略断面構造を示している。
本実施の形態に係るCMOS固体撮像素子30は、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板31に第2導電型であるp型の半導体ウェル領域32を形成してなる半導体基体34の表面側に各画素を区画するための画素分離領域33が形成され、各区画領域に1つのフォトダイオードPDと複数のMOSトランジスタ、例えば電荷読み出しトランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び垂直選択トランジスタの4つのMOSトランジスタが形成されて単位画素35〔35R,35G,35B〕が構成される。そして、この画素35が多数個2次元マトリクス状に配列される。
本実施の形態に係るCMOS固体撮像素子30は、第1導電型、例えばn型のシリコン半導体基板31に第2導電型であるp型の半導体ウェル領域32を形成してなる半導体基体34の表面側に各画素を区画するための画素分離領域33が形成され、各区画領域に1つのフォトダイオードPDと複数のMOSトランジスタ、例えば電荷読み出しトランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び垂直選択トランジスタの4つのMOSトランジスタが形成されて単位画素35〔35R,35G,35B〕が構成される。そして、この画素35が多数個2次元マトリクス状に配列される。
図1では、赤(R)、緑(G)及び青(B)に対応した画素35R,35G,35Bを示している。フォトダイオードPDは、p型半導体ウェル領域32の表面側に形成したn型半導体領域、すなわちn型電荷蓄積領域36とその表面絶縁膜との界面に形成したp+アキューミュレーション層37を有して形成される。このフォトダイオードPDに隣接して、n型電荷蓄積領域36とフローティングディフュージョン(FD)となるn型ソース・ドレイン領域38とゲート絶縁膜39と転送ゲート電極40とからなる電荷読み出しトランジスタTr1が形成される。また画素内にその他のゲート電極41を有するMOSトランジスタTr2が形成される。
半導体基体34の表面上には、層間絶縁膜42、43を介して多層配線44を配置した多層配線層45が形成される。多層配線44及びMOSトランジスタの相互間は導電プラグ46により接続される。多層配線44、導体プラグ46は、ダマシン法によりCu膜で形成される。多層配線層45上にはパシベーション膜47を介して例えば赤(R),緑(G),青(B)の原色カラーフィルタ48及びオンチップレンズ49が形成される。
そして、本実施の形態においては、各色画素35R,35G,35Bの半導体基体34とオンチップマイクロレンズ49との間、本例ではフォトダイオードPDとカラーフィルタ48との間の層間に、画素へ入射する色の波長帯域光の光透過率が高くなるような波長依存性を有する多重干渉膜51〔51R,51G,51B〕となる所要の多層膜が形成される。本例ではフォトダイオードPDに近い層間に第1の多重干渉膜5252〔52R,52G,52B〕を形成し、パシベーション膜47に近い層間に第2の多重干渉膜53〔53R,53G,53B〕を形成して構成される。この第1及び第2の多重干渉膜52及び53は、赤(R),緑(G),青(B)の画素35R,35G,35Bに対応して夫々最適な屈折率及び膜厚の多層膜で形成される。
例えば、赤(R)の画素35Rでは、第1の多重干渉膜52Rが膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.9のSiC膜54Rと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率2.0のSiN膜55Rと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.65のSiON膜56Rと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.45のSiO2膜57Rとの4層膜で形成され、第2の多重干渉膜53Rが膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.9のSiC膜61Rと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率2.0のSiN膜62Rと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.65のSiON膜63Rとの3層膜で形成される。
緑(G)の画素35Gでは、第1の多重干渉膜52Gが膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.9のSiC膜54Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率2.0のSiN膜55Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.65のSiON膜56Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.45のSiO2膜57Gとの4層膜で形成され、第2の多重干渉膜53Gが膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.9のSiC膜61Gと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率2.0のSiN膜62Gと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.65のSiON膜63Gとの3層膜で形成される。
青(B)の画素35Bでは、第1の多重干渉膜52Bが膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.9のSiC膜54Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率2.0のSiN膜55Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折1.65のSiON膜56Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.45のSiO2膜57Bとの4層膜で形成され、第2の多重干渉膜53Bが膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.9のSiC膜61Bと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率2.0のSiN膜62Bと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.65のSiON膜63Bとの3層膜で形成される。
各赤の画素、緑の画素、青の画素に応じて、それぞれの多重干渉膜51[51R,51G,51B]の各膜厚を上記の範囲内で最適化して赤、緑、青専用の多重干渉膜を作成する。
緑(G)の画素35Gでは、第1の多重干渉膜52Gが膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.9のSiC膜54Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率2.0のSiN膜55Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.65のSiON膜56Gと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.45のSiO2膜57Gとの4層膜で形成され、第2の多重干渉膜53Gが膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.9のSiC膜61Gと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率2.0のSiN膜62Gと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.65のSiON膜63Gとの3層膜で形成される。
青(B)の画素35Bでは、第1の多重干渉膜52Bが膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.9のSiC膜54Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率2.0のSiN膜55Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折1.65のSiON膜56Bと、膜厚0から1.53μm範囲、屈折率1.45のSiO2膜57Bとの4層膜で形成され、第2の多重干渉膜53Bが膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.9のSiC膜61Bと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率2.0のSiN膜62Bと、膜厚0から0.5μm範囲、屈折率1.65のSiON膜63Bとの3層膜で形成される。
各赤の画素、緑の画素、青の画素に応じて、それぞれの多重干渉膜51[51R,51G,51B]の各膜厚を上記の範囲内で最適化して赤、緑、青専用の多重干渉膜を作成する。
本実施の形態に係る所望の光透過率波長依存性を有する多重干渉膜51〔52、53〕は、90nmCMOSプロセスにおける既存の干渉膜の屈折率、膜厚を制御し、また新たに干渉膜を追加することにより作り出すことができる。
一方、多重干渉膜52、53が形成されない多層配線44では、各配線44を上下で挟むように例えばSiC膜やSiN膜等によるCu拡散防止膜59が形成される。
本実施の形態に係るCMOS固体撮像素子31によれば、カラーフィルタ48と多重干渉効果を有する多重干渉膜51〔52、53〕との組み合わせにより、色分離性を向上することができる。図2は本実施の形態の分光特性のシミュレーションを示す。各分光曲線61R,61G,61Bは、重なる領域が少なく、色分離性に優れていることが認められる。即ち、各画素において他色情報が混在しない。また、図3は、各膜の膜厚を最適化して赤色光を透過させるように形成した多重干渉膜51Rのみの光透過率波長依存性を示すグラフである。図4は、各膜の膜厚を最適化して緑色光を透過させるように形成した多重干渉膜51GRのみの光透過率波長依存性を示すグラフである。図5は、各膜の膜厚を最適化して青色光を透過させるように形成した多重干渉膜51Bのみの光透過率波長依存性を示すグラフである。この各色に対応した多重干渉膜とカラーフィルタとを組み合わせたときの分光特性が図2である。
上述の実施の形態では、多重干渉膜として第1及び第2の多重干渉膜で形成したが、その他、最適条件によっては第1の多重干渉膜のみ、あるいは第2の多重干渉膜のみで形成することができる。
上例では、カラーフィルタ48として、RGB原色系フィルタの他、補色系フィルタなどを用いることもできる。この場合、多重干渉膜52、53としては補色の画素に対応して夫々最適な屈折率及び膜厚の多層膜で形成される。
30・・CMOS固体撮像素子、31・・n型半導体基板、32・・p型半導体ウェル領域、33・・画素分離領域、34・・半導体基体、35〔35R,35G,35B〕・・単位画素、PD・・フォトダイオード、36・・n型電荷蓄積領域、37・・p+アキューミュレーション層、38・・ソース・ドレイン領域(FD)、39・・ゲート絶縁膜、40,41・・ゲート電極、42,43・・層間絶縁膜、44・・多層配線、45・・多層配線層、47・・パシベーション膜、48・・カラーフィルタ、49・・オンチップマイクロレンズ、51・・多重干渉膜、52,53・・第1、第2の多重干渉膜、59・・Cu拡散防止膜
Claims (3)
- 半導体基体にフォトダイオードとトランジスタからなる画素が複数配列され、
前記半導体基体上に多層配線層、カラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズが順次積層され、
前記各色の画素のフォトダイオード上に対応する位置でかつ前記半導体基体と前記オンチップマイクロレンズとの間に、色分離を増長するための光透過率依存性の多重干渉膜が設けられて成る
ことを特徴とするCMOS固体撮像素子。 - 前記多重干渉膜の膜構成及び膜厚が、各色光に対応して設定されて成る
ことを特徴とする請求項1記載のCMOS固体撮像素子。 - 前記多重干渉膜が、SiC膜、SiN膜、SiON膜、SiO2膜から選ばれた積層膜で形成されて成る
ことを特徴とする請求項1記載のCMOS固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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ID=36538410
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006120800A (ja) |
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