JP2006114692A

JP2006114692A - 配線基板及びその製造方法

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Publication number: JP2006114692A
Application number: JP2004300415A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Suzuki; 徹也鈴木; Yoshiomi Tsuji; 義臣辻
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2004-10-14
Filing date: 2004-10-14
Publication date: 2006-04-27

Abstract

【課題】中間基板のような配線基板に多数のノイズキャンセル用のキャパシタを破損なく形成すること。
【解決手段】配線基板は、第１の配線層１１と、第１の配線層１１と層間絶縁膜１３を介して設けられた第２の配線層１２とを有する。第１の配線層１１は、複数のキャパシタ１４を有する。第２の配線層１２は、複数の電極部１９を有する。第２の配線層１２における電極部１９と、第１の配線層１１とは、層間接合部材であるバンプ２０により電気的に接続されている。キャパシタ１４は、上電極層１５と、下電極層１６との間に誘電体層１７が挟持して構成される。上電極層１５と下電極層１６との間には、絶縁部材１８が介在している。絶縁部材１８は、バンプ２０が当接する上電極層１５に対応する領域に設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は配線基板及びその製造方法に関し、特にキャパシタを内蔵した配線基板及びその製造方法に関する。

近年、集積回路における動作速度が増加している。動作速度が増加すると、集積回路内で発生するノイズが大きくなり、このノイズにより集積回路が誤動作するという問題がある。このノイズを低減させるために、集積回路を配線基板に実装する際に用いられる中間基板（インターポーザ）に等価直列インダクタンスの小さいキャパシタを設ける技術が開発されている。

特開２００３−６９１８５号公報

しかしながら、ノイズキャンセル用のキャパシタは、中間基板に多数設ける必要があり、このようなキャパシタを破損なく、しかも簡単に中間基板に形成することが望まれている。

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、多数のノイズキャンセル用のキャパシタが破損なく形成された配線基板及び、そのような配線基板を簡単に得ることができる製造方法を提供することを目的とする。

本発明の配線基板は、一対の電極層間に誘電体層を挟持してなる少なくとも一つのキャパシタを有する第１の配線層と、前記第１の配線層上に層間絶縁膜を介して設けられ、前記キャパシタを構成する一方の電極層又は他方の電極層と電気的に接続する層間接合部材を有する第２の配線層と、を具備する配線基板であって、前記層間接合部材が当接する前記キャパシタの前記一対の電極層間に絶縁部材が介在されていることを特徴とする。

この構成によれば、第１の配線層上に第２の配線層を設ける際にキャパシタ部分に応力が加わっても、絶縁部材がその応力を吸収又は緩和する。これにより、誘電体層を当該応力から保護して、誘電体層の破損を防止することができる。また、もし誘電体層が破損したとしても、一対の電極層間に絶縁部材が介在しているので、電極間が導通することを防止でき、キャパシタとしての機能を確保することができる。

本発明の配線基板においては、前記絶縁部材は、前記誘電体層で構成されることが好ましい。

本発明の配線基板においては、前記層間接合部材は、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付けることにより、前記一方の電極層と電気的に接続されることが好ましい。

本発明の配線基板においては、前記層間接合部材は、相対的に長い層間接合部材と、相対的に短い層間接合部材とを有しており、前記短い層間接合部材が前記キャパシタにおける前記一方の電極層に電気的に接続され、前記長い層間接合部材が前記キャパシタ以外の領域における前記他方の電極層に電気的に接続されることが好ましい。

この構成によれば、第１の配線層上に第２の配線層を設けることにより、第２の配線層と、キャパシタのある領域及びキャパシタのない領域のいずれの領域においても、キャパシタの一対の電極層とを一度に導通させることが可能となる。

本発明の配線基板の製造方法は、第１の配線層において、一対の電極間に誘電体層及び絶縁部材を介在させてキャパシタを形成する第１形成工程と、前記キャパシタを構成する一対の電極層のいずれかの電極層と電気的に接続する層間接合部材を有する第２の配線層を形成する第２形成工程と、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付けることにより、前記層間接合部材と前記一対の電極層とを電気的に接続させる接続工程と、具備することを特徴とする。

この方法によれば、多数のバンプ及び層間絶縁膜を有する第２の配線層を第１の配線層に押し付けるだけで、キャパシタのある領域では上電極層が、キャパシタのない領域では下電極層が、第２の配線層と電気的に接続することができるので、簡単に第１の配線層上に第２の配線層を設けることができる。これにより、多数のノイズキャンセル用のキャパシタを有する配線基板を簡単に得ることができる。

本発明の配線基板の製造方法においては、前記誘電体層及び絶縁部材を介在させる代わりに、凸部を有する誘電体層を介在させることが好ましい。

本発明の配線基板の製造方法においては、前記所定の圧力は、前記層間接合部材と前記一対の電極層とが金属結合する程度の圧力であることが好ましい。

この方法によれば、第２の配線層と一対の電極層とを確実に導通させることが可能となる。

本発明の配線基板の製造方法においては、前記第２形成工程において、前記層間接合部材の周りに層間絶縁膜を構成する材料の前駆体を半硬化させ、前記接続工程において、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付ける際に加熱することにより前記前駆体を硬化させて層間絶縁膜を形成することが好ましい。

この方法によれば、第２の配線層を第１の配線層に押圧する場合に、加熱により半硬化状態である層間絶縁膜を構成する材料がある程度の流動性を得て、第１の配線層と第２の配線層との間に隙間なく充填される。その後、その加熱により層間絶縁膜を構成する材料が硬化して層間絶縁膜になる。このような方法により、第１の配線層上に層間絶縁膜を介して第２の配線層を設けた構造を簡単に得ることができる。

本発明によれば、層間接合部材が当接するキャパシタの一対の電極層間に絶縁部材が介在されているので、破損のない状態の多数のノイズキャンセル用のキャパシタを有する配線基板を簡単に得ることができる。

多数のノイズキャンセル用のキャパシタを配線基板に設ける方法として、特開２００２−３５９４７１号公報、特開２００１−１１１１８９号公報に開示されている方法がある。これらの方法では、複数の層間接合部材を形成した一つ配線層を他の配線層に押し当てて一つの配線層と他の配線層とを層間接合部材で電気的に接続する。これらの内容は参照によりここに含めておく。

本発明者らは、上記方法における一つ配線層を他の配線層に押し当てる工程に着目し、比較的薄い誘電体層を有するキャパシタであっても、この押し当て工程により破損することなく、多数のノイズキャンセル用のキャパシタを有する配線基板が得られることを見出し本発明をするに至った。

すなわち本発明の骨子は、層間接合部材が当接するキャパシタの一対の電極層間に絶縁部材が介在することにより、破損のない状態の多数のノイズキャンセル用のキャパシタを有する配線基板を簡単に得ることである。

以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態）
本実施の形態においては、絶縁部材が誘電体層とキャパシタの上電極との間に介在している場合について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る配線基板の概略構成を示す斜視図である。また、図２は、図１におけるＡ部の拡大図である。

図１に示す配線基板は、第１の配線層１１と、第１の配線層１１と層間絶縁膜１３を介して設けられた第２の配線層１２とを有する。第１の配線層１１は、複数のキャパシタ１４を有する。第２の配線層１２は、複数の電極部１９を有する。第２の配線層１２における電極部１９と、第１の配線層１１とは、層間接合部材であるバンプ２０により電気的に接続されている。具体的には、バンプ２０ａ，２０ｂは、第１の配線層１１の後述するキャパシタの上電極層又は下電極層と電気的に接続される。さらに、第１の配線層１１は、第１の配線層１１よりも下の層の電極部２１とバンプ２０ａにより電気的に接続されている。第１の配線層１１と下の層との間には、層間絶縁膜２２が介在している。

キャパシタ１４は、一対の電極層、すなわち上電極層１５と、下電極層１６との間に誘電体層１７が挟持して構成される。また、上電極層１５と下電極層１６との間には、絶縁部材１８が介在している。絶縁部材１８は、バンプ２０ｂが当接する上電極層１５に対応する領域に設けられている。なお、本実施の形態においては、絶縁部材１８は、誘電体層１７とキャパシタの上電極層１５との間に介在させている。なお、図示しないが、上電極層１５は、複数のバンプに渡り連続して形成しても良い。このとき、各バンプはキャパシタを共有することになるが、対向する電極面積が増大するので、より容量の大きなキャパシタを得ることができる。

キャパシタ１４における上電極層１５の材料としては、導電性材料である銅などを用いることができる。また、上電極層１５の厚さは、２〜１０μｍ程度であることが好ましい。本実施の形態においては、上電極層１５の材料は銅であり、その厚さは２μｍである。キャパシタ１４における下電極層１６の材料としては、導電性材料である銅などを用いることができる。また、下電極層１６の厚さは、１〜１５μｍ程度であることが好ましい。本実施の形態においては、下電極層１６の材料は銅であり、その厚さは１２μｍである。

キャパシタ１４における誘電体層１７の材料としては、誘電率が比較的大きく、１ＧＨｚ程度のノイズをキャンセルすることができ、しかも薄くすることができるものが好ましい。例えば、ＳｉＮｘ、ＴｉＯ₂などを挙げることができる。このような材料で構成された誘電体層１７の厚さは、５０〜６００ｎｍ程度であることが好ましい。本実施の形態においては、誘電体層１７の材料はＳｉＮｘであり、その厚さは６００ｎｍである。

キャパシタ１４内に設ける絶縁部材１８の材料としては、バンプ２０ｂで押圧されたときにその応力を吸収又は緩和して、誘電体層１７の破損を防止できる材料であれば良く、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などを挙げることができる。これらの材料は、スクリーン印刷法により所望の領域（キャパシタ１４）に層形成することができる。アクリル樹脂については、スクリーン印刷法の他にフォトリソグラフィー法及びエッチングによりパターニングして層形成することも可能である。

なお、キャパシタ１４において、上電極層１５や下電極層１６と誘電体層１７との間の密着性を向上したり、層を構成する材料の反応を防止するために適宜薄い層を介在させても良い。

バンプ２０ａ，２０ｂの材料としては、導電性材料である銅などを用いることができる。また、バンプ２０ａ，２０ｂの大きさは、３０〜１００μｍφ程度であることが好ましい。本実施の形態においては、バンプ２０ａ，２０ｂの材料は銅であり、その大きさは７０μｍφである。層間絶縁膜１３，２２の材料としては、絶縁性材料であるポリイミド樹脂、ガラスエポキシなどを用いることができる。層間絶縁膜１３，２２の厚さは、２０〜１００μｍ程度であることが好ましい。本実施の形態においては、層間絶縁膜１３，２２の材料はポリイミド樹脂であり、その厚さは４０μｍである。

上記構成を有する配線基板においては、バンプ２０ｂの当接領域のキャパシタ１４における上電極層１５と下電極層１６との間に絶縁部材１８を設けている。第１の配線層１１上に第２の配線層１２を設ける場合、バンプ２０ａ，２０ｂ及び層間絶縁膜１３を設けた第２の配線層１２を所定の圧力で第１の配線層１１に押し付ける。これにより、バンプ２０ｂがキャパシタ１４の上電極層１５と電気的に接続し、その結果第２の配線層１２とキャパシタ１４の上電極層１５とが電気的に接続される。

このとき、キャパシタ１４の誘電体層１７は比較的薄いので、第２の配線層１２を押し付ける際の応力により誘電体層１７が破損する恐れがある。本実施の形態においては、キャパシタ１４におけるバンプ２０ｂの当接領域に絶縁部材１８を設けているので、第２の配線層１２を押し付ける際にキャパシタ１４部分に応力が加わっても、絶縁部材１８がその応力を吸収又は緩和する。これにより、誘電体層１７を当該応力から保護して、誘電体層１７の破損を防止することができる。また、もし誘電体層１７が破損したとしても、上電極層１５と下電極層１６との間に絶縁部材１８が介在しているので、上電極層１５と下電極層１６との間が導通することを防止でき、キャパシタとしての機能を確保することができる。これは、誘電体層１７が薄い場合に特に有効である。

また、上記構成において、バンプは、相対的に長バンプ２０ａと、相対的に短バンプ２０ｂとを有しており、短バンプ２０ｂがキャパシタ１４における上電極層１５に電気的に接続され、長バンプ２０ａがキャパシタ１４以外の領域における下電極層１６に電気的に接続される。これにより、キャパシタのある領域及びキャパシタのない領域のいずれの領域においても、第２の配線層１２と、キャパシタ１４の下電極層１６及びキャパシタ１４の上電極層１５とを導通させることが可能となる。

次に、上記構成を有する配線基板の製造方法について説明する。
図３から図６は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。

図３（ａ）に示すように、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｕの３層クラッド材を準備する。この３層クラッド材は、下地Ｃｕ層３１上にＮｉ層３２が積層され、Ｎｉ層３２上に上電極層であるＣｕ層３３が積層されている。本実施の形態では、下地Ｃｕ層３１の厚さが８０μｍであり、Ｎｉ層３２の厚さが１μｍであり、Ｃｕ層３３の厚さが１２μｍである。Ｎｉ層３２は、後述する裏面側（Ｃｕ層３３側）からのエッチング処理におけるストッパ膜として機能する。

次いで、図３（ｂ）に示すように、Ｃｕ層３３上に、Ｔｉをスパッタリングして厚さ５０ｎｍのＴｉ膜３４を形成する。その後、Ｔｉ膜３４上にＣＶＤ処理を施して、誘電体層として厚さ６００ｎｍのＳｉＮｘ層３５を形成する。ここで、Ｔｉ膜３４は、処理中におけるＣｕ層３３の反応を防止すると共に、Ｃｕ層３３とＳｉＮｘ層３５との間の密着性を向上させる目的で形成される。

次いで、ＳｉＮｘ層３５上にレジスト層（図示せず）を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、ＢＨＦ溶液（ＨＦ４．５重量％、ＮＨ₄Ｆ３６重量％を含む溶液）を用いてウェットエッチングを行い、図３（ｃ）に示すように、キャパシタ形成領域以外のＳｉＮｘ層３５及びＴｉ膜３４を除去し、その後レジスト層を除去する。

次いで、残存したＳｉＮｘ層３５上にエポキシ樹脂を厚さ１０μｍでスクリーン印刷し、そのエポキシ樹脂をアニーリングすることにより、図３（ｄ）に示すように、絶縁部材３６を形成する。

次いで、図４（ａ）に示すように、全面にＴｉをスパッタリングして厚さ５０ｎｍのＴｉ膜３７を形成する。さらに、Ｔｉ膜３７上にＣｕをスパッタリングして厚さ２μｍのＣｕ層３８（下電極層）を形成する。ここで、Ｔｉ膜３７は、Ｃｕ層３８と絶縁部材３６及びＳｉＮｘ層３５との間の密着性を向上させる目的で形成される。

次いで、Ｃｕ層３８上にレジスト層（図示せず）を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そして、図４（ｂ）に示すように、そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、過硫酸アンモニウム溶液を用いたウェットエッチングによりＣｕ層３８をエッチングし、その後、希フッ酸を用いたウェットエッチングによりＴｉ層３７をエッチングして、キャパシタ形成領域以外のＣｕ層３８及びＴｉ膜３７を除去し、その後レジスト層を除去する。

次いで、図４（ｃ）に示すように、このようにキャパシタを形成した第１の配線層にバンプ３９及び層間絶縁膜４０を形成した第２の配線層を押し付けて第１の配線層上に第２の配線層を設ける。この場合、まず、Ｃｕ層上にレジスト膜を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そして、そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、図５（ａ）に示すように、Ｃｕ層に選択エッチングを施してバンプ３９を形成し、その後レジスト層を除去する。なお、本実施の形態においては、バンプ３９をＣｕ層の選択エッチングにより形成しているが、他の方法、例えばメッキ法などによりバンプ３９を形成しても良い。

次いで、図５（ｂ）に示すように、長バンプ３９ａ及び短バンプ３９ｂの周りに層間絶縁膜が形成されるように、層間絶縁膜４０を構成するポリイミドの前駆体を塗布し、そのポリイミド前駆体を半硬化させる。半硬化の条件は、使用するポリイミド樹脂により適宜設定する。また、半硬化状態のポリイミド前駆体の厚さは、バンプ３９の高さの１／３〜２／３程度に設定する。このようにして第２の配線層を形成する。なお、半硬化状態のポリイミド前駆体の厚さはこれに限定されず、適宜変更することができる。

次いで、この第２の配線層を所定の圧力で第１の配線層に押し付けることにより、バンプ３９と上電極層であるＣｕ層３８及び下電極層であるＣｕ層３３とを電気的に接続させる。ここで、第２の配線層を第１の配線層に押し付ける圧力は、キャパシタのある領域及びキャパシタのない領域においてバンプ３９とＣｕ層３３，３８とが金属結合する程度の圧力（接合界面がほとんどなくなる程度の圧力）であることが好ましい。これにより、第２の配線層とＣｕ層とを確実に導通させることが可能となる。

このように第２の配線層を第１の配線層に押圧すると、キャパシタのある領域では、バンプ３９の潰れ量が相対的に大きく、結果として短バンプ３９ｂが形成され、この短バンプ３９ｂにより第２の配線層とキャパシタの上電極層であるＣｕ層３８とが電気的に接続される。キャパシタのない領域では、バンプ３９の潰れ量が相対的に小さく、結果として長バンプ３９ａが形成され、この長バンプ３９ａにより第２の配線層とキャパシタの下電極層であるＣｕ層３３とが電気的に接続される。

第２の配線層を第１の配線層に押圧する場合は、例えば熱プレス装置を用いて行う。この熱プレス処理により、半硬化状態であるポリイミド前駆体が硬化して、層間絶縁膜４０となる。本実施の形態では、層間絶縁膜４０の厚さは４０μｍ程度である。この熱プレス処理において、半硬化状態のポリイミド前駆体は、加熱されることによりある程度の流動性を得て、第１の配線層と第２の配線層との間に隙間なく充填される。その後、その加熱によりポリイミド前駆体が硬化してポリイミドになる。このような方法により、第１の配線層上に層間絶縁膜を介して第２の配線層を設けた構造を簡単に得ることができる。

次いで、第２の配線層（Ｃｕ層）上にレジスト層（図示せず）を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、アンモニア系アルカリエッチャントを用いてウェットエッチングを行い、電極部領域以外のＣｕ層を除去し、その後レジスト層を除去する。また、下地Ｃｕ層３１上にレジスト層（図示せず）を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、アンモニア系アルカリエッチャントを用いてウェットエッチングを行い、バンプ以外の下地Ｃｕ層３１を除去する。さらに、レジスト層をマスクとして、希硝酸を用いてウェットエッチングを行い、バンプ以外のＮｉ層３２を除去し、その後レジスト層を除去する。このようにして図６（ａ）に示すような第１の配線層の下面にバンプを有する構造を作製する。

次いで、下地Ｃｕ層３１でバンプを形成した面上に層間絶縁膜４１の材料であるポリイミドを塗布し、硬化させて厚さ４０μｍ程度の層間絶縁膜４１を形成する。その後、層間絶縁膜４１上にレジスト層（図示せず）を形成し、そのレジスト層を露光・現像することによりパターニングする。そのパターニングされたレジスト層をマスクとして、アンモニア系アルカリエッチャントを用いてウェットエッチングを行い、電極部４２の領域以外のＣｕ層を除去し、その後レジスト層を除去する。このようにして図６（ｂ）に示すような構成の配線基板を得る。

このような方法では、多数のバンプ及び層間絶縁膜を有する第２の配線層を熱プレス処理により第１の配線層に押し付けるだけで、キャパシタのある領域ではＣｕ層３８が、キャパシタのない領域では下地Ｃｕ層３３が、第２の配線層と電気的に接続することができるので、簡単に第１の配線層上に第２の配線層を設けることができる。これにより、多数のノイズキャンセル用のキャパシタを有する配線基板を簡単に得ることができる。また、この方法によれば、Ｃｕ層３８と下地Ｃｕ層３３との間に絶縁部材３６が介在しているので、バンプ３９を押し当ても、キャパシタのＳｉＮｘ層３５をすべて保護してＣｕ層３８と下地Ｃｕ層３３との間の導通を防止することができる。この方法は、キャパシタの数が多く、ＳｉＮｘ層３５が薄い場合に特に有効である。

図７及び図８は、本発明の実施の形態に係る配線基板の他の例の概略構成を示す断面図である。図７及び図８において、図３〜図６と同じ部分については図３〜図６と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。

図７に示す構成では、キャパシタ領域において、バンプ３９ｂが当接する領域のＴｉ膜３４上に絶縁部材３６が設けられ、その上に誘電体層であるＳｉＮｘ層３５が形成されている。この構成においても、上電極層であるＣｕ層３８と下電極層である下地Ｃｕ層３３との間には、絶縁部材３６が介在している。

また、図８に示す構成では、キャパシタ領域において、Ｔｉ膜３４上に、バンプ３９ｂが当接する領域に凸部３５ａを有するＳｉＮｘ層３５が設けられている。すなわち、キャパシタ領域において、上電極層であるＣｕ層３８と下電極層である下地Ｃｕ層３３との間に絶縁部材３６を介在させる代わりに、凸部３５ａを有するＳｉＮｘ層３５を介在させる。あるいは、絶縁部材３６がＳｉＮｘ層３５で構成される。

これらの構成においても上記と同様にキャパシタにおけるバンプ３９ｂの当接領域に絶縁部材３６や凸部３５ａを設けているので、第２の配線層を押し付ける際にキャパシタ部分に応力が加わっても、絶縁部材３６や凸部３５ａがその応力を吸収又は緩和する。これにより、ＳｉＮｘ層３５を当該応力から保護して、ＳｉＮｘ層３５の破損を防止することができる。また、もしＳｉＮｘ層３５が破損したとしても、Ｃｕ層３８と下地Ｃｕ層３３との間に絶縁部材３６や凸部３５ａが介在しているので、Ｃｕ層３８と下地Ｃｕ層３３との間が導通することを防止でき、キャパシタとしての機能を確保することができる。

本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態で説明した数値や材質、各部材の形状については特に制限はなく、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。

本発明の実施の形態に係る配線基板の概略構成を示す斜視図である。図１におけるＡ部の拡大図である。（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面図である。本発明の実施の形態に係る配線基板の他の例の概略構成を示す断面図である。本発明の実施の形態に係る配線基板の他の例の概略構成を示す断面図である。

符号の説明

１１第１の配線層
１２第２の配線層
１３，２２，４０，４１層間絶縁膜
１４キャパシタ
１５上電極層
１６下電極層
１７誘電体層
１８，３６絶縁部材
１９，２１，４２電極部
２０ａ，３９ａ長バンプ
２０ｂ，３９ｂ短バンプ
３１下地Ｃｕ層
３２Ｎｉ層
３３，３８Ｃｕ層
３４，３７Ｔｉ膜
３５ＳｉＮｘ層

Claims

一対の電極層間に誘電体層を挟持してなる少なくとも一つのキャパシタを有する第１の配線層と、前記第１の配線層上に層間絶縁膜を介して設けられ、前記キャパシタを構成する一方の電極層又は他方の電極層と電気的に接続する層間接合部材を有する第２の配線層と、を具備する配線基板であって、前記層間接合部材が当接する前記キャパシタの前記一対の電極層間に絶縁部材が介在されていることを特徴とする配線基板。
前記絶縁部材は、前記誘電体層で構成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
前記層間接合部材は、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付けることにより、前記一方の電極層と電気的に接続されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の配線基板。
前記層間接合部材は、相対的に長い層間接合部材と、相対的に短い層間接合部材とを有しており、前記短い層間接合部材が前記キャパシタにおける前記一方の電極層に電気的に接続され、前記長い層間接合部材が前記キャパシタ以外の領域における前記他方の電極層に電気的に接続されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板。
第１の配線層において、一対の電極間に誘電体層及び絶縁部材を介在させてキャパシタを形成する第１形成工程と、前記キャパシタを構成する一対の電極層のいずれかの電極層と電気的に接続する層間接合部材を有する第２の配線層を形成する第２形成工程と、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付けることにより、前記層間接合部材と前記一対の電極層とを電気的に接続させる接続工程と、具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
前記誘電体層及び絶縁部材を介在させる代わりに、凸部を有する誘電体層を介在させることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
前記所定の圧力は、前記層間接合部材と前記一対の電極層とが金属結合する程度の圧力であることを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
前記第２形成工程において、前記層間接合部材の周りに層間絶縁膜を構成する材料の前駆体を半硬化させ、前記接続工程において、前記第２の配線層を所定の圧力で前記第１の配線層に押し付ける際に加熱することにより前記前駆体を硬化させて層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。