JP2006113102A - 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム Download PDF

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Abstract

【課題】 レジスト膜等の剥離レートを早めた基板処理方法、基板処理装置、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】 レジスト膜を備えたウエハＷからそのレジスト膜を除去するための基板処理方法であって、まず、レジスト膜を備えたウエハＷをチャンバ３０に収容し、チャンバ３０を所定温度に保持する（ステップ２）。次にチャンバ３０内への窒素ガスの供給を停止してオゾンを供給し（ステップ３）、さらにオゾンを供給しながら、水蒸気を供給する（ステップ４）。その後、チャンバ３０内に水蒸気を供給しながら、チャンバ３０内で結露が生じないようにチャンバ３０へのオゾン供給を周期的に停止して、チャンバ３０内に水蒸気量の多い状態を作り出す（ステップ５）。これによりレジスト膜を変性させる。その後、純水またはアルカリ性水溶液により、変性したレジスト膜を溶解、除去する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、レジスト膜を有する基板から効率よくそのレジスト膜を除去する基板処理方法、基板処理装置および当該基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムに関する。
半導体デバイスの製造においては、主に、所謂、フォトリソグラフィー工程により回路パターンを形成している。例えば、半導体ウエハの表面にＰＶＤ法等で金属膜を形成し、その金属膜の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパターンで露光した後に現像してレジスト膜に回路パターンを形成し、次いで、このレジスト膜をエッチングマスクとして用いて金属膜をエッチング処理することで、金属配線パターンを形成しており、不要になったレジスト膜は、その後に除去される。
また、半導体デバイスの多層配線化では、所謂、ダマシン法が広く用いられている。例えば、シングルダマシン法では、金属配線が形成された基板上に層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜の上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパターンで露光した後に現像してレジスト膜に回路パターンを形成し、次いで、このレジスト膜をエッチングマスクとして用いて半導体ウエハをプラズマエッチング処理することで、層間絶縁膜にビア（溝、孔）を形成しており、不要になったレジスト膜は、その後に除去される。
このような回路形成方法において、例えば、ＫｒＦ線対応のレジスト膜が形成された半導体ウエハからそのレジスト膜を除去する方法としては、プラズマアッシング処理が広く用いられている。しかし、プラズマアッシング処理では、下地の金属膜がダメージを受け、また、絶縁膜が過剰に除去される等のおそれがある。
そこで、このような問題を回避する方法として、基板をオゾンと水蒸気を含むガスで処理することによってレジスト膜を水溶性に変性させ、その後に純水によって半導体ウエハから変性したレジスト膜を除去する基板処理方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、この特許文献１に記載された処理方法は、プラズマアッシング処理と比較すると剥離レートが遅い、つまり、処理時間が長いという問題がある。また、回路パターンの細線化等を目的として、露光光源としてＡｒＦエキシマレーザの実用化が進められているが、このＡｒＦ線対応のレジスト膜およびこのレジスト膜に併用される反射防止膜は、特許文献１に記載された方法では剥離できず、そのために下地が損傷するおそれのあるプラズマアッシング処理を用いらざるを得ない状況にある。
特開２００２−１８４７４１号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、レジスト膜等の剥離レートを早めた基板処理方法、基板処理装置およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供することを目的とする。
本発明の第１に観点によれば、レジスト膜を備えた基板から前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバ内を所定温度に保持する工程と、
前記チャンバに水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバへオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる工程と、
前記基板を所定の液体で処理し、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法、が提供される。
この基板処理方法では、レジスト膜がＫｒＦ線対応レジスト膜である場合には、基板から変性したレジスト膜を除去する工程では純水が好適に用いられる。レジスト膜が反射防止膜（ＢＡＲＣ）を併設したＫｒＦ線対応レジスト膜の場合には、基板から変性したレジスト膜を除去する工程ではアルカリ性水溶液を用いることが好ましく、反射防止膜をさらに容易に除去することができる。これに対してレジスト膜がＡｒＦ線対応レジスト膜である場合には、基板から変性したレジスト膜を除去する工程ではアルカリ性水溶液が好適に用いられる。一般的にＡｒＦ対応レジスト膜には反射防止膜が併設されるが、この基板処理方法では、レジスト膜を変性させる工程において、反射防止膜を、その後にアルカリ性水溶液で除去することができるように変性させることができる。変性したレジスト膜を基板から除去するために用いられるアルカリ性水溶液としては、ＡＰＭ水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液が挙げられる。特に、基板の処理面に金属が露出している場合には、水酸化アンモニウム水溶液かＴＭＡＨ水溶液のいずれかを用いることで、その金属へダメージを与えないようにすることができる。
このような基板処理方法において、レジスト膜を変性させる工程では、チャンバへのオゾンの供給を周期的に停止する方法が好適に用いられる。また、レジスト膜を変性させる工程では、チャンバに水蒸気とオゾンを導入しながらチャンバから排気を行うが、このときチャンバ内が一定の陽圧に保持されるように排気も制御される。さらに、チャンバ内を所定の温度に保持してチャンバに供給する水蒸気量を一定としたときにチャンバ内で結露が生ずる圧力を予め求めておき、レジスト膜を変性させる工程では、チャンバ内の圧力を測定しながら、その測定圧力が結露が生ずる圧力を超えないように、オゾンの供給量を制御する方法を採ることが好ましい。
本発明によれば、このような基板処理方法を実行するための基板処理装置が提供される。すなわち、本発明の第２の観点によれば、レジスト膜を備えた基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
前記基板が収容されたチャンバの内部を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理を実行する制御部と、
を具備することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
また、本発明の第３の観点によれば、レジスト膜を備えた基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
前記基板が収容されたチャンバの内部を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給して前記レジスト膜を変性させ、その後に変性したレジスト膜を備えた基板を前記処理液で処理することにより前記変性したレジスト膜を基板から除去する処理を実行する制御部と、
を具備することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
本発明によれば、上記基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが提供される。すなわち、本発明の第４の観点によれば、チャンバ内に収容された基板を水蒸気とオゾンで処理する基板処理装置を用い、レジスト膜を備えた基板を収容したチャンバ内を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理が実行されるように、コンピュータが前記基板処理装置を制御するソフトウェア、を含むコンピュータプログラム、が提供される。
本発明の第５の観点によれば、チャンバ内に収容された基板を水蒸気とオゾンで処理する第１処理部と、前記第１処理部で処理された基板を液処理する第２処理部と、を備えた基板処理装置を用い、（ａ）レジスト膜を備えた基板を収容したチャンバ内を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理と、（ｂ）前記基板を所定の処理液で処理し、前記レジスト膜を基板から除去する処理と、が実行されるように、コンピュータが前記基板処理装置を制御するソフトウェア、を含むコンピュータプログラム、が提供される。
本発明によれば、従来よりも短い時間でレジスト膜を剥離することができるようになる。また、難剥離性のＡｒＦ線対応レジスト膜および反射防止膜（ＢＡＲＣ）も短時間で除去することができるようになるという効果を奏する。
以下、基板として半導体ウエハ（シリコンウエハ）を取り上げて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１にレジスト膜除去装置１００の概略構造を示す平面図を、図２にその正面図を、図３にその背面図を、それぞれ示す。レジスト膜除去装置１００は、ウエハＷが収容されたキャリアが他の処理装置等から搬入され、逆にレジスト膜除去装置１００における処理の終了したウエハＷを収容したキャリアを次の処理を行う処理装置等へ搬出するためのキャリアステーション４と、レジスト膜の変性処理や液処理を行うための複数のユニットを有する処理ステーション２と、処理ステーション２とキャリアステーション４との間でウエハＷの搬送を行う搬送ステーション３と、処理ステーション２で使用する薬液や純水、ガス等の製造、調製、貯留を行うケミカルステーション５と、を具備している。
キャリアＣの内部において、ウエハＷは略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に一定の間隔で収容されている。このようなキャリアＣに対するウエハＷの搬入出はキャリアＣの一側面を通して行われ、この側面は蓋体１０ａ（図１には図示せず。図２および図３に蓋体１０ａが取り外された状態を示す）によって開閉自在となっている。
図１に示すように、キャリアステーション４は、図中Ｙ方向に沿って３箇所にキャリアＣを載置できる載置台６を有しており、キャリアＣは蓋体が設けられた側面がキャリアステーション４と搬送ステーション３との間の境界壁８ａ側を向くようにして載置台６に載置される。境界壁８ａにおいてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９ａが形成されており、各窓部９ａの搬送ステーション３側には窓部９ａを開閉するシャッタ１０が設けられている。このシャッタ１０はキャリアＣの蓋体１０ａを把持する把持手段（図示せず）を有しており、図２および図３に示すように、蓋体１０ａを把持した状態で搬送ステーション３側に、蓋体１０ａを退避させることができるようになっている。
搬送ステーション３に設けられたウエハ搬送装置７は、ウエハＷを保持可能なウエハ搬送ピック７ａを有している。ウエハ搬送装置７は搬送ステーション３の床にＹ方向に延在するように設けられたガイド１１（図２および図３参照）に沿ってＹ方向に移動可能である。また、ウエハ搬送ピック７ａは、Ｘ方向にスライド自在であり、かつ、Ｚ方向に昇降自在であり、かつ、Ｘ−Ｙ平面内で回転自在（θ回転）である。
このような構造により、キャリアＣの内部と搬送ステーション３とが窓部９ａを介して連通するようにシャッタ１０を退避させた状態において、ウエハ搬送ピック７ａは、載置台６に載置された全てのキャリアＣにアクセス可能であり、キャリアＣ内の任意の高さ位置にあるウエハＷをキャリアＣから搬出することができ、逆に、キャリアＣの任意の位置にウエハＷを搬入することができる。
処理ステーション２は、搬送ステーション３側に２台のウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂを有している。例えば、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ｂは、搬送ステーション３からウエハＷを受け入れる際にウエハＷを載置するために用いられ、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａは、処理ステーション２において所定の処理が終了したウエハＷを搬送ステーション３に戻す際にウエハＷを載置するために用いられる。処理ステーション２においてはファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２５から清浄な空気がダウンフローされるために、処理ステーション２において処理の終了したウエハＷを、上段のウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａに載置することにより、ウエハＷの汚染を抑制することができる。
搬送ステーション３と処理ステーション２との間の境界壁８ｂにおいて、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂの位置に対応する部分には窓部９ｂが設けられている。ウエハ搬送ピック７ａは、この窓部９ｂを介してウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂにアクセス可能であり、キャリアＣとウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂとの間でウエハＷを搬送する。
処理ステーション２の背面側には、オゾンと水蒸気を含む処理ガスのこれら分子によってレジスト膜を変性させる膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈが配置されている。ここで「レジスト膜の変性」とは、レジスト膜がウエハＷ上に残った状態で所定の液体に可溶となるように変化することをいう。なお、ポリマー残渣が存在するウエハＷをこの処理ガスで処理することにより、このポリマー残渣は水溶性に変性し、ＡｒＦレジストでパターニングされた残渣は、アルカリ水溶液により溶解しやすくなる。
図４に膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａの概略構造を示す断面図を示す。膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａは、ウエハＷを収容するチャンバ３０を有しており、チャンバ３０は固定された下部容器４１ａと、下部容器４１ａの上面を覆う蓋体４１ｂから構成され、蓋体４１ｂは膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａのフレーム４２に固定されたシリンダ４３によって昇降自在である。
下部容器４１ａ周縁の立起部の上面にはＯリング５１が配置されている。シリンダ４３を駆動して蓋体４１ｂを降下させると、蓋体４１ｂの裏面周縁が下部容器４１ａ周縁の立起部の上面に当接するとともに、Ｏリング５１が圧縮されてチャンバ３０内に密閉された処理空間が形成される。
下部容器４１ａにはウエハＷを載置するステージ３３が設けられており、このステージ３３の表面には、ウエハＷを支持するプロキシミティピン４４が複数箇所に設けられている。
ステージ３３の内部にはヒータ４５ａが埋設され、蓋体４１ｂにはヒータ４５ｂが埋設されており、ステージ３３と蓋体４１ｂをそれぞれ所定温度で保持することができる、つまり、チャンバ３０内を所定温度に保持できるようになっている。これによりウエハＷの温度を一定に保持することができる。
蓋体４１ｂの裏面には、ウエハＷを保持する爪部材４６が、例えば３箇所（図５では２箇所のみ図示）に設けられている。ウエハ搬送アーム１４ａはこの爪部材４６に対してウエハＷの受け渡しを行う。爪部材４６がウエハＷを保持した状態で蓋体４１ｂを降下させると、その降下途中でウエハＷは、ステージ３３に設けられたプロキシミティピン４４に受け渡しされる。
チャンバ３０の内部において処理ガスが略水平方向に流れるように、オゾンと水蒸気を含む処理ガスをチャンバ３０の内部に導入するガス導入口３４ａおよび処理ガスを外部へ排気するガス排出口３４ｂは、下部容器４１ａに設けられている。
チャンバ３０のガス導入口３４ａに接続され、オゾンと水蒸気を含む処理ガスをチャンバ３０に供給する処理ガス供給装置部１６は、酸素ガスをオゾン化するオゾン発生装置と、レジスト膜の変性処理後にチャンバ３０内をパージするための窒素ガスを供給する窒素ガス供給ラインと、純水を気化させて水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、を有している。オゾンの供給を停止すれば、水蒸気のみが膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈのチャンバ３０へ供給される。
チャンバ３０内を排気するためにガス排出口３４ｂに接続された排気装置３２は、真空ポンプまたはアスピレータ等の強制排気を行うための装置と、チャンバ３０から排気されるガス流量を調整するための可変バルブを備えている。チャンバ３０内に連続してガスが供給されている状態で、チャンバ３０内の陽圧に保持する場合には、真空ポンプ等を駆動することなく、可変バルブの調整のみ行えばよい。
なお、図４では、ガス導入口３４ａおよびガス排出口３４ｂの高さ位置がプロキシミティピン４４に載置されたウエハＷの高さよりも下側で示されているが、ガス導入口３４ａおよびガス排出口３４ｂはこれよりも高い位置に設けてもよい。
チャンバ３０に設けられたガス排出口３４ｂには、排気圧（つまり、チャンバ３０内の圧力に同じ）を測定するための圧力センサ４８が取り付けられている。圧力センサ４８の取り付け位置はこれに限定されるものではなく、チャンバ３０の内圧を測定することができる場所であればよい。
後述するように、ウエハＷの処理ガスによる処理は、チャンバ３０の内部を一定の陽圧に保持して行うことが好ましい。このため、チャンバ３０の内部から下部容器４１ａと蓋体４１ｂとの間を通って外部に処理ガスが流出しないように、下部容器４１ａと蓋体４１ｂとの密閉を、シリンダ４３による押圧力に依存するだけでなく、下部容器４１ａと蓋体４１ｂの端面に設けられた突起部４７ａ・４７ｂどうしをロック機構３５によって締め付けることによって行う。
この突起部４７ａ・４７ｂは、例えば、等間隔に４カ所に鉛直方向で重なる位置に設けられており、隣接するものどうしの間には間隙部４９（図４の右側部分参照）が形成されている。ロック機構３５はローラ５９ａ・５９ｂで突起部４７ａ・４７ｂを挟み込むことによって下部容器４１ａと蓋体４１ｂとを密着させるが、間隙部４９の位置にローラ５９ａ・５９ｂが移動している状態では蓋体４１ｂの昇降を自由に行うことができる。
処理ステーション２の正面側には、膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈにおける処理の終了したウエハＷを所定の液体で処理することにより、変性したレジスト膜を溶解除去し、さらにウエハＷを水洗、乾燥することができる洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ〜１２ｄが配置されている。
図５に洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａの概略構造を示す断面図を示す。洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａの中央部には環状のカップ（ＣＰ）が配置され、カップ（ＣＰ）の内側にはスピンチャック７１が配置されている。スピンチャック７１は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ７２によって回転駆動される。カップ（ＣＰ）の底部には薬液や洗浄液、純水を排出するドレイン７３が設けられている。
洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａは、スピンチャック７１に保持されたウエハＷの表面にアルカリ性水溶液を供給する処理液ノズル８１ａと、ウエハＷの表面に純水を供給する純水ノズル８１ｂと、ウエハＷに乾燥ガスを噴射するガスノズル（図示せず）と、を備えている。
処理液ノズル８１ａと純水ノズル８１ｂはスキャンアーム８２に保持されている。スキャンアーム８２は、ユニット底板７４の上でＸ方向に敷設されたガイドレール８４上で水平移動可能な垂直支持部材８５の上端部に取り付けられており、Ｘ軸駆動機構９６によって垂直支持部材８５と一体的にＸ方向に移動するようになっている。また、スキャンアーム８２はＹ方向に伸縮自在であり、かつ、Ｚ軸駆動機構９７によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能となっている。こうして、処理液ノズル８１ａと純水ノズル８１ｂは、ウエハＷの上方の所定の位置とカップ（ＣＰ）外の所定の位置との間で移動可能である。なお、図示しないガスノズルも処理液ノズル８１ａ等と同様に移動可能に構成されている。
処理液ノズル８１ａから吐出されるアルカリ性水溶液としては、所謂、ウエハＷのＳＣ−１洗浄に用いられるＡＰＭ水溶液（水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）−過酸化水素（Ｈ２Ｏ）−水（Ｈ２Ｏ）の混合溶液）、水酸化アンモニウム水溶液（またはアンモニア水）、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を挙げることができる。これらのアルカリ性水溶液は、ウエハＷから除去する膜がＡｒＦ線対応レジスト膜およびこれに併用される反射防止膜である場合に、好適に用いられる。
処理ステーション２の略中央部には、処理ステーション２内においてウエハＷを搬送する主ウエハ搬送装置１４が設けられており、主ウエハ搬送装置１４はＺ軸周りに回転自在である。また、主ウエハ搬送装置１４はウエハＷを搬送するウエハ搬送アーム１４ａを有しており、ウエハ搬送アーム１４ａは水平方向に進退自在であり、かつＺ方向に昇降自在である。このような構造により、主ウエハ搬送装置１４は、処理ステーション２に設けられた各ユニットにアクセス可能であり、これら各ユニット間でウエハＷを搬送する。処理ステーション２の上部には処理ステーション２の内部に清浄な空気を送風するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２５が設けられている。
ケミカルステーション５には、オゾンと水蒸気を膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈに供給する処理ガス供給装置部１６と、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ〜１２ｄで使用するアルカリ性水溶液を貯蔵／送液する処理液供給装置部１７と、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ〜１２ｄへ純水を供給する純水供給装置部１８が設けられている。
図６にレジスト膜除去装置１００の制御系を示す図を示す。なお、図６には、レジスト膜除去装置１００を構成する全ての構成部は示しておらず、処理ステーション２に配置されている主な構成部のみを示している。レジスト膜除去装置１００の各構成部は、プロセスコントローラ６０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ６０には、工程管理者がレジスト膜除去装置１００を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードやレジスト膜除去装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有するユーザーインターフェース６１が接続されている。
また、プロセスコントローラ６０には、レジスト膜除去装置１００で実行される各処理条件をプロセスコントローラ６０の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部６２が接続されている。例えば、膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈにおける処理を実行するための処理レシピは、チャンバ３０の設定温度、チャンバ３０内を窒素ガスでパージするための窒素ガス流量および時間ならびに排気流量、チャンバ３０の保持圧力、チャンバ３０内への水蒸気供給流量・時間、チャンバ３０内へのオゾン供給流量・時間等のデータを含んでいる。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース６１からの指示等にて任意のレシピを記憶部６２から呼び出してプロセスコントローラ６０に実行させることにより、プロセスコントローラ６０の制御下で、レジスト膜除去装置１００での所望の処理が行われる。
次に、ウエハＷに形成されたレジスト膜を除去する処理方法について説明する。図７にレジスト膜の第１の除去方法のフローチャートを示す。この第１の除去方法は、レジスト膜がｉ線対応レジストまたはＫｒＦ線対応レジストの場合に、好適に用いられる。
最初に、例えば、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングした後にそのレジストパターンを除去するために、或いはダマシン構造の溝配線を形成するためにレジストパターンをマスクとしてｌｏｗ−ｋ膜等の層間絶縁膜をプラズマエッチングした後にそのレジストパターンを除去するために、このようなウエハＷがキャリアＣに収容されて、レジスト膜除去装置１００に搬入される（ステップ１）。そして、工程管理者がレジスト膜除去装置１００でウエハＷを処理するための情報入力操作等を行い、これによりウエハＷの処理が開始される。
ウエハＷは、ウエハ搬送装置７によってウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ｂに搬送された後、主ウエハ搬送装置１４によってそこから膜変性ユニット１５ａ（または１５ｂ〜１５ｈのいずれか）に搬送される（ステップ２）。
この膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ等へのウエハＷの搬入処理は、より詳しくは、次のようにして行われる。すなわち、最初にチャンバ３０の蓋体４１ｂを下部容器４１ａの上方に退避させた状態とし、その後に蓋体４１ｂに設けられた爪部材４６のウエハＷを保持する部分（水平方向に突出した部分）よりも僅かに高い位置へウエハＷが進入するように、ウエハＷを保持したウエハ搬送アーム１４ａを進入させる。続いて、ウエハ搬送アーム１４ａを下方へ降下させると、ウエハＷは爪部材４６に受け渡される。次いで、ウエハ搬送アーム１４ａを膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ等から退避させた後に蓋体４１ｂを降下させると、蓋体４１ｂを降下させる途中でウエハＷは爪部材４６からプロキシミティピン４４へ受け渡され、蓋体４１ｂは下部容器４１ａに密着し、さらにロック機構３５によりチャンバ３０が密閉される。
チャンバ３０に設けられたヒータ４５ａ・４５ｂは、常時動作しており、これによりウエハＷが加熱される。このとき、例えば、蓋体４１ｂの温度をステージ３３の温度よりも所定温度高く設定すると、後にチャンバ３０内に水蒸気を供給した際に、チャンバ３０内における水蒸気の密度が蓋体４１ｂ側よりもステージ３３側で高くなり、水蒸気を効率的にウエハＷにあてることができる。
ウエハＷの温度分布がほぼ一定となったら、次に、チャンバ３０内への窒素ガスの供給を停止して、オゾンを一定流量で供給するとともにチャンバ３０内を加圧する（ステップ３）。次いで、オゾンを一定流量で供給しながら、水蒸気をチャンバ３０内へ一定流量で供給する（ステップ４）。こうして、オゾンと水の分子は、レジスト膜を構成する炭素原子（レジスト材料の炭素原子）を攻撃して、レジスト膜を水溶性へと変化させる。
ステップ４では、チャンバ３０内で結露が生じないように、チャンバ３０からの排気量を調整し、チャンバ３０内を一定の圧力に保持する。ウエハＷの表面で結露が生じてしまうと、その液滴発生部分に水によるレジストの溶解が始まってしまうために変性状態が不均一となり、レジスト残渣が生ずるからである。
この結露防止は、より具体的には、次のようにして行われる。すなわち、予めチャンバ３０内を所定温度に保持してチャンバ３０に供給する水蒸気量を一定としたときにチャンバ３０内で結露が生ずる圧力を求めておいて、この圧力値よりも小さい値に処理圧力値を設定し、これらをレシピの情報に加えておく。そして、プロセスコントローラ６０が、圧力センサ４８の測定値を参照しながら、チャンバ３０内の圧力が結露の生ずる圧力を超えず、設定された圧力値で維持されるように、チャンバ３０からの排気流量を制御する。
次に、チャンバ３０内への水蒸気の供給を継続しながら、オゾンの供給を周期的に停止することによって、チャンバ３０内に水分子の多い状態を周期的に作り出す（ステップ５）。例えば、オゾンの供給を開始してから１５秒が経過したときにオゾンの供給を停止して５秒間保持し、続いてオゾンの供給を再開して１５秒間保持した後、再度、オゾンの供給を停止して５秒間保持する、という処理を、レジスト材料に応じて複数回繰り返す。このステップ５では、周期的にチャンバ３０へ供給されるガスの総量が変化するが、上述したように、圧力センサ４８の測定値を参照しながら、チャンバ３０からの排気流量を制御することにより、チャンバ３０内は一定の圧力に保持される。
同じレジスト材料を用いて２枚のウエハＷにそれぞれレジスト膜を形成し、一方を上述したオゾンの供給を周期的に停止する方法で処理し、他方をオゾンの供給を連続的に行う方法で処理し、その他の処理条件を同じとして後に行われる水洗処理によって完全にレジスト膜を除去することができるように、その処理時間を調べた結果、オゾンの供給を周期的に停止する方法では、オゾンの供給を連続的に行う方法に比べて、８０％以下の処理時間で足りることがわかった。これは、水分子が多い雰囲気を作り出すことによって、レジスト膜に変性しやすい部分を多く作り出されるためと推測される。このようなオゾンの供給を周期的に停止する方法では、常にチャンバ３０内が水蒸気の多い状態に維持すると結露が生じやすくなるので、それを防止する効果と、変性に必要なオゾンが不足しないようにチャンバ３０に供給される効果がある。
ステップ５の処理は、チャンバ３０内の水蒸気量が少ない状態で終了することが、結露の発生を防止する観点から好ましい。したがって、チャンバ３０内にオゾンと水蒸気が供給されている状態で所定時間が経過したときに、オゾンと水蒸気の双方のチャンバ３０内への供給を停止するとともに、チャンバ３０内に窒素ガスを導入し、チャンバ３０内を窒素ガスでパージする（ステップ６）。
このステップ６では、大量の窒素ガスを急にチャンバ３０内に供給すると、チャンバ３０内での急激な圧力変化によって結露が生じるおそれがあるので、最初は窒素ガスの供給流量を比較的小さく設定し、チャンバ３０内に一定の窒素ガスが供給された後に、窒素ガス供給流量を増大させるとともに、排気流量も多くすることが好ましい。これにより窒素ガスによるパージ時間を短縮することができる。なお、ステップ６では、その後にチャンバ３０を開いたときに、排気装置３２からオゾンを含むガス逆流してオゾンがチャンバ３０から排出されないように、排気装置３２内からもオゾンを完全に排出しておく。
ステップ６の処理が終了すると、レジスト膜は水溶性に変性しているが、ウエハＷから剥離はしていない。そこでウエハＷからレジスト膜を除去する水洗処理を行うために、ウエハＷを膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａから洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ（または１２ｂ〜１２ｄのいずれか）に搬送する（ステップ７）。
ステップ７のウエハＷの搬送は次のようにして行われる。すなわち、最初にチャンバ３０内部の窒素ガスパージが終了した後に、チャンバ３０の内圧が外気圧と同じであることを確認する。これは、チャンバ３０の内部圧力が大気圧よりも高い状態でチャンバ３０を開くと、チャンバ３０が損傷するおそれがあるからである。チャンバ３０の内圧確認後、ロック機構３５による下部容器４１ａと蓋体４１ｂの締め付けを解除し、蓋体４１ｂを上昇させる。蓋体４１ｂを上昇させる際に、ウエハＷは爪部材４６に保持されて蓋体４１ｂとともに上昇する。ウエハ搬送アーム１４ａを下部容器４１ａと蓋体４１ｂとの隙間に進入させて、ウエハＷを爪部材４６からウエハ搬送アーム１４ａに受け渡す。ウエハＷを保持したウエハ搬送アーム１４ａは、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａに設けられたスピンチャック７１にウエハＷを受け渡す。
こうして洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａに搬入されたウエハＷに対して、純水ノズル８１ｂから略水平姿勢に保持されたウエハＷの表面に純水を供給する（ステップ８）。こうして、レジスト膜において水溶性に変性した部分が除去される。
洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａは、前述の通り、処理液ノズル８１ａを有しているが、本例においてはこの処理液ノズル８１ａを用いない。このように、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａに搬入されたウエハＷに最初に純水による処理を行わせるための制御は、工程管理者がレジスト膜除去装置１００でウエハＷを処理するための情報入力操作を行う際に、レジスト材料に適合させて純水による処理から開始することが記憶されたレシピを選択することにより、自動的に行うことができる。または、工程管理者がレジスト材料を指定することによって、純水による処理から開始することが記憶されたレシピのみを工程管理者が選択することができるようにしておくことによっても、ウエハＷには最初から純水による処理が施されるようにすることができる。
ステップ８は純水による処理であるが、引き続いて、ウエハＷを回転させながら、純水ノズル８１ｂを例えばウエハＷの径方向でスキャンさせて、ウエハＷをリンス処理することも好ましい。そして、ステップ８の処理またはその後のリンス処理が終了した後に、ウエハＷを高速回転させて、ウエハＷをスピン乾燥する（ステップ９）。このスピン乾燥はウエハＷに乾燥ガスを供給しながら行ってもよい。
こうして、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ（または１２ｂ〜１２ｄ）における処理によってレジスト膜が除去されたウエハＷは、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａに搬送され、そこからウエハ搬送装置７によってキャリアＣの所定の位置に収容される（ステップ１０）。
次に、レジスト膜除去装置１００を用いたレジスト膜の第２の除去方法について、図８に示すフローチャートを参照しながら説明する。この第２の除去方法は、除去対象である膜が、ＡｒＦ線対応レジスト膜およびこれに併設される反射防止膜（ＢＡＲＣ）の場合に好適に用いられる。
図８に示すステップ１０１〜１０３は、先に説明した図７に示したステップ１〜３と同じであり、ここでの詳細な説明は割愛する。このステップ１０３の状態、つまり、ウエハＷがチャンバ３０に収容されて所定温度に保持され、チャンバ３０内にオゾンが一定流量で供給されている状態で、さらに水蒸気をチャンバ３０内へ一定流量で供給し、所定時間保持する（ステップ１０４）。
このステップ１０４では、先に説明した第１の除去方法のステップ４およびステップ５と同様に、チャンバ３０内に結露が生じないように、チャンバ３０内の圧力が制御される。これは、後述するように、例えばＡｒＦ線対応レジスト膜はステップ１０４の変性処理が進んでも容易に純水に溶解する性質にはならないために、液滴が発生するとその直下の部分を変性させることができなくなり、後のアルカリ性水溶液による処理後にレジスト残渣が生ずるからである。
ステップ１０４が終了したら、先に説明したレジスト膜の第１の除去方法のステップ６，７と同様に、チャンバ３０内へのオゾンと水蒸気の供給を停止してチャンバ３０内を窒素ガスでパージし（ステップ１０５）、その後、膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａから洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａにウエハＷを搬送する（ステップ１０６）。
ＡｒＦレジスト膜の場合、洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａに搬入されたウエハＷに対して、最初に処理液ノズル８１ａから略水平姿勢に保持されたウエハＷの表面に、例えばＡＰＭ水溶液を吐出してパドルを形成し、所定時間が経過した後にウエハＷを回転させてウエハＷの表面からＡＰＭ水溶液を振り切り、さらにウエハＷを回転させながらウエハＷの表面にＡＰＭ水溶液を供給する（ステップ１０７）。ＡＰＭ水溶液は、室温であってもよく、例えば、７０℃程度に加温されたものであってもよい。ＡＰＭ水溶液の温度は、レジスト材料に応じて溶解が速く進む温度があれば、そのような温度に調整することが好ましい。こうして、レジスト膜およびこれに併設される反射防止膜を除去することができる。
洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａに搬入されたウエハＷに、最初に処理液ノズル８１ａを動作させてアルカリ性水溶液による処理を行わせるための制御は、工程管理者がレジスト膜除去装置１００でウエハＷを処理するための情報入力操作を行う際に、レジスト材料に適合させてアルカリ性水溶液による処理から開始することが記憶されたレシピを選択することにより、または、工程管理者がレジスト材料を指定することによってアルカリ性水溶液による処理から開始することが記憶されたレシピのみを工程管理者が選択することができるようにしておくことによって、自動的に行うことができる。
ウエハＷから除去する対象がＡｒＦ線対応レジスト膜およびこれに併用される反射防止膜の場合には、膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈでの処理後に水洗処理を行っても、これらの膜を除去することはできない。また、別途の試験の結果、過酸化水素水や塩酸等の酸性水溶液によっても、変性したＡｒＦ線対応レジスト膜を溶解させることはできなかった。しかし、アルカリ性水溶液で処理することにより、これらの膜を溶解し、ウエハＷから除去することができることが明らかとなった。これらのことから、アルカリ性水溶液に含まれるアルカリ性基（ＮＨ４ ＋、Ｋ＋等）が、オゾンと水蒸気によって変性したレジスト膜の分子と容易に結合し、溶解させることができるが、純水や酸性水溶液では水酸基が少ないために、変性したレジスト膜を溶解させることができないものと推測される。
アルカリ性水溶液としては、ＡＰＭ水溶液に代えて、水酸化アンモニウム水溶液（つまり、アンモニア水）や、レジストの現像処理に用いられているＴＭＡＨ液等の有機系アルカリ水溶液を用いてもよい。特に、処理面にタングステン等の金属が露出している場合には、このステップ１０７による処理で金属がダメージを受けないアルカリ性水溶液を選択することが必要であり、このような水溶液としては、水酸化アンモニウム水溶液とＴＭＡＨ液が好適である。これは、ＡＰＭ水溶液は過酸化水素を含んでいるために、これによって金属がダメージを受けるからである。
なお、アルカリ性水溶液としては、水酸化ナトリウム水溶液や、水酸化カリウム水溶液、炭酸水素ナトリウム水溶液等の無機系アルカリ水溶液があり、これらのアルカリ性水溶液を用いても、変性したＡｒＦ線対応レジスト膜を溶解除去することはできる。しかし、これらのアルカリ性水溶液では、金属イオンがデバイスに悪影響を与えるために、実用的とは言えない。
ステップ１０７のＡＰＭ水溶液による処理が終了したら、引き続いて、ウエハＷを回転させながら、純水ノズル８１ｂから純水をウエハＷに吐出して、ウエハＷをリンス処理する（ステップ１０８）。こうしてリンス処理が終了したら、ウエハＷを高速回転させて、スピン乾燥する（ステップ１０９）。次いで、レジスト膜および反射防止膜が除去されたウエハＷはキャリアＣの所定の位置に戻される（ステップ１１０）。
次に、レジスト膜除去装置１００を用いたレジスト膜の第３の除去方法について、図９に示すフローチャートを参照しながら説明する。この第３の除去方法もまた、除去対象である膜がＡｒＦ線対応レジスト膜およびこれに併用される反射防止膜（ＢＡＲＣ）の場合に好適に用いられる。
図９に示すステップ２０１〜２０４は、先に説明した図８に示したステップ１０１〜１０４と同じであり、ここでの詳細な説明は割愛する。このステップ２０４の状態、つまり、ウエハＷがチャンバ３０に収容されて所定温度に保持され、チャンバ３０内にオゾン（またはオゾン／窒素混合ガス）と水蒸気がそれぞれ一定流量で供給されている状態が所定時間経過したら、次に、先に説明した第１の除去方法のステップ５と同様に、チャンバ３０内への水蒸気の供給を継続しながら、オゾンの供給を周期的に停止することによって、チャンバ３０内に水分子が多い状態を周期的に作り出す（ステップ２０５）。
ステップ２０５の処理が終了したら、それ以降の処理（ステップ２０６〜２１１）として、先に説明したレジスト膜の第２の除去方法のステップ１０５〜１１０の処理と同じ処理を行う。
上記説明から明らかなとおり、レジスト膜を除去するための上記第２の除去方法と第３の除去方法との相違点は、オゾンと水蒸気による変性処理において、チャンバ３０内の水分子の量を多くするステップがあるかないかだけであり、どちらの方法によってウエハＷを処理するかは、例えば、レジスト材料の分子構造、レジスト膜の厚さ、レジスト膜除去装置１００のスループットの観点を踏まえて、適宜、好適な方法を選択すればよい。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。上記説明においては、レジスト膜除去装置１００としてウエハＷを１枚ずつ処理する装置（所謂、枚葉式処理装置）を示したが、レジスト膜の変性処理や、ウエハＷの水洗処理は、一度に複数（例えば、２５枚）のウエハＷを処理する装置（所謂、バッチ式処理装置）を用いて行うこともできる。
膜変性ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈにおいて、チャンバ３０に水蒸気を一定流量で供給しながら、オゾンの供給を周期的に停止する工程（ステップ５やステップ２０５）では、オゾンの供給を完全に停止することなく、オゾンの供給流量を周期的に減少させてもよい。また、オゾンの供給を停止する周期（時間）は、適宜、定められるが、必ずしも一定時間の周期である必要はなく、オゾンの供給停止時間を同一ステップ（つまり、上述の除去方法ではステップ５、ステップ２０５）内において変化させてもよい。
また、オゾンと水蒸気でウエハＷを処理する際には、これらにさらに過酸化水素等の別の成分を含有させてもよい。また、オゾンと水蒸気でウエハＷを処理する前または後で、ウエハＷの表面に紫外線を照射することにより、さらにレジスト膜の溶解性を高めることができる場合には、そのような処理方法を用いることも好ましい。
さらに、オゾンと水蒸気によるレジスト膜および反射防止膜の変性処理の後に、アルカリ性水溶液を用いて変性したレジスト膜および反射防止膜を除去する第２、第３の除去方法は、ＫｒＦ線対応レジスト膜、ＫｒＦ線対応レジスト膜とこれに併設される反射防止膜（ＢＡＲＣ）、イオン注入処理等により硬化したレジスト膜を除去する場合にも、用いることができる。
洗浄ユニット（ＣＬＮ）１２ａ〜１２ｄにおいて、処理液（アルカリ性水溶液）による処理は、処理液とガス（窒素ガス等）の混合流体を吐出するノズルを用い、そのノズルをウエハ表面上でスキャンさせながら、ウエハＷの表面にその混合流体をスプレー供給してもよい。同様に、純水による処理も、純水とガスの混合流体を吐出するノズルを用い、そのノズルをウエハ表面上でスキャンさせながら、ウエハＷの表面にその混合流体をスプレー供給してもよい。
上記説明においては、基板として半導体ウエハを例示したが、これに限定されず、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に使用されるガラス基板であってもよい。
本発明は、半導体デバイスやフラットパネルディスプレイの製造方法、およびそのための装置に好適である。
レジスト膜除去装置の概略平面図。 レジスト膜除去装置の概略正面図。 レジスト膜除去装置の概略背面図。 レジスト膜除去装置に備えられた膜変性ユニット（ＶＯＳ）の概略断面図。 レジスト膜除去装置に備えられた洗浄ユニット（ＣＬＮ）の概略断面図。 レジスト膜除去装置の制御系の構成を示す図。 レジスト膜の第１の除去方法を示すフローチャート。 レジスト膜の第２の除去方法を示すフローチャート。 レジスト膜の第３の除去方法を示すフローチャート。
符号の説明
２；処理ステーション
３；搬送ステーション
４；キャリアステーション
５；ケミカルステーション
１２ａ〜１２ｄ；洗浄ユニット（ＣＬＮ）
１５ａ〜１５ｈ；膜変性ユニット（ＶＯＳ）
１６；処理ガス供給装置部
１７；処理液供給装置部
１８；純水供給装置部
３０；チャンバ
４８；圧力センサ
６０；プロセスコントローラ
６１；ユーザーインターフェース
６２；記憶部
１００；レジスト膜除去装置
Ｗ；ウエハ（基板）

Claims (17)

  1. レジスト膜を備えた基板から前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、
    前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバ内を所定温度に保持する工程と、
    前記チャンバに水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバへオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる工程と、
    前記基板を所定の液体で処理し、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  2. 前記レジスト膜はＫｒＦ線対応レジスト膜であり、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程に用いられる液体は純水であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記レジスト膜は反射防止膜を併設したＫｒＦ線対応レジスト膜であり、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程に用いられる液体はアルカリ性水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  4. 前記レジスト膜はＡｒＦ線対応レジスト膜であり、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程で用いる液体はアルカリ性水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  5. 前記レジスト膜は反射防止膜を併設したＡｒＦ線対応レジスト膜であり、前記基板から変性したレジスト膜を除去する工程に用いられる液体はアルカリ性水溶液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
  6. 前記アルカリ性水溶液は、ＡＰＭ水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液のいずれかであることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  7. 前記レジスト膜を変性させる工程では、前記チャンバへのオゾンの供給を周期的に停止することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  8. 前記レジスト膜を変性させる工程では、前記チャンバ内が一定の陽圧に保持されるように、前記チャンバから排気が行われることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  9. 前記チャンバ内を所定の温度に保持して前記チャンバに供給する水蒸気量を一定としたときに前記チャンバ内で結露が生ずる圧力を予め求め、
    前記レジスト膜を水溶性に変性させる工程では、前記チャンバ内の圧力を測定しながら、その測定圧力が前記結露が生ずる圧力を超えないように、前記オゾンの供給量を制御することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  10. レジスト膜を備えた基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
    前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
    前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
    前記基板が収容されたチャンバの内部を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理を実行する制御部と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  11. レジスト膜を備えた基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
    前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
    前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
    基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
    前記基板が収容されたチャンバの内部を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給して前記レジスト膜を変性させ、その後に変性したレジスト膜を備えた基板を前記処理液で処理することにより前記変性したレジスト膜を基板から除去する処理を実行する制御部と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  12. 前記制御部は、前記レジスト膜がＫｒＦ線対応レジスト膜の場合には前記処理液として純水が用いられ、前記レジスト膜がＡｒＦ線対応レジスト膜の場合には前記処理液としてアルカリ性水溶液が用いられるように、前記液処理部を制御することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記制御部は、前記チャンバへのオゾンの供給が周期的に停止されるように、前記オゾン供給部を制御することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  14. チャンバ内に収容された基板を水蒸気とオゾンで処理する基板処理装置を用い、レジスト膜を備えた基板を収容したチャンバ内を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理が実行されるように、コンピュータが前記基板処理装置を制御するソフトウェア、を含むコンピュータプログラム。
  15. チャンバ内に収容された基板を水蒸気とオゾンで処理する第１処理部と、前記第１処理部で処理された基板を液処理する第２処理部と、を備えた基板処理装置を用い、（ａ）レジスト膜を備えた基板を収容したチャンバ内を所定の温度に保持し、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記チャンバ内で結露が生じないように前記チャンバ内へオゾンを前記水蒸気に対する相対量を変化させて供給し、前記レジスト膜を変性させる処理と、（ｂ）前記基板を所定の処理液で処理し、前記レジスト膜を基板から除去する処理と、が実行されるように、コンピュータが前記基板処理装置を制御するソフトウェア、を含むコンピュータプログラム。
  16. 前記レジスト膜がＫｒＦ線対応レジスト膜の場合には前記液処理は純水を用いて行われ、前記レジスト膜がＡｒＦ線対応レジスト膜の場合には前記液処理はアルカリ性水溶液を用いて行われることを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータプログラム。
  17. 前記チャンバへのオゾンの供給を周期的に停止することを特徴とする請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載のコンピュータプログラム。
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