JP2006113018A - 放射線画像変換パネル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持体2上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層3が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネル1であって、輝尽性蛍光体層3に含まれる蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上100ppm以下である。
【選択図】図1
Description
一般的に輝尽性蛍光体は湿度に弱く、吸湿により特性が劣化する。そのため、輝尽性蛍光体は外気からの保護が必須となり、この放射線画像変換パネルでは、支持体上に輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを保護フィルムにより被覆された構造を有して輝尽性蛍光体層を外気から遮断し、耐湿性の向上を図っていた。
支持体上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネルであって、前記輝尽性蛍光体層に含まれる蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上100ppm以下であることを特徴とする。
請求項1に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記蛍光体母体がCsBrであり、前記蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物がNaであり、蛍光体母体以外のアルカリ土類金属不純物がCaであることを特徴とする。
ことができる。
請求項1又は請求項2に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層に含まれる蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上30ppm以下であることを特徴とする。
支持体上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネルであって、前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上50ppm以下であることを特徴とする。
支持体上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネルであって、前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上50ppm以下であるので、輝尽性蛍光体パネルは、支持体層に含まれるアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度を一定範囲内に抑えることができる。
請求項4に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記蛍光体母体がCsBrであり、前記蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物がNaであり、蛍光体母体以外のアルカリ土類金属不純物がCaであることを特徴とする。
請求項4又は請求項5に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上20ppm以下であることを特徴とする。
前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上20ppm以下であるので、請求項4に記載の発明と比べて、輝尽性蛍光体パネルは、アルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度をさらに一定範囲内に抑えることができる。
図2に示す通り、輝尽性蛍光体層3は、輝尽性蛍光体から構成された多数の柱状結晶3a,3a,…が並んだ柱状構造を有している。なお、各柱状結晶3aは、支持体2の表面2aの法線Rに対し所定角度で傾斜していてもよい。
のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
れる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr、及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
o、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群から選ばれる少なくと
も1種もしくは2種以上の化合物。
I3からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
支持体2を支持する支持体ホルダ6に固定された支持体2表面の法線方向(R)に対する輝尽性蛍光体の蒸気流の入射角度をθ2(図では60°)とし、形成される柱状結晶3aの支持体面の法線方向(R)に対する角度をθ1(図では30°)とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶3aが形成される。なお、θ1は0°以上60°以下が好ましく、0°以上30°以下がさらに好ましい。
(1)サンプルNo.1の作製
大きさが10cm×10cmであり、正方形状で厚さ2mmのガラス基板を用いて、支持体に含まれるNa濃度が1ppmの支持体を以下のように準備した。
サンプルNo.1の作製において、輝尽性蛍光体の原料を混合する際に、支持体上に形成させる輝尽性蛍光体層に含まれるNa濃度が30ppmとなるようにNaBrを添加して混合した以外は、前記(1)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.2とした。
サンプルNo.1の作製において、輝尽性蛍光体の原料を混合する際に、支持体上に形成させる輝尽性蛍光体層に含まれるNa濃度が80ppmとなるようにNaBrを添加して混合した以外は、前記(1)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.3とした。
比較例として、サンプルNo.1の作製において、輝尽性蛍光体の原料を混合する際に、支持体上に形成させる輝尽性蛍光体層に含まれるNa濃度が200ppmとなるようにNaBrを添加して混合した以外は、前記(1)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.4とした。
サンプルNo.2の作製において、支持体に含まれるNa濃度が5ppmの支持体を用いて蒸着を行い、使用する支持体を変更した以外は前記(2)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.5とした。
なお、使用する支持体の準備方法は、サンプルNo.1の作製において、Naの溶出量が5ppmとなるように、NaBrを添加してシリコーン樹脂の光反射層上への塗布を行う以外は前記(1)と同様の方法で行った。
サンプルNo.2の作製において、支持体に含まれるNa濃度が30ppmの支持体を用いて蒸着を行い、使用する支持体を変更した以外は前記(2)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.6とした。
なお、使用する支持体の準備方法は、サンプルNo.1の作製において、Naの溶出量が30ppmとなるように、NaBrを添加してシリコーン樹脂の光反射層上への塗布を行う以外は前記(1)と同様の方法で行った。
サンプルNo.2の作製において、支持体に含まれるNa濃度が45ppmの支持体を用いて蒸着を行い、使用する支持体を変更した以外は前記(2)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.7とした。
なお、使用する支持体の準備方法は、サンプルNo.1の作製において、Naの溶出量が45ppmとなるように、NaBrを添加してシリコーン樹脂の光反射層上への塗布を行う以外は前記(1)と同様の方法で行った。
比較例として、サンプルNo.2の作製において、支持体に含まれるNa濃度が100ppmの支持体を用いて蒸着を行い、使用する支持体を変更した以外は前記(2)と同様の方法で行い、作製された蛍光体プレートをサンプルNo.8とした。
なお、使用する支持体の準備方法は、サンプルNo.1の作製において、Naの溶出量が100ppmとなるように、NaBrを添加してシリコーン樹脂の光反射層上への塗布を行う以外は前記(1)と同様の方法で行った。
(1)高湿度の環境下における相対輝度劣化率の測定
前述した方法で作製されたサンプルNo.1〜サンプルNo.8ついて、管電圧80kVpのX線を各サンプルの輝尽性蛍光体層が形成された側から照射した後、パネルをHe−Neレーザ光(633nm)を走査させて励起させ、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子像倍管)で受光し、その発光強度を測定する。なお。このときの発光強度を初期輝度という。その後、各サンプルを40℃、80%の湿度が保たれた部屋に1時間放置し、湿度による劣化を生じさせる。その後、再び発光強度(劣化後輝度)を測定し、各サンプルについて初期輝度に対する劣化後の輝度である相対輝度劣化率(%)を求めて下記表1に記載した。
また、支持体に含まれるNa濃度も上昇すると、輝度劣化率が上昇することがわかり、特に、支持体から溶出するNa濃度が1,5,30,45ppmであるサンプルNo.2及びサンプルNo.5〜サンプルNo.7では、輝度劣化率が3〜9%以内に収まり、高湿度の環境下でも相対輝度劣化率をほとんど低下させることがなく、優れた耐湿性を示すことがわかる。
2 支持体
3 輝尽性蛍光体層
4 蛍光体パネル
5 保護フィルム
Claims (6)
- 支持体上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネルであって、前記輝尽性蛍光体層に含まれる蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上100ppm以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
- 前記蛍光体母体がCsBrであり、前記蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物がNaであり、蛍光体母体以外のアルカリ土類金属不純物がCaであることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。
- 前記輝尽性蛍光体層に含まれる蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上30ppm以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の放射線画像変換パネル。
- 支持体上にアルカリハライド系の輝尽性蛍光体層が気層成長法により柱状に形成された放射線画像変換パネルであって、前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上50ppm以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
- 前記蛍光体母体がCsBrであり、前記蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物がNaであり、蛍光体母体以外のアルカリ土類金属不純物がCaであることを特徴とする請求項4に記載の放射線画像変換パネル。
- 前記支持体に含まれ、かつ、水に溶出する蛍光体母体以外のアルカリ金属不純物及びアルカリ土類金属不純物の合計濃度が0.01以上20ppm以下であることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の放射線画像変換パネル。
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