JPH04127099A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルの
製造方法に関するものである。

（発明の背景〕 Ｘ線画像のような放射線画像を潜在させた輝尽性蛍光体
層から直接画像を取り出す方法は、具体的には米国特許
３．８５９．５２７号及び特開昭５５−１２１４４号に
放射線画像変換方法として示されている。この方法は、
支持体上に輝尽性蛍光体層（以下「輝尽層」と略称する
）を形成した放射線画像変換パネル（以下「変換パネル
」と略称する）を使用するもので、この変換パネルの輝
尽層に複写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査
するこによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放
射させてこれを光に変換し、この光の強弱に基く信号に
より画像を得るものである。この最終的な画像はハード
コピーとして再生してもよいし、ＣＲＴ上に再生しても
良い。

しかし、変換パネルは放射線に対する感度および画像の
粒状性には厚膜であることを必要とし、画像の鮮鋭性に
は薄膜であることが必要であり、輝尽層の層厚に対して
まったく逆の傾向を示すので、前記変換パネルは放射線
に対する感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲
によって作成されてきた。

前述のような欠点および特性間の相反性に鑑みて、特開
昭６１−７３１００号には真空蒸着等の気相堆積法によ
り輝尽層に結着剤のない変換パネルおよびその製造方法
が提案されている。これによれば、輝尽層の充填率が著
しく向上すると共に輝尽層中での輝尽励起光および輝尽
発光の指向性が向上し、変換パネルの放射線に対する感
度と画像の粒状性か改善されると同時に画像の鮮鋭性も
改善される。

前記の気相堆積による変換パネルはスパッタ法、ＣＶＤ
法、蒸着法等積々の方法で製造可能であるか、製造コス
ト等を考慮すると蒸着法か最も好ましい方法と言える。

さて、このような気相堆積法で蒸着された輝尽層は、感
度、鮮鋭性等の緒特性を改善する目的で後処理として熱
処理（アニール）を施されるのが一般的である。このよ
うな熱処理においては通常付活剤の離脱を防ぐため、付
活剤を含有する雰囲気中で熱処理が施される（特開平１
−１８１００号）。

また、この熱処理技術を利用すれば、付活剤を含まぬ輝
尽性蛍光体母体（以後母体と称す）層を所定濃度のけ活
剤雰囲気中で熱処理することにより、母体層に付活剤を
拡散添加して輝尽層を形成することも可能である（特開
平１−１８０９９号）。

これらの場合、ある程度高温の熱処理が好都合であるが
、往々にして高温であると、鮮鋭度の低下や輝尽層にク
ラックを発生する不都合を招く。

具体的には、特開平１−１８０９９号または１８１００
号においては、好ましい熱処理温度Ｔ（℃）として母体
の融点Ｔｍ（℃）に対し、０．２５Ｔｍ＜　Ｔ　＜　Ｔ
ｍの範囲をとるとの記載があるが、実際には母体の融也
付近の温度において種々の問題が生ずる。

まず、蒸着により作成した輝尽層あるいは母体層は柱状
構造を有することにより励起光の指向性を高め、鮮鋭性
を向上させているが、上記温度では結晶の融着により、
柱状構造がくずれてしまう。

従って鮮鋭性が低下する。これは輝尽層あるいは母体層
として特に柱状化し易いアルカリハライド蛍光体を用い
た場合、転着である。

また、通常輝尽層あるいは母体層と支持体の熱膨張係数
が異なるため、輝尽層あるいは母体層には熱処理による
応力が働く。これは高温になるほど大きく、特に上記の
温度では無視できなくなり輝尽層あるいは母体層に目視
で確認できるほどの大きなりラックが入り、画像の粒状
性を低下させる。また時には輝尽層あるいは母体層と支
持体間で剥離が生じることもある。

また、通常熱処理温度が高いほど支持体の反り、不純物
の輝尽層への溶入による感度低下が大きくなる。この影
響は上記温度では無視できなくなり、例えばＲｂＢｒ　
（Ｔｍ＝６８２°Ｃ）を母体として用イタ場合、処理温
度Ｔを５２０″Ｃ（＞　０．７５７ｍ）とすると、支持
体として金属または硼珪酸ガラス、化学強化ガラス等の
板ガラスを用いた場合、反りあるいは不純物の溶入（金
属イオン）が著しく、使用にたえられないものとなる。

一方熱処理温度が低いと高感度化の目的が達せられない
。

〔発明の目的〕

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル
における上述のような欠点に鑑みてなされたものであり
、本発明の目的は、高鮮鋭性でかつ高感度であり、輝尽
層にクラックのない、また支持体選択範囲の広い放射線
画像変換パネルの製造方法の提供にある。

〔発明の構成及び作用効果〕

本発明者等は、上記目的を達成するために、放射線画像
変換パネルの製造方法における熱処理条件について種々
の研究を行なってきた。その結果、熱処理を選択的に規
定した範囲において行なった場合には、輝尽層のクラッ
クを抑制することができ、従って粒状性、鮮鋭性、感度
が著しく向上した変換パネルを製造することができるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、前記した発明の目的は、支持体上に輝尽性蛍
光体層又は輝尽性蛍光体母体層を形成後、付活剤を含有
する雰囲気中で熱処理を施す放射線画像変換パネルの製
造方法において、前記熱処理温度Ｔ（℃）が前記輝尽性
蛍光体母体の融点Ｔ＋ｅ（℃）に関し、 ０、４０Ｔｍ＜　Ｔ　＜　０．７５Ｔｍ　（℃）である
ことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法によ
って達成される。

次に本発明を具体的に説明する。

本発明においては、熱処理温度を０．７５Ｔｍより低く
することにより輝尽層のクラック発生等を抑え、支持体
材質の選択範囲を拡め、かつ結晶の融着を防ぐことによ
り鮮鋭性を高めることができた。

第１図に付活剤雰囲気における熱処理の各温度に於る熱
増感曲線を示した。図に於いて曲線ａ、ｂｃ、　ｄ、　
ｅ、　ｆ及びｇは各々　１５０．２５０．３００．４５
０．５００．６００°Ｃ及び６５０　℃に於けるＲｂＢ
ｒ：Ｔｆからなる輝尽層の熱増感曲線である。尚、Ｒｂ
Ｂｒは母体、ＴＶは付活剤であり、ＲｂＢｒの融点Ｔｍ
は６８２°Ｃ、０，４０Ｔｍ＝２７２℃、　０．７５７
ｍ＝５１２℃である。

この図から分かるように、熱増感曲線には、飽和点があ
り、所定の温度以上ではほぼ同じ感度レベルに達する。

この観点に立つと、熱増感処理温度は反応速度に頚著に
影響するが、熱処理効果は反応速度か遅くとも取出すこ
とがでる。即ち、処・理温度Ｔ（℃）を母体の融ａＴｍ
（℃）について、０．４０７ｍ＜　Ｔとすると、比較的
低温においても、処理時間を長めることによりほぼ同レ
ベルの飽和感度に達することができた。Ｔ≦０．４０７
ｍでは、すなわち第１図のａ、ｂでは熱増感処理に十分
な熱エネルギーが与えられないので充分な感度は得られ
ない。

一方、０．７５７ｍ≦Ｔの領域、すなわち第１図のｒｌ
ｇにおいてはこれ以上処理温度を上げても飽和感度は同
じレベルであり、飽和感度への到達速度も変わらない。

しかしこの領域では、輝尽層のクラックが急激に５増加
し、クラックの幅も広がる傾向にあるので、Ｔ　＜　０
．７５７ｍであることが画像の粒状性の点から重要とな
る。

また、この領域では輝尽層の柱状結晶が融着し、輝尽層
が透明化するために鮮鋭性の著しい低下があるので、こ
の点からもＴ　＜　０．７５７ｍであることか重要とな
る。

尚、処理条件によって異なるが前記温度範囲で４時間以
上の処理時間が望ましい。

第２図（ａ）に拡散法熱増感装置の概要図を示す。

図に於て２１は増感を施す変換パネルである。２７は付
活剤を含有する物質粉末である。例えば輝尽層にＲｂＢ
ｒ：Ｔ　ｅを用いる時にはＲｂＢｒ：ＴＡ！蛍光体、Ｒ
ｂＢｒ：Ｔｆ　Ｂｒ混合粉末或はＴＩ！Ｂｒ扮末等であ
る。

２２は前記増感を施す母体層もしくは輝尽層を有する母
材パネル２１の熱処理容器、２６は付活剤を含有する物
質粉末の蒸発容器、２３および２５は加熱手段、２８は
ガス量調整バルブである。熱処理容器２２と蒸発容器２
６はガス量調整バルブ２８を介して互いにつながってい
る。

まず、増感を施すパネル２１を熱処理容器２２へ、付活
剤を含有する物質粉末２７を蒸発容器２６にそれぞれ設
置する。その後、加熱手段２３．２５でそれぞれの容器
を所定の温度まで加熱した後、ガス量調整バルブ２８を
除々に開いて付活ガスを熱処理容器２２中へ拡散させる
。ここで付活剤の拡散量は蒸発容器２６の加熱温度、熱
処理容器２２と蒸発容器２６との温度差ガス量調整バル
ブ２８の開閉量等によって決まる。

パネル２１の熱処理温度Ｔ（℃）は輝尽性蛍光体の種類
によっても異なるが母体の融点Ｔｍ（℃）より低く　、
０．４０Ｔｍ＜　Ｔ　＜　０．７５Ｔｍの範囲にとられ
る。

前記パネル２１は熱処理後温室まで所定の速度で冷却さ
れて本発明に係る変換パネルが完成する。

この装置によれば蛍光体結晶に対する熱増感と該結晶中
の一定な付活剤の濃度保償と更に蒸着時の結晶の乱れに
対するアニールが同時に行われる。

第２図（ｂ）は拡散法熱増感装置の他の例を示す概要図
である。図に於て２１は増感を施す母材パネル、２９は
付活剤を含有する物質粉末（雰囲気扮）である。３０は
前記増感を施す母材パネル２１の熱処理容器である。

本装置では増感を施す母材パネル２１と付活剤を含有す
る物質粉末（雰囲気粉）２９とを熱処理容器３０中に共
存させるところに特徴がある。

このような雰囲気粉の使用によって母材パネル中へ含有
させる付活剤濃度を簡単に調整できる。

雰囲気粉の付活剤濃度は熱処理条件で異なるが、母材パ
ネル２１が輝尽性蛍光体場合その付活剤とほぼ等しいか
大きいことが好ましく、母体の場合その所定濃度にとら
れる。

また、パネル２１の熱処理温度Ｔは前記と同様０．４０
Ｔｍ＜　Ｔ　＜　０．７５Ｔｍの範囲である。

本発明に於いて前記の付活剤の保償手段を含む熱増感処
理の対象となる輝尽層もしくは母体層は、一般公知の気
相堆積法によって形成される。

即ち該輝尽層は、緻密に堆積された蛍光体非結晶（アモ
ルファス）からなっていてもよいし、微細柱状結晶が層
厚方向に縦に結束されて貝柱状に層を形成した形態でも
よい。或は前記貝柱状に結束して層をなした層表面には
大小の縦横に走るフレバスを配してもよい。更に微細柱
状結晶の各々の周囲に空隙を囲繞して霜柱状に蝟集した
形状の輝尽層であってもよい。

また前記フレバス或は空隙は層厚方向の上向き或は下向
きに消滅して微細柱状結晶が癒合していてもよい。

また前記した各形態の混合した輝尽層でもよい。

輝尽性蛍光体のうち、熱輝尽性蛍光体は励起に対する応
答性が遅い、時系列的に読取ることがむずかしい等の理
由により実用上光輝尽性蛍光体が有用であり、また５０
０ｎｍ以上の輝尽励起光で輝尽発光するものが好ましい
。

本発明のパネルに用いられる光輝尽性蛍光体としては、
以下に記すものがある。ここで輝尽性蛍光体とは付活剤
と母体からなり、通常母体　付活剤と表記する。例えば
特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式か （Ｂａｄ−、−ｙ　ＭｇｘＣａｙ）ＦＸ：ｅＥｕ２４（
但し、ＸはＢｒおよびＣＩの中の少なくとも１つであり
、ｘ、ｙおよびｅはそれぞれＯ＜ｘ＋≦０６、ｘｙ≠０
および１０−’≦ｅ≦５＋１０−！なる条件を満たす数
である。）で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍
光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般
式が ＬｎＯＸ　　：　　ｘＡ （但しＬｎはＬａ、　Ｙ、　ＧｄおよびＬｕの少なくと
も１つをＸはＣｆおよび／またはＢｒを、ＡはＣｅおよ
び／またはＴｂを、ＸはＯ＜Ｘ＜０．１を満足する数を
表す。

）で表され蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式が （Ｂａｔ−ｘＭ’　ｘ）ＦＸ：ｙＡｕ （但し　Ｍｌ　はＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎおよび
Ｃｄ（７）うちの少なくとも１つを、ＸはＣ１，Ｂｒ、
および■のうち少な（とも１つを、ＡはＥｕ、　Ｔｂ、
　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ　Ｙ
ｂおよびＥｒのうちの少なくとも１つを、Ｘおよびｙは
Ｏ≦Ｘ≦０．６および０≦ｙ≦０．２なる条件を、満た
す数を表す。）で表される蛍光体、特開昭５５−１１４
３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ＸＣｅ、
　　ｙＡ （但しＸはＣ１，Ｂｒ、および■のうち少なくとも１つ
を、ＡはＩｎ、　Ｔ　Ｉ　、　Ｇｄ、　ＳｓおよびＺｒ
のうちの少なくとも１つであり、Ｘおよびｙはそれぞれ
０＜Ｘ≦２Ｘ１０−１およびＱ＜ｙ≦５×１０−冨であ
る。）で表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号
に記載されている一般式が ＭＩ　ＦＸ−ＸＡ：　ｙＬｎ （但しＭｌはＭｇ、　Ｃａ、　Ｂａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ、
　　およびＣｄのうちり少なくとも１種ＡはＢｅｄ、　
ＭＨＯ，Ｃａｂ、　ＳｒＯ，Ｂａｄ、　ＺｎＯ。

ＡＩ！＊Ｏｓ、　Ｙ’ｔＯ＊、　ＬａｗＯｓ、　Ｉｎｔ
Ｏｍ、　ｓｉｏ、、　ＴｉＪ、　２ｒＬ、　Ｇｅ０ｔ。

ＳｎＪ、Ｎｋ１２０ｉ、　ＴａｚＯｉ、　　およびＴｈ
ｅ２のうち少なくとも１種、ＬｎはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃ
ｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ
、　Ｅｒ　ＳｍおよびＧｄのうち少なくとも１種であり
、ＸはＣｆ、Ｂｒ、およびＩのうち少なくとも１種であ
り、Ｘおよびｙはそれぞれ５ＸＩＯ−’≦Ｘ≦０．５お
よび０＜ｙ≦０．２なる条件を満たす数である。）で表
される希土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体
、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記いづ
れかの一般式 ％式％： （式中、ＭおよびＮはそれぞれＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、
　Ｂａ、　Ｉｎ。

およびＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ、Ｃ１，Ｂｒ
およびＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　
ＣｅＴｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、
　Ｅｒ、　Ｓｂ、　ＴＩ！　、　ＭｎおよびＳｎのうち
少なくとも１種を表す。また、Ｘおよびｙは０〈Ｘ≦６
．０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。

）で表される蛍光体、下記いづれがの一般式％式％： （式中、ＲｅはＬａ、　Ｇｄ、　Ｙ、　Ｌｕ、のうち少
なくとも１種、Δアルカリ土類金属、Ｂａ、　Ｓｒ、　
Ｃａのうち少なくとも１種、ＸおよびＸ′およびＦ、Ｃ
１，Ｂｒ少なくとも１種を表す。また、Ｘおよびｙは、
ｌＸ１０−”＜ｘ＜　３　Ｘ　１０−’　　Ｉ　Ｘ　１
（１−’　＜　ｙ＜　ｌ　Ｘ　１０−’なる条件を満た
す数であり、ｎ／［０はｌ　Ｘｌ０−’＜ｎ／ｒｎ　＜
　７　ｘｌｏｌなる条件を満たす。）で表される蛍光体
、及び下記一般式 ％式％： （但し、Ｍ　’　Ｌｉ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｒｂ、　Ｃａ
から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ
ｌはＢｅ、　Ｍｇ、　ＣａＳｒ、　Ｂａ、　ｚｎ、　Ｃ
ｄ、　ＣｕおよびＮ１から選ばれる少なくとも１種の二
価金属である。

Ｍｌ　はＳｃ、　Ｙ、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ
、　Ｐｍ、　Ｓｍ、Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、　Ａ１．Ｇａ、および
１ｎから選ばれる少なくとも１種の三価金属である。

ｘ、ｘ’　およびＸ″はＦ、ＣＩ！、Ｂｒ、およびＩか
らから選ばれる少なくとも１種のハロゲンである。

ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、
　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｇｄ、　Ｌｕ、　
ＳｍＹ、　Ｔ　Ｉ　、　Ｎａ、　Ａｇ、　Ｃｕ、および
Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の金属である。また、
ａはＯ≦ａ＜０．２の範囲の数値であり、ｂはＯ≦ｂ＜
０．５の範囲の数値であり、ＣはＯ≦ｃ＜０．５の範囲
の数値である。

）で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。

本発明に係るパネルに用いられる輝尽性蛍光体は、前述
の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した後
輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であ
ればいかなる蛍光体であってもよいが、特に本発明にお
いては、アルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリ
ング等の方法で輝尽層を形成する場合、柱状結晶になり
易いが、熱処理温度０．７５Ｔｍ以上では融着による鮮
鋭性低下が起り易いので本発明の温度範囲規制は甚だ有
意義である。

本発明に係るパネルは前記の輝尽性蛍光体の少なくとも
一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る輝
尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含ま
れる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていて
もよい。

本発明に係るパネルの蛍光層の層厚はパネルの放射線に
対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、
３０μｍ−１０００μｍの範囲から選ばれるのが好まし
く、６０μｍ〜６００μｍの範囲から選ばれるのが好ま
しい。特に支持体、輝尽層間の熱膨張の差によるクラッ
クの生じ易い２００μｍ以上の場合、本発明の効果が著
しい。

さらに、本発明に係る変換パネルの輝尽層は輝尽励起光
および輝尽発光の指向性に優れ、輝尽励起光の輝尽層中
での散乱が減少し、画像の鮮鋭性が著しく向上する。

本発明に係るパネルにおいて用いられる支持体としては
ガラス、金属、セラミックス等が用いられ、特にアルミ
ニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート或は該金属酸化
物の被覆層を有する金属シートにおいても金属不純物と
して輝尽層に溶出、減感を起ことか少くなり、本発明の
効用は更に太き（なる。

さらにこれらの支持体は、輝尽層との接着性を向上させ
る目的で輝尽層を設ける面に下引層を設けてもよい。ま
た、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によっ
て異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μｍであり
、取扱い上の点からさらに好ましくは８０μｍ−１ｏｏ
ｏμｍである。

本発明に係る変換パネルにおいては、一般的に前記蛍光
層が露呈する面に、輝尽層を物理的にあるいは科学的に
保護するための保護層が設けられてもよい。この保護層
は保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布して形成しても
よいし、或は予め別途形成した保護層を輝尽層上に接着
してもよい。

保護層の材料としては酢酸セルロース、イトロセルロー
ス、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエス
テル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩
化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護層用材料が用い
られる。

また、この保護層は蒸着法、スパッタ法等により、Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯｘ、　ＳｉＮ、　Ａｆ　＊Ｏｓなどの無機物
質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は
一般には０．１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。

本発明の変換パネルにおいては、前記保護層より更に厚
い保護層体をスペーサを介して輝尽層を掩ってもよい。

用いられる保護層体としては、透光性かよく、シート状
に成形できるものか使用される。保護層体は輝尽励起光
および輝尽発光を効率よく透過するために、広い波長範
囲で高い透過率を示すことが望ましく、透過率は８０％
以上か好ましい。

そのようなものとしては、例えば、石英、硼珪酸ガラス
、化学的強化ガラス等の板ガラスや、ＰＥＴ、延伸ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物が挙
げられる。硼珪酸ガラスは３３０ｎｍ〜２，６μｍの波
長範囲８０％以上の透過率を示し、石英ガラスではさら
に短波長においても高い透過率を示す。

さらに、保護層体の表面に、ＭｇＦ　ｘ等の反射防止層
を設けると、輝尽励起光および輝尽発光を効率よく透過
するとともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好
ましい。

本発明に係る変換パネルは第３図に概略的に示される放
射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭性、粒
状性および感度を与える。すなわち、第３図において、
４１は放射線発生装置、４２は被写体、４３は本発明に
よるパネル、４４は輝尽励起光源、４５は該パネルより
放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、４６は４
５で検出された信号を画像として再生する装置、４７は
再生された画像を表示する装置、４８は輝尽励起光と輝
尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透過させるフィルタ
である。

尚４５以降は４３からの光情報を何らかの形で画像とし
て再生できるものであればよく、上記に限定されるもの
ではない。

第３図に示されるように、放射線発生装置４１からの放
射線は被写体４２を通して本発明による変換パネル４３
に入射する。この入射した放射線は変換パネル４３の輝
尽層に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透
過像の蓄積像が形成される次にこの蓄積像を輝尽励起光
源４４からの輝尽励起光で励起して輝尽発光といて放出
せしめる。パネル４３は、輝尽中に決着剤が含まれてお
らず、輝尽像の輝尽励起光の指向性が高いため上記輝尽
励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝尽層中で拡散
するのが抑制させる。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するのてぜ、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４
６によって画像として再生し、画像表示装置４７によっ
て表示することにより、被写体の放射線透過観察するこ
とができる。

〔実施例〕

次に実施例によって本発明を説明する。

まず試料作成に共通な操作条件をのべる。

１、０ｍｍ厚の結晶ガラス支持体（４００ｍｍＸ　５０
０ｍｍ）を、エレクトロンビーム法（ＥＢ法）による蒸
着装置中に設置した。次いで、水冷した坩堝にアルカリ
ハライド蛍光体の母体ＲｂＢｒ　（但し実施例２のみＲ
ｂＢｒ；０．０００３ＴＩ）を入れ、プレスして坩堝の
形状に成形した。

続いて、蒸着装置内を排気し、５×１Ｏ−１Ｔｏｒｒの
真空度とした。次に、支持体を４０〜４５°Ｃに保持し
なから、ＥＢガンに電力を供給して輝尽性蛍光体の母体
（実施例２は輝尽蛍光体）を蒸発させた。

目的とする輝尽層を得るために膜厚モニタにより蒸着速
度が　１０’入／ｍｉｎとなるようにコントロールした
。また、電子ビームは坩堝の輝尽性蛍光体の母体（実施
例２は輝尽性蛍光体）表面をラスター状にスキャンさせ
た。

母体層（実施例２は輝尽層）の層厚が所定厚みとなった
ところで蒸着を終了させた。母体層あるイハ輝尽層の蒸
着領域はステンレス板のマスクを用いて、３７０ｍｍ　
Ｘ　４７０ｍｍとし母材パネル（実施例２では輝尽性蛍
光体パネル）Ｓをえた。ここで母材パネルとは基板に母
体を蒸着した形態を指す。

次にパネルＳを第２図（ｂ）に示す拡散法熱増感装置の
熱処理容器にセットし、熱処理温度Ｔ及び時間を定めこ
こにＴＩ　Ｂｒ濃度が０．　ＯＯ０３ｍｏ　Ｉ　となる
雰囲気で熱処理した。このようにして本発明に係る変換
パネルＡを得た。

このようにして得られた本発明に係る変換パネルＡのＸ
線に対する感度、鮮鋭性、粒状性を評価した。

特性の評価方法は下記の通りである。

（１）Ｘ線感度 管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０ｍＲ照射し、を秒後に半
導体レーザ光（７８０ｎｍ）で輝尽励起し、輝尽性蛍光
体層から放射される輝尽発光を光検出器（光電子増倍管
）で光電交換し、この信号の電圧値Ｖを求めた。次いで
実施例２の値を１００とする相対感度を求めた。

（２）鮮鋭性 空間周波数　ＩＩ！ｐ／ｍｍにおけるＭＴＦ（変調伝達
関数％）を求め、実施例２の変換パネルの値を１００と
して相対的鮮鋭性を評価した。

（３）粒状性 本発明に係るパネル八に管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０
ｍＲ照射した後、半導体レーザ光（７９０ｎｍ）で輝尽
励起し、輝尽層から放射される輝尽発光を光検出器（光
電子増倍管）で充電変換し、この信号を画像再生装置に
よって画像として再生し、銀塩フィルム上に記録した。

前記記録において、画像ノイズとしてクラック模様か認
められるとき×、認められないとき○とする目視判定に
より表した。

尚クラックは直接目視も可能である。

実施例１〜６及び比較例　（１）〜（７）表−１に示す
条件において熱処理温度Ｔｆ℃）の効果を示す。尚母体
の融点Ｔｍ＝　６８２°Ｃ１従って０、４０７ｍ＝　２
７２℃、０．７５Ｔｍ＝　５１２°Ｃ０表−１ 実施例試料は高鮮鋭性であり、低温処理であるのでクラ
ックの発生がない。比較例の高温試料は鮮鋭性低く、ま
た２００μｍ以上の厚膜の影響を償却できずクラックに
よる粒状性低下がある。また０、　４０７ｍ以下では感
度が低い。

実施例７〜９及び比較例（８） 表−２に示す条件において熱処理時間の効果を示す。

表−２ 実施例においてはドーピング時間と共に感度が向上する
がＴ　＞　０．７５Ｔｍ（６００°Ｃ）１０時間の比較
例（８）では６００°Ｃ，４時間の比較例（１）からの
感度の上昇なく、また結晶の融着により鮮鋭性は低下す
る。

実施例１０及び比較例（９） 表−３に示す条件において支持体の選択性をみた。

表−３ 比較例においてはアルミニウムの輝尽層への溶出により
感度か低下する。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、０．４０Ｔｍ＜Ｔ
　＜　０．７５Ｔｍの低温で熱処理すること及び輝尽層
中の付活剤濃度を所定濃度に調整することが可能である
。そのため、輝尽性蛍光体の熱増感効果により、高感度
でかつ粒状性、鮮鋭性の良好な変換パネルを作成するこ
とが可能となった。

本発明は、その効果が極めて大きく工業的に有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１１Ｎは熱処理時間に対する感度変化を表す図である
。 第２図は本発明に用いられる拡散法熱増感装置の−例を
示す概要図である。 第３図は本発明に係る変換パネルを用いる放射線画像変
換方法の説明図である。 ２１・・・増感を施すパネル ２２、３０．６２・・・熱処理容器 ２３、６３・・加熱用ヒータ ２４、６４・・・熱処理炉 ２５・・・加熱用ヒータ　　　２６・・・蒸発容器２７
・・・付活剤を含有する物質粉末

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 支持体上に輝尽性蛍光体層又は輝尽性蛍光体母体層を形
   成後、付活剤を含有する雰囲気中で熱処理を施す放射線
   画像変換パネルの製造方法において、前記熱処理温度Ｔ
   （℃）が前記輝尽性蛍光体母体の融点Ｔｍ（℃）に関し
   、 ０．４０Ｔｍ＜Ｔ＜０．７５Ｔｍ（℃） であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方
   法。