JP2006100729A - ワイヤボンディングにおけるボールの検査方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 パッドとボール部分を照らす照明光として撮像手段のレンズ光軸と平行な同軸光を用い、この同軸光の色を検査内容に応じて最適な色に切り替えることにより、ボールの接合状態を画像処理によって正確に検出できるようにしたワイヤボンディングにおけるボールの検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ1のパッド3と外部電極との間をボールボンディングによって配線するワイヤボンディングにおけるボールの接合状態の検査方法であって、パッド3とボール5の部分を撮像手段12で撮像し、該撮像手段で撮像した平面画像から画像処理によってボール5の接合状態を検出するようにしたワイヤボンディングにおけるボールの検査方法において、パッド3とボール5の部分を照らす照明光として撮像手段12のレンズ13の光軸と平行な同軸光を用い、該同軸光の色を検査内容に応じて切り替えるようにした。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体チップのパッドと外部電極間をボールボンディングによって配線するようにしたワイヤボンディングにおいて、半導体チップのパッドに接合されたボールの接合状態を画像処理によって検査するための方法に関するものである。
まず、図2を参照してワイヤボンディングにおける半導体チップのパッドとボールの接合状態について説明する。
図2において、1はリードフレーム、2はリードフレーム1上に搭載された半導体チップ、3は半導体チップ2上に形成されたパッド(第1ボンディング点)、4は金線などのボンディングワイヤ、5はボンディングワイヤ4の先端に形成されたボールである。
ボンディングワイヤ4の先端に形成されたボール5は、接合前においてはほぼ球形をしており、ワイヤボンディング時にキャピラリ6によって押圧されながら超音波振動を与えられることにより、図示するように平たく押し潰された状態でパッド3に圧着接合される。
パッド3に圧着接合された上記ボール5の上面中央位置には、キャピラリ6の先端内部に入り込んだインサイドチャンファ部7によって円錐形状をしたコーン部8が形成されるとともに、コーン部8の周囲にはほぼ平坦なボール圧着面9が形成されている。
従来、上記パッド3に接合されたボール5の圧着厚tや圧着径D、圧着点(中心位置)Oなどの接合状態を検出してボンディングの良否を判定するには、上下左右の移動量を計測可能な金属顕微鏡などを用い、測定者が目的とする個所に顕微鏡の焦点を合わせ、そのときに得られた上下左右の移動量からそれぞれの値を算出していた。しかしながら、このような人手による方法の場合、目的とする個所に焦点が正確に合っているか否かは測定者によってバラツキがあり、十分な測定精度を得ることが困難であった。
そこで、このような問題をなくすために、カメラのレンズを通して取り込まれたボール5のコーン部8の平面画像と、予め用意した基準となるコーン部のパターン画像とを比較照合し、最も画像が一致する撮像高さ位置を合焦点高さとすることによってボール5の圧着厚tを検出する方法(特許文献1参照)などが提案されている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の検査方法を初めとして、従来における画像処理を利用したパッドとボール部分の検査方法の場合、検査対象とするボールとパッド部分は白色光などの単一の照明光で照らすだけであり、測定条件によってはコントラストのはっきりした明確な画像を得ることが難しい場合があった。
一方、特許文献2には、バッドとリード(外部電極)の間を結ぶボンディングワイヤ部分をカラーカメラで撮影し、該得られたカラー画像を色相H、彩度S、輝度Iの各データに変換した後、これらHISデータを用いてワイヤ部分の良否を判定するようにした検査方法が提案され、特許文献3には、ワイヤ部分をR,G,Bのリング照明あるいはレーザースリット光で照らしてRGBの各画像を求め、得られたRGB各画像を2値化処理することによってワイヤの良否を判定するようにした検査方法が提案されている。
しかしながら、これら特許文献2や3に示された検査方法は、いずれもパッドとリードの間を結ぶワイヤの良否を検査するものであり、本発明が対象とするパッドとボール部分の検査にはそのまま適用することができない。
特開平6−224267号公報(全頁、全図) 特開平10−311713号公報(全文、全図) 特開平7−37955号公報)(全文、全図)
本発明は、パッドとボール部分を照らす照明光として撮像手段のレンズ光軸と平行な同軸光を用い、この同軸光の色をパッドとボールの測定個所に応じて最適な色に切り替えることにより、画像処理を利用してボールの接合状態を正確に検出できるようにしたワイヤボンディングにおけるボールの検査方法を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、請求項1記載の発明は、半導体チップのパッドと外部電極との間をボールボンディングによって配線するワイヤボンディングにおけるボールの接合状態の検査方法であって、パッドとボール部分を撮像手段で撮影し、該撮像手段で撮影した平面画像から画像処理によってボールの接合状態を検出するようにしたワイヤボンディングにおけるボールの検査方法において、前記パッドとボール部分を照らす照明光として撮像手段のレンズ光軸と平行な同軸光を用い、該同軸光の色を検査内容に応じて切り替えるようにしたものである。
請求項2記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、前記接合状態の検査内容が、少なくとも、パッドの合焦点高さ、ボール圧着面の合焦点高さ、ボールの外径寸法、ボールの圧着点の検出であり、前記パッドの合焦点高さの検出処理に際しては前記同軸照明光の色を青色とし、前記ボール圧着面の合焦点高さの検出処理に際しては前記同軸照明光の色を黄色または赤色とし、前記ボールの外径寸法の検出処理に際しては前記同軸照明光の色を青色とし、前記ボールの圧着点の検出処理に際しては前記同軸照明光の色を赤色または黄色とすることを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、前記請求項2記載の発明において、前記パッドの合焦点高さの検出処理に際して、撮像手段を所定のステップ間隔で上下方向に移動しながら、各ステップ位置において前記青色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、各撮像画像におけるパッドのエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる撮影画像の撮像高さ位置を当該パッドの合焦点高さとすることを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、前記請求項2記載の発明において、前記ボール圧着面の合焦点高さの検出処理に際して、所定のステップ間隔で撮像手段を上下方向に移動しながら、各ステップ位置において前記黄色または赤色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、各撮影画像におけるボール圧着面の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる撮影画像の撮像高さ位置を当該ボール圧着面の合焦点高さとすることを特徴とするものである。
請求項5記載の発明は、前記請求項2記載の発明において、前記ボールの外径寸法の検出処理に際して、撮像手段によって前記青色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、該撮影画像におけるボール外周のエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる左右の画素位置間の距離を当該ボールの外径寸法とすることを特徴とするものである。
請求項6記載の発明は、前記請求項2記載の発明において、前記ボールの圧着点の検出処理に際して、撮像手段によって前記赤色または黄色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、該撮影画像におけるインサイドファンチャ部外周のエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる左右の画素位置間の中間点を当該ボールの圧着点とすることを特徴とするものである。
請求項7記載の発明は、前記請求項1〜6記載の発明において、前記同軸照明光に加え、補助光としてリング照明光を用いることを特徴とするものである。
本発明によれば、ボールの接合状態の検出内容に応じて同軸照明光の色を最適な色に変えるようにしたので、検出内容に応じた正確な検出を行うことができ、従来問題となっていたコントラスト不足などに基づく誤検出を可能な限り防止することができる。
特に、パッドの合焦点高さの検出処理に際して同軸照明光の色を青色とし、ボール圧着面の合焦点高さの検出処理に際して同軸照明光の色を黄色または赤色とし、ボールの外径寸法の検出処理に際して同軸照明光の色を青色とし、ボールの圧着点の検出に際して同軸照明光の色を赤色または黄色とすれば、上記効果をより確実に達成することができる。
また、補助光としてリング照明光を用いれば、撮影画像のコントラストを微調整することが可能となり、より確実な検査を実現できる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明方法を適用して構成したワイヤボンディング検査装置の一実施の形態を示すブロック図である。
図において、11は水平面内で移動自在とされたX−Yテーブル、12は半導体チップ2のパッド3とボール5の接合部分を上方から撮影するためのZ軸方向(上下方向)移動自在なモノクロ式のカメラ(以下、単に「カメラ」という)、13はカメラのレンズ、14はX−Yテーブル11とカメラ12を任意の位置に移動するためのXYZ軸駆動機構、15はXYZ軸駆動機構14の移動制御を行なうXYZ位置制御部、16はカメラ12で撮影し輝度画像を取り込んでボール5の圧着径D,圧着厚t,圧着点Oを画像処理によって検出する画像処理部、17は撮影画像や処理データなどを表示するためのモニタ、18は装置全体の処理動作を制御する制御回路、19は同軸照明用RGB光源、20は同軸照明手段、21はリング照明用RGB光源、22はリング照明手段である。
前記同軸照明用RGB光源19とリング照明用RGB光源21は、それぞれ赤(R),緑(G),青(B)の三原色からなる発光ダイオード(LED)とその点灯制御回路から構成され、制御回路18の制御の下、RGBの各発光ダイオードを駆動制御することにより任意の色の照明光を作り出し、光ファイバー23,24などを通じてそれぞれ同軸照明手段20,リング照明手段22に供給するものである。
同軸照明手段20は、例えばレンズ13の鏡胴内に45度に傾斜配置したハーフミラーなどから構成され、同軸照明用RGB光源19から光ファイバー23を通じて送られてくる照明光をレンズ13の光軸と平行な同軸光としてボール5,パッド3に向けて照射するものである。
リング照明手段22は、例えば多数本で構成された光ファイバー23の各ファイバー先端をレンズ13の鏡胴まわりにリング状に配置したもので、リング照明用RGB光源21から送られてくる照明光をレンズ13の外周360°の方向からボール5,パッド3に向けて照射するものである。
半導体チップ2を搭載したリードフレーム1は、X−Yテーブル11上に載置されており、半導体チップ2のパッド3にはボンディングワイヤ4の先端に形成されたボール5がキャピラリ6(図2参照)によって圧着接合されている。
本発明の検査方法では、ボール検出に必要なボール5の水平な面の画像を明確に得るために、同軸照明を採用している。上記したように、同軸照明光はカメラ12のレンズ13の光軸と平行に照射される光線であり、パッド3やボール5の水平な面に垂直上方から当たった同軸照明光はそのまま垂直上方に向かって反射されるので、カメラ12に戻る率が高くなり、輝度が高くなる。一方、コーン部8の傾斜面やボール5の外周縁の円弧面などに当たった同軸照明光は反射の法則に従って斜め外方に反射されるので、カメラ12に戻る率が低くなり、輝度が低くなる。このため、同軸照明光を用いた場合には、ボール検出に必要なボール5の水平面からコントラストの高い画像を得ることができる。
一方、リング照明光は、レンズ13の鏡胴外周にリング状に配置した光ファイバーなどから斜めに照射される光であり、パッド3やボール5の水平な面からの反射光が少なく、コーン部8の傾斜面やボール5の外縁の円弧面に当たった反射光が強くなる可能性がある。そのため、リング照明光によるときは、本来、画像処理のために得たい画像と異なったものになる可能性が高い。そこで、本発明ではボール検出に必要なボール5の水平な面の画像を明確に得ることができる同軸照明を採用し、リング照明については、ボールの外径検出時などにおいて同軸照明だけでは検査に支障を来すような場合などに、コントラスト調整用の補助光として用いるようにしている。したがって、リング照明はRGB光源でなくてもかまわない。
上記構成のワイヤボンディング検査装置において、本発明方法による具体的な処理例を図3のフローチャートの流れに従って説明する。
[1] パッド合焦点高さの検出処理(図3のステップS1〜S3)
まず最初に、パッド3の合焦点高さ、すなわちパッド3の表面のZ軸(上下)方向の位置検出について、図4の撮影画像を参照して説明する。
処理が開始されると、XYZ位置制御部15は、制御回路18の制御の下、XYZ軸駆動機構14を駆動制御し、カメラ12を予め設定されたパッド合焦点高さの測定範囲の最大高さ位置(あるいは最低高さ位置)に移動する(図3のステップS1)。
これと同時に、制御回路18は同軸照明用RGB光源19内の発光ダイオードを駆動制御して青色(B)光を作り、この青色光を光ファイバー23を通じて同軸照明手段20に送ることにより、ボール5とバッド3の部分を青色同軸光によって照明する(図3のステップS2)。なお、パッド3の合焦点高さを求める際に、照明光として青色光を用いる理由は次の通りである。
本発明者らは、これまでの実験や研究ならびに実機製造に基づく経験から、表面の細かい凹凸を画像化したい場合は赤色光または黄色光を用い、表面の細かい凹凸を画像化したくない場合は青色光を用いればよいという知見を得た。パッド3の合焦点高さを求める場合、パッド3の表面の細かい凹凸は不要であり、パッド3に輝度のバラツキがないほうが検出に有利である。そこで、照明光として青色光を採用した。
また、いま検出対象としているパッド3の合焦点高さは、図4に示す撮影画像において、パッド3のエッジ3a部分を検出することで求めているが、このときパッド3のエッジ付近に半導体チップ2の内部パターンなどが存在すると、赤色光や黄色光を用いた場合、その内部パターンの輝度レベルが高くなってしまい、パッド3と内部パターンとの間にコントラストがつかず、パッド3のエッジの検出に悪影響を及ぼすおそれがある。したがって、このような内部パターンの輝度レベルを抑えることも青色の照明光を採用した理由の1つである。
カメラ12は、上記青色同軸光によって照明されたパッド3とボール5の接合部分の平面画像を撮影し、図4に示すような輝度画像として画像処理部16に送る。そして、画像処理部16は、この青色同軸光によって撮影された輝度画像を基に以下に述べるような画像処理を実行し、パッド3の合焦点高さ、すなわちパッド3の表面のZ軸(上下)方向の位置を検出する(図3のステップS3)。
まず最初に、画像処理部16は、送られてきた図4の撮影画像を取り込み、該撮影画像中のパッド3の縦横の幅を検出し、該パッド幅が基準サイズ範囲内に入っているか否かを判定する。
もし、基準のサイズ範囲内に入っていない場合には、正常な測定ができないと判定し、予め定めた所定のステップ間隔(例えば1μm間隔)でカメラ12を次の高さ位置へ移動させ、上記の動作を繰り返す。
一方、基準サイズ範囲内に入っている場合には、正常な測定が可能であると判定し、当該撮影画像中のパッド3のエッジ付近の輝度レベルを算出する。このパッド3のエッジ付近の輝度レベルの算出は、図4に示すような方法で行なわれる。
すなわち、撮影画像中のパッド3のエッジ3aを検出し、このエッジ3aの例えばコーナー付近の8個所に、エッジ3aをまたぐようにして所定の大きさからなる8個の輝度検出窓W1〜W8をそれぞれ設定する。
図示例の場合、この輝度検出窓W1〜W8の大きさは、図4中の右側最上段位置に輝度検出窓W1について例示したように、エッジ3aと平行な向きに4画素幅、エッジ3aと直交する向きに8画素幅の4行×8列(計32画素)からなる輝度検出窓とした。
上記8個の輝度検出窓W1〜W8を設定したら、各輝度検出窓W1〜W8のそれぞれについて、エッジ3aと平行な列方向にその輝度値を加算して平均化し、得られた各平均輝度値について隣り合う輝度値同士の差分を求め、得られた差分値中から最も値の大きな最大差分輝度値を抽出する。
そして、各輝度検出窓W1〜W8においてそれぞれ得られた8個の最大差分輝度値を加算し、この加算値を当該撮影画像におけるパッド3の輝度レベルとする。なお、輝度検出窓を1個しか設定しなかった場合には、当該輝度検出窓内の最大差分輝度値をそのまま当該撮影画像におけるパッド3の輝度レベルとすればよい。
理解を容易とするため、図4中の輝度検出窓W1について具体的に説明する。
いま、4行×8列(計32画素)からなる輝度検出窓W1の各画素の輝度値が図4中の右側最上段の表中に示すような値だったとすると、まず最初に、エッジ3aと平行な方向に各列の輝度値を加算した後、各列毎にその平均値を求める。
次いで、この得られた8個の平均輝度値について、隣り合う平均輝度値同士の差分を算出する。このようにして得られた差分輝度値中において、値が最大となる差分輝度値(図4では、35.3)を当該輝度検出窓W1の最大差分輝度値として決定する。
ところで、実際の測定においては、エッジ3aが輝度検出窓w1中の画素と画素の境目ではなく画素の真上を通る場合もある。このような場合には、エッジ3aと重なる画素部分の輝度値は実際よりも小さくなり、その差分値も実際よりも小さくなる可能性がある。
したがって、上記のようにして得られた最大差分輝度値35.3をそのまま当該輝度検出窓W1の最大差分輝度値として採用してもよいが、より好ましくは、その左右の差分輝度値2.3と21.8を用いて2次関数近似によりピーク値補正を行ない、この補正後のピーク値を当該輝度検出窓の最大差分輝度値として採用することが望ましい。参考のため、図4中に左右の差分輝度値2.3と21.8を用いて2次関数近似によりピーク値補正した値(37.29)も示した。
同様に8個所の輝度検出窓W1〜W8のそれぞれについて最大差分輝度値が得られたら、該得られた8個の最大差分輝度値を加算し、この加算値を当該撮影画像におけるパッド3の輝度レベルとして決定する。
上記のようにして当該撮影画像におけるパッド3の輝度レベルが得られたら、予め定めた所定のステップ間隔(例えば1μm間隔)でカメラ12を次の位置へ移動させて撮影を繰り返し、各撮影画像におけるパッド3の輝度レベルの測定を繰り返す。
予め定めた全測定範囲について所定ステップ間隔(例えば1μm間隔)毎に上記パッド3の輝度レベルの測定が完了したら、すべての撮影画像中から前記パッド3の輝度レベルが最も大きな撮影画像を選択し、この選択した撮影画像の撮像高さ位置をカメラ12の焦点が最も合っている位置、すなわちパッド3の合焦点高さとして決定する。
ところで、上記各撮影画像は予め定められたステップ間隔(例えば1μm間隔)で順次撮影されるため、パッド3の正確な合焦点高さがカメラ12で実際に撮影していないステップとステップの中間位置に存在する場合もあり得る。また、上記のようにして算出された各撮影画像におけるパッド3の輝度レベルには測定誤差も含まれている。
したがって、パッド3の輝度レベルが最も大きな撮影画像の撮像高さ位置を当該パッド3の合焦点高さとしてそのまま採用してもよいが、より好ましくは、測定された各撮影画像におけるパッド3の輝度レベルデータを用いて合焦点高さの2次関数近似を行ない、得られた近似曲線中のピーク位置をパッド3についてのより正確な合焦点高さとして採用することが望ましい。
図5に、上記2次関数近似によるピーク位置の算出例を示す。
この図5は、基準面を中心として上下方向±30μmの高さ範囲をピッチ1μm間隔で順次撮影した61枚の撮影画像についてのパッド3の輝度レベルデータをプロットしたものである。
図示するように、算出されたパッド3の輝度レベルデータには測定誤差などによる凹凸があり、単純に最大の輝度レベル位置をパッド3の合焦点高さとすることは難しいことが分かる。そこで、測定された輝度レベルデータ中から連続したn点のデータを用いて2次曲線近似を行ない、得られた近似曲線のピーク位置をパッド3の本当の合焦点高さとして決定すれば、より合理的であることが分かる。
例えば、図5において、−30〜−10μmの範囲のn=21点のデータを用いて2次曲線近似を行なうと、図中の近似曲線Aのようになり、−10〜+10μmの範囲のn=21点のデータを用いて2次曲線近似を行なうと、図中の近似曲線Bのようになり、+10〜+30μmの範囲のn=21点のデータを用いて2次曲線近似を行なうと、図中の近似曲線Cのようになる。
この3つの近似曲線A、B、Cを見れば明らかなように、2次曲線近似に用いるデータによってその結果が大きく変わり、ピーク点が含まれると予測される範囲の輝度レベルデータ、すなわち−10〜+10μmの範囲の輝度レベルデータを用いて2次曲線近似すれば、合焦点高さを正確に近似できることが分かる。
そこで、本発明では、上記最適な2次曲線近似を実現するために、2次曲線近似に用いるデータ範囲を順次シフトさせながらそれぞれのデータ範囲において2次近似曲線を算出し、得られた各2次近似曲線y=ax+bx+c中においてその2次係数aが最小となる近似曲線をパッド3の合焦点高さを算出するための近似曲線として採用するようにした。図5の例の場合、近似曲線Aの2次係数a=0.1806、近似曲線Bの2次係数a=−1.0885、近似曲線Cの2次係数a=0.046であるから、合焦点高さを算出するための2次近似曲線としては2次係数aが最も小さな値(a=−1.0885)となる近似曲線Bを選択する。
上記のようにして選択された近似曲線Bからピーク点位置を求めるには、ピーク位置の存在する近似曲線yは常に上に凸の2次曲線となることに着目し、この上に凸の近似曲線B上の傾き(いわゆる1次微分)が0となる位置、すなわちx=−b/2aの位置をピーク点位置とすればよい。図5の例の場合、得られた近似曲線Bは、y=−1.0885x+0.5114x+249.89であるから、x=−b/2a≒0.235となり、パッド3の基準面からの合焦点高さは0.235μmとして求まる。
上記のようにして、パッド3の合焦点高さが得られたら、当該得られた合焦点高さが本当に正しいものと認められるか否かのチェックを行なう。すなわち、ピーク値を有する2次曲線は上に凸の2次曲線であるため、得られた近似曲線y=ax+bx+cにおける2次係数aは負の値となり、正の値となることはない。また、パッド3の合焦点高さも設計上許容される範囲があり、得られた合焦点高さはこの許容範囲内に入っている必要がある。
正しいものと認められた場合には、一連の処理を終了する。一方、正しいものと認められない場合には、合焦点高さの測定範囲を新たに設定し直した後、上述したパッド3の合焦点高さの測定処理を再度行なう。このようにして、パッド3の合焦点高さを画像処理によって自動的に求めることができる。
なお、パッド3の合焦点高さの測定に際し、輝度検出窓W1〜W8をパッド3のエッジ3aをまたぐように設定し、この輝度検出窓内における隣合う画素同士の輝度差を利用したのは、以下のような理由によるものである。
一般的に、パッド3のエッジ付近はエッジ3aを境にしてその左右で輝度が急激に変化するが、この輝度変化の大小は撮影画像のピントが合っているか否かによって大きく変わる。すなわち、ピントが合っていれば、撮影画像が鮮明になるのでエッジ3aを境にして左右の輝度差は大きくなり、ピントが合っていなければ、撮影画像がぼやけるのでエッジ3aの左右の輝度差は小さくなる。
このため、エッジ3aをまたぐようにして設定した輝度検出窓内における隣り合う画素同士の輝度値の差分をとれば、その差の大きさによって撮影画像のピントがどの程度合っているか否かを客観的に知ることができる。
したがって、上下方向に所定のステップ間隔(例えば1μm間隔)で順次撮影した各撮影画像について、前記パッド3の輝度レベルを算出して比較すれば、その輝度レベルの大小からピントの合っている撮影画像がどれであるかを客観的かつ正確に決定できるものである。
[2] ボール圧着面の合焦点高さの検出処理(図3のステップS4〜S6)
次に、ボール圧着面9の合焦点高さ、すなわちボール圧着面9の表面のZ軸(上下)方向の高さ位置を求める処理について、図6の撮影画像を参照して説明する。
処理が開始されると、XYZ位置制御部15は、制御回路18の制御の下、XYZ軸駆動機構14を駆動制御し、カメラ12を予め設定されたボール圧着面9の合焦点高さの測定範囲の最大高さ位置(あるいは最低高さ位置)に移動する(図3のステップS4)。
これと同時に、制御回路18は同軸照明用RGB光源19内の発光ダイオードを駆動制御して黄色光(または赤色光)を作り、この黄色光(または赤色光)を光ファイバー23を通じて同軸照明手段20に送ることにより、ボール5とバッド3の部分を黄色同軸光(または赤色同軸光)によって照明する(図3のステップS5)。
なお、ボール圧着面9の合焦点高さを求める際に、照明光として黄色光または赤色光を用いる理由は次の通りである。ボール圧着面9の合焦点高さは、図6に示す撮影画像において、ボール圧着面9の表面の凹凸模様を検出することにより行なっている。一般に、カメラ12のピントがボール圧着面9の表面に合えば合うほど、表面の凹凸模様がはっきりと表れる。したがって、できるだけボール圧着面の輝度レベルを上げて画像にコントラストを付けるほうがボール圧着面9の表面の凹凸模様を検出しやすくなる。そこで、照明光としては、コントラストが付いて表面の凹凸模様を浮き上がらせやすい黄色光または赤色光を採用したものである。
カメラ12は、上記黄色同軸光(または赤色同軸光)によって照明されたパッド3とボール5の接合部分の平面画像を撮影し、図6に示すような輝度画像として画像処理部16に送る。そして、画像処理部16は、この黄色同軸光(または赤色同軸光)で撮影された輝度画像を基に以下に述べるような画像処理を実行し、ボール圧着面9の合焦点高さ、すなわちボール圧着面9のZ軸(上下)方向の位置を検出する(図3のステップS6)。このボール圧着面9の輝度レベルの算出は、図6に示すような方法で行なわれる。
まず最初に、取り込んだ撮影画像中のボール圧着面9に位置して、ボール5の半径方向に沿わせて所定大きさからなる輝度検出窓Wを設定する。
図示例の場合、図6中の右側最上段位置に輝度検出窓Wとして例示したように、ボール5の半径方向と直交する向きに4画素幅、半径方向に沿う向きに8画素幅の4行×8列(計32画素)からなる輝度検出窓とした。
上記輝度検出窓Wを所定の回転ステップ角θで順次回転させながら、各回転ステップ位置において、そのときの輝度検出窓W内の隣り合う画素同士の差分輝度値を算出する。そして、輝度検出窓内の差分輝度値を列方向に加算し、得られた加算値を当該回転ステップ位置におけるボール圧着面9の差分輝度値とする。
上記ボール圧着面9の差分輝度値を各回転ステップ位置についてそれぞれ求め、各回転ステップ位置で得られたボール圧着面9の差分輝度値を加算し、得られた加算値を当該撮影画像におけるボール圧着面9の輝度レベルとする。
理解を容易とするため、図6を参照して上記処理を具体的に説明する。
いま、図中の右水平位置における輝度検出窓Wの各画素の輝度値が図7中の右側最上段の表に示すような値だったとすると、ボール5の半径方向(行方向)に沿って隣り合う画素同士の差分演算を行ない、その差分輝度値(絶対値)を求める。
次いで、上記得られた28個の差分輝度値を加算し、その加算値350を図示の右側水平な回転ステップ位置におけるボール圧着面9の差分輝度値とする。
上記したボール圧着面9の差分輝度値を各回転ステップ位置毎にそれぞれ求め、各回転ステップ位置についてボール圧着面9の差分輝度値がそれぞれ得られたら、該得られた各回転ステップ位置におけるボール圧着面9の差分輝度値を加算し、この加算された差分輝度値を当該撮影画像におけるボール圧着面9の輝度レベルとする。
上記のようにして1つの撮影画像についてボール圧着面9の輝度レベルが得られたら、予め定めた所定のステップ間隔(例えば1μm間隔)でカメラ12を次の測定位置へ移動させ、該位置において上記ボール圧着面9の輝度レベルの算出処理を繰り返す。
そして、測定範囲内のすべてのステップ位置における撮影画像について上記ボール圧着面9の輝度レベルの測定が完了したら、当該半導体チップ2におけるボール圧着面9の合焦点高さを決定する。
ボール圧着面9の合焦点高さは、所定のステップ間隔で撮影したすべての撮影画像中から前記算出したボール圧着面9の輝度レベルが最も大きな撮影画像を抽出し、この抽出した撮影画像の撮像高さ位置をカメラ12の焦点が最も合っている位置、すなわちボール圧着面9の合焦点高さとして決定すればよい。
しかしながら、このボール圧着面9の合焦点高さについても、前述したパッド3の合焦点高さの場合と同じように、各撮影画像は予め定められたステップ間隔(例えば1μm間隔)で順次撮影されるため、ボール圧着面9の正確な合焦点高さがカメラ12で実際に撮影していないステップとステップの中間位置に存在する場合もあり得る。
したがって、上記ボール圧着面9の合焦点高さの決定に際し、上記した輝度レベルが最も大きな撮影画像の撮像高さ位置をボール圧着面9の合焦点高さとしてそのまま採用してもよいが、より好ましくは、前述したパッド3の合焦面高さの決定時と同じように、測定された各撮影画像のボール圧着面9の輝度レベルデータを用いて2次関数近似を行ない、得られた2次近似曲線を用いて合焦点高さのピーク位置を算出し、このピーク位置をボール圧着面9の合焦点高さとして採用することが望ましい。
このようにして、カメラ12で撮影した撮影画像を基にボール圧着面9の合焦点高さを画像処理によって自動的に求めることができる。
なお、ボール圧着面9の合焦点高さの測定に際し、輝度検出窓Wをボール圧着面9の内部側に設定し、ボール5のエッジ部分(外径線5a)に設定しなかったのは、以下のような理由によるものである。
もし、前述したパッド3の合焦点高さの測定のときと同じように、輝度検出窓Wをボール5のエッジ部分(外径線5a)をまたぐように設定すると、ボールエッジ部分とパッド3との間の輝度差が最大となる高さを求めることになる。このような検出を行なうと、図2からも明らかなように、ボール5のエッジ部分は円弧状の曲面を呈しているために、実際に求めようとするボール圧着面9の平らな部分の高さよりも低い位置がボール圧着面9の合焦点高さとして求められる可能性が高い。また、ボール5のエッジ部分の曲面形状の違いにより検出される高さにバラツキを生じるおそれもある。実際に、ボール5のエッジ部分に輝度検出窓Wを設定して測定したところ、ボール圧着面9の平らな部分の高さよりも2μm程度低い値となることが確認された。
そこで、輝度検出窓Wをボール圧着面9の内部側に設定し、この輝度検出窓W内の隣り合う画素同士の輝度差からボール圧着面9の合焦点高さを求めるようにしたものである。一般的に、ボール圧着面9にピントが合っていればいるほど、ボール圧着面9の表面の細かい凹凸模様が明確に見えるようになり、輝度検出窓W内における隣り合う画素同士の輝度差も大きくなる。したがって、隣り合う画素同士の輝度差を求めてこれを加算し、その加算値を比較すれば、加算値の最も大きな撮影画像の撮像高さ位置が最もピントが合っている位置、すなわちボール圧着面9の合焦点位置であるとして決定することができる。
[3]ボール圧着厚tの算出(図3のステップS7)
上記のようにしてパッド3の合焦点高さとボール圧着面9の合焦点高さが得られたら、得られたパッド3の合焦点高さとボール圧着面9の合焦点高さとの差分演算(引き算)を行なう。このようにして得られた差分値がボール5の圧着厚t(図2参照)となる。以上のようにして、ボール5の圧着厚tを画像処理によって自動的に測定することができる。
[4]ボール外径の検出処理(図3のステップS8〜S10)
次に、ボール外径Dの検出処理について、図7の撮影画像を参照して説明する。
処理が開始されると、XYZ位置制御部15は、制御回路18の制御の下、XYZ軸駆動機構14を駆動制御し、カメラ12を予め設定されたボール外径Dの測定位置に移動する(図3のステップS8)。
これと同時に、制御回路18は同軸照明用RGB光源19内の発光ダイオードを駆動制御して青色光を作り、この青色光を光ファイバー23を通じて同軸照明手段20に送ることにより、ボール5とバッド3の部分を青色同軸光によって照明する(図3のステップS9)。
なお、ボール外径Dを求める際に、照明光として青色光を用いる理由は次の通りである。ボール外径Dは、図7に示す撮影画像において、ボール圧着面9とパッド3の境界のエッジ部分を検出することで求めている。そこで、ボール圧着面9とパッド3の輝度レベル差を明確にするため、青色光を採用した。赤色光や黄色光の場合、ボール圧着面9とバッド3の両方の輝度が大きくなってしまい、ボール圧着面9とパッド3との間に大きなコントラストがつかず、エッジの検出が難しくなる。
カメラ12は、青色同軸光によって照明されたパッド3とボール5の接合部分の平面画像を撮影し、図7に示すような輝度画像として画像処理部16に送る。そして、画像処理部16は、この青色同軸光で撮影された輝度画像を基に以下に述べるような画像処理を実行し、ボール外径Dを検出する(図3のステップS10)。このボール外径Dの算出は、図7に示すような方法で行なわれる。
まず最初に、取り込んだ撮影画像中のボール5の外径線(エッジ)5aの両端間をまたぐ長さと幅からなる輝度検出窓Wをボール5の半径方向に沿わせて設定する。
そして、上記輝度検出窓Wを所定の回転ステップ角θで順次回転させながら、各回転ステップ位置において、輝度検出窓W内の全画素の輝度値を取り込み、半径方向と直交する向き(列方向)にその輝度値を加算して平均化した後、この平均輝度値について隣り合う輝度値同士の差分を求める。一例として、図7中に、右側水平位置の輝度検出窓Wの右端A部分の各画素についての輝度値、平均値、差分値を示した。
次いで、該得られた差分値中において、輝度検出窓Wの右端側A部分について、右端から数えて最初の差分ピーク値となる画素(図7では、差分値−35.3となる画素)を抽出する。同様に、輝度検出窓Wの左端側B部分についても左端から数えて最初の差分ピーク値となる画素(図示せず)を抽出する。この左右一対のピーク値を与える画素は、それぞれボール5の外径線5aの左右のエッジ位置を示している。
したがって、上記のようにして抽出された左右一対のピーク値画素間の距離を算出すれば、ボール5の外径線5aの直径、すなわちボール外径Dを求めることができる。このピーク値画素間の距離は、それぞれの画素の位置座標(X,Y)から簡単に算出することができる。
ところで、実際の測定においては、前記図4のパッド3の合焦点高さの検出処理の際にも述べたように、ボール5の外径線(エッジ)5aが画素と画素の境目ではなく画素の真上を通る場合もある。このような場合には、外径線5aと重なる画素の輝度値は実際よりも小さくなり、その差分値も実際よりも小さくなる可能性がある。
したがって、上記のようにして得られた最大差分輝度値−35.3の座標位置をそのまま外径線5aの座標位置として採用してもよいが、より好ましくは、図4の場合と同じように、その左右の差分輝度値−21.8と−2.3を用いて2次関数近似によりピーク値補正を行ない、この補正後のピーク値を与える位置を外径線5aの実際の座標位置として採用することが望ましい。
参考のため、図7中に、左右の差分輝度値−21.8と−2.3を用いて2次関数近似により補正した後のピーク値−35.7と、この補正ピーク値−35.7の位置を与えるピーク位置の補正値−0.105も示した。実際の外径線5aの位置は、最大差分輝度値−35.3となる画素位置から0.015だけ左(−)へ寄った位置となる。輝度検出窓Wの左端側B部分についても同様に補正を行ない、これら補正後のピーク位置の位置座標からボール外径Dを算出すればよい。
上記のようにして各回転ステップ位置毎にそれぞれボール外径Dを求めたら、得られたすべてのボール外径Dについての平均値を求め、該平均値を当該ボール5のボール外径Dとして決定すればよい。以上のようにして、ボール外径Dを画像処理によって自動的に測定することができる。
[5]ボールの圧着点の検出処理(図3のステップS11〜S13)
次に、ボール5の圧着点O、すなわちボール5の中心位置の検出処理について、図8の撮影画像を参照して説明する。
処理が開始されると、XYZ位置制御部15は、制御回路18の制御の下、XYZ軸駆動機構14を駆動制御し、カメラ12を予め設定された測定位置に移動する(図3のステップS11)。
これと同時に、制御回路18は同軸照明用RGB光源19内の発光ダイオードを駆動制御して赤色光(または黄色光)を作り、この赤色光(または黄色光)を光ファイバー23を通じて同軸照明手段20に送ることにより、ボール5とパッド3の部分を赤色同軸光(または黄色同軸光)によって照明する(図3のステップS12)。
なお、ボール5の圧着点Oを求める際に照明光として赤色光または黄色光を用いる理由は次の通りである。図示例の場合、ボール5の圧着点Oの検出は、図8に示す撮影画像において、コーン部8の外径線8aを検出することにより行なっている。したがって、外径線8aを検出するにはコーン部8とボール圧着面9との輝度差が大きいことが望ましい。したがって、輝度差が大きくなる赤色光または黄色光を採用ものである。青色光の場合、コーン部8とボール圧着面9との輝度差が小さいので、外径線8aの検出が難しくなる。
カメラ12は、赤色同軸光(または黄色同軸光)によって照明されたパッド3とボール5の接合部分の平面画像を撮影し、図8に示すような輝度画像として画像処理部16に送る。そして、画像処理部16は、この赤色同軸光(または黄色同軸光)で撮影された輝度画像を基に以下に述べるような画像処理を実行し、ボール5の圧着点Oを検出する(図3のステップS13)。このボール5の圧着点Oの検出は、図8に示すような方法で行なわれる。
まず最初に、取り込んだ撮影画像中のコーン部8の外径線8aの両端間をまたぐ長さと幅からなる輝度検出窓Wをボール5の半径方向に沿わせて設定する。
そして、上記輝度検出窓Wを所定の回転ステップ角θで順次回転させながら、各回転ステップ位置において、輝度検出窓W内の全画素の輝度値を取り込み、半径方向と直交する向き(列方向)にその輝度値を加算して平均化した後、この平均輝度値について隣り合う輝度値同士の差分を求める。一例として、図8の右側部分に、この輝度検出窓Wの右端側A部分の画素について、輝度値、平均値、差分値を示した。
次いで、該得られた差分値中において、輝度検出窓Wの右端側A部分について、右端から数えて最初の差分ピーク値となる画素(図8では、差分値12.3となる画素)を抽出する。同様に、輝度検出窓Wの左端側B部分についても左端から数えて最初の差分ピーク値となる画素(図示せず)を抽出する。この左右一対のピーク値を与える画素は、それぞれコーン部8の外径線8aの左右のエッジ位置を示している。
したがって、上記のようにして抽出された左右一対のピーク値画素間の中間点を求めれば、ボール5の圧着点Oを求めることができる。このピーク値画素間の中間点は、それぞれの画素の位置座標(X,Y)から簡単に算出することができる。
ところで、実際の測定においては、前記図7の場合と同じく、コーン部8の外径線8aが画素と画素の境目ではなく画素の真上を通る場合もある。このような場合には、外径線8aと重なる画素の輝度値は実際よりも小さくなり、その差分値も実際よりも小さくなる可能性がある。
したがって、上記のようにして得られた最大差分輝度値の座標位置をそのまま外径線8aの座標位置として採用してもよいが、より好ましくは、前記図7の場合と同様に、その左右の差分輝度値(図8の例では、9.5と6.0)を用いて2次関数近似によりピーク値補正を行ない、この補正後のピーク値を与える位置を外径線8aの実際の座標位置として採用することが望ましい。
参考のため、図7中に、左右の差分輝度値9.5と6.0を用いて2次関数近似により補正した後のピーク値12.335と、この補正ピーク値12.335の位置を与えるピーク位置の補正値−0.097も示した。実際の外径線8aの位置は、最大差分輝度値12.3となる画素位置から0.015だけ左(−)へ寄った位置となる。輝度検出窓Wの左端側B部分についても同様に補正を行ない、これら補正後のピーク位置の位置座標からボール5の圧着点Oを算出すればよい。
上記のようにして各回転ステップ位置毎にそれぞれボール5の圧着点Oを求めたら、得られたすべての圧着点Oについての平均値を求め、該平均値を当該ボール5の圧着点Oとして決定すればよい。以上のようにして、ボール5の圧着点Oを画像処理によって自動的に測定することができる。
なお、図8の例では、インサイドチャンファ部7によって形成されるコーン部8の外径線8aを使ってボール5の圧着点Oを求めたが、ボール5の外径線5aを使って圧着点Oを求めることもできる。インサイドチャンファ部7によって形成されるコーン部8の外径線8aを用いる場合は、キャピラリ6の中心点を求めることに等しく、ボール5の外径線5aを用いる場合は、ボンディングされた実際のボール5の中心点を求めることに等しい。どちらを採用するかは、必要に応じて設定すればよい。ちなみに、ワイヤボンディング装置の製造メーカーでは、キャピラリ6が設計通りの位置に動いているかどうかその軌跡を知るためにインサイドチャンファ部7によって形成されるコーン部8の外径線8aを用いることが多く、半導体チップの製造メーカーでは、実際のボンディング精度を確認するためにボール5の外径線5aを用いることが多い。
以上、本発明方法の一実施の形態について説明したが、上記実施の形態では理解を容易とするために図4、図6、図7に示した各処理をそれぞれ別々に分けて独立に説明したが、実際の検査装置では、これらの処理はカメラを上下移動させながら必要な位置で必要な処理を同時並行に行なわせるようにしている。
また、カメラ12の上下方向の送りステップ間隔、輝度検出窓w、W1〜W8の大きさや設定数、回転ステップ角θなどは、処理装置16の処理能力や必要とする測定精度に応じて最適な値に設定されるものである。
また、リング照明用RGB光源21とリング照明手段22によるリング照明は、上記同軸照明による各測定処理に際し、撮影画像に最適なコントラストを与えるための補助光として、必要なときに使用されるものである。
また、上記実施の形態では、パッドの合焦点高さの検出処理、ボール圧着面の合焦点高さの検出処理、ボールの外径寸法の検出処理、ボールの圧着点の検出処理の順に各処理を実行したが、この実行順序は要求に応じて前後入れ替えてもよいものであり、固定的に処理されるものではない。
本発明方法を適用して構成したワイヤボンディングおけるボールの検査装置の一例を示すブロック図である。 ワイヤボンディングにおけるパッドとボールの接合状態の説明図である。 本発明方法の処理フローの一例を示す図である。 パッドの合焦点高さの測定原理の説明説明図である。 パッドの合焦点高さの2次曲線近似による決定方法の例を示す図である。 ボール圧着面の合焦点高さの検出処理の説明図である。 ボール外径の検出処理の説明図である。 ボール圧着点の検出処理の説明図である
符号の説明
1 リードフレーム
2 半導体チップ
3 パッド
3a パッドのエッジ
4 ボンディングワイヤ
5 ボール
5a ボールの外径線(エッジ)
6 キャピラリ
7 インサイドチャンファ部
8 コーン部
8a コーン部の外径線
9 ボール圧着面
11 X−Yテーブル
12 カメラ(撮像手段)
13 レンズ
14 XYZ軸駆動機構
15 XYZ位置制御部
16 画像処理部
17 モニタ
18 制御回路
19 同軸照明用RGB光源
20 同軸照明手段
21 リング照明用RGB光源
22 リング照明手段
23,24 光ファイバー
W、W1〜W8 輝度検出窓
t ボールの圧着厚
D ボール外径
O ボール圧着点(ボールの中心位置)

Claims (7)

  1. 半導体チップのパッドと外部電極との間をボールボンディングによって配線するワイヤボンディングにおけるボールの接合状態の検査方法であって、パッドとボール部分を撮像手段で撮影し、該撮像手段で撮影した平面画像から画像処理によってボールの接合状態を検出するようにしたワイヤボンディングにおけるボールの検査方法において、
    前記パッドとボール部分を照らす照明光として撮像手段のレンズ光軸と平行な同軸光を用い、該同軸光の色を検査内容に応じて切り替えるようにしたことを特徴とするワイヤボンディングにおけるボールの検査方法。
  2. 前記接合状態の検査内容が、少なくとも、パッドの合焦点高さ、ボール圧着面の合焦点高さ、ボールの外径寸法、ボールの圧着点の検出であり、前記パッドの合焦点高さの検出処理に際しては前記同軸照明光の色を青色とし、前記ボール圧着面の合焦点高さの検出処理に際しては前記同軸照明光の色を黄色または赤色とし、前記ボールの外径寸法の検出処理に際しては前記同軸照明光の色を青色とし、前記ボールの圧着点の検出処理に際しては前記同軸照明光の色を赤色または黄色とすることを特徴とする請求項1記載のワイヤボールボンディングにおけるボールの検査方法。
  3. 前記パッドの合焦点高さの検出処理に際して、撮像手段を所定のステップ間隔で上下方向に移動しながら、各ステップ位置において前記青色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、各撮像画像におけるパッドのエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる撮影画像の撮像高さ位置を当該パッドの合焦点高さとすることを特徴とする請求項2記載のワイヤボールボンディングにおけるボールの検査方法。
  4. 前記ボール圧着面の合焦点高さの検出処理に際して、所定のステップ間隔で撮像手段を上下方向に移動しながら、各ステップ位置において前記黄色または赤色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、各撮影画像におけるボール圧着面の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる撮影画像の撮像高さ位置を当該ボール圧着面の合焦点高さとすることを特徴とする請求項2記載のワイヤボンディングにおけるボールの検査方法。
  5. 前記ボールの外径寸法の検出処理に際して、撮像手段によって前記青色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、該撮影画像におけるボール外周のエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる左右の画素位置間の距離を当該ボールの外径寸法とすることを特徴とする請求項2記載のワイヤボンディングにおけるボールの検査方法。
  6. 前記ボールの圧着点の検出処理に際して、撮像手段によって前記赤色または黄色の同軸照明光で照らされるパッドとボールの接合部分の平面画像を撮影し、該撮影画像におけるインサイドファンチャ部外周のエッジ部分の輝度変化を求め、該輝度変化が最大となる左右の画素位置間の中間点を当該ボールの圧着点とすることを特徴とする請求項2記載のワイヤボンディングにおけるボールの検査方法。
  7. 前記同軸照明光に加え、補助光としてリング照明光を用いることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のワイヤボンディングにおけるボールの検査方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008153268A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Hits Co., Ltd. Semiconductor package inspection system and inspection method using semiconductor package inspection system
WO2012165030A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 株式会社村田製作所 バンプ位置の導出方法およびバンプ形成位置の補正方法、バンプボンダー並びにバンプの外観検査装置
KR101236795B1 (ko) 2010-03-29 2013-02-25 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 와이어 본더의 바값 측정 시스템

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009108202A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of teaching bonding locations and inspecting wire loops on a wire bonding machine, and apparatuses for performing the same
JP4247299B1 (ja) * 2008-03-31 2009-04-02 株式会社新川 ボンディング装置及びボンディング方法
KR101258394B1 (ko) * 2010-05-19 2013-04-30 파나소닉 주식회사 반도체 발광 소자의 실장 방법과 실장 장치
JP2012069732A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Nec Corp ボールボンド検査装置、及び該ボールボンド検査装置に用いられるボールボンド検査方法
EP2573508B1 (en) * 2011-03-14 2014-01-29 Panasonic Corporation Solder height detection method and solder height detection device
US8280172B1 (en) * 2011-03-22 2012-10-02 Mitutoyo Corporation Edge location measurement correction for coaxial light images
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
TWI649816B (zh) * 2016-08-23 2019-02-01 日商新川股份有限公司 打線方法與打線裝置
CN110752164A (zh) * 2019-11-20 2020-02-04 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 芯片与基板对位及精调平的显微激光系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2981941B2 (ja) * 1991-12-02 1999-11-22 株式会社新川 ボンデイングワイヤ検査装置
JP3259398B2 (ja) 1993-01-22 2002-02-25 ソニー株式会社 ワイヤボンディングの検査装置
JP2720759B2 (ja) 1993-07-21 1998-03-04 日本電気株式会社 ボンディングワイヤー外観自動検査装置
JP2962581B2 (ja) * 1995-06-30 1999-10-12 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 光距離センサ
JPH09196856A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Tsubakimoto Chain Co 表面検査方法、表面検査装置及びプリズム
JP3370547B2 (ja) * 1997-03-17 2003-01-27 株式会社新川 ボンディングワイヤ高さ検査装置
JPH10311713A (ja) 1997-05-13 1998-11-24 Canon Inc ボンディングワイヤ検査方法および装置
JP2001343336A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Nidek Co Ltd 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP4048096B2 (ja) * 2002-10-10 2008-02-13 立命館大学総合理工学研究機構 被検出物の高さ計測方法
DE10330003B4 (de) * 2003-07-03 2007-03-08 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung, Verfahren und Computerprogramm zur Wafer-Inspektion
JP2005158780A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP4365292B2 (ja) * 2004-09-02 2009-11-18 株式会社カイジョー ワイヤボンディングにおけるボール圧着厚の測定方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008153268A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Hits Co., Ltd. Semiconductor package inspection system and inspection method using semiconductor package inspection system
KR100884582B1 (ko) * 2007-06-14 2009-02-19 (주)에이치아이티에스 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법
KR101236795B1 (ko) 2010-03-29 2013-02-25 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 와이어 본더의 바값 측정 시스템
WO2012165030A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 株式会社村田製作所 バンプ位置の導出方法およびバンプ形成位置の補正方法、バンプボンダー並びにバンプの外観検査装置
JPWO2012165030A1 (ja) * 2011-05-31 2015-02-23 株式会社村田製作所 バンプ位置の導出方法およびバンプ形成位置の補正方法、バンプボンダー並びにバンプの外観検査装置

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