KR100884582B1 - 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법 - Google Patents

반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100884582B1
KR100884582B1 KR1020070058323A KR20070058323A KR100884582B1 KR 100884582 B1 KR100884582 B1 KR 100884582B1 KR 1020070058323 A KR1020070058323 A KR 1020070058323A KR 20070058323 A KR20070058323 A KR 20070058323A KR 100884582 B1 KR100884582 B1 KR 100884582B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
semiconductor package
ball
stitch
lead
Prior art date
Application number
KR1020070058323A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080110045A (ko
Inventor
이선열
Original Assignee
(주)에이치아이티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에이치아이티에스 filed Critical (주)에이치아이티에스
Priority to KR1020070058323A priority Critical patent/KR100884582B1/ko
Priority to PCT/KR2008/002110 priority patent/WO2008153268A1/en
Publication of KR20080110045A publication Critical patent/KR20080110045A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100884582B1 publication Critical patent/KR100884582B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체패키지에 대한 검사시스템 및 검사방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)를 포함하는 반도체패키지 검사시스템(A)이 구비되어, 패드, 볼, 와이어 및 리드에 대한 촬영영상으로부터 잘못 생산된 불량제품을 선별하여, 정확하고 빠르게 할 수 있어 불량률을 현저히 낮추도록 하는 반도체패키지 검사시스템 및 검사방법에 관한 것이다.
반도체, 반도체패키지, 검사시스템, 패드, 볼, 리드, 와이어

Description

반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에 의한 검사방법{SEMICONDUCTOR PACKAGE INSPECTION SYSTEM AND INSPECTION METHOD USING SEMICONDUCTOR PACKAGE INSPECTION SYSTEM}
도 1은 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 대한 개략적인 구성도.
도 2a 및 도 2c는 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 적용되는 반도체패키지 및 검사시스템에 대한 구성도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 티칭 방법에 대한 예시도.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 볼 상태검사에 대한 예시도.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 와이어 상태검사에 대한 예시도.
도 6은 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 와이어 스티치 상태검사에 대한 예시도.
도 7 내지 도 10은 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 의한 검사방법에 대한 블럭도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
A : 반도체패키지 검사시스템
11 : 주제어부 12 : 반도체패키지
13 : 워크테이블 15 : 메모리부
20 : 볼촬영장치 30 : 와이어촬영장치
40 : 스티치촬영장치
121 : 패드 122 : 볼
123 : 리드 124 : 와이어
본 발명은 반도체패키지에 대한 검사시스템 및 검사방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 볼촬영장치, 와이어촬영장치 및 스티치촬영장치를 포함하는 반도체패키지 검사시스템이 구비되어, 패드, 볼, 와이어 및 리드에 대한 촬영영상으로부터 잘못 생산된 불량제품을 선별하여, 정확하고 빠르게 할 수 있어 불량률을 현저히 낮추도록 하는 반도체패키지 검사시스템 및 검사방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체패키지는 내부에 집적회로인 반도체칩이 구성되고, 서로 전기적 연결을 위한 리드, 반도체칩과 연결되는 패드 및 리드와 패드를 연결하는 와이어 등이 구성되는 것이다.
이러한 반도체패키지는 소잉공정, 다이본딩공정, 와이어본딩공정, 몰딩공정, 마킹공정 등 여러 공정을 거쳐 생산되는 것이다. 그리하여 이와 같이 제조된 반도체패키지는 다수의 전자부품으로 적용되어 정밀한 작업을 수행하게 된다.
특히 이러한 반도체패키지는 그 크기가 아주 작은 소재들을 적용하기 때문에 생산하기도 어려울 뿐만 아니라, 생산된 제품을 검사하기도 곤란한 문제점이 있다.
이에 종래에는 와이어 본딩작업시 약간의 전류를 흘려 와이어 본딩 여부를 검사하면서 생산하는 WBMS(Wire Bonding Monitoring System)을 일부 적용하기도 하였다. 그러나 이러한 종래의 검사방법은 완성된 것을 대상으로 하지 않기 때문에 이후의 작업에서 발생되는 불량에 대해서는 검사할 수 없는 문제점이 있다.
또한 전류가 약하게 흐르더라도 원래의 회로 구성에 따라 생산되었는지는 알 수 없어, 보다 정밀하면서 빠르게 반도체패키지를 검사할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
상기와 같은 문제점을 극복하기 위한 본 발명은 제조가 완료된 반도체패키지를 촬영을 통하여 검사하는 것으로, 육안으로 검사하지 않아 정확하고 빠르게 할 수 있어 불량률을 현저히 낮추도록 하는 목적이 있다.
또한 반도체패키지의 패드, 볼, 리드 및 와이어 등으로 구분하여 개별검사를 하여, 세세히 분별하여 검사하여 양호한 상태의 반도체패키지를 생산하도록 하는 목적이 있다.
나아가 아날로그 영상을 백화도로 하는 디지털로 하여 정밀검사를 하여 양품의 반도체패키지를 생산하도록 하며, 검사작업이 무인 자동화하여 빠르면서 저렴하게 생산하도록 하는 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 반도체패키지 검사시스템은 반도체패키지(12)에 대한 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)를 포함하는 반도체패키지 검사시스템(A)이 구비되어지되, 상기 볼촬영장치(20)는 반도체패키지(12)의 패드(121)와 볼(122)을 촬영하여 패드(121)와 볼(122)의 영상을 포함하는 볼영상신호를 생성하도록 구비되고, 상기 와이어촬영장치(30)는 반도체패키지(12)의 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 와이어영상신호를 생성하도록 구비되며, 상기 스티치촬영장치(40)는 반도체패키지(12)의 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 스티치영상신호를 생성하도록 구비되고, 상기 반도체패키지(12)를 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)로 이동시키는 워크테이블(13)이 구비되며, 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)를 제어하는 주제어부(11)가 구비되고, 상기 주제어부(11)는 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어 촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)로부터 반도체패키지(12)에 대한 영상신호를 입력받는 영상신호입력부(14) 및 메모리부(15)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한 상기와 같은 반도체패키지 검사시스템에 의한 반도체패키지 검사방법은 일 실시예로, 반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01);
상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 볼촬영장치(20)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 패드(121) 및 볼(122)을 촬영하여 볼영상신호를 생성하는 볼영상 촬영단계(S021);
상기 볼촬영장치(20)에서 생성된 볼영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하는 볼영상신호전송단계(S022);
전송된 볼영상신호로부터 상기 패드(121) 및 상기 볼(122)의 형상에 대한 데이터값을 산출하는 볼영상데이터산출단계(S023);
상기 주제어부(11)에서 상기 패드(121) 및 상기 볼(122)에 대한 데이터값을 비교하여 볼상태 및 상기 패드(121)와 상기 볼(122)의 용접상태를 검사하는 볼데이터분석단계(S024)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.
그리고 본 발명 반도체패키지 검사방법의 다른 실시예로는,
반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01);
상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 와이어촬영장치(30)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 패드(121), 볼(122), 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 와이어영상신호를 생성하는 와이어영상 촬영단계(S031);
상기 와이어촬영장치(30)에서 생성된 와이어영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하는 와이어영상신호전송단계(S032);
전송된 와이어영상신호로부터 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 산출하는 와이어영상데이터산출단계(S033);
상기 주제어부(11)에서 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 비교하여 와이어상태를 검사하는 와이어데이터분석단계(S034)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.
이에 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)는 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)의 크기, 형태, 개수에 대한 데이터값을 산출하도록 하며,
상기 와이어데이터분석단계(S034)는, 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이 어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)와 다른 형태의 이물질을 검사하는 이물질검사단계(S0341);
상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 와이어(124)의 배선상태를 판별하는 와이어배선판별단계(S0342); 및
상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 와이어(124)의 폭과 형태를 판별하는 와이어상태판별단계(S0343)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.
나아가 본 발명 반도체패키지 검사방법의 또 다른 실시예로는,
반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01);
상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 스티치촬영장치(40)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 스티치영상신호를 생성하는 스티치영상 촬영단계(S041);
상기 스티치촬영장치(40)에서 생성된 스티치영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하는 스티치영상신호전송단계(S042);
전송된 스티치영상신호로부터 상기 리드(123), 상기 와이어(124) 및 스티치(125)에 대한 데이터값을 산출하는 스티치영상데이터산출단계(S043);
상기 주제어부(11)에서 상기 리드(123), 상기 와이어(123) 및 상기 스티치(125)에 대한 데이터값을 비교하여 스티치상태를 검사하는 스티치데이터분석단계(S044)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 대한 개략적인 구성도이고, 도 2a, 도 2c는 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 적용되는 반도체패키지에 대한 구성도 및 검사시스템을 개략적으로 도시한 것이다.
그리고 도 3a 및 도 3d는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 티칭 방법에 대한 예시도로, 주제어부(11)에서 각 영상데이터를 입력받아 판별함을 예시한 것이다.
또한 도 4a 및 도 4b는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 볼 상태검사에 대한 예시도, 도 5a 및 도 5f는 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 와이어 상태검사에 대한 예시도, 그리고 도 6은 본 발명 반도체패키지 검사시스템의 와이어 스티치 상태검사에 대한 예시도를 각각 도시한 것이다.
이에 도 7 내지 도 10은 본 발명 반도체패키지 검사시스템에 의한 검사방법에 대한 블럭도를 각각 도시한 것이다.
즉 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A)은 도 1 내지 도 10에서와 같이, 반도체패키지(12)에 대한 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)를 포함하는 반도체패키지 검사시스템(A)을 구비한 것이다.
이러한 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A)은 제조가 완료된 반도체패키지(12)의 완성 상태를 검사하는 것으로, 반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)에 의하여 용접된 상태가 양호한 상태인지를 종합적으로 검사하는 시스템이다. 특히 각각 요소별로 촬영장치에 의하여 촬영된 영상데이터를 분석하여, 분석된 백화소, 흑화소의 데이터를 이용하여 검사하는 것으로, 반도체패키지(12) 위의 와이어(124)의 상태를 확인하기 위하여 와이어촬영장치(30)가 구성되고, 반도체칩(120)과 연결되는 패드(121)와 와이어(124)와의 상태를 확인하기 위하여 볼촬영장치(20)가 구성되며, 와이어(124)와 리드(123)의 상태를 확인하기 위하여 스티치촬영장치(40)가 구성된 것이다.
이에 상기 볼촬영장치(20)는 반도체패키지(12)의 패드(121)와 볼(122)을 촬영하여 패드(121)와 볼(122)의 영상을 포함하는 볼영상신호를 생성하도록 구비되고, 상기 와이어촬영장치(30)는 반도체패키지(12)의 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 와이어영상신호를 생성하도록 구비되며, 상기 스티치촬영장치(40)는 반도체패키지(12)의 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 스티치영상신호를 생성하도록 구비된 것이다.
이러한 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A)은 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)가 각각 원거리에 이격되게 설치되어 구성될 수 있다. 그리고 본 발명의 예시에서와 같이 일련의 순서로 진행되면서 반도체패키지(12)에 대한 검사가 가능하도록 순차적으로 설치되어 구성될 수 있다.
즉 도 1에서와 같이 상기 반도체패키지(12)를 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)로 이동시키는 워크테이블(13)이 구비되고, 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)를 제어하는 주제어부(11)를 구비한 것이며, 상기 주제어부(11)는 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)로부터 반도체패키지(12)에 대한 영상신호를 입력받는 영상신호입력부(14) 및 메모리부(15)를 포함하여 구비된 것이다. 또한 상기 주제어부(11)는 상기 워크테이블(13)의 작동을 제어하도록 구비된다.
이러한 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A)은 워크테이블(13)에 놓여 이동되는 반도체패키지(12)의 회로구성상태를 검사하게 된다. 즉 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A)은 주제어부(11)의 제어에 의하여 작동되는 워크테이블모터(미도시됨)(또는 유압구동장치 등으로 구성가능)의 작동으로 워크테이블(13)이 움직여 반도체패키지(12)가 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)로 진행하게 된다.
그리하여 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)는 반 도체패키지(12)를 촬영하여 영상데이터를 영상신호입력부(14)를 통하여 주제어부(11)로 전송하여, 이상유무를 판별하게 된다.
이에 볼촬영장치(20)는 반도체패키지(12)가 위치된 워크테이블(13)의 상부로 볼촬영카메라(21)가 설치되고, 워크테이블(13)과 볼촬영카메라(21) 사이에 동축조명(22)이 설치된다. 이러한 동축조명(22)은 내부에 45°경사의 반사판(23)이 내재되고, 반사판(23)의 측방향에 조명(24)이 설치되어, 조명(24)에서 수평방향으로 발광되는 빛이 반사판(23)에 의하여 아래에 있는 워크테이블(13)의 반도체패키지(12)를 비추게 되는 것이다. 이에 조명(24)에서 발광되는 빛은 가시광선영역(대략 400 ~ 700nm) 중에서 짧은 파장에 속하는 블루조명(BLUE-LED)을 이용하게 된다.
특히 반사판(23)에 반사되어 비춰지는 조명의 방향은 볼촬영카메라(21)의 방향과 나란한 방향으로 비춰지는 것으로, 결국 반도체패키지(12)로 향하는 빛은 수직되게 반사되는 빛만 볼촬영카메라(21)로 입사되어 촬영되는 것이다. 이는 반도체패키지(12)에서 평평한 부분인 패드(121) 영역에 의하여 반사되는 빛만 촬영되도록 하는 것이며, 또한 볼(122)과 와이어(124)와 같이 곡면을 형성하는 부재들은 동축조명(22)의 빛이 곡면에 반사되어 다른 곳으로 반사되고, 볼촬영카메라(21)로는 반사되지 않아 결국 이러한 곡면부분은 촬영되지 않도록 구비하기 위한 것이다. 즉 볼촬영장치(20)는 조명을 볼촬영카메라(21)와 동축을 이루도록 하는 동축조명(22)을 이용함이 바람직한 것이다. 그리하여 전반사되는 패드(121) 부분 내에서 촬영되지 않는 볼(122)의 영역의 경계가 더욱 뚜렷하도록 구비한 것이다. 이와 같이 동축조명(22)이 블루조명(BLUE-LED)으로 비춰진 상태에서 볼촬영장치(20)에 의하여 촬 영된 이미지를 백화소로 변환한 것을 도 4a 및 도 4b에 보이고 있다.
그리고 와이어촬영장치(30)는 반도체패키지(12)가 위치된 워크테이블(13)의 상부에 와이어촬영카메라(31)가 설치되고, 워크테이블(13)과 와이어촬영카메라(31) 사이에 돔조명(32)이 설치된다. 이에 돔조명(32)은 내부에 다수의 조명이 원형배열로 구비된 것으로, 이러한 돔조명(32)은 단면이 둥근 와이어(124)의 전면을 고르게 비춰 와이어(124)의 형상이 와이어촬영카메라(31)에 촬영되도록 하기 위한 것이다. 그리고 돔조명(32)에서 발광되는 빛은 가시광선영역(대략 400 ~ 700nm) 중에서 긴 파장에 속하는 레드조명(RED-LED)을 이용하게 된다. 이와 같이 돔조명(32)이 레드조명(RED-LED)으로 비춰진 상태에서 와이어촬영장치(30)에 의하여 촬영된 이미지를 백화소로 변환한 것을 도 5a 도 5f에 보이고 있다.
또한 스티치촬영장치(40)는 반도체패키지(12)가 위치된 워크테이블(13)의 상부에 스티치촬영카메라(41)가 설치되고, 워크테이블(13)과 스티치촬영카메라(41) 사이에 측면조명(42)이 설치된다. 이러한 측면조명(42)은 리드(123) 및 리드(123) 위에 용접된 와이어(124)의 끝단인 스티치(125)의 촬영을 위한 것이다. 특히 스티치(125)의 양측 상방향에서 측면조명(42)이 비춰지도록 설치되어, 리드(123)와 스티치(125)의 경계부분이 확연히 보이도록 구성됨이 바람직하다. 그리고 측면조명(42)에서 발광되는 빛은 가시광선영역(대략 400 ~ 700nm) 중에서 중간 파장에 속하는 그린조명(GREEN-LED)을 이용하게 된다. 이와 같이 측면조명(42)이 그린조명(GREEN-LED) 또는 블루조명(BLUE-LED)으로 비춰진 상태에서 스티치촬영장치(40)에 의하여 촬영된 이미지를 백화소로 변환한 것을 도 6에 보이고 있다.
이와 같이 워크테이블(13)에 놓여져 이동되는 반도체패키지(12)를 각각의 특성에 따라 촬영한 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40) 등에서의 영상데이터에 대해, 백화소로 변환하여 결선상태의 오류를 검사하게 된다. 영상데이터에 대한 오류검사는 각각의 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)에 오류판별부재를 구비하여 판별한 다음 주제어부(11)로 결과데이터 또는 오류데이터신호를 전송하도록 구비될 수 있다.
그리고 또한 하기의 예에서와 같이 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40) 등으로부터 각각의 영상데이터신호를 주제어부(11)로 전송되어 오류검사를 진행하도록 구비될 수 있다. 이에 하기에서는 바람직한 실시예로 각 촬영장치에서 영상데이터를 생성한 후 이를 주제어부(11)로 전송하고, 주제어부(11)에서는 수신된 영상데이터를 백화소로 변환한 후, 오류판별하고, 그 결과에 따라 불량제품을 선별하도록 구비하도록 구성됨을 예로 하였으며, 특히 영상데이터를 백화소로 변환하고, 각 영상데이터 별로 판별함을 예시하였다.
이러한 검사방법은 도 7 내지 도 10에서와 같이, 반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01)를 진행하고, 이후 워크테이블(13)이 이동됨에 따라 볼상태검사단계(S02), 와이어상태검사단계(S03) 및 스티치상태검사단계(S04)를 거쳐 반도체패키지(12)의 검사를 완료하게 된다.
우선 볼상태검사단계(S02)를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다. 즉 도 4a, 도 4b 및 도 8에서와 같이, 상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 볼촬영장치(20)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 패드(121) 및 볼(122)에 대해 촬영하여 볼영상신호를 생성하는 볼영상 촬영단계(S021)를 진행한다.
그리고 상기 볼촬영장치(20)에서 생성된 볼영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하게 된다(볼영상신호전송단계(S022)).
이처럼 볼촬영장치(20)에서 전송된 볼영상신호로부터 상기 패드(121) 및 상기 볼(122)의 형상에 대한 데이터값을 산출하는 볼영상데이터산출단계(S023)를 진행하고, 상기 주제어부(11)에서 상기 패드(121) 및 상기 볼(122)에 대한 데이터값을 비교하여 볼상태 및 상기 패드(121)와 상기 볼(122)의 용접상태를 검사하는 볼데이터분석단계(S024)를 거쳐 패드(121)와 볼(122)의 상태를 검사하게 된다.
그리고 와이어상태검사단계(S03)는 도 5a 내지 도 5f 그리고 도 9에서와 같이, 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 와이어촬영장치(30)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 패드(121), 볼(122), 리드(123) 및 와이어(124)에 대해 촬영하여 와이어영상신호를 생성하는 와이어영상 촬영단계(S031)를 진행한다.
그리고 상기 와이어촬영장치(30)에서 생성된 와이어영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하게 된다(와이어영상신호전송단 계(S032)).
그리하여 와이어촬영장치(30)에서 전송된 와이어영상신호로부터 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 산출하는 와이어영상데이터산출단계(S033)를 진행하고, 상기 주제어부(11)에서 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 비교하여 와이어상태를 검사하는 와이어데이터분석단계(S034)를 거쳐 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 검사를 하게 된다.
마찬가지로 스티치상태검사단계(S04)도 도 6 및 도 10에서와 같이, 상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 스티치촬영장치(40)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 리드(123) 및 와이어(124)에 대해 촬영하여 스티치영상신호를 생성하는 스티치영상 촬영단계(S041)를 진행한다.
그리고 상기 스티치촬영장치(40)에서 생성된 스티치영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하게 된다(스티치영상신호전송단계(S042)).
또한 스티치촬영장치(40)에서 전송된 스티치영상신호로부터 상기 리드(123), 상기 와이어(124) 및 스티치(125)에 대한 데이터값을 산출하는 스티치영상데이터산출단계(S043)를 진행한 후, 상기 주제어부(11)에서 상기 리드(123), 상기 와이어(124) 및 상기 스티치(125)에 대한 데이터값을 비교하여 스티치상태를 검사하는 스티치데이터분석단계(S044)를 거쳐 상기 리드(123), 상기 와이어(124) 및 상기 스티치(125)에 대한 검사를 진행한다.
이와 같이 반도체패키지(12)에 대한 검사방법인 볼상태검사단계(S02), 와이어상태검사단계(S03) 및 스티치상태검사단계(S04) 등은 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124) 등을 촬영한 영상을 백화소 및 흑화소 등으로 변환하여 판별하도록 구비되는 것이다.
이에 검사준비단계(S01)에 의하여 검사준비가 되면, 각 검사별로 촬영을 한 후 영상신호입력부(14)를 통하여 주제어부(11)에 각각의 영상신호를 전송하게 된다. 이러한 볼영상신호, 와이어영상신호 및 스티치영상신호 등의 영상데이터 신호는 볼영상데이터산출단계(S023), 와이어영상데이터산출단계(S033) 및 스티치영상데이터산출단계(S043) 등의 단계에 의하여, 주제어부(11)에서 백색, 흑색 등의 밝기별로 되는 회색영상으로 전환되어 백화소로 각 이미지의 경계부분을 정한 다음에, 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장되어 있던 기본 이미지와 비교하여 오류를 검사하게 되는 것이다.
즉 각각의 데이터산출단계에 대한 일 실시예를 살펴보면, 도 2a와 같이 워크테이블(13) 위의 반도체패키지(12)가 놓여진 상태에서, 도 1의 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)에서 촬영하게 되고, 각 촬영장치에서 촬영한 반도체패키지(12)의 이미지 영상신호는 영상신호입력부(14)를 통하여 주제어부(11)에 전송되면, 주제어부(11)에서는 각각의 이미지를 회색영상으로 전환하여, 밝기별로 구분한 백화소 및 흑화소로 하여 이미지를 분류하게 된다.
이러한 백화소를 이용한 분류방법을 도 3a의 예로 설명하면 다음과 같다. 그림에서와 같이 일반적인 그레이스케일 밸류(Gray Scale Value)인 256 단계로 하여 밝기를 구분하게 된다. 즉 도 3a의 예에서와 같이 가장 어두운 것을 "0"으로 하고, 가장 밝은 것을 "255"로 하여 구분하게 된다. 이와 같이 각 픽셀별로 밝기 정도에 따라 그레이스케일 밸류를 정한 다음, 도 3a의 예에서와 같이 ROI(Region Of Interest)를 정하게 된다. 이에 도 3a의 예에서는 6개의 픽셀(2 X 3)의 픽셀을 대상으로 하여 예시하였으며, 이에 이들의 그레이스케일 밸류의 평균값인 Threshold값을 구하게 된다.
Threshold = (80 + 0 + 255 + 0 + 0 + 255) / 6 = 98.33333
즉 도 3a 예에서의 ROI의 Threshold 값은 '98.33333' 인 것이다. 이러한 ROI에 대해 각 픽셀의 그레이스케일 밸류가 Threshold 값보다 큰 수치의 픽셀은 백화소라고 하고, 작은 수치의 픽셀은 흑화소라고 한다.
본 발명에 적용되는 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40) 등에 이용되는 볼촬영카메라(21), 와이어촬영카메라(31) 그리고 스티치촬영카메라(41) 등은 5 메가픽셀(Mega Pixel) 카메라를 이용하였다. 이에 Resolution은 2448 * 2050 (Camera Pixel Resolution)인 것을 적용하였다. 이에 하나의 Strip의 1Unit 길이가 12mm 로 가정할 때, Vision Resolution은 (12mm / 2449 px ≒ 0.0049 mm = 4.9㎛)가 될 수 있다. 따라서 일반적인 반도체패키지에서의 하나의 픽셀크기 는 수 ㎛ 까지의 크기로 하여 영상오류판별을 할 수 있으므로, 와이어의 용접여부를 정확하게 판별할 수 있는 장점이 있는 것이다.
이와 같은 방법으로 반도체패키지(12)에 대한 각각의 볼영상신호, 와이어영상신호 및 스티치영상신호의 데이터 이미지를 백화소와 흑화소로 구분하여 각 부재들의 위치, 크기 및 형태에 대한 기초값을 구하게 된다.
이와 같이 구분된 촬영된 영상 이미지를 각 픽셀을 그레이스케일 밸류로 구분 한 다음, 백화소 및 흑화소를 기준으로 하여 티칭데이터(Teaching Data)를 산출하게 된다. 티칭데이터는 볼상태검사단계, 와이어상태검사단계 및 스티치상태검사단계에서 판별하는 각각의 영상 이미지에 대한 기초값을 산출하는 것이다.
이와 같은 본 발명의 일예로 도 3b에서와 같이, 전체 반도체패키지(12)에 대해 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)를 통하여 촬영된 영상데이터의 이미지에 대해 적용하여 살펴보면 다음과 같다. 도 3b 내지 도 3d의 예에서는 기초 좌표값에 대한 데이터값을 산출하는 것을 예시하였으며, 이러한 기초 좌표값 데이터 산출은 각 촬영장치에서 촬영된 이미지에서는 공통으로 나타나는 이미지에 대한 것을 예로 하였으며, 이에 반도체패키지의 구성 및 와이어, 리드와 패키지의 구성 등이 다소 변형될 경우에는 각각의 변형에 따라 설정되는 기준점으로 하여 기초데이터를 산출할 수 있음은 당연한 것이다. 또한 하기에서 설명되는 기초 좌표에 해당하는 기초데이터값을 산출한 후에는, 볼영상신호, 와이어영상신호 및 스티치영상신호 등에 의한 영상데이터에 따른 각각의 판별단계에서는, 각각의 백화소 및 흑화소로 하여 개별 판별하게 되는 것이다.
이에 기초 데이터값을 산출하는 것에 대한 일 실시예를 살펴보면, 상부 우측의 Align1 및 하부 우측의 Align2에 대한 백화소로 영역을 설정한 다음, 각각의 중심점을 산출한다. 즉 Align1 및 Align2에 대해 백화소 경계의 상부경계, 하부경계, 좌측경계 및 우측경계를 직각좌표(Rectangle Method)로 하여 설정한 후, 중심점을 산출하게 된다. 그러나 이와 같이 직각좌표로 하여도 되며, 또한 원형, 타원형 좌표계로 하여 중심점을 산출할 수도 있다.
이에 Align1 및 Align2의 각 중심점을 잇는 선분을 가정할 때, 그 중심점을 센터포인트(Center Point, a)을 설정하게 된다. 이러한 센터포인트는 반도체패키지(12)에 대한 기초 데이터를 산출하는 티칭데이터의 산출에 대한 기준점이 된다.
마찬가지로 반도체패키지(12) 영상 이미지에 대해 다른 부분의 영역에 대해서도 백화소를 계산하게 된다.
그런 연후에, 이미지의 각 백화소 부분에 대해, 센터포인트(a)로부터의 거리 및 각도를 설정하게 된다. 이때 기준 각도는 센터포인트(a)를 중심점으로 하여, 센터포인트(a)에서 Align1으로 향하는 방향이 "0"의 각도가 된다.
즉 영상 이미지에 대해 일측으로부터 차례로 백화소의 이미지를 확인하여 그 좌표를 거리와 각도로 하여 데이터값으로 저장하게 된다. 이에 하나의 백화소가 검출되면, 그 측정점을 기준으로 하여 해당 백화소의 상부경계, 하부경계, 좌측경계 그리고 우측경계부분을 설정하여 중심점을 산출하게 된다. 그리고 해당 백화소의 중심점을 기준으로 하여 백화소의 외곽형태 및 크기를 검출하게 된다.
이에 그 크기와 형태가 리드의 설정값에 해당하면 리드로, 검출된 백화소의 크기와 형태가 볼일 경우에는 볼로 설정하게 된다. 이와 같은 기준 형태 및 크기에 대한 기초데이터는 미리 메모리부(15)에 저장된 값을 기준으로 한다.
그리하여 도 3b의 예로 하면, 직사각형 형상의 백화소로 검출되는 상부 리드에 대해 좌측 리드를 "0"번으로 하고 차례로 인덱스번호(Index number)를 정하여 티칭데이터를 생성하게 된다.
마찬가지로 원형 형태로 하여 설정된 볼의 크기와 형태로 판별되는 경우에는 볼로 설정하여 좌측으로부터 차례로 인덱스번호를 부여하여 티칭데이터를 생성하게 된다. 또한 와이어에 대해서도 동일한 방법으로 인덱스번호를 부여하게 된다.
이에 도 3c에서는 도 3b의 티칭맵(Teaching Map)에서의 리드, 와이어, 볼 및 패드 등에 대한 티칭데이터(Teaching Data)에 대한 예를 보이고 있다.
그러나 이는 도 3b에서의 예로 하는 반도체패키지(12)에 한하여 설정됨을 보이고 있으며, 다른 형태의 반도체패키지(12)의 경우의 인덱스 번호의 부여 및 티칭데이터의 산출은 해당 반도체패키지에 따라 다소 변경이 있을 수 있다. 또한 Align1 및 Align2으로부터의 센터포인트 설정 및 좌표계설정 등은 해당 반도체패키지의 형태에 따라 적절한 방법을 정하여 이용할 수 있음은 당연한 것이다. 즉 기준 센터포인트의 설정을 도 3b의 예에서 우측의 상부와 하부의 백화소 영역을 Align1, Align2를 기준으로 하였으나, 이러한 Align1, Align2를 도 3b의 좌측 선단 및 두번째의 백화소 영역을 기준으로 하여 설정할 수도 있다. 또한 다른 구성형태의 반도체패키지에서는 해당 반도체패키지에 대해 미리 설정된 백화소 기본 영역에 따라 센터포인트를 위한 Align1, Align2을 설정하여 판별할 수 있음도 당연한 것이다.
마찬가지로 상기에서 일예로 설명된 카메라의 Resolution, Thresold 값 및 백화소 등을 설정하는 방법에 대해서도 반도체패키지 및 반도체 생산공정 및 검사환경에 따라 적절한 방법으로의 치환이 가능함은 당연한 것이다.
이에 그 일례를 보이는 도 3b 및 도 3d에서는 최상부로부터 Top-side Lead(리드), Top-side Ball(볼), Bottom-side Ball(볼) 그리고 Bottom-side Lead(리드) 등으로 되고, 그들 사이에 각각 Top-side Wire(와이어), Bottom-side Wire(와이어)가 구성됨을 보이고 있다. 그리고 각각 리드, 와이어 그리고 볼로 되는 Top-side와 Bottom-side는 서로 대칭의 구조를 이루고 있으며, 이에 Top-side Lead는 총 13개(Lead index number 0 ~ 12), Top-side Wire는 총 14개(Wire index number 0 ~ 13), Top-side Ball은 총 14개(Ball index number 0 ~ 13)로 되어 데이터값을 산출하게 된다.
또한 이러한 영상데이터산출단계에서는 리드, 볼 그리고 와이어의 크기 및 형태에 대한 데이터값도 함께 산출되는 것이다. 그리고 볼이 용접되어 있는 패드에 대해서도 동일한 방법으로 데이터값을 산출하게 된다.
이와 같이 반도체패키지(12)에 대해 볼상태검사단계(S02), 와이어상태검사단계(S03) 및 스티치상태검사단계(S04) 등에서 각각의 해당 티칭데이터를 산출하는 것으로, 상태를 판별하기 위한 기초데이터를 산출하게 되는 것이다.
특히 영상이미지에 대해 분석되는 백화소 및 흑화소에 대하여, 블럽 추적방법(Blob Object Method)를 적용하여 백화소에 따라 패드(121), 볼(122), 리드(123) 및 와이어(124)에 대한 크기, 위치 및 형태 등을 분석하며, 또한 흑화소에 대해 리드(123), 와이어(124) 및 스티치(125) 등에 대한 크기, 위치 및 형태 등을 분석하게 된다. 이러한 블럽추적방법은 하나의 백화소(또는 흑화소)에 대하여, 연속되어 백화소 픽셀이 이어져 이루어지는 백화소 덩어리(Blob)를 추적하는 것이다. 이에 백화소와 흑화소의 경계부분을 시계방향 또는 반시계방향 Mask 윤곽을 따라 찾아가면서 각 경계부분(Edge)이 Align1 및 Align2에 의한 센터포인트(a)로부터의 거리(Dist)와 각도(θ)로 하여 분석되는 것이다. 이와 같이 백화소들로 되는 덩어리를 규정한 다음에, 이와 같이 규정된 백화소의 위치와 형태가 패드(121), 볼(122), 리드(123) 또는 와이어(124) 중에 해당하는 것으로 정의되어 분석되는 것이다.
이와 같이 블럽 추적방법에 의하여 분석되어지는 백화소에 대해, 볼촬영장치(20)로부터 촬영된 영상 이미지는 패드(121)와 볼(122)에 대한 이미지이기 때문에, 패드(121)의 백화소 및 볼(122)에 대한 흑화소로 하여 블럽 추적방법이 적용되며, 와이어촬영장치(30)로부터 촬영된 영상 이미지는 도 3b에서와 같은 반도체패키지(12) 전체에 대한 이미지에 대한 것으로, 패드, 볼, 리드, 와이어 및 Align1, Align2 등에 대한 각 백화소들의 크기, 위치 및 형태 등을 분석하게 된다.
마찬가지로 스티치촬영장치(40)로부터 촬영된 영상 이미지에서는 리드(123), 와이어(124) 및 스티치(125) 등에 대해, 리드(123)의 백화소로, 스티치(125)의 흑화소로 블럽추적방법에 의하여 그 크기, 위치 및 형태 등을 분석하게 된다. 이후 이들의 데이터들을 분석하고 비교 판단함에 있어서도, 이러한 블럽추적방법에 의하여 비교 판별하게 된다.
이에 우선 볼상태검사단계(S02)에 의한 볼데이터분석단계(S024)를 살펴보면, 도 4a에서와 같이, 흑화소로 되는 볼에 대해 외곽윤곽선을 따라 그 형태를 산출한 후, 이러한 볼의 중심점을 구하게 된다. 마찬가지로 백화소로 되는 패드에 대해서 외곽윤곽선을 따라 그 형태를 산출한 후 패드의 중심점을 구하게 된다. 그리하여 볼의 중심점과 패드의 중심점의 일치 정도를 산출하여, 볼이 패드의 영역을 벗어나서 용접되어 있는지를 검사할 수 있게 된다(볼위치판별단계(Ball Placement)).
그리고 도 4b에서와 같이, 주제어부(11)에 저장되어 있는 볼의 크기(도 4b에서 우측그림)와 영상 이미지에서 산출한 볼데이터값(도 4b의 좌측그림)을 비교하여 패드에 용접된 볼의 크기가 적정한지를 검사할 수 있는 것이다(볼크기판별단계(Ball Size)).
그리고 와이어상태검사단계(S03)에 대해서도, 도 5a 내지 도 5f의 예에서와 같은 검사를 진행할 수 있다.
즉 상기의 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)의 크기, 형태, 개수에 대한 데이터값인 티칭데이터(Teaching Data)값을 산출하게 된다.
이러한 영상 이미지에 대한 티칭데이터로부터 상기 와이어데이터분석단계(S034)에서 와이어와 관련된 검사를 수행하게 된다.
즉 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)와 다른 형태의 이물질을 검사하는 이물질검사단계(S0341)를 진행할 수 있고, 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 와이어(124)의 배선상태를 판별하는 와이어배선판별단계(S0342)를 진행할 수 있으며, 또한 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 와이어(124)의 폭과 형태를 판별하는 와이어상태판별단계(S0343) 등을 진행할 수 있다.
우선 와이어 관련 검사 중 이물질검사를 살펴보면, 도 5a와 같이 영상 이미지로부터 티칭데이터를 산출하는 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)와 다른 형태의 이물질(도 5a에서 상부 중앙 부분)을 검사할 수 있는 것이다(이물질판별단계(Wire-Foreign Material)).
그리고 와이어배선판별단계에서는 패드(121)의 볼(122)에서부터 리드(123) 까지 이어지는 와이어(124)의 상태를 검사하는 것으로, 우선 도 3b 및 도 3c에서와 같이 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 티칭데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 각각의 수와 일치하는 지의 여부의 "잘못된 배선"을 검사할 수 있다. 이에 의하여 티칭데이터에 따른 반도체패키지(12)의 패드(121), 볼(122), 리드(123) 및 와이어(124)가 많거나 적게 제작된 경우에는 불량으로 판별하게 된다(잘못배선판별단계(Incorrect Wire)).
또한 도 5b에서와 같이 티칭데이터에서, 리드(123)와 볼(122)의 외곽윤곽선을 따라(블럽추적방법) 백화소를 판별하여, 연결되어지는 리드(123)와 볼(122) 사이에 해당 와이어(124)가 백화소로 이어져 있는지의 여부를 검사할 수 있다. 이에 도 5b에서와 같이 끊어져 있는 경우에는 불량으로 판별하게 된다(와이어단선판별단계(Unconnect Wire)).
그리고 도 5c에서와 같이 리드(123)와 볼(122) 사이의 백화소에 대한 외곽윤곽을 따라(블럽추적방법) 이어진 와이어(124)를 분별함에, 와이어(124)와 다른 형태의 백화소가 검출되면 배선 쇼트로 하여 불량으로 판별하게 된다(와이어쇼트판별단계(Wire Short)).
나아가 도 5d에서와 같이 리드(123)와 볼(122) 사이의 백화소를 추적하여(블럽추적방법) 하나의 볼(122)에 대해 두 개 이상의 와이어(124)가 본딩된 경우에는, 주제어부(11)의 메모리부(15)의 와이어 데이터와 비교하여 다른 경우에는 불량으로 판별하게 된다(이중본딩판별단계(Wire-Double Bonding)).
다음으로 와이어상태판별단계에서는 도 5e 및 도 5f에서와 같이 상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 와이어(124)의 폭과 형태로 판별 하게 된다. 즉 도 5e에서와 같이 와이어(124)의 백화소를 추적하여 와이어의 폭이 일정하지 않고 얇게 되면 불량으로 판별할 수 있다(와이어직경판별단계(Wire Damage)). 또한 도 5f에서와 같이 배선된 와이어(124)의 백화소를 추적하고 센터포인트로부터의 거리 및 방향을 함께 계산하여, 와이어(124)의 직선도를 검사하는 것으로, 와이어(124)가 휘어지면 불량으로 판별할 수 있다(와이어 직진도판별단계(Bending Wire)).
그리고 리드(123) 위에 와이어(124)의 끝단인 스티치(125)와 리드(123)와의 상태를 검사하는 스티치상태검사단계를 진행할 수 있다. 즉 도 6에서와 같이, 백화소로 되는 리드(123) 위에 흑화소로 되는 스티치(125)가 존재하는 지 여부를 검사하고, 또한 스티치(125)의 끝단부가 'Y'자 형태로 형성되어 있는지 여부를 판별할 수 있는 것이다(Stitch Lifted).
이와 같이 본 발명 반도체패키지 검사시스템(A) 및 이에 의한 반도체패키지 검사방법에 의하여 워크테이블(13)을 따라 이동하는 반도체패키지(12)를 촬영을 통하여 빠른 시간 안에 불량 검사를 할 수 있어 효율을 증대시키는 장점이 있다.
또한 백화소와 흑화소로 되는 티칭데이터를 이용하기 때문에 정확하게 반도체패키지의 용접상태 등을 검사할 수 있는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
상기와 같이 구비되는 본 발명은 제조가 완료된 반도체패키지를 촬영을 통하여 검사하는 것으로, 육안으로 검사하지 않아 정확하고 빠르게 할 수 있어 불량률을 현저히 낮추는 효과가 있다.
또한 반도체패키지의 패드, 볼, 리드 및 와이어 등으로 구분하여 개별검사를 하기 때문에, 세세히 분별하여 검사하여 양호한 상태의 반도체패키지를 생산할 수 있는 장점이 있다.
나아가 아날로그 영상을 백화도로 하는 디지털로 하여 정밀검사를 하기 때문에 양품의 반도체패키지를 생산할 수 있으며, 검사작업이 무인 자동화하기 때문에 빠르면서 저렴하게 생산할 수 있는 장점이 있다.

Claims (5)

  1. 반도체패키지(12)에 대한 볼촬영장치(20), 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)를 포함하는 반도체패키지 검사시스템(A)이 구비되어지되,
    상기 볼촬영장치(20)는 반도체패키지(12)의 패드(121)와 볼(122)을 촬영하여 패드(121)와 볼(122)의 영상을 포함하는 볼영상신호를 생성하도록 볼촬영카메라(21)가 구비되고,
    상기 와이어촬영장치(30)는 반도체패키지(12)의 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123), 패드(121) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 와이어영상신호를 생성하도록 와이어촬영카메라(31)가 구비되며,
    상기 스티치촬영장치(40)는 반도체패키지(12)의 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 리드(123) 및 와이어(124)의 영상을 포함하는 스티치영상신호를 생성하도록 스티치촬영카메라(41)가 구비되고,
    상기 반도체패키지(12)를 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 스티치촬영장치(40)로 이동시키는 워크테이블(13)이 구비되며,
    상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)를 제어하는 주제어부(11)가 구비되고, 상기 주제어부(11)는 상기 볼촬영장치(20), 상기 와이어촬영장치(30) 및 상기 스티치촬영장치(40)로부터 반도체패키지(12)에 대한 영상신호를 입력받는 영상신호입력부(14) 및 메모리부(15)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지 검사시스템.
  2. 삭제
  3. 반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01);
    상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 와이어촬영장치(30)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 패드(121), 볼(122), 리드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 와이어영상신호를 생성하는 와이어영상 촬영단계(S031);
    상기 와이어촬영장치(30)에서 생성된 와이어영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하는 와이어영상신호전송단계(S032);
    전송된 와이어영상신호로부터 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 산출하는 와이어영상데이터산출단계(S033);
    상기 주제어부(11)에서 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값을 비교하여 와이어상태를 검사하는 와이어데이터분석단계(S034)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지 검사시스템에 의한 반도체패키지 검사방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 와이어영상데이터산출단계(S033)는 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)의 크기, 형태, 개수에 대한 데이터값을 산출하도록 하며,
    상기 와이어데이터분석단계(S034)는,
    상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)와 다른 형태의 이물질을 검사하는 이물질검사단계(S0341);
    상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 패드(121), 상기 볼(122), 상기 리드(123) 및 상기 와이어(124)에 대한 데이터값과, 상기 주제어부(11)의 메모리부(15)에 저장된 데이터값을 비교하여 상기 와이어(124)의 배선상태를 판별하는 와이어배선판별단계(S0342); 및
    상기 와이어영상데이터산출단계(S033)에 의하여 산출된 상기 와이어(124)의 폭과 형태를 판별하는 와이어상태판별단계(S0343)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지 검사시스템에 의한 검사방법.
  5. 반도체칩(120)의 패드(121)와 리드(123)가 와이어(124)로 연결된 반도체패키지(12)가 반도체패키지 검사시스템(A)의 워크테이블(13)에 장착된 상태에서 상기 반도체패키지(12)에 대한 검사준비를 완료하는 검사준비단계(S01);
    상기 반도체패키지 검사시스템(A)의 주제어부(11)에 의하여 제어되는 스티치촬영장치(40)에 의해 상기 워크테이블(13)에 장착된 상기 반도체패키지(12)의 리 드(123) 및 와이어(124)를 촬영하여 스티치영상신호를 생성하는 스티치영상 촬영단계(S041);
    상기 스티치촬영장치(40)에서 생성된 스티치영상신호를 상기 주제어부(11)의 영상신호입력부(14)를 통하여 전송하는 스티치영상신호전송단계(S042);
    전송된 스티치영상신호로부터 상기 리드(123), 상기 와이어(124) 및 스티치(125)에 대한 데이터값을 산출하는 스티치영상데이터산출단계(S043);
    상기 주제어부(11)에서 상기 리드(123), 상기 와이어(123) 및 상기 스티치(125)에 대한 데이터값을 비교하여 스티치상태를 검사하는 스티치데이터분석단계(S044)를 포함하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체패키지 검사시스템에 의한 반도체패키지 검사방법.
KR1020070058323A 2007-06-14 2007-06-14 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법 KR100884582B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070058323A KR100884582B1 (ko) 2007-06-14 2007-06-14 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법
PCT/KR2008/002110 WO2008153268A1 (en) 2007-06-14 2008-04-15 Semiconductor package inspection system and inspection method using semiconductor package inspection system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070058323A KR100884582B1 (ko) 2007-06-14 2007-06-14 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080110045A KR20080110045A (ko) 2008-12-18
KR100884582B1 true KR100884582B1 (ko) 2009-02-19

Family

ID=40129853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070058323A KR100884582B1 (ko) 2007-06-14 2007-06-14 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100884582B1 (ko)
WO (1) WO2008153268A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101474969B1 (ko) * 2013-11-29 2014-12-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치, 투광 부재 및 뷰포트를 갖는 챔버

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101303602B1 (ko) * 2011-11-15 2013-09-11 주식회사 미르기술 비접촉식 발광다이오드 검사장치
KR101248507B1 (ko) * 2012-06-19 2013-04-03 (주)이즈미디어 와이어 본딩 검사 시스템 및 방법
KR101431917B1 (ko) * 2012-12-27 2014-08-27 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 검사장비
KR101681517B1 (ko) * 2016-07-15 2016-12-12 주식회사 엠에스비전 반도체 설비의 정비 상태 검사 방법, 그 장치 및 이를 포함하는 반도체 설비
KR20230120187A (ko) * 2022-02-07 2023-08-17 에스케이하이닉스 주식회사 와이어 본딩 방법 및 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160230A (ja) * 1991-12-02 1993-06-25 Shinkawa Ltd ボンデイングワイヤ検査装置及び方法
JPH0737924A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びその方法
KR20000031904A (ko) * 1998-11-11 2000-06-05 윤종용 본딩 와이어 검사 방법 및 장치
JP2006100729A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Kaijo Corp ワイヤボンディングにおけるボールの検査方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05160230A (ja) * 1991-12-02 1993-06-25 Shinkawa Ltd ボンデイングワイヤ検査装置及び方法
JPH0737924A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びその方法
KR20000031904A (ko) * 1998-11-11 2000-06-05 윤종용 본딩 와이어 검사 방법 및 장치
JP2006100729A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Kaijo Corp ワイヤボンディングにおけるボールの検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101474969B1 (ko) * 2013-11-29 2014-12-22 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치, 투광 부재 및 뷰포트를 갖는 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008153268A1 (en) 2008-12-18
KR20080110045A (ko) 2008-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108802046B (zh) 一种混合集成电路组件缺陷光学检测装置及其检测方法
JP7026309B2 (ja) 光学式外観検査装置、及びこれを用いた光学式外観検査システム
KR100884582B1 (ko) 반도체패키지 검사시스템 및 반도체패키지 검사시스템에의한 검사방법
US7899239B2 (en) Inspection method of bonded status of ball in wire bonding
EP1568985A2 (en) Apparatus for surface inspection and method and apparatus for inspecting substrate
JP5421763B2 (ja) 検査装置および検査方法
JP4946668B2 (ja) 基板位置検出装置及び基板位置検出方法
CN102439708A (zh) 检查基板的接合结构的方法和接合结构检验设备
US20150130925A1 (en) Contactless component-inspecting apparatus and component-inspecting method
WO2010082902A2 (en) System and method for inspecting a wafer
CN110487189B (zh) 平坦度检测方法、平坦度检测装置及存储介质
TWI697656B (zh) 線形狀檢查裝置以及線形狀檢查方法
US9911666B2 (en) Apparatus and method for inspecting a semiconductor package
KR100952694B1 (ko) 웨이퍼 식별 코드 인식 장치
KR101771008B1 (ko) 본딩 와이어 칩 검사 장치
KR101133968B1 (ko) 브리지 연결불량 검출방법
KR100605027B1 (ko) 카메라 또는 검사 대상의 이동 중 영상 획득에 의한영상검사방법 및 영상검사장치
KR101028335B1 (ko) 와이어 검사 장치
JPH11111784A (ja) バンプ高さ良否判定装置
KR100710703B1 (ko) 반도체 리드프레임 도금 선폭 측정 검사장치 및 그 방법
JPH0666528A (ja) 外観検査方法及び装置
KR101124566B1 (ko) 웨이퍼 검사장치
JPH10112469A (ja) ワイヤボンディング検査装置
JP3326665B2 (ja) 半田ボール搭載の検査方法、半田ボール搭載の検査装置、及び半田ボール搭載装置
JPH06102024A (ja) ワイヤ検査装置及び検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111121

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee