JP2006100620A - 固体撮像素子及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光電変換部の受光効率の低下やノイズの増大を招くことなく、画素内のコンタクトを設ける。
【解決手段】 シリコン基板中のP型ウェル領域に素子分離部を形成し、この素子分離部によって分離された領域に光電変換部(フォトダイオード)を設けた撮像素子において、素子分離部を上下に貫通する状態でコンタクトプラグを設け、素子分離部の下層に位置するP型ウェル領域(高濃度拡散領域)と基準電位(GND)を印加するメタル配線とを接続し、画素内のPウェルコンタクトを構成する。これにより、画素内の素子分離部の数を増やすことなく、また、フォトダイオードに影響を与えない位置にPウェルコンタクトを設けてP型ウェル領域の電位を安定化できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 シリコン基板中のP型ウェル領域に素子分離部を形成し、この素子分離部によって分離された領域に光電変換部(フォトダイオード)を設けた撮像素子において、素子分離部を上下に貫通する状態でコンタクトプラグを設け、素子分離部の下層に位置するP型ウェル領域(高濃度拡散領域)と基準電位(GND)を印加するメタル配線とを接続し、画素内のPウェルコンタクトを構成する。これにより、画素内の素子分離部の数を増やすことなく、また、フォトダイオードに影響を与えない位置にPウェルコンタクトを設けてP型ウェル領域の電位を安定化できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えばCMOSイメージセンサのように、半導体基板のウェル領域を素子分離部によって分離し、その分離した領域に光電変換部を設けた固体撮像素子や、各種のウェル領域を有する半導体装置に関し、特にウェル領域の電位を安定化するためのウェルコンタクト部の構造の改良に関するものである。
従来、例えばCMOSイメージセンサでは、光電変換部(フォトダイオード)や転送、増幅、リセット、選択といった各種画素トランジスタよりなる多数の画素を2次元アレイ状に配置し、各画素のフォトダイオードによって生成した信号電荷を画素トランジスタによって読み出し、各種信号処理によって映像信号に変換し、外部に出力するようになっている。
また、その素子構造としては、N型シリコン基板に設けたP型ウェル領域内にフォトダイオードや画素トランジスタを形成しており、例えばフォトダイオードはP型ウェル領域内に信号電荷(電子)蓄積領域となるN型不純物層を設けるとともに、その表面に正孔蓄積用のP+型不純物層を形成している。
また、その素子構造としては、N型シリコン基板に設けたP型ウェル領域内にフォトダイオードや画素トランジスタを形成しており、例えばフォトダイオードはP型ウェル領域内に信号電荷(電子)蓄積領域となるN型不純物層を設けるとともに、その表面に正孔蓄積用のP+型不純物層を形成している。
また、フォトダイオードやMOSトランジスタといった各素子の間には素子分離部が形成され、隣接素子との絶縁分離を図っており、素子分離部の方式としては、シリコン基板の表面の一部に選択酸化法によって熱酸化膜を成長させるLOCOS構造や、シリコン基板に形成した溝に絶縁体を埋め込むSTI構造が用いられており、さらにP型ウェル領域の上面に分散酸化膜を設けた拡散素子分離法による構造が提案されている。
また、このようなCMOSイメージセンサにおいて、画素信号の読み出しや各種配線とのカップリングに伴うP型ウェル領域の電位変動を抑制するために、P型ウェル領域上にコンタクトプラグを配置して基準電位を印加することが知られている(例えば特許文献1参照)。なお、このようなP型ウェル領域に対するコンタクトをPウェルコンタクトというものとする。
また、このようなCMOSイメージセンサにおいて、画素信号の読み出しや各種配線とのカップリングに伴うP型ウェル領域の電位変動を抑制するために、P型ウェル領域上にコンタクトプラグを配置して基準電位を印加することが知られている(例えば特許文献1参照)。なお、このようなP型ウェル領域に対するコンタクトをPウェルコンタクトというものとする。
図4はPウェルコンタクトの一例を示す断面図であり、素子分離部にSTIを用いた例を示している。
シリコン基板10の上層部にはP型ウェル領域12が設けられ、その上層にSTIを用いた素子分離部14が設けられ、この素子分離部14によって分離された領域内にフォトダイオード16が設けられている。フォトダイオード16は、上述のようにN型不純物層16Aの表面にP+型不純物層16Bを形成したものであり、P+型不純物層16BはP型ウェル領域12と連続している。
また、シリコン基板10の上面にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜18が設けられ、その上にメタル配線20が設けられている。そして、この層間絶縁膜18にメタル配線20とP型ウェル領域12とを導通するPウェルコンタクト22が形成されている。このPウェルコンタクト22はフォトダイオード16と素子分離部14の中間領域に配置されており、コンタクトプラグとP型ウェル領域12との接続部分はコンタクト抵抗を下げるために高濃度のP型拡散領域となっている。
シリコン基板10の上層部にはP型ウェル領域12が設けられ、その上層にSTIを用いた素子分離部14が設けられ、この素子分離部14によって分離された領域内にフォトダイオード16が設けられている。フォトダイオード16は、上述のようにN型不純物層16Aの表面にP+型不純物層16Bを形成したものであり、P+型不純物層16BはP型ウェル領域12と連続している。
また、シリコン基板10の上面にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜18が設けられ、その上にメタル配線20が設けられている。そして、この層間絶縁膜18にメタル配線20とP型ウェル領域12とを導通するPウェルコンタクト22が形成されている。このPウェルコンタクト22はフォトダイオード16と素子分離部14の中間領域に配置されており、コンタクトプラグとP型ウェル領域12との接続部分はコンタクト抵抗を下げるために高濃度のP型拡散領域となっている。
また、図5はPウェルコンタクトの他の例を示す断面図であり、図4と共通の構成には同一符号を付している。本例も素子分離部にSTIを用いたものであるが、2つの素子分離部14を並列に形成し、その中間領域にPウェルコンタクト22を設けている。なお、本例においても、コンタクトプラグとP型ウェル領域12との接続部分には追加のイオン注入等により、高濃度のP型拡散領域となっている。
特公平8−21704号公報
しかしながら、図4に示した従来技術では、フォトダイオード16のP+型不純物層16Bに近い領域にPウェルコンタクトを設けることから、フォトダイオード近傍における高濃度のP型イオン注入やエッチング等による結晶欠陥の増加によって、白点ノイズ等の増大を招き、撮像特性を劣化させるという問題がある。
また、図5に示した従来技術では、Pウェルコンタクトを設けるためだけに2つの素子分離部を配置するため、画素内での面積を大きく占有することになり、フォトダイオードの有効受光面積を確保する上での障害となり、受光効率を低下させてしまうという問題がある。
なお、P型ウェル領域の電位を安定化させるためには、各画素毎にコンタクトを設けることが要求される場合もあり、全体として受光領域の効率を著しく低下させる原因となる。
また、図5に示した従来技術では、Pウェルコンタクトを設けるためだけに2つの素子分離部を配置するため、画素内での面積を大きく占有することになり、フォトダイオードの有効受光面積を確保する上での障害となり、受光効率を低下させてしまうという問題がある。
なお、P型ウェル領域の電位を安定化させるためには、各画素毎にコンタクトを設けることが要求される場合もあり、全体として受光領域の効率を著しく低下させる原因となる。
そこで本発明は、光電変換部の受光効率の低下やノイズの増大を招くことなく、画素内のコンタクトを設けることが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
また本発明は、各種半導体素子内の配置スペースを増大させることなく、コンタクト部を設けることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
また本発明は、各種半導体素子内の配置スペースを増大させることなく、コンタクト部を設けることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像素子及び半導体装置は、半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域と、前記半導体基板の第1導電型不純物領域中の素子分離を行う素子分離部と、前記素子分離部を貫通して前記第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部とを有することを特徴とする。
本発明の固体撮像素子によれば、半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域の素子分離を行う素子分離部を貫通して第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部を設けたことから、素子分離部の数を増やすことなく、光電変換部から分離した領域にコンタクト部を設けることが可能となる。
したがって、光電変換部の受光面積を大きくする際の障害とならず、受光効率の低下を回避でき、受光感度を維持できるとともに、撮像信号のノイズを抑制でき、撮像特性の向上に寄与できる効果がある。
また本発明の半導体装置によれば、半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域の素子分離を行う素子分離部を貫通して第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部を設けたことから、省スペース化を図りつつコンタクト部を設けることが可能となり、半導体装置の小型化や機能向上等に寄与できる効果がある。
したがって、光電変換部の受光面積を大きくする際の障害とならず、受光効率の低下を回避でき、受光感度を維持できるとともに、撮像信号のノイズを抑制でき、撮像特性の向上に寄与できる効果がある。
また本発明の半導体装置によれば、半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域の素子分離を行う素子分離部を貫通して第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部を設けたことから、省スペース化を図りつつコンタクト部を設けることが可能となり、半導体装置の小型化や機能向上等に寄与できる効果がある。
本発明の実施の形態では、シリコン基板中のP型ウェル領域に素子分離部を形成し、この素子分離部によって分離された領域に光電変換部(フォトダイオード)を設けた撮像素子において、素子分離部を上下に貫通する状態でコンタクトプラグを設け、素子分離部の下層に位置するP型ウェル領域(高濃度拡散領域)と基準電位(GND)を印加するメタル配線とを接続し、画素内のPウェルコンタクトを構成する。
これにより、画素内の素子分離部の数を増やすことなく、また、フォトダイオードに影響を与えない位置にPウェルコンタクトを設けてP型ウェル領域の電位を安定化できる。
なお、素子分離部としては、シリコン基板の表面の一部に熱酸化膜を成長させるLOCOS構造や、シリコン基板に形成した溝に絶縁体を埋め込むSTI構造、あるいはP型ウェル領域の上面に分散酸化膜を設けた拡散素子分離法による構造等、種々の方式を用いることができ、いずれの方式についても適用が可能である。
また、このような本形態によるコンタクト構造は、P型ウェル領域のためのコンタクトに限らず、種々のコンタクトに採用できるものである。
これにより、画素内の素子分離部の数を増やすことなく、また、フォトダイオードに影響を与えない位置にPウェルコンタクトを設けてP型ウェル領域の電位を安定化できる。
なお、素子分離部としては、シリコン基板の表面の一部に熱酸化膜を成長させるLOCOS構造や、シリコン基板に形成した溝に絶縁体を埋め込むSTI構造、あるいはP型ウェル領域の上面に分散酸化膜を設けた拡散素子分離法による構造等、種々の方式を用いることができ、いずれの方式についても適用が可能である。
また、このような本形態によるコンタクト構造は、P型ウェル領域のためのコンタクトに限らず、種々のコンタクトに採用できるものである。
図1は本発明の実施例による固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の画素内Pウェルコンタクトの第1の例を示す断面図であり、素子分離部にLOCOSを用いた例を示している。
図示のように、シリコン基板110の上層部にはP型ウェル領域112が設けられ、その上層にLOCOSを用いた素子分離部114が設けられ、この素子分離部114によって分離された領域内にフォトダイオード116が設けられている。LOCOS型素子分離部114は、シリコン基板110の表面に局所的な酸化膜を成長させたものである。
また、フォトダイオード116は、電子蓄積領域となるN型不純物層116Aが設けられ、その表面に正孔蓄積領域としてのP+型不純物層116Bを形成したものであり、隣接するフォトダイオード116のP+型不純物層116Bは素子分離部114の下層を通って連続し、互いに同一電位に保持されるような構造となっている。したがって、P型ウェル領域112における素子分離部114の直下に位置する領域は、フォトダイオード116のP+型不純物層116Bに繋がるP型ウェル領域112より高濃度のP+型拡散領域112Aとなっている。
図示のように、シリコン基板110の上層部にはP型ウェル領域112が設けられ、その上層にLOCOSを用いた素子分離部114が設けられ、この素子分離部114によって分離された領域内にフォトダイオード116が設けられている。LOCOS型素子分離部114は、シリコン基板110の表面に局所的な酸化膜を成長させたものである。
また、フォトダイオード116は、電子蓄積領域となるN型不純物層116Aが設けられ、その表面に正孔蓄積領域としてのP+型不純物層116Bを形成したものであり、隣接するフォトダイオード116のP+型不純物層116Bは素子分離部114の下層を通って連続し、互いに同一電位に保持されるような構造となっている。したがって、P型ウェル領域112における素子分離部114の直下に位置する領域は、フォトダイオード116のP+型不純物層116Bに繋がるP型ウェル領域112より高濃度のP+型拡散領域112Aとなっている。
また、シリコン基板110の上面にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜118が設けられ、その上にメタル配線120が設けられている。そして、この層間絶縁膜118から素子分離部114にかけて、メタル配線120とP型ウェル領域112のP+型拡散領域112Aとを導通するPウェルコンタクト122が形成されている。すなわち、このPウェルコンタクト122は層間絶縁膜118及び素子分離部114を貫通するように形成されたコンタクトホールにタングステン等の高融点金属を埋め込んでプラグを形成したものであり、メタル配線120とP+型拡散領域112Aとを導通し、メタル配線120による基準電位(GND)をP+型拡散領域112Aを通してP型ウェル領域112に印加している。
このような本実施例の素子構造では、隣接する素子(図示の例ではフォトダイオード)の間に配置される1つのLOCOS型素子分離部114の領域を用いてPウェルコンタクト122を形成でき、画素内の他の素子の面積を損なうことなく、P型ウェル領域112の電位安定化を図ることが可能となる。なお、図1に示す例では、フォトダイオードの間の素子分離部にPウェルコンタクトを設けたが、他の素子(例えば画素トランジスタ等)の間の素子分離部に同様に適用しても良い。
図2は本発明の実施例による固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の画素内Pウェルコンタクトの第2の例を示す断面図であり、素子分離部にSTIを用いた例を示している。
図示のように、シリコン基板210の上層部にはP型ウェル領域212が設けられ、その上層にSTIを用いた素子分離部214が設けられ、この素子分離部214によって分離された領域内にフォトダイオード216が設けられている。STI型素子分離部214はシリコン基板210の表面に溝を形成し、ここに絶縁体を埋め込んだ構成のものである。
また、フォトダイオード216は本実施例においても同様に、N型不純物層216AとP+型不純物層216Bを有し、隣接するフォトダイオード216のP+型不純物層216Bは素子分離部214の下層を通って連続し、互いに同一電位に保持されるような構造となっている。したがって、P型ウェル領域212における素子分離部214の直下に位置する領域は、フォトダイオード216のP+型不純物層216Bに繋がるP型ウェル領域212より高濃度のP+型拡散領域212Aとなっている。
図示のように、シリコン基板210の上層部にはP型ウェル領域212が設けられ、その上層にSTIを用いた素子分離部214が設けられ、この素子分離部214によって分離された領域内にフォトダイオード216が設けられている。STI型素子分離部214はシリコン基板210の表面に溝を形成し、ここに絶縁体を埋め込んだ構成のものである。
また、フォトダイオード216は本実施例においても同様に、N型不純物層216AとP+型不純物層216Bを有し、隣接するフォトダイオード216のP+型不純物層216Bは素子分離部214の下層を通って連続し、互いに同一電位に保持されるような構造となっている。したがって、P型ウェル領域212における素子分離部214の直下に位置する領域は、フォトダイオード216のP+型不純物層216Bに繋がるP型ウェル領域212より高濃度のP+型拡散領域212Aとなっている。
また、シリコン基板210の上面にはシリコン酸化膜等の層間絶縁膜218が設けられ、その上にメタル配線220か設けられている。そして、この層間絶縁膜218から素子分離部214にかけて、メタル配線220とP型ウェル領域212のP+型拡散領域212Aとを導通するPウェルコンタクト222が形成されている。すなわち、このPウェルコンタクト222は層間絶縁膜218及び素子分離部214を貫通するように形成されたコンタクトホールにタングステン等の高融点金属を埋め込んでプラグを形成したものであり、メタル配線220とP+型拡散領域212Aとを導通し、メタル配線220による基準電位(GND)をP+型拡散領域212Aを通してP型ウェル領域212に印加している。
このような本実施例の素子構造では、隣接する素子(図示の例ではフォトダイオード)の間に配置される1つのSTI型素子分離部214の領域を用いてPウェルコンタクト222を形成でき、画素内の他の素子の面積を損なうことなく、P型ウェル領域212の電位安定化を図ることが可能となる。特に本例においては、シリコン基板の深い位置に形成されたSTI型素子分離部214にコンタクト222が埋設され、深い位置でP+型拡散領域212と接触しているため、コンタクト形成による悪影響がフォトダイオードに届きにくく、良好な特性を容易に得ることができる利点がある。なお、本例においても、フォトダイオード以外の素子(例えば画素トランジスタ等)の間の素子分離部に適用しても良い。
図3は本発明の実施例による固体撮像素子(CMOSイメージセンサ)の画素内Pウェルコンタクトの第3の例を示す断面図であり、素子分離部に拡散素子分離法を用いた例を示している。
図示のように、シリコン基板310の上層部にはP型ウェル領域312が設けられ、このP型ウェル領域312内にフォトダイオード316が設けられている。フォトダイオード316は本実施例においても同様に、N型不純物層316AとP+型不純物層316Bを有している。
また、シリコン基板310の上部に拡散素子分離法を用いた素子分離部314が設けられ、この素子分離部314によってフォトダイオード316のN型不純物層316Aが分離される。
この素子分離部314は、シリコン基板310の上部に分散酸化膜314Aを配置するとともに、この分散酸化膜314Aの直下にP+型拡散領域312Aを設けたものであり、絶縁物の代わりP+型拡散層によってフォトダイオード316のN型不純物層316Aを分離するものである。
なお、素子分離部314のP+型拡散領域312Aは、両側のフォトダイオード316のP+型不純物層316Bに繋がっており、さらに、シリコン基板310の深層側に延在されてP型ウェル領域312に繋がっている。
図示のように、シリコン基板310の上層部にはP型ウェル領域312が設けられ、このP型ウェル領域312内にフォトダイオード316が設けられている。フォトダイオード316は本実施例においても同様に、N型不純物層316AとP+型不純物層316Bを有している。
また、シリコン基板310の上部に拡散素子分離法を用いた素子分離部314が設けられ、この素子分離部314によってフォトダイオード316のN型不純物層316Aが分離される。
この素子分離部314は、シリコン基板310の上部に分散酸化膜314Aを配置するとともに、この分散酸化膜314Aの直下にP+型拡散領域312Aを設けたものであり、絶縁物の代わりP+型拡散層によってフォトダイオード316のN型不純物層316Aを分離するものである。
なお、素子分離部314のP+型拡散領域312Aは、両側のフォトダイオード316のP+型不純物層316Bに繋がっており、さらに、シリコン基板310の深層側に延在されてP型ウェル領域312に繋がっている。
また、シリコン基板310の上面には分散酸化膜314Aの上層にシリコン酸化膜等の層間絶縁膜318が設けられ、その上にメタル配線320か設けられている。そして、この層間絶縁膜318から分散酸化膜314Aにかけて、メタル配線320とP+型拡散領域312Aとを導通するPウェルコンタクト322が形成されている。すなわち、このPウェルコンタクト322は層間絶縁膜318及び分散酸化膜314Aを貫通するように形成されたコンタクトホールにタングステン等の高融点金属を埋め込んでプラグを形成したものであり、メタル配線320とP+型拡散領域312Aとを導通し、メタル配線320による基準電位(GND)をP+型拡散領域312Aを通してP型ウェル領域312に印加している。
このような本実施例の素子構造では、隣接する素子(図示の例ではフォトダイオード)の間に配置される1つの拡散素子分離型素子分離部314の領域を用いてPウェルコンタクト322を形成でき、画素内の他の素子の面積を損なうことなく、P型ウェル領域312の電位安定化を図ることが可能となる。なお、本例においても、フォトダイオード以外の素子(例えば画素トランジスタ等)の間の素子分離部に適用しても良い。
また、上記実施例では、P型ウェル領域のコンタクトを設ける例を説明したが、他の不純物領域用のコンタクトを設ける場合にも同様に適用できるものである。また、上記実施例では、本発明をCMOSイメージセンサに適用した例を示したが、本発明はさらに各種の固体撮像素子に広く適用できるものである。
さらに、本発明は、光電変換部を有する固体撮像素子に限らず、種々の半導体装置にも同様に適用できるものである。
また、上記実施例では、P型ウェル領域のコンタクトを設ける例を説明したが、他の不純物領域用のコンタクトを設ける場合にも同様に適用できるものである。また、上記実施例では、本発明をCMOSイメージセンサに適用した例を示したが、本発明はさらに各種の固体撮像素子に広く適用できるものである。
さらに、本発明は、光電変換部を有する固体撮像素子に限らず、種々の半導体装置にも同様に適用できるものである。
110……シリコン基板、112……P型ウェル領域、114……素子分離部、116……フォトダイオード、118……層間絶縁膜、120……メタル配線、122……Pウェルコンタクト。
Claims (15)
- 半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域と、
前記半導体基板の第1導電型不純物領域中の素子分離を行う素子分離部と、
前記素子分離部を貫通して前記第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部と、
を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記第1導電型不純物領域に前記コンタクト部との電気的接続をとるための高濃度拡散領域を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域内に光電変換部が設けられ、前記光電変換部が半導体基板の上層に形成された信号電荷蓄積領域となる第2導電型不純物層と、前記第2導電型不純物層の表面部に形成された第1導電型不純物層とを有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記素子分離部がLOCOS構造を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記素子分離部がSTI構造を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記素子分離部が拡散素子分離構造を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記第1導電型がP型であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記第1導電型がN型であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 半導体基板中に形成される第1導電型不純物領域と、
前記半導体基板の第1導電型不純物領域中の素子分離を行う素子分離部と、
前記素子分離部を貫通して前記第1導電型不純物領域に接触するコンタクト部と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1導電型不純物領域に前記コンタクト部との電気的接続をとるための高濃度拡散領域を含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記素子分離部がLOCOS構造を含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記素子分離部がSTI構造を含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記素子分離部が拡散素子分離構造を含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記第1導電型がP型であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記第1導電型がN型であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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