JP2006094196A - 多段高周波増幅器 - Google Patents

Abstract

【課題】各段の高周波増幅器の安定な動作を維持するとともに、回路専有面積の低減および外部回路との接続工数の低減を図ることのできる多段高周波増幅器を得る。
【解決手段】高周波信号を増幅する増幅用トランジスタ（４ａ、ｂ）と、増幅用トランジスタのコレクタあるいはドレインに一端が接続された負荷抵抗（５ａ、ｂ）とを有する増幅器を多段接続してなる多段高周波増幅器において、各段の負荷抵抗の他端に接続された各段個別のアイソレーション抵抗（６ａ、ｂ）と、各段の負荷抵抗の他端にアイソレーション抵抗と並列に接続された各段個別のバイパスコンデンサ（７ａ、ｂ）と、各段個別のアイソレーション抵抗が共通して接続され、バイアス電源を供給する共通電源端子（９）と、各段個別のバイパスコンデンサを接地する接地端子（８）とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、増幅用トランジスタを用いて信号増幅を行う増幅器に関し、特に、高周波信号を多段増幅する多段高周波増幅器に関する。

従来の多段高周波増幅器としては、３段構成を有し、単相入力、差動出力である低雑音増幅器がある（例えば、非特許文献１参照）。各段間には整合用スパイラルインダクタを設け、各段間を５０Ωに整合している。さらに、２段目増幅器は、利得を稼ぐためトランジスタをカスコード接続した構成としている。

また、１段目増幅器、２段目増幅器ともに利得を稼ぐため、エミッタ接地用パッドをそれぞれ２個設け、ＧＮＤワイヤのインダクタンスの低減を図っている。３段目増幅器は、単相入力の差動増幅器を用いている。さらに、内蔵バイアス回路により、３．３Ｖの単一電源で動作する。

２００３年電子情報通信学会総合大会Ｃ-２-２４「５．８ＧＨｚ帯整合回路一体形ＳｉＧｅ−ＭＭＩＣ低雑音増幅器」

しかしながら、従来技術には次のような課題がある。従来の多段高周波増幅器は、１段目増幅器、２段目増幅器、３段目増幅器の各段に電源端子および接地端子が個別に必要である。従って、多段高周波増幅器の回路占有面積が大きくなってしまうという問題がある。

また、電源端子および接地端子と外部部品とを接続するための組み立てが、各段の増幅器ごとにそれぞれ必要であるという問題がある。また、各段の増幅器に電源端子および接地端子が設けられているため、外部回路と接続するための組み立てのばらつきにより、高周波特性にばらつきが生じるという問題がある。

本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、各段の高周波増幅器の安定な動作を維持するとともに、回路専有面積の低減および外部回路との接続工数の低減を図ることのできる多段高周波増幅器を得ることを目的とする。

本発明に係る多段高周波増幅器は、高周波信号を増幅する増幅用トランジスタと、増幅用トランジスタのコレクタあるいはドレインに一端が接続された負荷抵抗とを有する増幅器を多段接続してなる多段高周波増幅器において、各段の負荷抵抗の他端に接続された各段個別のアイソレーション抵抗と、各段の負荷抵抗の他端にアイソレーション抵抗と並列に接続された各段個別のバイパスコンデンサと、各段個別のアイソレーション抵抗が共通して接続され、アイソレーション抵抗および負荷抵抗を介して各段の増幅用トランジスタにバイアス電源を供給する共通電源端子と、各段個別のバイパスコンデンサを接地する接地端子とを備えたものである。

本発明によれば、各段個別のアイソレーション抵抗を介して電源端子を共通化することにより、各段の高周波増幅器の安定な動作を維持するとともに、回路専有面積の低減および外部回路との接続工数の低減を図ることのできる多段高周波増幅器を得ることができる。

以下、本発明の多段高周波増幅器の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。この多段高周波増幅器は、入力端子１から入力された高周波信号が、１段目増幅器１００および２段目増幅器２００を介して２段増幅され、出力端子１１から出力される構成を有している。

１段目増幅器１００は、バイアス印加用抵抗２ａ、電圧源３ａ、増幅用トランジスタ４ａ、負荷抵抗５ａ、接地端子８ａ、ワイヤ１２ａで構成される。同様に、２段目増幅器２００は、バイアス印加用抵抗２ｂ、電圧源３ｂ、増幅用トランジスタ４ｂ、負荷抵抗５ｂ、接地端子８ｂ、ワイヤ１２ｂで構成される。さらに、１段目増幅器１００の出力と２段目増幅器２００の入力との間には、直流カットコンデンサ１０が接続されている。

また、１段目増幅器１００の負荷抵抗５ａおよび２段目増幅器２００の負荷抵抗５ｂに接続される各段の増幅器に対する共通回路は、電圧源３ｕ、アイソレーション抵抗６ａ、６ｂ、バイパスコンデンサ７ａ、７ｂ、共通接地端子８、共通電源端子９、ワイヤ１２ｕ、１２ｖで構成される。

ここで、アイソレーション抵抗６ａとバイパスコンデンサ７ａは、１段目増幅器１００の増幅用トランジスタ４ａに一端が接続された負荷抵抗５ａの他端に並列接続されている。同様に、アイソレーション抵抗６ｂとバイパスコンデンサ７ｂは、２段目増幅器２００の増幅用トランジスタ４ｂに一端が接続された負荷抵抗５ｂの他端に並列接続されている。

さらに、各段個別のアイソレーション抵抗６ａ、６ｂは、ともに共通電源端子９に接続されており、ワイヤ１２ｕを介して電圧源３ｕから電源が供給される。各段個別のバイパスコンデンサ７ａ、７ｂは、ともに共通接地端子８に接続されており、ワイヤ１２ｖを介して接地されている。

このように、本実施の形態１の多段高周波増幅器は、各段の負荷抵抗５ａ、５ｂの他端が２つに分岐されて、各段個別のバイパスコンデンサ７ａ、７ｂと各段個別のアイソレーション抵抗６ａ、６ｂとが並列接続され、さらに、各段個別のバイパスコンデンサ７ａ、７ｂが共通接地端子８に接続され、各段個別のアイソレーション抵抗６ａ、６ｂが共通電源端子９に接続されていることを技術的特徴としている。

次に、この多段高周波増幅器の動作について説明する。まず、高周波信号が入力端子１を介して１段目増幅器１００の増幅用トランジスタ４ａのベースへ入力される。増幅用トランジスタ４ａは、エミッタ接地増幅器を構成している。

すなわち、エミッタは、ワイヤ１２ａを介して接地されている接地端子８ａに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ａを介して電圧源３ａでバイアスされ、コレクタは、負荷抵抗５ａおよびアイソレーション抵抗６ａを介して共通電源端子９に接続され、ワイヤ１２ｕを介して電圧源３ｕからバイアスされている。

また、負荷抵抗５ａは、上述にように、アイソレーション抵抗６ａに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ａを介して共通接地端子８に接続されて、高周波を接地している。

また、１段目増幅器１００の高周波出力信号は、増幅用トランジスタ４ａのコレクタに負荷抵抗５ａと並列接続された直流カットコンデンサ１０を介して、２段目増幅器２００を構成する増幅用トランジスタ４ｂのベースへ入力される。

２段目増幅器１００の増幅用トランジスタ４ｂは、１段目増幅器１００の増幅用トランジスタ４ａと同様に、エミッタ接地増幅器である。すなわち、エミッタは、ワイヤ１２ｂを介して接地されている接地端子８ｂに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ｂを介して電圧源３ｂでバイアスされ、コレクタは、負荷抵抗５ｂおよびアイソレーション抵抗６ｂを介して１段目増幅器１００と同じ共通電源端子９に接続され、ワイヤ１２ｕを介して電圧源３ｕからバイアスされている。

また、負荷抵抗５ｂは、上述のように、アイソレーション抵抗６ｂに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ｂを介して１段目増幅器１００と同じ共通接地端子８に接続されて、高周波を接地している。さらに、増幅された高周波信号は、増幅用トランジスタ４ｂのコレクタに負荷抵抗５ｂと並列接続された出力端子１１から出力される。

各段の負荷抵抗５ａ、５ｂと共通電源端子９との接続は、それぞれアイソレーション抵抗６ａ、６ｂを介しており、高周波信号は、共通電源端子９側へ漏れ込むことが抑えられるとともに、バイパスコンデンサ７ａ、７ｂを介して共通接地端子８で接地される。これにより、１段目増幅器１００および２段目増幅器２００は、共通電源端子９に接続されるワイヤ１２ｕおよび電圧源３ｕによる影響を受けることなく、安定に動作することができる。

実施の形態１によれば、アイソレーション抵抗を介して電源端子を共通化することにより、各段の増幅器の安定な動作を維持したまま、電源端子の数を減らすことができる。さらに、アイソレーション抵抗を挿入したことにより、各段の増幅器の安定な動作を維持したまま、負荷抵抗の高周波を接地するための接地端子も共通化でき、接地端子の数を減らすことができる。この結果、半導体基板の回路専有面積の低減および各段の増幅器と外部回路との接続工数の低減を図ることができる。

さらに、接続工数の低減を図った構成を有することにより、接続の組み立てばらつきによる高周波特性のばらつきを抑えることができる。

実施の形態２．
図２は、本発明の実施の形態２による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。実施の形態１の多段高周波増幅器である図１と比較すると、図２の多段高周波増幅器は、共通接地端子８を接地端子８ｖと接地端子８ｗの２つに分けた構成を有している点が異なっている。図２において、図１と同一符号のものは、同一または相当部分を示すものであり、その説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

接地端子８ｖは、１段目増幅器１００を構成する負荷抵抗５ａに接続されたバイパスコンデンサ７ａを介して、高周波を接地するための接地端子である。また、接地端子８ｗは、２段目増幅器２００を構成する負荷抵抗５ｂに接続されたバイパスコンデンサ７ｂを介して、高周波を接地するための接地端子である。さらに、これら接地端子８ｖ、８ｗは、それぞれワイヤ１２ｖ、１２ｗを介して接地されており、各段の増幅器に対して個別に設けられた接地端子となっている。

このように、接地端子８ｖ、８ｗを各段の増幅器に対して個別に設けることにより、１段目増幅器１００と２段目増幅器２００が、高周波でインピーダンスが低いバイパスコンデンサ７ａ、７ｂを介して結合することを抑えることができる。

実施の形態２によれば、接地端子を個別に設けることにより、各段の増幅器が、高周波でインピーダンスが低いバイパスコンデンサを介して結合することを抑えることができる。さらに、各段の増幅器の電源端子は、実施の形態１と同様にアイソレーション抵抗を介して共通化されており、各段の増幅器の安定な動作を維持したまま、電源端子の数を減らすことができる。この結果、半導体基板の回路専有面積の低減および各段の増幅器と外部回路との接続工数の低減を図ることができる。

実施の形態３．
図３は、本発明の実施の形態３による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。実施の形態１の多段高周波増幅器である図１と比較すると、図３の多段高周波増幅器は、新たに伝送線路１３ａ、１３ｂを備えている点が異なっている。図３において、図１と同一符号のものは、同一または相当部分を示すものであり、その説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

伝送線路１３ａは、１段目増幅器１００を構成する負荷抵抗５ａに接続されたバイパスコンデンサ７ａと共通接地端子８との間に接続されている。また、伝送線路１３ｂは、２段目増幅器２００を構成する負荷抵抗５ｂに接続されたバイパスコンデンサ７ｂと共通接地端子８との間に接続されている。

このような構成により、負荷抵抗５ａ、５ｂから高周波を接地するための共通接地端子８までの経路が独立することとなる。この結果、１段目増幅器１００と２段目増幅器２００は、高周波でインピーダンスが低いバイパスコンデンサ７ａ、７ｂを介して結合することを抑えることができる。

実施の形態３によれば、各段の増幅器のバイパスコンデンサを、各段個別の伝送線路を介して共通の接地端子で接地することにより、実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、各段の増幅器が高周波でインピーダンスが低いバイパスコンデンサを介して結合することを抑えることができる。

実施の形態４．
図４は、本発明の実施の形態４による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。実施の形態３の多段高周波増幅器である図３と比較すると、図４の多段高周波増幅器は、２段目増幅器２００内に増幅用トランジスタとして増幅用トランジスタ４ｂおよび増幅用トランジスタ４ｃの２つを有し、これらがカスコード接続されている点が異なっている。図４において、図３と同一符号のものは、同一または相当部分を示すものであり、その説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

１段目増幅器１００の構成は、図３と同様であり、１段目増幅器１００の高周波出力信号は、増幅用トランジスタ４ａのコレクタに負荷抵抗５ａと並列接続された直流カットコンデンサ１０を介して、２段目増幅器２００を構成する増幅用トランジスタ４ｂのベースへ入力される。

２段目増幅器２００は、増幅用トランジスタ４ｂのコレクタと増幅用トランジスタ４ｃのエミッタとを接続したカスコード接続構成による増幅器となっている。すなわち、増幅用トランジスタ４ｂのエミッタは、ワイヤ１２ｂを介して接地されている接地端子８ｂに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ｂを介して電圧源３ｂでバイアスされる。

また、増幅用トランジスタ４ｃのベースは、バイアス印加用抵抗２ｃを介して電圧源３ｃでバイアスされ、さらに、電圧源３ｃと並列回路を構成するようにしてバイパスコンデンサ７ｄがバイアス印加用抵抗２ｃに接続されている。バイパスコンデンサ７ａのもう一端は、ワイヤ１２ｃを介して接地されている接地端子８ｃに接続されている。また、増幅用トランジスタ４ｃのコレクタは、負荷抵抗５ｂおよびアイソレーション抵抗６ｂを介して１段目増幅器１００と同じ共通電源端子９に接続されている。

また、負荷抵抗５ｂは、上述のように、アイソレーション抵抗６ｂに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ｂおよび伝送線路１３ｂを介して、１段目増幅器１００と同じ共通接地端子８に接続されて、高周波を接地している。高周波信号は、増幅用トランジスタ４ｃのコレクタに負荷抵抗５ｂと並列接続された出力端子１１から出力される。

したがって、図４の多段高周波増幅器は、共通電源端子９と共通接地端子８とを備えている点、および共通接地端子８とバイパスコンデンサ７ａ、７ｂとの間に伝送線路１３ａ、１３ｂを備えている点で、実施の形態３と同様の構成を有している。さらに、２段目増幅器２００は、増幅用トランジスタ４ｂ、４ｃがカスコード接続された構成を有しており、利得を稼ぐことが可能となる。

実施の形態４によれば、カスコード接続された増幅器を用いることにより、利得を稼ぐことができるとともに、共通電源端子および共通接地端子を備えることにより、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。

実施の形態５．
図５は、本発明の実施の形態５による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。実施の形態３の多段高周波増幅器である図３と比較すると、実施の形態５の多段高周波増幅器は、３段目増幅器３００をさらに備えている点が異なっている。図５において、図３と同一符号のものは、同一または相当部分を示すものであり、その説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。

１段目増幅器１００および２段目増幅器２００の構成は、図３と同様である。さらに、２段目増幅器２００の高周波出力信号は、直流カットコンデンサ１０ｂを介して、３段目増幅器３００を構成する増幅用トランジスタ４ｃのベースへ入力される。

この増幅用トランジスタ４ｃも、エミッタ接地増幅器である。すなわち、エミッタは、ワイヤ１２ｃを介して接地されている接地端子８ｃに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ｃを介して電圧源３ｃでバイアスされ、コレクタは、負荷抵抗５ｃおよびアイソレーション抵抗６ｃを介して１段目増幅器１００および２段目増幅器２００と同じ共通電源端子９に接続されている。

また、３段目増幅器３００を構成する負荷抵抗５ｃは、上述のように、アイソレーション抵抗６ｃに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ｃおよび伝送線路１３ｃを介して、１段目増幅器１００および２段目増幅器２００と同じ共通接地端子８に接続されて、高周波を接地している。高周波信号は、増幅用トランジスタ４ｃのコレクタに負荷抵抗５ｃと並列接続された出力端子１１から出力される。

このような構成をとることにより、３段高周波増幅器においても、その外部回路において、共通電源端子９および共通接地端子８を用いることができる。

実施の形態５によれば、各段の増幅器のバイパスコンデンサを、各段個別の伝送線路を介して共通の接地端子で接地することにより、実施の形態１と同様の効果が得られるとともに、各段の増幅器が高周波でインピーダンスが低いバイパスコンデンサを介して結合することを抑えることができる。

実施の形態６．
図６は、本発明の実施の形態６による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。実施の形態６の多段高周波増幅器は、３段高周波増幅器のその他の実施の形態を示すものである。図６の多段高周波増幅器は、非特許文献１で示されている多段高周波増幅器に対して本発明の特徴である共通電源端子９および共通接地端子８を備えた構成を示しており、異なる構成を中心に説明する。

入力端子１から高周波信号が、増幅用トランジスタ４ａのベース電極へ入力される。増幅用トランジスタ４ａは、エミッタ接地増幅器を構成している。すなわち、エミッタは、ワイヤ１２ａを介して接地されている接地端子８ａに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ａを介して電圧源３ａでバイアスされ、コレクタは、整合用インダクタ１４ａ、負荷抵抗５ａ、およびアイソレーション抵抗６ａを介して共通電源端子９に接続され、ワイヤ１２ｕを介して電圧源３ｕからバイアスされている。

また、負荷抵抗５ａは、上述のように、アイソレーション抵抗６ａに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ａ、伝送線路１３ａを介して、共通接地端子８に接続されて、高周波信号を接地している。１段目増幅器１００に入力された高周波信号は、整合用インダクタ１４ａに負荷抵抗５ａと並列接続された直流カットコンデンサ１０ａを介して出力される。

２段目増幅器２００は、増幅用トランジスタ４ｂのコレクタと増幅用トランジスタ４ｃのエミッタとを接続したカスコード接続構成による増幅器である。すなわち、増幅用トランジスタ４ｂのエミッタは、ワイヤ１２ｂを介して接地されている接地端子８ｂに接続され、ベースは、バイアス印加用抵抗２ｂを介して電圧源３ｂでバイアスされる。

また、増幅用トランジスタ４ｃのコレクタは、整合用インダクタ１４ｂ、負荷抵抗５ｂ、およびアイソレーション抵抗６ｂを介して、１段目増幅器１００と同様に、共通電源端子９に接続されている。増幅用トランジスタ４ｃのベースは、バイアス印加用抵抗２ｃを介して電圧源３ｃでバイアスされ、さらに、電圧源３ｃと並列回路を構成するようにしてバイパスコンデンサ７ｄがバイアス印加用抵抗２ｃに接続されている。バイパスコンデンサ７ｄのもう一端は、ワイヤ１２ｃを介して接地されている接地端子８ｃに接続されている。

また、負荷抵抗５ｂは、上述のように、アイソレーション抵抗６ｃに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ｂおよび伝送線路１３ｂを介して、１段目増幅器１００と同じ共通接地端子８に接続されて、高周波信号を接地している。２段目増幅器２００に入力された高周波信号は、整合用インダクタ１４ｂに負荷抵抗５ｂと並列接続された直流カットコンデンサ１０ｂを介して出力される。

３段目増幅器３００は、２つの増幅用トランジスタ４ｄ、４ｅと電流源１５とを備えた差動増幅器であり、不平衡な高周波信号を、整合用インダクタ１４ｃを介して増幅用トランジスタ４ｄのベースに入力し、増幅用トランジスタ４ｄおよび４ｅのコレクタから出力端子１１ａ、１１ｂを介して平衡な高周波信号を出力する。

増幅用トランジスタ４ｄのベースおよび増幅用トランジスタ４ｅのベースは、それぞれバイアス印加用抵抗２ｄおよび２ｅを介して電圧源３ｄでバイアスされる。また、増幅用トランジスタ４ｄのコレクタは、負荷抵抗５ｃ、アイソレーション抵抗６ｃを介して、１段目増幅器および２段目増幅器と同じ共通電源端子９に接続される。同様に、増幅用トランジスタ４ｅのコレクタは、負荷抵抗５ｄ、アイソレーション抵抗６ｃを介して、１段目増幅器および２段目増幅器と同じ共通電源端子９に接続される。

さらに、増幅用トランジスタ４ｄのエミッタおよび増幅用トランジスタ４ｅのエミッタは、ともに共通の電流源１５に接続されている。また、負荷抵抗５ｃ、５ｄは、上述のように、ともにアイソレーション抵抗６ｃに接続されているとともに、バイパスコンデンサ７ｃおよび伝送線路１３ｃを介して、１段目増幅器１００および２段目増幅器２００と同じ共通接地端子８に接続されて、高周波を接地している。

増幅用トランジスタ４ｅのベースは、バイアス印加用抵抗２ｅとバイパスコンデンサ７ｅとが並列に接続され、バイパスコンデンサ７ｅのもう一端は、ワイヤ１２ｄを介して接地されている接地端子８ｄに接続されている。

このように、エミッタ接地増幅器を構成している１段目増幅器１００、カスコード接続構成を有する１段目増幅器２００、および差動増幅器を構成している３段目増幅器３００による３段高周波増幅器に対しても、その外部回路として共通電源端子９および共通接地端子８を備えた構成とすることができる。

実施の形態６によれば、多段高周波増幅器において、アイソレーション抵抗を介して各段の電源端子を共通化するとともに、伝送線路を介して各段の接地端子を共通化しており、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

なお、上述の実施の形態では、２段高周波増幅器あるいは３段高周波増幅器について説明したが、これに限定されない。上述の実施の形態で説明した構成と同様にして、３段あるいは４段以上の高周波増幅器に適用することも可能である。

また、上述の実施の形態では、増幅用トランジスタとしてバイポーラトランジスタを使用した場合について示しているが、電界効果トランジスタでも同様の効果が得られる。また、外部部品との接続にワイヤを用いているが、外部部品との接続方法はワイヤに限らず、その他の接続方法を適用することも可能である。

また、上述の実施の形態では、伝送線路がバイパスコンデンサと共通接地端子との間に接続されている場合について説明したが、バイパスコンデンサと負荷抵抗との間に接続しても同様の効果が得られる。

また、上述の実施の形態では、各段に使用される増幅器として、エミッタ接地増幅器、カスコード接続増幅器、差動増幅器を示しているが、上述で説明した回路構成に限定されるものではない。これらの増幅器の１種類以上を組み合わせることにより、実施の形態で説明した以外の構成を有する多段高周波増幅器とすることも可能である。

また、上述の実施の形態では、整合用インダクタを整合回路としているが、整合回路は、直列接続したインダクタに限定されない。さらに、上述の実施の形態では、各段の増幅器の負荷として負荷抵抗を用いているが、負荷は、抵抗に限定されるものではない。

本発明の実施の形態１による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。 本発明の実施の形態２による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。 本発明の実施の形態３による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。 本発明の実施の形態４による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。 本発明の実施の形態５による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。 本発明の実施の形態６による多段高周波増幅器の回路構成を示したものである。

符号の説明

１ 入力端子、２ａ〜２ｅ バイアス印加用抵抗、３ａ〜３ｄ、３ｕ 電圧源、４ａ〜４ｅ 増幅用トランジスタ、５ ５ａ〜５ｄ 負荷抵抗、６ａ〜６ｃ アイソレーション抵抗、７ａ〜７ｅ バイパスコンデンサ、８ 共通接地端子、８ａ〜８ｄ、８ｖ、８ｗ 接地端子、９ 共通電源端子、１０、１０ａ、１０ｂ 直流カットコンデンサ、１１、１１ａ、１１ｂ 出力端子、１２ａ〜１２ｃ、１２ｕ、１２ｖ ワイヤ、１３ａ〜１３ｃ 伝送線路、１４ａ〜１４ｃ 整合用インダクタ、１５ 電流源、１００ １段目増幅器、２００ ２段目増幅器、３００ ３段目増幅器。

Claims (5)

1. 高周波信号を増幅する増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタのコレクタあるいはドレインに一端が接続された負荷抵抗とを有する増幅器を多段接続してなる多段高周波増幅器において、
   各段の前記負荷抵抗の他端に接続された各段個別のアイソレーション抵抗と、
   各段の前記負荷抵抗の他端に前記アイソレーション抵抗と並列に接続された各段個別のバイパスコンデンサと、
   前記各段個別のアイソレーション抵抗が共通して接続され、前記アイソレーション抵抗および前記負荷抵抗を介して各段の前記増幅用トランジスタにバイアス電源を供給する共通電源端子と、
   前記各段個別のバイパスコンデンサを接地する接地端子と
   を備えたことを特徴とする多段高周波増幅器。
2. 請求項１に記載の多段高周波増幅器において、
   前記接地端子は、前記各段個別のバイパスコンデンサに対応して各段個別に設けられることを特徴とする多段高周波増幅器。
3. 請求項１に記載の多段高周波増幅器において、
   前記接地端子は、前記各段個別のバイパスコンデンサを共通して接地する共通接地端子であることを特徴とする多段高周波増幅器。
4. 請求項３に記載の多段高周波増幅器において、
   前記共通接地端子は、各段個別の伝送線路を介して前記各段個別のバイパスコンデンサと接続されることを特徴とする多段高周波増幅器。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の多段高周波増幅器において、
   少なくともいずれか１段の増幅器は、増幅用トランジスタをカスコード接続した構成を有することを特徴とする多段高周波増幅器。

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