CN211089599U - 功率放大模块以及通信终端 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种功率放大模块以及通信终端，功率放大模块，包括：功率放大器，其包括具有增益切换功能的多个功率放大电路；以及MOS集成电路，其通过用于传输偏置信号的偏置控制线和用于传输增益模式切换信号的增益模式切换控制线与所述功率放大器连接，所述功率放大模块的特征在于，提供给所述多个功率放大电路中的至少两个功率放大电路的所述增益模式切换控制线在所述功率放大器内连接并且汇集为一条公共增益模式切换控制线，所述至少两个功率放大电路通过所述一条公共增益模式切换控制线与所述MOS集成电路连接。据此，能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的布线数，能够降低模块的布局、布线设计的难易度。

Description

功率放大模块以及通信终端

技术领域

本实用新型涉及一种功率放大模块以及通信终端。

背景技术

在移动电话等移动通信机中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率，采用功率放大电路，在功率放大电路中，采用用于向功率放大用的晶体管提供偏置电流的偏置电路。对于移动通信机，存在根据移动通信机与基站之间的物理距离不同来改变输出功率的需求，并且，为了提高移动通信机的电池的续航时间，存在与输出功率相应地改变消耗电流的需求。

对此，在专利文献1中公开了一种功率放大电路，在二级的功率放大电路中，在各放大用晶体管存在偏置输入，通过各级的偏置信号能够单独地进行高功率与低功率的模式切换。在专利文献1中，增益的模式切换，是通过对从射极跟随器输出到接地GND的接线进行ON/OFF控制来实现的，并且对各个放大电路分别连接有增益模式切换控制线。

但是，在上述现有的功率放大电路中，利用与功率放大电路中的放大电路的数量相对应的增益模式切换控制线与MOS集成电路进行连接，所以在MOS集成电路与功率放大电路之间控制线的数量较多，存在布线设计难度较高的情况，并且存在难以实现芯片的尺寸小型化的情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：CN106817091A

实用新型内容

本实用新型鉴于现有技术中存在的上述问题而研发，目的在于提供一种能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的布线数的功率放大模块以及具备该功率放大模块的通信终端。

为了解决上述问题，本实用新型的一个方面所涉及的功率放大模块，包括：功率放大器，其包括具有增益切换功能的多个功率放大电路；以及MOS集成电路，其通过用于传输偏置信号的偏置控制线和用于传输增益模式切换信号的增益模式切换控制线与所述功率放大器连接，所述功率放大模块的特征在于，提供给所述多个功率放大电路中的至少两个功率放大电路的所述增益模式切换控制线在所述功率放大器内连接并且汇集为一条公共增益模式切换控制线，所述至少两个功率放大电路通过所述一条公共增益模式切换控制线与所述MOS集成电路连接。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述多个功率放大电路中的至少一个是多级功率放大电路。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述多级功率放大电路包括第1放大晶体管和第2放大晶体管，在所述第1放大晶体管的基极连接有用于向所述第1放大晶体管提供偏置信号的射极跟随器，在所述射极跟随器与所述公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管，所述引出电路构成为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述第1放大晶体管的导通截止。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述多级功率放大电路还包括第3放大晶体管，所述第1放大晶体管以及所述第2放大晶体管分别与所述第3放大晶体管级联连接。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述多个功率放大电路中的至少一个功率放大电路包括第4放大晶体管，在所述第4放大晶体管的基极连接有用于向所述第4放大晶体管提供偏置信号的射极跟随器，在所述射极跟随器与所述公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管，所述引出电路构成为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述第4放大晶体管的增益电流。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述至少一个功率放大电路还包括第5放大晶体管，所述第4放大晶体管与所述第5放大晶体管级联连接。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述多个功率放大电路中的至少一个功率放大电路包括第6放大晶体管以及与所述第6放大晶体管并联连接的AC反馈电路，所述AC反馈电路包括串联连接的反馈电容器、反馈电阻元件以及连接在所述反馈电容器与所述反馈电阻元件之间的反馈晶体管，所述反馈晶体管的发射极与所述反馈电容器连接，集电极与所述反馈电阻元件连接，基极与用于向所述第6放大晶体管的基极提供偏置信号的偏置电路连接，在所述反馈晶体管与所述反馈电容器的连接点与所述公共增益模式切换控制线之间连接有开关晶体管，所述开关晶体管连接为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述反馈晶体管的导通截止。

此外，根据本实用新型的功率放大模块，优选所述至少一个功率放大电路还包括第7放大晶体管，所述第6放大晶体管与所述第7放大晶体管级联连接。

本实用新型的另一个方面所涉及的通信终端，其特征在于，所述通信终端具备上述任一功率放大模块。

实用新型的效果

根据本实用新型，通过减少MOS集成电路与功率放大器之间的增益模式切换控制线的条数，能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的布线数，所以能够降低模块的布局、布线设计的难易度。并且，能够减少MOS集成电路以及功率放大器双方的控制端子数，所以能够实现芯片的尺寸小型化。

附图说明

通过参考以下附图对所采用的优选实施方式的详细描述，本实用新型的上述目的、优点和特征将变得更显而易见，其中：

图1是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的功率放大模块的结构的示意图。

图2是表示本实用新型的第一实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图3是表示本实用新型的第一实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图4是表示本实用新型的第二实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图5是表示本实用新型的第二实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图6是表示本实用新型的第三实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图7是表示本实用新型的第三实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图8是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的功率放大模块的结构的示意图。

图9是表示现有技术所涉及的功率放大模块的结构的示意图。

图10是表示现有技术所涉及的功率放大器的结构的示意图。

图11是表示现有技术所涉及的功率放大模块的另一结构的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式以及实施例仅仅用于解释相关实用新型，而非对该实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关实用新型相关的部分。另外，存在对相同要素标注相同符号并省略重复说明的情况。此外，存在对功能、结构相同或相对应的要素省略重复说明的情况。

在对本实用新型进行说明之前，先对现有技术进行简单说明。

图9是表示现有技术所涉及的功率放大模块的结构的示意图。如图9所示，功率放大模块900包括功率放大器910和MOS集成电路920，功率放大器910包括功率放大电路911和功率放大电路912。功率放大电路911和功率放大电路912分别具有增益模式切换功能，从MOS集成电路920向各功率放大电路911和功率放大电路912分别连接有用于传输偏置信号Bias1、Bias2的偏置控制线和用于传输增益模式信号MODE1、MODE2的增益模式切换控制线。也就是说，在功率放大器910与MOS集成电路920之间，两个功率放大电路911、912各有两条控制线，共计有4条控制线。

图10是表示现有技术所涉及的功率放大器的结构的示意图。在图10中示出了与图9所示的功率放大器910相对应的内部电路结构的一例。各功率放大电路分别根据偏置信号Bias1、Bias2对输入信号RFin_1、RFin_2进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_1、RFout_2，并且各功率放大电路分别通过增益模式信号MODE1、MODE2来控制增益模式。因为该电路结构属于现有例，所以在此省略进一步的详细说明。

图11是表示现有技术所涉及的功率放大模块的另一结构的示意图。在图11中示出了功率放大器具有N个功率放大电路的情况，其中，N是1以上的自然数。如图11所示，功率放大模块1100包括功率放大器1110和MOS集成电路1120，功率放大器1110包括功率放大电路1110_1、1110_2、……、1110_N。各个功率放大电路分别具有增益模式切换功能，从MOS集成电路1120向各功率放大电路1110_1、1110_2、……、1110_N分别连接有用于传输偏置信号Bias1、Bias2、……、BiasN的偏置控制线和用于传输增益模式信号MODE1、MODE2、……、MODEN的增益模式切换控制线。也就是说，在功率放大器1110与MOS集成电路1120之间，各个功率放大电路1110_1、1110_2、……、1110_N分别有两条控制线，共计有2×N条控制线。

在现有技术中，功率放大器通过与其中包括的功率放大电路的数量相对应的数量的增益模式切换控制线与MOS集成电路进行连接，所以在MOS集成电路与功率放大器之间控制线的数量较多，存在布线设计难度较高的情况，并且存在难以实现芯片的尺寸小型化的情况。

对此，在本实用新型中，能够进行多级功率放大器的单独增益变更，在多个功率放大电路公共使用增益模式切换控制线，通过减少MOS集成电路与功率放大器之间的增益模式切换控制线的条数，能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的布线数，所以能够降低模块的布局、布线设计的难易度。

下面，参照附图对本实用新型进行具体说明。

(实施方式1)

图1是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的功率放大模块的结构的示意图。

如图1所示，功率放大模块100包括功率放大器110和MOS集成电路120，功率放大器110包括具有增益切换功能的两个功率放大电路200a、200b。MOS集成电路120通过用于传输偏置信号Bias1、Bias2的偏置控制线和用于传输增益模式切换信号MODE的增益模式切换控制线与功率放大器110连接，提供给功率放大电路200a、200b的增益模式切换控制线在功率放大器110内连接并且汇集为一条公共增益模式切换控制线，功率放大电路200a、200b通过该一条公共增益模式切换控制线与MOS集成电路120连接。也就是说，将提供给各功率放大电路200a、200b的增益模式切换控制线在功率放大器110内进行连接从而汇集为一条公共增益模式切换控制线连接于MOS集成电路120，即，利用一条增益模式切换控制线以及各功率放大电路200a、200b的偏置控制线与MOS集成电路120进行连接。在图1所示的示例中，在功率放大器110与MOS集成电路120之间连接有两个功率放大电路200a、200b各一条偏置控制线以及一条公共增益模式切换控制线，共计3条控制线。

根据这种结构，能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的控制线的条数，所以能够降低模块的布局、布线设计的难易度。此外，因为能够减少MOS集成电路以及功率放大器双方的控制端子数，所以能够实现芯片的尺寸小型化。

(第一实施例)

图2是表示本实用新型的第一实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

在本实施例中，示出功率放大模块中的功率放大器的结构例。在图2所示的示例中，示出包括两个功率放大电路的情况。

这里，在功率放大器配置了两个功率放大电路，各功率放大电路可以为多级结构，例如，可以是两级功率放大电路，可以是三级以上的功率放大电路。也可以是多个功率放大电路中的至少一个是多级功率放大电路。

各功率放大电路是具有增益切换功能的电路结构，通过MOS集成电路的控制信号来切换增益模式。增益模式切换控制线在功率放大器内进行连接从而汇集为公共增益模式切换控制线，MOS集成电路与功率放大器利用一条增益模式切换控制线进行连接，除了增益模式切换控制线之外，在各功率放大电路分别各连接有一条用于传输偏置信号的偏置控制线。

在本实用新型中，可以设两个功率放大电路不同时工作，通过利用偏置控制进行切换从而仅任意一方的功率放大电路工作。

在本实施例中，以图2中的左侧的功率放大电路为例来进行说明。如图2所示，图2中的左侧的多级功率放大电路对输入信号RFin_1进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_1，包括放大晶体管201(第1放大晶体管)和放大晶体管202(第2放大晶体管)。

在放大晶体管201的基极连接有用于向放大晶体管201提供偏置信号的射极跟随器，该射极跟随器包括电阻元件203和晶体管204。偏置电路包括电阻元件211、晶体管212、晶体管213以及电容器214，构成为经由射极跟随器向放大晶体管201的基极提供偏置信号。具体而言，电阻元件211连接在晶体管204的基极与提供偏置信号Bias1的偏置控制线之间，对于晶体管212，集电极与基极连接(以下，称为二极管连接)，并且集电极与晶体管204的基极连接，发射极与晶体管213的集电极连接。晶体管213进行二极管连接，集电极与晶体管212的发射极连接，发射极接地。对于电容器214，一端与晶体管204的基极以及晶体管212的集电极连接，另一端接地。

在射极跟随器与公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管205，该引出电路构成为根据从公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制放大晶体管201的导通截止，例如，通过该引出电路来控制功率放大电路的偏置电流，对增益进行切换。

具体而言，晶体管205中，集电极与射极跟随器连接，具体为集电极与电阻元件203及晶体管204的连接点连接，基极被提供偏置信号(偏置电流或偏置电压)，发射极接地。用于使引出电路(晶体管205)动作的偏置电路包括电容器208、晶体管209以及电阻元件210。利用晶体管209以及电阻元件210来决定向晶体管205的基极输入的电压或电流，电容器208构成为去耦用的电容器。其中，电阻元件210的一端被提供增益模式切换信号MODE，另一端与晶体管209的集电极以及电容器208的一端连接，晶体管209进行二极管连接，发射极接地，电容器208的另一端接地。

对于放大晶体管202，其通过包括电阻元件207和晶体管206的射极跟随器被提供来自偏置电路的偏置信号，这里不再赘述。

另外，图2中的右侧的多级功率放大电路对输入信号RFin_2进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_2，其结构与图2中的左侧的多级功率放大电路相同，所以这里不再赘述。

另外，需要说明的是，图2中所示的两个功率放大电路也可以构成为仅其中的一个是多级功率放大电路。

在本实施例中，因为各功率放大电路的增益模式切换控制线在功率放大器内进行连接，从公共端子连接到MOS集成电路，所以能够减少MOS集成电路与功率放大器之间的布线数，能够降低模块的布局、布线设计的难易度。此外，因为能够减少MOS集成电路以及功率放大器双方的控制端子数，所以能够实现芯片的尺寸小型化。

(第一实施例的变形例)

另外，功率放大器内的功率放大电路结构，也可以构成为级联(cascode)连接。

图3是表示本实用新型的第一实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。对于本变形例，仅说明与第一实施例不同的部分，对于与第一实施例相同的部分标注相同的符号并且省略详细说明。

以图3中的左侧的功率放大电路为例进行说明，在本变形例中，多级功率放大电路还包括放大晶体管215(第3放大晶体管)，放大晶体管201以及放大晶体管202分别与放大晶体管215级联连接。在本变形例中，构成为放大晶体管201、202与215进行垂直堆叠的级联连接的高增益放大器。放大晶体管215利用从ICAS提供的偏置信号进行驱动。其中，ICAS是用于驱动级联连接的上侧的放大晶体管215的偏置端子，从MOS集成电路被提供偏置信号。

(第二实施例)

图4是表示本实用新型的第二实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

在本实施例中，示出功率放大模块中的功率放大器的结构例。在图4所示的示例中，示出包括两个功率放大电路的情况。

在本实施例中，在功率放大器内的增益切换电路结构中，通过射极跟随器输出的引出电路，控制功率放大电路整体的偏置信号来切换增益。这里仅说明与第一实施例不同的部分，对于与第一实施例相同的部分省略详细说明。

在本实施例中，以图4中的左侧的功率放大电路为例来进行说明。如图4所示，图4中的左侧的功率放大电路对输入信号RFin_1进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_1，包括放大晶体管401(第4放大晶体管)。

在放大晶体管401的基极连接有用于向放大晶体管401提供偏置信号的射极跟随器，该射极跟随器包括电阻元件402和晶体管403。通过偏置电路经由该射极跟随器向放大晶体管401的基极提供偏置信号。对于偏置电路的结构，因为可以与第一实施例相同，所以省略详细说明。

在射极跟随器与公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管404，该引出电路构成为根据从公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制放大晶体管401的增益电流，由此对增益模式进行切换。

具体而言，晶体管404中，集电极与射极跟随器连接，具体为集电极与电阻元件402及晶体管403的连接点连接，基极被提供偏置信号，发射极接地。用于使引出电路(晶体管404)动作的偏置电路包括电容器405、晶体管406以及电阻元件407。利用晶体管406以及电阻元件407来决定向晶体管404的基极输入的电压或电流，电容器405构成为去耦用的电容器。其中，电阻元件407的一端被提供增益模式切换信号MODE，另一端与晶体管406的集电极以及电容器405的一端连接，晶体管406进行二极管连接，发射极接地，电容器405的另一端接地。

另外，图4中的右侧的功率放大电路对输入信号RFin_2进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_2，其结构与图4中的左侧的功率放大电路相同，所以这里不再赘述。

根据本实施例，关于布线数的削减、端子数的削减，可以取得与第一实施例相同的效果，另外，因为不对功率放大电路进行分割，所以即使切换增益模式，功率放大电路的阻抗变动也较小，容易进行匹配。

此外，与第一实施例相比，在第二实施例中能够减少偏置电路的元件数，能够进一步使功率放大器的芯片小型化。

(第二实施例的变形例)

关于功率放大器内的功率放大电路结构，与第一实施例相同，可以进行级联连接。

图5是表示本实用新型的第二实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。对于本变形例，仅说明与第二实施例不同的部分，对于与第二实施例相同的部分标注相同的符号并且省略详细说明。

以图5中的左侧的功率放大电路为例进行说明，在本变形例中，功率放大电路还包括放大晶体管408(第5放大晶体管)，放大晶体管401与放大晶体管408级联连接。放大晶体管408利用从ICAS提供的偏置信号进行驱动。其中，ICAS是用于驱动级联连接的上侧的放大晶体管408的偏置端子，从MOS集成电路被提供偏置信号。

(第三实施例)

图6是表示本实用新型的第三实施例所涉及的功率放大器的结构的示意图。

在本实施例中，示出功率放大模块中的功率放大器的结构例。在图6所示的示例中，示出包括两个功率放大电路的情况。

在本实施例中，在功率放大器内的增益切换电路结构中，通过在反馈电路中增加的晶体管动作的导通/截止(ON/OFF)来进行增益切换。这里仅说明与第一实施例不同的部分，对于与第一实施例相同的部分省略详细说明。

在本实施例中，以图6中的左侧的功率放大电路为例来进行说明。如图6所示，图6中的左侧的功率放大电路对输入信号RFin_1进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_1，包括放大晶体管605(第6放大晶体管)。在放大晶体管605的基极连接有用于向放大晶体管605提供偏置信号的射极跟随器，该射极跟随器包括电阻元件606和晶体管607。通过偏置电路经由该射极跟随器向放大晶体管605的基极提供偏置信号。对于偏置电路的结构，因为可以与第一实施例相同，所以省略详细说明。

在本实施例中，功率放大电路还包括与放大晶体管605并联连接的AC反馈电路。在通常的由反馈电容器602、反馈电阻元件603构成的反馈电路之间增加了反馈晶体管601。向反馈晶体管601的集电极经由反馈电阻元件603提供电源电压Vcc，向反馈晶体管601的基极经由电阻元件604提供偏置信号，反馈晶体管601的发射极连接于开关晶体管608的集电极。

开关晶体管608中，集电极连接于反馈晶体管601与反馈电容器602的连接点，基极被提供偏置信号，发射极接地。用于使开关晶体管608动作的偏置电路包括电容器601、晶体管611以及电阻元件609。利用晶体管611以及电阻元件609来决定向开关晶体管608的基极输入的电压或电流，电容器610构成为去耦用的电容器。其中，电阻元件609的一端被提供增益模式切换信号MODE，另一端与晶体管611的集电极以及电容器610的一端连接，晶体管611进行二极管连接，发射极接地，电容器610的另一端接地。

由此，构成为在开关晶体管608为OFF状态时，反馈晶体管601的发射极不与接地连接，保持高阻抗，AC反馈电路不发挥功能。在开关晶体管608为ON状态时，反馈晶体管601的发射极与接地连接，阻抗降低，AC反馈电路发挥功能。

也就是说，在本实施例中，功率放大电路包括放大晶体管605(第6放大晶体管)以及与放大晶体管605并联连接的AC反馈电路，AC反馈电路包括串联连接的反馈电容器602、反馈电阻元件603以及连接在反馈电容器602与反馈电阻元件603之间的反馈晶体管601，反馈晶体管601的发射极与反馈电容器602连接，集电极与反馈电阻元件603连接，基极与用于向放大晶体管605的基极提供偏置信号的偏置电路连接，在反馈晶体管601与反馈电容器602的连接点与公共增益模式切换控制线之间连接有开关晶体管608，开关晶体管608连接为根据从公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号MODE来控制反馈晶体管601的导通截止。

另外，图6中的右侧的功率放大电路对输入信号RFin_2进行放大，并且输出放大后的输出信号RFout_2，其结构与图6中的左侧的功率放大电路相同，所以这里不再赘述。

根据本实施例的结构，关于布线数的削减、端子数的削减，可以取得与第一实施例相同的效果。并且，因为增益切换所引起的偏置电压(电流)的变动较少，所以还能够抑制失真特性劣化。

(第三实施例的变形例)

关于功率放大器内的功率放大电路结构，与第一、第二实施例相同，可以进行级联连接。

图7是表示本实用新型的第三实施例的变形例所涉及的功率放大器的结构的示意图。对于本变形例，仅说明与第三实施例不同的部分，对于与第三实施例相同的部分标注相同的符号并且省略详细说明。

以图7中的左侧的功率放大电路为例进行说明，在本变形例中，功率放大电路还包括放大晶体管612(第7放大晶体管)，放大晶体管612与放大晶体管605级联连接。放大晶体管612利用从ICAS提供的偏置信号进行驱动。其中，ICAS是用于驱动级联连接的上侧的放大晶体管612的偏置端子，从MOS集成电路被提供偏置信号。

(实施方式2)

图8是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的功率放大模块的结构的示意图。

如图8所示，在本实施方式中，功率放大模块800包括功率放大器810和MOS集成电路820，功率放大器810包括具有增益切换功能的三个以上的功率放大电路810_1、810_2、……、810_N。MOS集成电路820通过用于传输偏置信号Bias1、Bias2、……、BiasN的偏置控制线和用于传输增益模式切换信号MODE的增益模式切换控制线与功率放大器810连接，提供给功率放大电路810_1、810_2、……、810_N的增益模式切换控制线在功率放大器810内连接并且汇集为一条公共增益模式切换控制线，功率放大电路810_1、810_2、……、810_N通过该一条公共增益模式切换控制线与MOS集成电路820连接。也就是说，将提供给各功率放大电路810_1、810_2、……、810_N的增益模式切换控制线在功率放大器810内进行连接从而汇集为一条公共增益模式切换控制线连接于MOS集成电路820，即，利用一条增益模式切换控制线以及各功率放大电路810_1、810_2、……、810_N的偏置控制线与MOS集成电路820进行连接。在功率放大器810与MOS集成电路820之间连接有N条偏置控制线以及一条增益模式切换控制线，共计N+1条控制线。

各功率放大电路的增益切换功能的电路结构以及与MOS集成电路的连接，与第一至第三实施例相同，这里省略详细说明。

根据本实施方式的结构，在功率放大电路为N个的情况下，控制线的条数为各功率放大电路的偏置控制线各一条以及增益模式切换控制线一条，共计N+1条。与在不使增益模式切换控制线公共化的情况下需要2×N条控制线的情况相比，能够削减MOS集成电路与功率放大器之间的布线数，能够削减端子数，能够实现芯片小型化的效果。

换言之，与功率放大器内的功率放大电路的数量无关，连接MOC集成电路与功率放大器的增益模式切换控制用的布线为一条，能够抑制控制线的增加，能够削减端子数，能够实现芯片小型化的效果。

此外，在本实用新型中，各功率放大电路的频率可以不同。

此外，在本实用新型中，偏置信号可以是电流信号，也可以是电压信号。

此外，在本实用新型中，各晶体管可以是双极晶体管，例如异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)，也可以采用N沟道MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor：金属-氧化物半导体场效应晶体管)取代双极晶体管，也可以采用其他双极晶体管。在采用N沟道MOSFET取代双极晶体管时，可以将集电极、基极、发射极分别替换为漏极、栅极、源极来理解。

此外，在本实用新型中，对于功率放大电路的数量没有特别限制，上述各个实施例以及变形例中的功率放大电路的数量只不过是例示。

此外，在本实用新型中，各个实施例以及变形例能够相互组合，例如在功率放大器包括多个功率放大电路的情况下，各个功率放大电路可以分别采用不同实施例、变形例的结构等。

以上，尽管已经结合本实用新型的优选实施方式示出了本实用新型，但是本领域的技术人员将会理解，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对本实用新型进行各种修改、替换和改变。因此，本实用新型不应由上述实施方式来限定，而应由所附权利要求及其等价物来限定。

Claims (9)

1.一种功率放大模块，包括：

功率放大器，其包括具有增益切换功能的多个功率放大电路；以及

MOS集成电路，其通过用于传输偏置信号的偏置控制线和用于传输增益模式切换信号的增益模式切换控制线与所述功率放大器连接，

所述功率放大模块的特征在于，

提供给所述多个功率放大电路中的至少两个功率放大电路的所述增益模式切换控制线在所述功率放大器内连接并且汇集为一条公共增益模式切换控制线，所述至少两个功率放大电路通过所述一条公共增益模式切换控制线与所述MOS集成电路连接。

2.根据权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，

所述多个功率放大电路中的至少一个是多级功率放大电路。

3.根据权利要求2所述的功率放大模块，其特征在于，

所述多级功率放大电路包括第1放大晶体管和第2放大晶体管，

在所述第1放大晶体管的基极连接有用于向所述第1放大晶体管提供偏置信号的射极跟随器，在所述射极跟随器与所述公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管，

所述引出电路构成为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述第1放大晶体管的导通截止。

4.根据权利要求3所述的功率放大模块，其特征在于，

所述多级功率放大电路还包括第3放大晶体管，

所述第1放大晶体管以及所述第2放大晶体管分别与所述第3放大晶体管级联连接。

5.根据权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，

所述多个功率放大电路中的至少一个功率放大电路包括第4放大晶体管，

在所述第4放大晶体管的基极连接有用于向所述第4放大晶体管提供偏置信号的射极跟随器，在所述射极跟随器与所述公共增益模式切换控制线之间连接有构成引出电路的晶体管，

所述引出电路构成为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述第4放大晶体管的增益电流。

6.根据权利要求5所述的功率放大模块，其特征在于，

所述至少一个功率放大电路还包括第5放大晶体管，

所述第4放大晶体管与所述第5放大晶体管级联连接。

7.根据权利要求1所述的功率放大模块，其特征在于，

所述多个功率放大电路中的至少一个功率放大电路包括第6放大晶体管以及与所述第6放大晶体管并联连接的AC反馈电路，

所述AC反馈电路包括串联连接的反馈电容器、反馈电阻元件以及连接在所述反馈电容器与所述反馈电阻元件之间的反馈晶体管，

所述反馈晶体管的发射极与所述反馈电容器连接，集电极与所述反馈电阻元件连接，基极与用于向所述第6放大晶体管的基极提供偏置信号的偏置电路连接，

在所述反馈晶体管与所述反馈电容器的连接点与所述公共增益模式切换控制线之间连接有开关晶体管，

所述开关晶体管连接为根据从所述公共增益模式切换控制线提供的增益模式切换信号来控制所述反馈晶体管的导通截止。

8.根据权利要求7所述的功率放大模块，其特征在于，

所述至少一个功率放大电路还包括第7放大晶体管，

所述第6放大晶体管与所述第7放大晶体管级联连接。

9.一种通信终端，其特征在于，

所述通信终端具备权利要求1-8中任一项所述的功率放大模块。

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