JP2006093569A - ガラスセラミック配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 抵抗体が形成されたガラスセラミック配線基板において、抵抗体のガラス成分として鉛を含まないガラス系を用いた場合、抵抗体のTCRが増加して従来のTCR調整剤では±100×10−6/℃にまで調整できない。
【解決手段】 ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体と、絶縁基体の表面に形成された配線層および抵抗体とからなる配線基板であって、抵抗体は、抵抗体成分としての酸化ルテニウムと、ガラス成分としての硼素、ビスマスおよび珪素と、酸化チタンとを含んでおり、酸化チタンは、その含有量が抵抗体成分およびガラス成分の100質量部に対して5乃至10質量部である。
【選択図】 なし
【解決手段】 ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体と、絶縁基体の表面に形成された配線層および抵抗体とからなる配線基板であって、抵抗体は、抵抗体成分としての酸化ルテニウムと、ガラス成分としての硼素、ビスマスおよび珪素と、酸化チタンとを含んでおり、酸化チタンは、その含有量が抵抗体成分およびガラス成分の100質量部に対して5乃至10質量部である。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体LSIや半導体チップ等を搭載し、それらを相互配線するためのガラスセラミック配線基板であって、その表面に抵抗体が形成されたガラスセラミック配線基板に関する。
近年、半導体LSIや半導体チップ等は小型化、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も小型化、軽量化が望まれている。このような要求に対して、基板内に内部電極等を配した多層セラミック基板は、要求される高密度配線が可能となり、かつ薄型化が可能なことから、今日のエレクトロニクス業界において重要視されている。この多層セラミック基板は、アルミナ質焼結体から成り、表面または内部にタングステン,モリブデン等の高融点金属から成る配線層が形成された絶縁基板が従来から広く用いられている。
一方、近年の高度情報化時代を迎え、使用される周波数帯域はますます高周波帯に移行しつつある。このような高周波の信号の伝送を行なう高周波用配線基板においては、高周波信号を高速で伝送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいことが要求され、絶縁基板にもより低い誘電率が要求される。
このため、最近では、ガラスとセラミックス(無機質フィラー)との混合物を焼成して得られるガラスセラミックスを絶縁基板として用いることが注目されている。即ち、ガラスセラミックスは誘電率が低いため高周波用絶縁基板として好適であり、またガラスセラミックスは800〜1000℃程度の低温で焼成することができることから、銅,銀,金等の低抵抗金属を配線層として使用できるという利点がある。
上記のガラスセラミック配線基板を含むこれらの多層セラミック基板には、一般に、回路形成のためにコンデンサ,インダクタ,抵抗体等の機能部品を、表面および内部の少なくとも一方にチップ搭載法,厚膜法,薄膜法等によって形成する必要がある。そして、これらの機能部品のうち抵抗体をガラスセラミック配線基板の表面に厚膜印刷法によって形成する場合、特許文献1のように、配線導体の形成されたガラスセラミックグリーンシートの積層体を焼成することによってガラスセラミック配線基板を得た後に、ガラスセラミック配線基板の上面および下面の少なくとも一方に抵抗体ペーストを印刷し、再度焼成することで形成する、所謂ポストファイア(post−fire)法を用いることが一般的である。
なお、薄膜および厚膜抵抗については抵抗体を形成するだけでは抵抗値ばらつきが大きいため、トリミングにより抵抗値の微調整を行なうことが一般的である。また、回路中に実装された抵抗体は常に安定した抵抗値を示すことが要求され、この指標としてTCR(Temperature Coefficient of Resistor、単位:×10−6/℃)という温度変化に対する抵抗値の安定性を示した値がある。
また、抵抗体を形成したガラスセラミック配線基板に用いられる抵抗体ペーストの成分としては、抵抗値を示す抵抗体成分と、焼成することで溶融しガラスセラミックス上に密着させるガラス成分、TCRを増減させるTCR調整剤、その他焼結助剤から構成される。これらのうち、ガラス成分として一般的には、TCRやガラスセラミックスとの密着性に優れ高い信頼性が得られる抵抗体として、ガラス成分に鉛系ガラスが用いられている。
このガラス成分に鉛系ガラスを用いた従来の抵抗体は、TCRが低く安定することが特徴の一つとなっており、TCRは通常は400×10−6/℃〜600×10−6/℃程度である。さらに、これにTCR調整剤として、二酸化マンガン,酸化タングステン等を、抵抗体成分とガラス成分100質量部に対して、1〜10質量部程度添加してTCRを降下させ、一般的に回路基板中の抵抗体に必要とされる±100×10−6/℃以内のTCRを得ていた。また、従来より広く用いられているアルミナセラミックスを用いた配線基板では、特許文献2のように、酸化チタン,酸化コバルト,酸化鉄を混合して添加し、TCRを降下させる手法なども用いられていた。
特開平9−8455号公報
特開平7−192903号公報
しかしながら、近年の環境や人体への悪影響を考慮した鉛の使用に関する規制の強化によって、抵抗体のガラス成分として鉛系ガラスを用いることが困難になってきている。そこで、鉛を含有しなくても、抵抗体とガラスセラミック配線基板との密着強度や、抵抗値ばらつきの安定性、TCRなどの特性が鉛系ガラスと同等となるガラスが種々検討されている。
ところが、抵抗体のTCRはガラス成分が替わると大きく変化し、一般的に、抵抗体のガラス成分として鉛を含まないガラス系を用いると、TCRは1000〜1500×10−6/℃程度と大きな値となり、温度変化に伴う抵抗値変化によって回路の作動不具合が生じるという問題点があった。
また、鉛を含まないガラス系を用いた抵抗体のTCRを降下させるため、TCR調整剤として従来より用いられている二酸化マンガン,酸化タングステンを、抵抗体成分とガラス成分との100質量部に対して、1〜10質量部程度添加しても、±100×10−6/℃以内にまでTCRを降下させることは困難であった。二酸化マンガン,酸化タングステンの添加量を増加させることでTCRを大幅に降下させることは可能であるが、金属酸化物を多量に添加することは抵抗値を急激に増加させるため、添加量にも限界があった。また、特許文献2のように、酸化チタン,酸化コバルト,酸化鉄を混合して添加する手法はアルミナセラミックスに関しては有効であったが、ガラスセラミックスのようなガラスとセラミックスの複合材料を絶縁基体として用いた場合は同様のTCR降下作用が発現しないという問題点があった。
本発明は、上記の問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、鉛を含まないガラスを用いた抵抗体を用いても、温度変化に伴う抵抗値変化が少なく、抵抗体との密着強度に優れたガラスセラミック配線基板を提供することにある。
本発明のガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成された配線層および抵抗体とからなる配線基板であって、前記抵抗体は、抵抗体成分としての酸化ルテニウムと、ガラス成分としての硼素、ビスマスおよび珪素と、酸化チタンとを含んでおり、該酸化チタンは、その含有量が前記抵抗体成分および前記ガラス成分の100質量部に対して5乃至10質量部であることを特徴とする。
本発明のガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体と、絶縁基体の表面に形成された配線層および抵抗体とからなる配線基板であって、抵抗体は、抵抗体成分としての酸化ルテニウムと、ガラス成分としての硼素、ビスマスおよび珪素と、酸化チタンとを含んでおり、酸化チタンは、その含有量が抵抗体成分およびガラス成分の100質量部に対して5乃至10質量部であることから、鉛を含まないガラス成分を用い、かつTCRを±100×10−6/℃以内に調整したガラスセラミック配線基板を得ることができる。その作用機構は明らかではないが、酸化チタンの高い反応性により、抵抗体の焼成時にガラス成分と酸化チタンとが反応し、本来は1000〜1500×10−6/℃程度の高いTCRを示す鉛を含まないガラス系を、鉛ガラスと同等のTCRを示すガラス成分に変質させたことによると思われる。
本発明のガラスセラミック配線基板について詳細に説明する。本発明において、ガラスセラミック配線基板の絶縁基板となるガラスセラミックスは、ガラスセラミックグリーンシートに配線導体を形成、積層した後に焼成することで得られる。
ガラスセラミックグリーンシートは、ガラス粉末,フィラー粉末,有機バインダに必要に応じて所定量の可塑剤,溶剤(有機溶剤,水等)を加えてスラリーを得て、これをドクターブレード、圧延、カレンダーロール、金型プレス等により厚さ約50〜500μmに成形することによって得られる。
ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線導体を形成するには、例えば導体材料粉末をペースト化した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷する。導体材料としては、例えばAu,Ag,Pd,Pt等の1種または2種以上が挙げられ、2種以上の場合は混合、合金、コーティング等のいずれの形態であってもよい。
ガラスセラミックグリーンシートの積層には、積み重ねたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダ,可塑剤,溶剤等から成る接着剤をガラスセラミックグリーンシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用できる。
ガラスセラミックグリーンシートの積層後、有機成分の除去と焼成を行なう。有機成分の除去は、100〜800℃の温度範囲で積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解、揮散させる。また、焼成温度はガラスセラミック組成により異なるが、通常は約800〜900℃の範囲内である。焼成は通常、大気中で行なう。
このようにして配線導体が形成されたガラスセラミック配線基板を得る。
抵抗体は、ガラスセラミック配線基板の上面および下面の少なくとも一方に形成される。抵抗体は抵抗体ペーストを配線導体の所定位置に所定の形状および厚みで塗布、焼成することで形成される。このとき、抵抗体成分としては、抵抗特性の安定性のため一般的に酸化ルテニウム粉末が用いられる。抵抗体成分に絶縁体であるガラス粉末を混合することで抵抗値を所望の値に制御できる。このとき、ガラス成分として少なくとも硼素、ビスマスおよび珪素を含むガラスを用いる。このガラスを用いることで、鉛を含むことなくガラスセラミック表面に強固に密着する抵抗体を形成できる。
さらに、TCR調整剤として酸化チタンを抵抗体成分とガラス成分を100質量部に対して、5〜10質量部添加する。酸化チタンを5〜10質量部添加することでTCRを降下させ、±100×10−6/℃以内に調整することができる。酸化チタン無添加の抵抗体では、TCRは1000〜1500×10−6/℃程度を示すが、酸化チタンを5〜10質量部添加することでTCRを0×10−6/℃近くにまで降下させ、±100×10−6/℃以内に調整することができる。酸化チタンの添加量が5質量部未満の場合、十分にTCRが降下せず、±100×10−6/℃を上回ることとなる。また、酸化チタンの添加量が10質量部を超える場合、TCRが降下しすぎてしまい、±100×10−6/℃を下回る。
抵抗成分、ガラス成分、TCR調整剤の粉末それぞれを所定量混合し、有機バインダ、溶剤と混合して抵抗体ペーストを得る。抵抗体ペーストの塗布方法は、配線導体と同様のスクリーン印刷法により印刷する。抵抗体は配線導体との接続用の導体と重なり合うように塗布され、このために抵抗体と配線導体の接続部には、抵抗体の幅に応じた電極部が形成されている。また、配線導体の幅、抵抗体の幅、電極部の幅および形状は、必要な回路設計に応じて種々選択することができる。また、異種の材料から成る抵抗体と配線導体との接続による電気的および機械的不具合を緩和するために、抵抗体と配線導体および電極部との接合部に中間層を設ける等しても良い。
抵抗体を塗布した後、焼成する。焼成温度は通常800〜900℃であり、大気中で焼成する。このようにして抵抗体が形成されたガラスセラミック配線基板を得る。得られたガラスセラミック配線基板は、環境や人体に有害な鉛を含有しておらず、また5〜10質量部の酸化チタンが添加されているため、TCRを±100×10−6/℃以内に調整した抵抗体が形成されたガラスセラミック配線基板を得ることができる。
本発明のガラスセラミック配線基板の実施例について以下に説明する。
ガラスセラミック成分として、SiO2−Al203−MgO−B203−ZnO系結晶化ガラス粉末60質量%、CaZrO3粉末20質量%、SrTiO3粉末17質量%およびAl2O3粉末3質量%を使用した。このガラスセラミック成分100質量部に、有機バインダとしてアクリル樹脂12質量部、フタル酸系可塑剤6質量部および溶剤としてトルエン30質量部を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ300μmのガラスセラミックグリーンシートを成形した。
次に、このガラスセラミックグリーンシート上に銀ペーストを用いて導体パターンをスクリーン印刷にて形成した。導体ペーストとしては、平均粒径1μmの銀粉末100質量部に対して、Al2O3粉末2質量部および上記ガラスと同組成のガラス粉末2質量部、さらにビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂,テルピネオールを加え、3本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。
ガラスセラミック配線基板の表層および内層にあたるガラスセラミックグリーンシート表面には、所定の回路パターン形状で銀の配線導体パターンを印刷した。配線導体パターンを形成したのガラスセラミックグリーンシートの所定枚数を積み重ねて、真空積層機によって、温度55℃,圧力20MPaの条件で圧着してガラスセラミックグリーンシート積層体を得た。
得られたガラスセラミックグリーンシート積層体をアルミナセッターに載置し、バッチ式焼成炉にて大気中500℃で2時間加熱して有機成分を除去した後、900℃で1時間焼成し、ガラスセラミック配線基板を得た。
得られたガラスセラミック配線基板の所定の位置に抵抗体パターンをスクリーン印刷にて塗布した。抵抗体ペーストは、抵抗体成分として二酸化ルテニウム粉末を90質量%含むものを用いた。また、ガラス成分として、鉛を含まないBi2O3−B2O3−SiO2系ガラス粉末10質量%を用いた。さらに、TCR調整剤として酸化チタンを表1に示す5種の添加量になるように加えた。さらに、ビヒクル成分として所定量のエチルセルロース系樹脂,テルピネオールを加え、3本ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用いた。
抵抗体ペーストを塗布した後、焼成して抵抗体を形成した。焼成はバッチ式焼成炉にて大気中、850℃で10分焼成し、抵抗体が形成されたガラスセラミック配線基板を得た。
得られた5種の異なる酸化チタン添加量のガラスセラミック配線基板それぞれのTCRを測定した。TCRの測定は、−40〜25℃の低温TCR、25〜150℃の高温TCRそれぞれを測定した。TCR範囲として、±100×10−6/℃を規格とし、低温TCR、高温TCR両方が規格に入ることをもって実用に耐えるものと判断した。測定結果を表1に示す。
表1より、酸化チタンを添加することによりTCRを降下させることができることがわかる。酸化チタンの添加量の増加に伴い低温TCR、高温TCRともに降下し、規格の±100×10−6/℃を満足する酸化チタンの添加量は、抵抗体成分とガラス成分との100質量部に対して、5〜10質量部であることが判明した。
Claims (1)
- ガラスセラミックス焼結体からなる絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成された配線層および抵抗体とからなるガラスセラミック配線基板であって、前記抵抗体は、抵抗体成分としての酸化ルテニウムと、ガラス成分としての硼素、ビスマスおよび珪素と、酸化チタンとを含んでおり、該酸化チタンは、その含有量が前記抵抗体成分および前記ガラス成分の100質量部に対して5乃至10質量部であることを特徴とするガラスセラミック配線基板。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010020940A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 電子還元層形成用コーティング組成物及び電子還元層を形成する方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0318089A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板および配線基板の製造方法 |
JPH08288105A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 |
JPH11307305A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペ―ストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
JPH11307306A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペ―ストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
JP2002367806A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト及び該抵抗体ペーストを用いた厚膜抵抗体の製造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0318089A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-25 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、厚膜抵抗体層、配線基板および配線基板の製造方法 |
JPH08288105A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 |
JPH11307305A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペ―ストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
JPH11307306A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-11-05 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗材料、これを用いた抵抗ペ―ストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 |
JP2002367806A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト及び該抵抗体ペーストを用いた厚膜抵抗体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010020940A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 電子還元層形成用コーティング組成物及び電子還元層を形成する方法 |
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