JP2006088281A - 微小構造体の製造方法、および基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 歩留まりの高い微小構造体の製造方法、および基板を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に離型層１０２を形成し、離型層１０２上に微小構造体の断面形状に対応した複数の構造体薄膜パターン１０４、および各構造体薄膜パターン１０４の周囲に構造体薄膜パターン１０４と同一材料、同一膜厚のダミーパターン１０５を形成する。基板１０１上に犠牲材料を形成した後、ＣＭＰにより犠牲材料を構造体薄膜パターン１０４と同一厚さとなるまで研磨する。ダミーパターン１０５が設けられていることにより、犠牲材料１０３にディッシングが生じにくくなり、犠牲材料１０３の平坦性が向上し、構造体薄膜パターン１０４をターゲット基板へ確実に転写できるようになる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、積層造形方法によって作製される微小光学部品や微小機械部品、あるいはこれらを成形する成形型等の微小構造体の製造方法、および基板に関し、特に、歩留まりの高い微小構造体の製造方法、および基板に関する。

積層造形方法は、コンピュータで設計された複雑な形状の３次元物体を短納期で形成できることから、近年、急速に普及している。積層造形方法により作成された３次元物体は、種々の装置の部品モデル（プロトタイプ）として、部品の動作や形状の良否を調べるために利用される。

この方法が適用される部品のサイズは、従来、数ｃｍ以上の比較的大きな部品が多かったが、精密に加工して形成される微小光学部品や微小機械部品などの微小構造体の作製にも、この方法を適用したいという要求がある。

このような積層造形方法による従来の微小構造体の製造方法として、例えば、特許文献１に示されるものがある。この製造方法について、図１４〜図１９を用いて説明する。

図１４は、微小構造体の一例を示す。また、図１５〜図１９は、図１４の微小構造体の従来の製造工程を示す。図１４に示す微小構造体は、オーバーハングを有したカンチレバー４００であり、ビーム４２０とアンカー４２１を備えている。

まず、図１５の（ａ）に示すように、シリコンウェハからなる基板４０１を準備し、この基板４０１上にポリイミドによる離型層４０２を形成し、この離型層４０２の表面にカンチレバーとなるＡｌの薄膜４０３をスパッタ法、真空蒸着法などを用いて１μｍの厚さに着膜する。なお、離型層４０２は、薄膜４０３と基板４０１との密着力を適正に保つ役割をする。

次に、通常のフォトリソグラフィ法を用いて、薄膜４０３をカンチレバーの断面形状に合わせて一括でパターニングし、図１５の（ｂ），（ｃ）に示すように、複数の構造体薄膜パターン４０４を形成する。なお、ここでは、図１５の（ｂ）に示すように、第１レイヤーＬａ、第２レイヤーＬｂ、第３レイヤーＬｃ、第４レイヤーＬｄの４つのレイヤーから成り、後の積層工程では、第１レイヤーＬａから第４レイヤーＬｄまでが順次積層される。

次に、図１６の（ａ）に示すように、Ａｌから成る構造体薄膜パターン４０４上に、犠牲層となるＣｕによる薄膜４０５をスパッタ法、真空蒸着法などを用いて形成する。この薄膜４０５の厚みは、薄膜４０３の膜厚よりも厚く、例えば、２μｍにする。次に、図１６の（ｂ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）により、構造体薄膜パターン４０４と同一の膜厚になるまで薄膜４０５を研磨する。

次に、フォトリソグラフィ法を用いて、図１７の（ａ），（ｂ）に示すように、薄膜４０５に分離溝４０５ｂを形成する。これにより、構造体薄膜パターン４０４と薄膜４０５からなる複合薄膜パターン４０６が形成される。また、このような複合薄膜パターン４０６が形成された基板を、ここではドナー基板４０７と称する。

次に、図１８の（ａ）に示すように、真空槽４０８中に配置されたＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の軸回りのθ方向にそれぞれ独立して移動可能なＸＹθステージ４０９上にドナー基板４０７を取り付け、また、複合薄膜パターン４０６が積層されるターゲット基板４１０をＺステージ４１１上に固定する。次に、真空槽４０８内を排気して真空にした後、Ａｒ中性ビームからなるＦＡＢ（Fast Atom Beam）４１２をＦＡＢ源４１３からターゲット基板４１０の表面及び複合薄膜パターン４０６の表面に照射し、これらの表面を清浄化する。

次に、図１８の（ｂ）に示すように、Ｚステージ４１１を図１８の（ａ）の状態から下降させ、ターゲット基板４１０の表面をドナー基板４０７上の複合薄膜パターン４０６の表面に接触させるとともに、５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の荷重をかけながら５分間押し付けておくと、ターゲット基板４１０と第１レイヤーＬａの複合薄膜パターン４０６は、強固に接合する。なお、その接合強度は、５０〜１００ＭＰａである。

次に、図１８の（ｃ）に示すように、図１８の（ｂ）の状態からＺステージ４１１を上昇させると、複合薄膜パターン４０６は、ドナー基板４０７からターゲット基板４１０側に転写される。これは、ドナー基板４０７上の複合薄膜パターン４０６とその下の離型層４０２の密着力よりも複合薄膜パターン４０６とターゲット基板４１０との接合力の方が大きいためである。

次に、ターゲット基板４１０とドナー基板４０７上の第２レイヤーＬｂとが対向するように、ドナー基板４０７を載せているＸＹθステージ４０９を水平面上で移動させる。その後、図１８の（ａ）〜（ｃ）の動作を繰り返して複合薄膜パターン４０６を転写させ、ターゲット基板４１０に複数の複合薄膜パターン４０６を積層する。

このようにして作製された微小構造体を図１９の（ａ），（ｂ）に示す。この段階では直方体であるが、犠牲層である薄膜４０５のみを選択的にエッチング可能なエッチャントに、この直方体を浸漬することにより、薄膜４０５みが除去され、図１４の（ａ），（ｂ）に示したようなカンチレバー４００が形成される。

以上のように、上記した製造方法によれば、Ｃｕによる薄膜４０５を犠牲層に用いているため、カンチレバー４００のようなオーバーハングを有する微小構造体を作製することができる。
特許第３１６１３６２号公報（［００２８］〜［００４３］、図６〜図９）

しかし、従来の微小構造体の製造方法によると、図１６の（ｂ）のＣＭＰによる研磨工程においては、犠牲層である薄膜４０５を平坦面で図示しているが、薄膜４０５は平坦面にはならず、その中央部にディッシングと呼ばれる凹みを生じることがある。

図２０は、ディッシングが生じたレイヤーを示す。また、図２１は、ディッシングに起因して複合薄膜パターンの転写不良が生じた状態を示す。

図２０の（ａ）に示すドナー基板４０７の表面には、同図（ｂ），（ｄ）に示すように、ディッシング４０５ａによる半球面状の凹部が生じる。このディッシング４０５ａが生じる理由は、犠牲材料であるＣｕ薄膜４０５の研磨レートが構造体材料であるＡｌ薄膜パターン４０４よりも速くなり、Ｃｕ薄膜４０５が選択的に多く研磨されることにある。ディッシング量Δｔは、研磨条件以外に、構造体薄膜パターン４０４の間の距離にも依存し、距離が長くなるほどディッシング量Δｔが大きくなる。ディッシング４０５ａを防ぐためには、研磨条件を最適化することが考えられるが、条件の最適化だけではディッシング４０５ａを防ぐことができない。このようなディッシング４０５ａが生じたドナー基板４０７を、その後の接合工程に用いると、図２１に示すように、ディッシング４０５ａが生じた薄膜４０５は、ターゲット基板４１０の表面に面接触しにくくなる。この結果、複合薄膜パターン４０６を確実にターゲット基板４１０側に転写することができなくなるため、歩留りが低下する。

従って、本発明の目的は、歩留まりの高い微小構造体の製造方法、および基板を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、第１の基板上に、微小構造体の断面形状に対応した複数の構造体薄膜と、前記構造体薄膜と同一の膜厚を有して前記複数の構造体薄膜の周囲に配置されたダミー薄膜とを形成する第１の工程と、前記第１の基板上に前記構造体薄膜とは異なる材料からなる犠牲層を形成した後、前記犠牲層を研磨して前記複数の構造体薄膜と前記複数のダミー薄膜の間に前記構造体薄膜と同一の膜厚の犠牲薄膜を形成し、前記構造体薄膜、前記ダミー薄膜および前記犠牲薄膜からなる複数の複合薄膜を形成する第２の工程と、前記第１の基板に対向配置される第２の基板と前記第１の基板上の前記複合薄膜との位置合わせ、圧接、離間を繰り返すことにより、前記第２の基板上に前記複数の複合薄膜が積層された積層体を形成する第３の工程と、前記積層体の前記犠牲薄膜を除去する第４の工程とを含むことを特徴とする微小構造体の製造方法を提供する。

構造体薄膜の周囲にダミー薄膜を形成することにより、構造体薄膜間、構造体薄膜とダミー薄膜間、ダミー薄膜間の距離が短くなり、これの薄膜間の犠牲層の研磨長を短くすることができるので、ディッシングが生じ難くなる。このため、複合薄膜を接合する際に接合面全体で接合することができるので、所望の接合強度が得られ、微小構造体を歩留まりが高くなる。

また、本発明は、上記の目的を達成するため、構造体薄膜の周囲に、構造体薄膜と同一膜厚の犠牲薄膜とダミー薄膜が形成されたことを特徴とする基板を提供する。

本発明によれば、ダミー薄膜を設けたことにより、犠牲薄膜にディッシングが生じにくくなるので、所望の接合強度が得られ、高い歩留まりで微小構造体を製造することができる。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る微小構造体の製造工程を示し、（ａ）はドナー基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ1−Ａ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ1−Ｂ1’線断面図である。また、図２は、図１のドナー基板に犠牲層を着膜した状態を示し、（ａ）はドナー基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ1−Ｃ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ1−Ｄ1’線断面図である。

図１に示すように、シリコンウェハからなる第１の基板としての基板１０１上にポリイミドからなる離型層１０２を形成し、この離型層１０２上の所定の位置にパターニングにより同一材料および同一膜厚の構造体薄膜パターン１０４およびダミーパターン１０５を形成する。

次に、犠牲材料１０３を構造体薄膜パターン１０４およびダミーパターン１０５の膜厚よりも厚く着膜した後、図２のように、構造体薄膜パターン１０４と同一膜厚になるまで犠牲材料１０３をＣＭＰによって研磨する。ここで、ダミーパターン１０５の材料及び膜厚は構造体薄膜パターン１０４と同じであるため、ダミーパターン１０５を配置することは、構造体薄膜パターン１０４の間の距離が短くなることに相当する。またこれは、非研磨対象であるパターン１０４，１０５間の研磨長が短くなったとも言える。このため、ディッシングが生じ難くなり、犠牲材料１０３の平坦性が向上し、構造体薄膜パターン１０４は、ターゲット基板４１０へ確実に転写される。なお、ディッシング量を低下させる上で構造体パターンとダミーパターンの間の距離を１０μｍ以下とすることが好ましい。

図３は、図１および図２に示すような複合薄膜パターン（複合薄膜）を積層して犠牲材料をエッチングした後のターゲット基板を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ1−Ｅ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ1−Ｆ1’線断面図である。図３に示すように、第２の基板としてのターゲット基板４１０上には、構造体であるカンチレバーが形成されると共に、その周囲にダミーパターンが形成される。このように構造体の周囲にダミーパターンが残るが、ダミーパターンが構造体に影響を与えない場合は残っていても何ら問題はない。

（第１の実施の形態の効果）
この第１の実施の形態によれば、ダミーパターン１０５を設けたことにより、パターン１０４，１０５間のＣＭＰによる研磨長を短くすることができるので、ディッシングが生じ難くなり、微小構造体を歩留まり良く作製することができる。また、ダミーパターン１０５の材料と膜厚を構造体薄膜パターン１０４と同一にしたので、構造体薄膜パターン１０４をパターニングするときにダミーパターン１０５を同時に形成することができるので、着膜工程およびパターニング工程を簡略化することができる。

なお、第１の実施の形態においては、ダミーパターン１０５の材料を構造体薄膜パターン１０４と異ならせてもよい。この場合、新たにダミーパターン１０５の着膜やパターニング工程が付加される。更に、ダミーパターンを選択的にエッチングすれば、構造体の周囲のダミーパターンを消失させることが可能となる。

［第２の実施の形態］
図４〜図６は、本発明の第２の実施の形態に係る微小構造体の製造工程を示す。図４は、ドナー基板を示す。図５は、複合薄膜パターンを転写して得られた構造体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ2−Ｂ2’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ2−Ｃ2’線断面図である。図６は、犠牲材料を選択的にエッチングした後に形成される積層体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ2−Ｄ2’線断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＥ2−Ｅ2’線断面図である。

本実施の形態では、ダミーパターン１０５が隣接する上下のレイヤーＬａ〜Ｌｄにおいて重ならないように、ダミーパターン１０５の位置が交互にずらしてドナー基板１００を作製する。

次に、レイヤーＬａ〜Ｌｄを積層すると、図５（ｂ）に示すように、積層方向に隣り合うレイヤーのダミーパターン１０５は、位置がずれて積層方向に連続しないレイアウトになる。その他は、第１の実施の形態と同様である。

次に、犠牲材料１０３を選択的にエッチングすると、図６の（ａ）のように得られたターゲット基板４１０におけるダミーパターン１０５は、ダミーパターン１０５が隣り合うレイヤー間で連続していないため、図６の（ｂ）に示すように、第１レイヤーＬａ及び第４レイヤーＬｄのアンカー上のダミーパターン１０５のみが残され、他のダミーパターン１０５はリフトオフされて消失する。

（第２の実施の形態の効果）
この第２の実施の形態によれば、ダミーパターン１０５のレイアウトを積層方向のレイヤー間で不連続になるようにしたので、エッチャントが侵入し易くなり、エッチング時間を短縮することができる。また、犠牲材料１０３を除去する際にダミーパターン１０５を除去することができるので、製造時間を短縮することができ、量産化が可能になる。更に、構造体によってはダミーパターンが残ると、そのダミーパターンにより構造体が所望通り機能しないことがあるが、本形態ではダミーパターンの大部分を消失できるので、構造体は所望通り機能することが可能となる。

なお、第２の実施の形態においては、ダミーパターンのレイアウトとして、積層したときに積層方向に隣り合う複合薄膜のダミーパターンが全て連続しないようなレイアウトとしたが、このレイアウトに限定されるものではない。積層方向に隣り合うレイヤーのダミーパターン１０５のいずれかの部分で連続とならないようなレイアウトにしてもよい。

［第３の実施の形態］
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る微小構造体を示し、（ａ）は、平面図、（ｂ）は、図６（ａ）のＤ2−Ｄ2’線断面図である。本実施の形態は、第２の実施の形態において、ダミーパターン１０５を図７の（ａ）に示すように、第１レイヤーＬａと第２レイヤーＬｂのダミーパターン１０５のみが連続でなく、第２レイヤーＬｂ以降のダミーパターン１０５が連続するようにレイアウトしたものである。他の構成は第２の実施の形態と同様である。図７（ａ）において、犠牲材料１０３を除去すると、図７の（ｂ）に示すように、ダミーパターン１０５は、ターゲット基板４１０と最上層の構造体薄膜パターン１０４上のみとなり、これらのダミーパターン１０５を除去することにより目的の微小構造体を得ることができる。

この第３の実施の形態によれば、犠牲材料１０３のエッチング後に、多くの不要なダミーパターン１０５を除去することができるため、エッチング時間の短縮が可能になる。

図８〜図１３は、本発明の実施例に係る製造工程を示す。図９（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ3−Ａ3’線断面図である。図１１の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ3−Ｂ3’線断面図である。図１２の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ3−Ｃ3’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ3−Ｄ3’線断面図である。図１３の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ3−Ｅ3’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ3−Ｆ3’線断面図である。図１４の（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ4−Ａ4’線断面図である。

まず、図８に示すように、基板として準備したシリコンウェハからなる基板３０１上にポリイミドをスピンコート法により塗布し、最高温度３５０℃でベークし、離型層３０２を形成する。次に、カンチレバーを断面形状に対応した構造体薄膜パターンおよびダミーパターンの構成材料となるＡｌによる薄膜３０３をスパッタ法により１μｍに着膜する。

次に、フォトリソグラフィ法を用いてＡｌの薄膜３０３をパターニングし、図９の（ａ），（ｂ）のように、完成時のカンチレバーの断面形状を有する構造体薄膜パターン３０４とダミーパターン３０５を一括して形成する。なお、ここでは、図９の（ａ）の点線枠で示すように、レイヤーは、第１レイヤーＬａ、第２レイヤーＬｂ、第３レイヤーＬｃ、第４レイヤーＬｄの４つからなり、後の積層工程では、第１レイヤーＬａから第４レイヤーＬｄまでが順次積層される。また、ダミーパターン３０５は、積層したときに積層方向に隣り合うレイヤーのダミーパターン３０５が連続しないようにレイアウトする。

次に、図１０の（ａ）に示すように、構造体薄膜パターン３０４とダミーパターン３０５の上に、スパッタ法により犠牲材料となるＣｕの薄膜３０６を１.５μｍに着膜する。次に、図１０の（ｂ）に示すように、薄膜３０６を造体薄膜パターン３０４と同一膜厚になるまでＣＭＰにより研磨する。

次に、通常のフォトリソグラフィー法を用いて、図１１の（ａ），（ｂ）に示すように、薄膜３０６に分離溝３０６ａを形成することにより、第１レイヤーＬａから第４レイヤーＬｄに対応する複数の複合薄膜パターン３０７を有するドナー基板３０８を形成する。

次に、図１８の（ａ）〜（ｃ）で説明した工程を繰り返して、ドナー基板３０８上の第１レイヤーＬａから第４レイヤーＬｄのそれぞれの複合薄膜パターン３０７を順次積層し、図１２の（ａ）に示す積層体を得る。このとき、複合薄膜パターン３０７の平坦性が良好であるため、ターゲット基板４１０側の接合面に対して面接触を実現できたため、複合薄膜パターン３０７は確実にターゲット基板４１０側に転写できる。本実施例の場合、図１２の（ｂ）に示すように、積層方向に隣り合うレイヤーのダミーパターン３０５は連続していない。

次に、犠牲材料である薄膜３０６を選択的にエッチング可能なエッチャントに浸漬し、図１３の（ａ）〜（ｃ）に示すように、薄膜３０６を除去する。ダミーパターン１０５は、連続していないので、第１レイヤーＬａのダミーパターン１０５と第４レイヤーＬｄのアンカー上のダミーパターン１０５のみが残され、他の部分のダミーパターン１０５はリフトオフされて消失する。次に、残りのダミーパターン１０５を除去することにより、図１４に示すように、オーバーハング形状を有するカンチレバーを作製できる。

なお、本発明は、上記実施の形態および上記実施例に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々変形実施できる。例えば、微小構造体を金型等の成形型として作製し、その成形型から相補形状の微小構造体を製造してもよい。

また、上記実施の形態および上記実施例では、構造体薄膜パターンの材料としてＡｌについて説明したが、タンタル、銅、インジウム等の他の金属でもよく、アルミナ、窒化アルミ、炭化珪素等のセラミックスでもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る微小構造体の製造工程をし、（ａ）は犠牲材料を着膜する前のドナー基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ1−Ａ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ1−Ｂ1’線断面図である。 図１のドナー基板に犠牲材料を着膜した状態を示し、（ａ）はドナー基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ1−Ｃ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ1−Ｄ1’線断面図である。 複合薄膜パターンを積層して犠牲材料をエッチングした後のターゲット基板を示し、（ａ）はターゲット基板上に形成されたカンチレバーの平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ1−Ｅ1’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ1−Ｆ1’線の断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る微小構造体の各レイヤーにおけるパターンレイアウトを示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態において、複合薄膜パターンを転写して得られた構造体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ2−Ｂ2’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ2−Ｃ2’線断面図である。 本発明の第２の実施の形態において、犠牲材料を選択的にエッチングした後に形成される積層体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ2−Ｄ2’線断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＥ2−Ｅ2’線断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る微小構造体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は図６（ａ）のＤ2−Ｄ2’線断面図である。 本発明の実施例の製造工程の第１段階の層構成を示す断面図である。 各レイヤーに対する構造体薄膜パターンおよびダミーパターンの配置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ3−Ａ3’線断面図である。 犠牲材料としてのＣｕ薄膜の形成と研磨を示し、（ａ）はＣｕ薄膜形成時の正面断面図、（ｂ）はＣｕ薄膜研磨後の正面断面図である。 図１０のＣｕ薄膜に分離溝を形成した状態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ3−Ｂ3’線断面図である。 積層が完了した積層体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ3−Ｃ3’線の断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ3−Ｄ3’線断面図である。 図１２の積層体からＣｕ薄膜を除去した積層体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ3−Ｅ3’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ3−Ｆ3’線断面図である。 微小構造体の一例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ4−Ａ4’線断面図である。 従来の微小構造体の製造工程を示し、（ａ）は層構成の断面図、（ｂ）は（ａ）の離型層上に構造体薄膜パターンを形成した状態を示す平面図、（ｃ）は（ａ）のＢ4−Ｂ4’線断面図である。 図１５に続く工程を示し、（ａ）はＣｕ薄膜形成時の正面断面図、（ｂ）はＣｕ薄膜研磨後の正面断面図である。 図１６に続く工程を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ4−Ｃ4’線断面図である。 ドナー基板からターゲット基板に複合薄膜パターンを転写する工程を示し、（ａ）は準備状態を示す正面断面図、（ｂ）はドナー基板とターゲット基板を接触させた状態を示す正面断面図、（ｃ）はドナー基板からターゲット基板を引き離した状態を示す正面断面図である。 図１８の工程により作製された積層体を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ4−Ｄ4’線断面図である。 ディッシングが生じたレイヤーを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ5−Ａ5’線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ5−Ｂ5’線断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ5−Ｃ5’線断面図である。 ディッシングに起因して複合薄膜パターンに生じた転写不良の部分を拡大して示した断面図である。

符号の説明

１０１ 基板
１０２ 離型層
１０３ 犠牲材料
１０４ 構造体薄膜パターン
１０５ ダミーパターン
３０１ 基板
３０２ 離型層
３０３ 薄膜
３０４ 構造体薄膜パターン
３０５ ダミーパターン
３０６ 薄膜
３０６ａ 分離溝
３０７ 複合薄膜パターン
３０８ ドナー基板
４００ カンチレバー
４０１ 基板
４０２ 離型層
４０３ 薄膜
４０４ 構造体薄膜パターン
４０５ 薄膜
４０５ａ ディッシング
４０５ｂ 分離溝
４０６ 複合薄膜パターン
４０７ ドナー基板
４０８ 真空槽
４０９ ＸＹθステージ
４１０ ターゲット基板
４１１ Ｚステージ
４１３ ＦＡＢ源
４２０ ビーム
４２１ アンカー
Ｌａ 第１レイヤー
Ｌｂ 第２レイヤー
Ｌｃ 第３レイヤー
Ｌｄ 第４レイヤー

Claims (9)

1. 第１の基板上に、微小構造体の断面形状に対応した複数の構造体薄膜と、前記構造体薄膜と同一の膜厚を有して前記複数の構造体薄膜の周囲に配置されたダミー薄膜とを形成する第１の工程と、
   前記第１の基板上に前記構造体薄膜とは異なる材料からなる犠牲層を形成した後、前記犠牲層を研磨して前記複数の構造体薄膜と前記複数のダミー薄膜の間に前記構造体薄膜と同一の膜厚の犠牲薄膜を形成し、前記構造体薄膜、前記ダミー薄膜および前記犠牲薄膜からなる複数の複合薄膜を形成する第２の工程と、
   前記第１の基板に対向配置される第２の基板と前記第１の基板上の前記複合薄膜との位置合わせ、圧接、離間を繰り返すことにより、前記第２の基板上に前記複数の複合薄膜が積層された積層体を形成する第３の工程と、
   前記積層体の前記犠牲薄膜を除去する第４の工程とを含むことを特徴とする微小構造体の製造方法。
2. 前記第１の工程は、前記構造体薄膜と前記ダミー薄膜の材料を同一にし、前記構造体薄膜と同時に前記ダミー薄膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の微小構造体の製造方法。
3. 前記第４の工程は、前記犠牲薄膜と同時に前記ダミー薄膜を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の微小構造体の製造方法。
4. 前記第１の工程は、前記積層体が形成されたときに、積層方向に隣り合う前記複合薄膜の少なくとも一組において前記ダミー薄膜が連続しないように前記複数のダミー薄膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の微小構造体の製造方法。
5. 前記第１の工程は、前記積層体が形成されたときに、第１層目の前記複合薄膜の前記ダミー薄膜と第２層目以降の前記複合薄膜の前記ダミー薄膜とが連続しないように前記複数のダミー薄膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の微小構造体の製造方法。
6. 前記第１の工程は、前記積層体が形成されたときに、積層方向に隣り合う前記複合薄膜の前記ダミー薄膜の全てが連続しないように前記複数のダミー薄膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の微小構造体の製造方法。
7. 前記第３の工程が形成する前記積層体は、オーバーハング形状を有することを特徴とする請求項１に記載の微小構造体の製造方法。
8. 構造体薄膜の周囲に、構造体薄膜と同一膜厚の犠牲薄膜とダミー薄膜が形成されたことを特徴とする基板。
9. 構造体薄膜とダミー薄膜の距離が１０μｍ以下であることを特徴とする請求項８記載の基板。