JP2006083825A - 真空ポンプ - Google Patents

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Abstract

【課題】 強磁性体の透磁率変化を利用してロータ温度を判定する真空ポンプにおいて、強磁性体の耐久性向上および部品点数増加の抑制を図ることができる真空ポンプの提供。
【解決手段】 強磁性体材料から成るターゲット43は、ロータ2が固定されるシャフト3の下端部に設けられたナット42の底面の軸近傍に配設されている。そのため、遠心力の影響を小さくすることができる。ステータ側には、ターゲット43と対向するようにインダクタンス式のギャップセンサ44が設けられている。ロータ温度が上昇してターゲット43の温度がそのキュリー温度以上となると、ターゲット43の透磁率が低下する。この透磁率の変化はインダクタンスの変化としてギャップセンサ44により検出され、検出部31からロータ温度モニタ信号がモータ駆動制御部33および警報部34に出力される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、強磁性体の温度による透磁率変化を利用してロータ温度を判定したり、その判定結果を用いてロータ回転を制御する真空ポンプに関する。
半導体製造装置等に用いられるターボ分子ポンプにおいては、ターボ分子ポンプで排気されるガスの流量や分子量が大きくなるにつれて、モータ電力増大に伴う発熱やガス排気に伴う摩擦熱などによりロータ温度が上昇する。また、熱伝導率の小さなガスを排気した場合にも、ロータ温度が上昇する。一般的に、ロータ回転数、排気ガスの流量や圧力や温度およびポンプ周囲温度が高いほど、ロータ温度は高くなる。
ターボ分子ポンプのロータは高速回転しているため、遠心力によって大きな引っ張り応力が作用している。そのため、ロータには比強度に優れたアルミ合金が一般的に用いられている。ところが、アルミ合金の場合、クリープ変形の許容温度が比較的低い温度(約110℃〜120℃)であるため、ポンプ運転時にはロータ温度がこの許容温度以下になるように常に監視する必要がある。
そのため、強磁性体の透磁率がキュリー温度において大きく変化することを利用して、ロータ温度を非接触で検出する方法も知られている(例えば、特許文献1参照)。リング状の強磁性体をロータ外周に装着し、キュリー温度における強磁性体の透磁率変化をコイルにより検出するようにしている。
特開平7−5051号公報
しかしながら、リング状の強磁性体をロータ外周に装着するようにしているため、遠心力により大きな引っ張り応力が強磁性体に作用して、強磁性体が損傷するおそれがあった。
請求項1の発明は、ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプに適用され、ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度が前記ロータの許容温度とほぼ等しい強磁性体と、強磁性体と対向するように配設され、強磁性体の透磁率変化をインダクタンス変化として検出する検出部とを備えたことを特徴とする。
請求項2の発明は、ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプに適用され、ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプにおいて、ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸近傍に配置される回転数センサターゲットと、ロータの回転軸からの動径方向距離が前記回転数センサターゲットの動径方向距離とほぼ等しい位置に配設され、キュリー温度がロータの許容温度とほぼ等しい強磁性体と、回転数センサターゲットおよび強磁性体と対向するように配設されるインダクタンス式の回転数センサとを備え、回転数センサにより、ロータの回転数および強磁性体の透磁率変化をそれぞれインダクタンス変化として検出することを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項1に記載の真空ポンプにおいて、ロータの温度がキュリー温度より低いときに、検出部と強磁性体とが対向したときのインダクタンスが検出部とロータの端面とが対向したときのインダクタンスよりも小さくなるように、強磁性体をロータの端面に配設したことを特徴とする真空ポンプ。
請求項4の発明は、請求項1〜3に記載の真空ポンプにおいて、強磁性体の透磁率変化が検出されたとき、ロータの回転速度減速または回転停止を行わせる制御手段を設けたものである。
請求項5の発明は、請求項1〜3に記載の真空ポンプにおいて、強磁性体の透磁率変化が検出されている時間の積算時間が、ロータのクリープ寿命設計に基づいて予め設定された許容時間を超過したときに、ロータの回転停止を行わせる制御手段を設けたものである。
請求項6の発明は、請求項4または5に記載の真空ポンプにおいて、強磁性体の透磁率変化が検出されたときにポンプ異常を知らせる警報情報を提示する警報手段を設けたものである。
請求項7の発明は、ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプにおいて、ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度がロータの許容温度とほぼ等しい第1の強磁性体と、ロータの回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度が第1の強磁性体のロータのキュリー温度よりも大きな第2の強磁性体と、第1および第2の強磁性体と対向するように配設され、第1および第2の強磁性体の透磁率変化をインダクタンス変化としてそれぞれ検出する検出部と、第2の強磁性体の透磁率変化が検出されたとき、または、第1の強磁性体の透磁率変化が検出されている時間の積算時間が、ロータのクリープ寿命設計に基づいて予め設定された許容時間を超過したときに、ロータの回転停止を行わせる制御手段とを設けたことを特徴とする。
本発明によれば、強磁性体が回転体の回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置されているので、強磁性体に作用する引っ張り応力を抑制することができ、強磁性体の耐久性の向上を図ることができる。さらに、回転数センサで強磁性体の透磁率の変化をインダクタンス変化として検出することで、部品点数およびコストの増加を抑えることができる。
以下、図を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は本発明による真空ポンプの一実施の形態を示す図であり、磁気軸受式ターボ分子ポンプのポンプ本体1とコントローラ30の概略構成を示したものである。
ロータ2が取り付けられたシャフト3は、ベース4に設けられた電磁石51,52,53によって非接触支持されている。シャフト3の浮上位置は、ベース4に設けられたラジアル変位センサ71,72およびアキシャル変位センサ73によって検出される。ラジアル磁気軸受を構成する電磁石51,52と、アキシャル磁気軸受を構成する電磁石53と、変位センサ71〜73とで5軸制御型磁気軸受が構成される。
シャフト3の下端には円形のディスク41が設けられており、このディスク41を上下に挟むように電磁石53が設けられている。そして、電磁石53によりディスク41を吸引することによりシャフト3がアキシャル方向に浮上する。ディスク41はナット42によりシャフト3の下端部に固定されている。
図2の(a),(b)に示すように、ナット42の下端面にはリング形状の強磁性体ターゲット43が設けられている。ターゲット43は、接着剤によりナット42に接着されたり、ナット42側を加熱して焼き嵌めしてナット42に固定される。ナット42がシャフト3とともに高速回転するとターゲット43に図示左右方向の遠心力が作用するが、ターゲット43を回転体の端面部分に配置したので軸近傍に配設することができ、遠心力の影響を低減することができる。さらに、遠心力作用方向であるターゲット側面がナット42の保持部42aによって保持されているので、ターゲット43に生じる引っ張り応力を抑制することができる。ターゲット43の耐久性が向上する。
特に、ターゲット43を焼き嵌めした場合には、ターゲット43に圧縮応力が働いているので、遠心力の影響を低減することができる。また、ターゲット43をシャフト3の端面に設けたことにより、シャフト3の径に関係なくターゲット43の外形を小さくできるとともに、配設位置をシャフト3の軸近傍とすることができる。それによって、遠心力の影響を小さくすることができる。
ステータ側には、ナット42に設けられたターゲット43と対向するように、インダクタンス式のギャップセンサ44が設けられている。後述するように、ギャップセンサ44は、ロータ温度が許容温度以上に上昇したときのターゲット43の透磁率変化をインダクタンス変化として検出するものである。
なお、図1に示すポンプではターゲット43をシャフト3に設けられたディスク41の下側端面に設けたが、図8に示すようにロータ2の上端面もロータ軸上にターゲット43を設けても良い。この場合、ターゲット43はリング状ではなく円板状とすることができ、遠心力の作用するターゲット43の側面はロータ2によって保持されている。すなわち、ロータ2がターゲット43の保持部としての機能を有している。ギャップセンサ44Bは、最上段のスペーサ10に固定されたサポート45により、ロータ軸上に保持されている。ギャップセンサ44Bでは、コア400の中央凸部にコイル401を巻き回した構造としている。図8のターゲット43はロータ軸上に設けられているため、図1に示したターゲット43よりもさらに遠心力の影響を低減することができる。
図1に戻って、ロータ2には、回転軸方向に複数段の回転翼8が形成されている。上下に並んだ回転翼8の間には固定翼9がそれぞれ配設されている。これらの回転翼8と固定翼9とにより、ポンプ本体1のタービン翼段が構成される。各固定翼9は、スペーサ10によって上下に挟持されるように保持されている。スペーサ10は、固定翼9の保持機能とともに、固定翼9間のギャップを所定間隔に維持する機能を有している。
さらに、固定翼9の後段(図示下方)にはドラッグポンプ段を構成するネジステータ11が設けられており、ネジステータ11の内周面とロータ2の円筒部12との間にはギャップが形成されている。ロータ2およびスペーサ10によって保持された固定翼9は、吸気口13aが形成されたケーシング13内に納められている。ロータ2が取り付けられたシャフト3を電磁石51〜53により非接触支持しつつモータ6により回転駆動すると、吸気口13a側のガスは矢印G1のように背圧側(空間S1)に排気され、背圧側に排気されたガスは排気口26に接続された補助ポンプにより排出される。
ターボ分子ポンプ本体1はコントローラ30によって駆動制御される。コントローラ30には、磁気軸受を駆動制御する磁気軸受駆動制御部32およびモータ6を駆動制御するモータ駆動制御部33が設けられている。検出部31は、上述したギャップセンサ44の出力信号に基づいてターゲット43の透磁率が変化したか否かを検出する。
検出部31にはギャップセンサ44の出力信号が入力され、ロータ温度モニタ信号をモータ駆動制御部33および警報部34に出力する。もちろん、ロータ温度モニタ信号をコントローラ30の外部に出力できる出力端子を設けるようにしても良い。警報部34はロータ温度異常などの警報情報をオペレータに提示する警報手段であり、警告音を発生するスピーカや警告を表示する表示装置などにより構成される。
図3はギャップセンサ44のインダクタンス変化を説明する図であり、ギャップセンサ44およびターゲット43の作る磁気回路の模式図である。ギャップセンサ44の構造は、珪素鋼板などの透磁率の大きなコアの周囲にコイルを巻いたものである。ギャップセンサ44のコイルには搬送波として一定周波数・一定電圧の高周波電圧が印加され、ギャップセンサ44からターゲット43に向けて高周波磁界が形成される。
一方、ターゲット43には、そのキュリー温度Tcがロータ2の許容温度Tmaxとほぼ同一か、または、それに近い温度を有する強磁性体材料を用いる。ロータ2の場合には、この許容温度Tmaxはロータ材料にクリープ変形が生じる温度が採用され、アルミの場合には110℃〜120℃程度である。キュリー温度Tcが120℃程度の強磁性体材料としては、ニッケル・亜鉛フェライトやマンガン・亜鉛フェライト等がある。
ロータ温度上昇によりターゲット43の温度が上昇すると、図4に示すようにキュリー温度Tc付近においてターゲット43の透磁率が真空の透磁率μ程度まで急激に低下する。ギャップセンサ44が形成する磁界中でターゲット43の透磁率が変化すると、ギャップセンサ44のインダクタンスが変化することになる。その結果、搬送波は振幅変調され、ギャップセンサ44から出力される振幅変調された搬送波を検波・整流することにより、透磁率の変化に相当する信号変化を検出することができる。
ギャップセンサ44のコア材料はフェライト等の強磁性体が用いられるが、この透磁率がエアギャップの透磁率に比べてそれを無視できる程度に大きく、また、漏れ磁束が無視できる場合には、インダクタンスLと寸法d,dとの関係は近似的に次式(1)のように表される。なお、Nはコイルの巻き数、Sはターゲット43と対向するコアの断面積、dはエアギャップ、d1はターゲット43の厚さ、μはターゲット43の透磁率であり、エアギャップの透磁率は真空の透磁率μに等しいとする。
L=N/{d/(μ・S)+d/(μ・S)} …(1)
ロータ温度がキュリー温度Tcよりも低い温度のときには、ターゲット43の透磁率は真空の透磁率に比べて十分に大きい。そのため、d/(μ・S)はd/(μ・S)に比べて無視できるほどに小さくなり、式(1)は次式(2)のように近似できる。
L=N・μ・S/d …(2)
一方、ロータ温度がキュリー温度Tcよりも上昇すると、近似的にμ=μとなる。そのため、この場合には式(1)は次式(3)のように表される。
L=N・μ・S/(d+d) …(3)
すなわち、エアギャップがdから(d+d)に変化したことに相当し、それに応じてギャップセンサ44のインダクタンスが変化することになる。このインダクタンス変化をコントローラ30の検出部31で検出することにより、ロータ温度がキュリー温度Tc以上となったか否かをモニタすることができる。
図5は検出部31のブロック図であり、図6は図5の(a)〜(e)における信号波形を示したものである。電源60により図6(a)に示すような搬送波がギャップセンサ44に印加されると、図6(b)に示すような変調波がギャップセンサ44から出力される。時刻tcにロータ温度Tがキュリー温度Tc以上になると、ターゲット43の透磁率が減少して近似的にμ=μとなり、インダクタンスLは式(2)で示す値から式(3)で示す値に減少して搬送波の振幅が小さくなる。
図6(b)の信号を検波回路61に通すことにより、図6(c)に示すような信号が得られる。さらに、図6(c)の信号を整流回路62で処理することにより、図6(d)に示すような滑らかな信号が得られる。そして、図6(d)の信号がコンパレータ63に入力される。コンパレータ63では、入力信号と閾値vとを比較し、入力信号のレベルが閾値v以上の場合にはv=Hを、逆に信号レベルが閾値vよりも小さい場合にはv=Lを出力する(図6(e)参照)。コンパレータ63から出力される信号は、ロータ温度モニタ信号としてモータ駆動制御部33および警報部34に出力する。
《ポンプ運転動作の説明》
次に、検出部31から出力されるロータ温度モニタ信号を利用して、ターボ分子ポンプを安全に運転する方法について説明する。
(動作例1)
動作例1は最も簡単な運転動作であり、ロータ温度モニタ信号がv=Lとなったならば、モータ駆動制御部33は直ちにロータ2の回転を減速し停止させる。そして、警報部34はロータ温度異常を報知する。ロータ温度Tが許容温度Tmaxとなってクリープ変形の著しい場合にロータ回転を停止することにより、そのようなクリープ変形が生じるのを防止することができ、ポンプの安全性が向上する。
(動作例2)
動作例1ではロータ温度モニタ信号がv=Lでロータ回転を停止するようにしたが、v=Lの間だけ回転数を下げて運転し、v=Hとなった時点で再び回転数を定格回転に戻すようにしても良い。ロータ温度Tがキュリー温度Tc以上となった場合に回転数を下げることにより、遠心力によるロータ2のクリープ変形を抑えることができる。なお、回転数を定格よりも下げた場合には、ロータ温度上昇情報を報知するだけでなく、回転数が低下していることを警報部24に表示する等してオペレータに注意を喚起する。
また、ターボ分子ポンプをエッチング装置等で使用する場合、ポンプ内部に反応生成物が付着しやすい。反応生成物はポンプ温度が低いほど付着しやすいため、一般的には、ポンプ本体をヒータ等で加熱して付着を抑制するようにしている。そこで、ロータ回転数低下の代わりに、またはロータ回転数低下とともに、v=Lの間だけヒータ等の加熱手段を停止するようにしても良い。
(動作例3)
上述した動作例1,2では、ロータ温度モニタ信号がv=Lとなった場合にロータ回転を停止したり、v=Lの間だけロータ回転数を下げるような例を説明した。しかし、半導体装置側のプロセス途中であってロータ回転を変更できないような場合がある。そのような場合の動作例として、v=Lとなっている時間の積算値が所定の基準時間となった場合にロータ2を停止し、異常発生を警報部34により報知する。そのため、プロセス中にT≧Tcとなった場合でも、積算時間が基準時間以内であればそのままプロセスを継続することができる。
基準時間は、予めロータクリープ寿命設計により求めたロータ2の許容変形量に達するまでの時間とする。ただし、クリープ変形は温度によって異なるので、例えば、ロータ温度Tがキュリー温度Tcであるとして計算した時間や、さらに余裕をみてその時間より小さめの時間を基準時間とすれば良い。
《変形例1》
図7は上述したターボ分子ポンプの変形例1を説明する図であり、ナット42の断面図である。なお、ナット42以外のポンプ本体1の構造は、図1に示したものと同様である。変形例1では、ギャップセンサ44のターゲットとして、上述したターゲット43に加えて、さらにキュリー温度の高いターゲット43Bをナット42に追加して設けた。この場合、上述した式(1)に代えて次式(4)が近似的に成り立つ。なお、ターゲット43Bの厚さはdで、透磁率はμ、キュリー温度はTc’(>Tc)であるとする。
L=N/{d/(μ・S)+d/(μ・S)+d/(μ・S)} …(4)
ロータ温度Tがキュリー温度以上となった場合には近似的にμ=μ=μとなるので、ギャップセンサ44のインダクタンスLは、ロータ温度Tに依存して次のように変化する。
(T<Tc) L=N・μ・S/d
(Tc≦T<Tc’) L=N・μ・S/(d+d
(T≧Tc’) L=N・μ・S/(d+d+d
変形例1の場合、次のような制御動作を行うことによって、ポンプをより安全に運転させることができる。すなわち、インダクタンスがL1となっている時間を積算し、その積算時間が基準時間以内であった場合には運転を継続し、基準時間以上となったときにロータ2の回転を停止する。ただし、ロータ温度Tがターゲット43Bのキュリー温度Tc’を越えた場合には、積算時間が基準時間以内であってもロータ2の回転を停止する。これは、ロータ温度Tが許容温度Tmaxよりもさらに高いキュリー温度Tc’となるとクリープ変形も著しくなるので、安全上、ロータ2を直ちに停止する。なお、積算時間の算出は、例えば、モータ駆動制御部33にて行われる。
《変形例2》
図9はターボ分子ポンプの変形例2を説明する図であり、(a)はナット42とギャップセンサ44Bの断面図で、(b)はナット42のB矢視図である。なお、ナット42およびギャップセンサ44B以外のポンプ本体1の構成は、図1に示したものと同様であり、ギャップセンサ44Bは図8に示したものと同一である。
一方、ナット42の底面には、一つのギャップセンサ44Bに対して、ロータ温度モニタ用のターゲット43Cと、ロータ回転モニタ用の回転数センサターゲットである凹部42bとが設けられている。厚さdの円板状ターゲット43Cと深さdの円形凹部42bとは、ナット42の中心軸に対して180度回転対称な位置に配設されていて、ナット42が回転するとターゲット43Cと凹部42bとが交互にギャップセンサ44Bに対向する。すなわち、変形例2では、回転数センサであるギャップセンサ44Bをロータ温度モニタ用のセンサとして兼用している。なお、dおよびdはd>dのように設定される。なお、ここではターゲット43Cを円板状、凹部42bを円形として説明したが、各々これら形状に限定されるものではない。
図10は検出部31(図1参照)のブロック図である。また、図11は図10に示した(a)〜(e)における信号波形を示したものである。図11において、tcはターゲット43Cの温度がキュリー温度Tc以上となる時刻を示しており、時刻tc以前(図示左側)はロータ温度TがT<Tcとなっており、時刻tc以後(図示右側)はT≧Tcとなっている。
ギャップセンサ44Bには、図5に示したギャップセンサ44Bと同様に、図6(a)に示すような搬送波が印加される。搬送波はギャップセンサ44Bで変調され、ギャップセンサ44Bからは図11(a)に示すような変調波が出力される。ギャップセンサ44BのインダクタンスLは、ギャップセンサ44Bがナット42のどこと対向するかによって異なる。ロータ温度Tがターゲット43Cのキュリー温度Tcに対してT<Tcである場合には、インダクタンスLは次式のように変化する。
(ナット42の底面に対向) L=N・μ・S/d
(凹部42bに対向) L1=N・μ・S/(d+d
(ターゲット43Cに対向) L=N・μ・S/d
一方、ロータ温度TがT≧Tcである場合には、インダクタンスLは次式のように変化する。なお、インダクタンスL,L1,L2の大きさは、L>L2>L1のようになっている。逆に、L>L2>L1が満たされるように寸法dおよびdを設定する必要がある。
(ナット42の底面に対向) L=N・μ・S/d
(凹部42bに対向) L1=N・μ・S/(d+d
(ターゲット43Cに対向) L2=N・μ・S/(d+d
そのため、図11(a)において、時刻tcの左側ではインダクタンスL,L1に対応する信号レベルD1および信号レベルD2の部分が変調波に現れる。一方、T≧Tcとなる時刻tcの右側の領域では、信号レベルD1,D2に加えてインダクタンスL2に対応する信号レベルD3の部分が変調波に現れる。当然ながら、信号レベルD2はナット42が1回転する度に発生し、信号レベルD2と信号レベルD3との間隔は1/2回転に相当する。
図11(a)に示す変調波を図10の検波回路61に通すと、図11(b)に示すような信号が得られる。さらに、図11(b)の信号を整流回路62で処理することにより、図11(c)に示すような信号が得られる。整流回路62から出力された信号(c)は2つに分岐され、回転信号検出用のコンパレータ64および温度モニタ信号検出用のウィンドコンパレータ65に各々入力される。
コンパレータ64では、入力された信号(c)を閾値vと比較し、信号レベルが閾値v以下の場合には信号H(図11(d)参照)を出力し、信号レベルが閾値vより大きい場合には信号Lを出力する。この場合、信号レベルD2の時だけ信号Hが出力され、その他の場合には信号Lが出力されるので、コンパレータ64からは図11(d)のようなパルス状の信号が回転数信号として図1のモータ駆動制御部33に出力される。
図11(d)に示すパルスは信号レベルがD2の時、すなわちギャップセンサ44Bがターゲット43Cと対向したときに出力されるので、ロータ2が1回転するたびにパルスが出力される。このパルスは、ロータ温度Tがキュリー温度Tcよりも高いか低いかに関わらず常に出力される。モータ駆動制御部33では、このパルスをカウントすることによりロータ回転数を求める。
一方、温度モニタ信号検出用のウィンドコンパレータ65では、入力された信号(c)を閾値vmaxおよびvminと比較し、信号レベルがvmin以上かつvmax以下の場合には信号Hを出力し、信号レベルがvminより小さいかvmaxより大きい場合には信号Lを出力する。そのため、ウィンドコンパレータ65からは図11(e)に示すようなパルス状の信号がロータ温度モニタ信号としてモータ駆動制御部33および警報部34に出力される。この場合、図11(c)に示すように、レベルD3の信号はロータ温度Tがキュリー温度Tc以上となった場合にのみ出力されるので、パルスもT≧Tcの時だけに発生する。すなわち、このパルスを検出することによって、ロータ温度TがT≧Tcであるか否かを知ることができる。
従来、温度検出用強磁性体のギャップセンサと回転数センサとを兼用するものはなかったが、上述した変形例2では、回転数センサとして設けられているギャップセンサ44Bをロータ温度検出用に兼用しているため、コストアップを抑えることができるとともに、ロータ温度検出用センサの配設スペースを新たに設ける必要がない。
《変形例3》
図12はターボ分子ポンプの変形例3を説明する図であり、(a)はナット42とギャップセンサ44Bの断面図で、(b)はナット42の底面を示す図である。なお、ナット42およびギャップセンサ44B以外のポンプ本体1の構成は、図1に示したものと同様である。ターゲット43Cの露出面は、ナット42の底面よりも寸法d4だけ凹んでいる。そのため、T<Tcである場合には、ナット42が回転するとギャップセンサ44Bの位置に応じてインダクタンスLは次式のように変化する。
(ナット42の底面に対向) L=N・μ・S/d
(ターゲット43Cに対向) L3=N・μ・S/(d+d
一方、ロータ温度TがT≧Tcである場合には、インダクタンスLは次式のように変化する。このとき、インダクタンスL,L3,L4の大きさは、L>L3>L4のようになっている。
(ナット42の底面に対向) L=N・μ・S/d
(ターゲット43Cに対向) L4=N・μ・S/(d+d+d
図13は検出部31のブロック図を示したものである。図10に示したブロック図のウィンドコンパレータ65をコンパレータ66に置き換えたものになっている。また、図14は図13の(a)〜(c)における信号波形を示したものである。図14(a)において、レベルD4の信号はインダクタンスがL3の時に出力され、レベルD5の信号はインダクタンスがL4の時に出力される。
コンパレータ64では入力信号と閾値vと比較し、信号レベルが閾値v以上の場合には信号Hを出力し、信号レベルが閾値vより小さい場合には信号Lを出力する。信号レベルD4,D5はいずれも閾値vより小さいので、コンパレータ64から出力される回転数信号には、図14(b)に示すように信号レベルD4,D5に対応するパルス信号が生成される。これらのパルスは、ロータ2が1回転する毎に生成される。
一方、温度モニタ信号検出用のコンパレータ66では、入力信号を閾値vよりも低い閾値vと比較し、信号レベルがv以上の場合には信号Hを出力し、信号レベルがvより小さい場合には信号Lを出力する。この場合、図14(c)に示すように、レベルD5の信号はロータ温度Tがキュリー温度Tc以上となった場合にのみ出力されるので、パルスもT≧Tcの時だけに発生する。すなわち、このパルスを検出することによって、ロータ温度TがT≧Tcであるか否かを知ることができる。
この変形例3においても、回転数センサとして用いられているギャップセンサ44Bを、ロータ温度モニタ用のセンサとして兼用しているので、変形例2の場合と同様の効果を奏することができる。
上述した変形例1においては、リング状のターゲット43,43Bを軸方向に重ねて配置したが、図9に示すターゲット43Cと凹部42bとの関係のように、軸対称な位置に別々に配置するようにしても良い。なお、キュリー温度の異なる2種類の強磁性体を温度モニタ用のターゲットとする変形例1や、ギャップセンサを温度モニタ用ターゲットの透磁率変化の検出および回転数検出用のセンサに兼用する変形例2および3に示した技術は、上述したように端面に温度モニタ用ターゲットを配設する真空ポンプに限らず、従来のような強磁性体リングをロータ外周に設けるタイプの装置にも同様に適用することができる。また、本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではない。
以上説明した実施の形態と特許請求の範囲の要素との対応において、モータ駆動制御部33は制御手段を、図7のターゲット43は第1の強磁性体を、ターゲット43Bは第2の強磁性体をそれぞれ構成する。
本発明による真空ポンプの一実施の形態を示す図である。 ナット42の部分を詳細に示す図であり、(a)は断面図、(b)はナット42の底面を示す図である。 ギャップセンサ44のインダクタンス変化を説明する図である。 キュリー温度Tcと透磁率との関係を示す図である。 検出部31のブロック図である。 図5の(a)〜(e)における信号波形を示したものである。 真空ポンプの変形例1を説明する図である。 ターゲット43をロータ2の上端面に設けた場合を説明するポンプ断面図である。 真空ポンプの変形例2を説明する図であり、(a)はナット42とギャップセンサ44Bの断面図で、(b)はナット42のB矢視図である。 変形例2における検出部31のブロック図である。 図10に示した(a)〜(e)における信号波形を示す図である。 真空ポンプの変形例3を説明する図であり、(a)はナット42とギャップセンサ44Bの断面図で、(b)はナット42の底面を示す図である。 変形例3における検出部31のブロック図である。 図13に示した(a)〜(c)における信号波形を示す図である。
符号の説明
1 ポンプ本体
2 ロータ
3 シャフト
4 ステータ
30 コントローラ
31 検出部
32 磁気軸受け制御部
33 モータ駆動制御部
34 警報部
42 ナット
42a 保持部
43,43B,43C ターゲット
44,44B ギャップセンサ

Claims (7)

  1. ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプにおいて、
    前記ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度が前記ロータの許容温度とほぼ等しい強磁性体と、
    前記強磁性体と対向するように配設され、前記強磁性体の透磁率変化をインダクタンス変化として検出する検出部とを備えたことを特徴とする真空ポンプ。
  2. ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプにおいて、
    前記ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸近傍に配置される回転数センサターゲットと、
    前記ロータの回転軸からの動径方向距離が前記回転数センサターゲットの動径方向距離とほぼ等しい位置に配設され、キュリー温度が前記ロータの許容温度とほぼ等しい強磁性体と、
    前記回転数センサターゲットおよび前記強磁性体と対向するように配設されるインダクタンス式の回転数センサとを備え、
    前記回転数センサにより、前記ロータの回転数および前記強磁性体の透磁率変化をそれぞれインダクタンス変化として検出することを特徴とする真空ポンプ。
  3. 請求項1に記載の真空ポンプにおいて、
    前記ロータの温度がキュリー温度より低いときに、前記検出部と前記強磁性体とが対向したときのインダクタンスが前記検出部と前記ロータの端面とが対向したときのインダクタンスよりも小さくなるように、前記強磁性体を前記ロータの端面に配設したことを特徴とする真空ポンプ。
  4. 請求項1〜3に記載の真空ポンプにおいて、
    前記強磁性体の透磁率変化が検出されたとき、前記ロータの回転速度減速または回転停止を行わせる制御手段を設けたことを特徴とする真空ポンプ。
  5. 請求項1〜3に記載の真空ポンプにおいて、
    前記強磁性体の透磁率変化が検出されている時間の積算時間が、前記ロータのクリープ寿命設計に基づいて予め設定された許容時間を超過したときに、前記ロータの回転停止を行わせる制御手段を設けたことを特徴とする真空ポンプ。
  6. 請求項4または5に記載の真空ポンプにおいて、
    前記強磁性体の透磁率変化が検出されたときにポンプ異常を知らせる警報情報を提示する警報手段を設けたことを特徴とする真空ポンプ。
  7. ステータに対してロータを回転することによりガスを排気する真空ポンプにおいて、
    前記ロータを含む回転体の回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度が前記ロータの許容温度とほぼ等しい第1の強磁性体と、
    前記ロータの回転軸方向端面の回転軸上または回転軸近傍に配置され、キュリー温度が前記第1の強磁性体のロータのキュリー温度よりも大きな第2の強磁性体と、
    前記第1および第2の強磁性体と対向するように配設され、前記第1および第2の強磁性体の透磁率変化をインダクタンス変化としてそれぞれ検出する検出部と、
    前記第2の強磁性体の透磁率変化が検出されたとき、または、前記第1の強磁性体の透磁率変化が検出されている時間の積算時間が、前記ロータのクリープ寿命設計に基づいて予め設定された許容時間を超過したときに、前記ロータの回転停止を行わせる制御手段とを設けたことを特徴とする真空ポンプ。
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