JP2006080458A - ウエハキャリア - Google Patents
ウエハキャリア Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006080458A JP2006080458A JP2004265844A JP2004265844A JP2006080458A JP 2006080458 A JP2006080458 A JP 2006080458A JP 2004265844 A JP2004265844 A JP 2004265844A JP 2004265844 A JP2004265844 A JP 2004265844A JP 2006080458 A JP2006080458 A JP 2006080458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cell
- hoop
- shell
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 148
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- -1 hydrogen compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 101001047746 Homo sapiens Lamina-associated polypeptide 2, isoform alpha Proteins 0.000 description 1
- 101001047731 Homo sapiens Lamina-associated polypeptide 2, isoforms beta/gamma Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 102100023981 Lamina-associated polypeptide 2, isoform alpha Human genes 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- VGTPKLINSHNZRD-UHFFFAOYSA-N oxoborinic acid Chemical compound OB=O VGTPKLINSHNZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】フープ内でＰ、Ｃｌ２等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、清浄な雰囲気を保つことができるフープを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアに用いられるフープにおいて、前記フープのシェルの内側に設けられるウエアを載置するためのセルであって、箱型形状に形成された前記セルの内側にウエハを載置するためのウエハサポートと、仕切られた箱状空間内にウエハを載置できるように前記ウエハサポートの間に仕切りが設けられていることを特徴とするフープである。また、前記セルが導電性を有するか、又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面、前記セル、及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とする。さらに、前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアに用いられるフープにおいて、前記フープのシェルの内側に設けられるウエアを載置するためのセルであって、箱型形状に形成された前記セルの内側にウエハを載置するためのウエハサポートと、仕切られた箱状空間内にウエハを載置できるように前記ウエハサポートの間に仕切りが設けられていることを特徴とするフープである。また、前記セルが導電性を有するか、又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面、前記セル、及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とする。さらに、前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体製造プロセスに用いられるウエハキャリアに関する。
近年、３００ｍｍウエハを用いた半導体製造プロセスにおいて、例えば２５枚のウエハを１バッチとし一括処理していた方法に替えて、ウエアを一枚ずつ処理する枚葉処理方法が採用されることがある。枚葉処理を採用するプロセスには、例えば、ウエハの洗浄、エッチング、ＣＶＤ処理などの工程がある。
枚葉処理方式を用いる背景には、パターンの微細化に伴い、ウエハを一枚ずつ管理する必要性が増大したことと、少量多品種の生産に対応するため、Ｑ−ＴＡＴ方式（クイック−ターンアラウンドタイム方式）を実現する必要が生じたことがあげられる。そのような枚葉処理が行われるウェハは、下記の特許文献１に記載されているようなウェハキャリアに収納されて所定枚毎に一括して搬送される。
次に、図１３（ａ）の斜視図及び図１３（ｂ）の水平断面図を参照して、ウエハキャリアとして用いられるフープ（ＦＯＵＰ：front open unified pod）について説明する。
フープ５０１は、大まかにポッド本体であるシェル５０３と、シェル５０３の外部からウエハをポッド内に出し入れすると共に、内部へのパーティクルの侵入防止や化学的な汚染防止を図るため、開閉自在のドア５０５とで構成される。
シェル５０３には、フープ５０１の自動釣り上げや釣り下げを行うためのフランジ５０７、作業員が運搬する等のためのマニュアルハンドル５１３、フープ５０１の自動搬送を行うためのサイドレール５１５が設けられている。また、ドア５０５には、フープ５０１の位置決めを行うためのレジストレーションピン穴５０９、ドア５０５を開閉及びロックするためのラッチキー穴５１１が設けられている。
フープ５０１内に収納されるウエハ５２１は、フープ５０１内の両側面に取り付けられるウエハサポート５２３に載置され、さらに、ドア５０５に設けられたウエハ押さえ機構であるリテーナ部５２５によって押さえられている。
次に、図１４（ａ）に示すようにドア５０５を外した状態のフープ５０１の斜視図と、図１４（ｂ）に示すようにフープ５０１の正面から見た垂直断面図を参照して、フープ５０１の内部構造を説明する。
ウエハ５２１は、シェル５０３内側の左右に分割して配置されるセル５３１の各々に取り付けられた断面櫛状のウエハサポート５２３の各段上に載置される。ウエハサポート５２３は、例えば、セル５３１と一体に成形される。そのセル５３１は、シェル５０３の上面を貫通して取り付けられるネジ５２５と、シェル５０３の下面を貫通して取り付けられたるネジ５２７とによってフープ５０１の上下から支えられている。なお、フープ５０１の下面は、基準を合わすためのキネマティックベースプレート５２９に取り付けられている。
ところで、半導体工場内では、ウエハ５２１はフープ５０１に収納されて各処理装置間を移動される。そして、各々の処理装置では、図１３に示した状態で、フープ５０１のドア５０５をシェル５０３から取り外し、ついでフープ５０１の前面からウエハ５２１を取り出して処理装置内部の処理部（不図示）に搬送し、その後に所要の処理が行われる。さらに、処理の終了後には、処理済みのウエハ５２１がフープ５０１に戻される。
このような処理を各ウェハ５２１毎に行い、全てのウエハ５２１の処理を終了した後にフープ５０１を搬送して一時保管した後に、次の処理装置に搬送される。このような工程を繰り返すことで所望の半導体回路がウエハ５２１上に形成される。
特開２００２−１１０７６９号公報 （図５）
ウェハの処理として例えば枚葉式ＬＰＣＶＤ（low pressure chemical vapor deposition）法があり、アルミニウム、銅等の配線下の層間絶縁膜の形成や半導体回路の機能保護のためのパッシベーション膜等の形成時に用いられる。
絶縁膜の膜種としては、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）を含んだSiO２膜であるＢＰＳＧ膜がある。ＢＰＳＧ膜形成には、例えば、SiH４（シラン）、B２H６（ジボラン）、PH３（ホスフィン）等の水素化合物と酸素（O２）とを反応させたり、あるいは、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＰＯ（トリメチルフォスフェート）、ＴＭＢ（トリメトキシボロン）等の有機ソースとオゾン（O３）とを反応させる方法がある。
ところで、絶縁膜にＰ成分を入れるのは、可動性イオンであるナトリウム（Na）のゲッタリングと、絶縁膜のリフロー温度を下げるためであり、また、Ｂ、Ｐ成分を入れることにより、絶縁膜にクラックが入りにくいように応力を制御できるからである。
また、膜種には、ＰＳＧ膜（Ｐを含んだSiO２膜）がある。ＰＳＧ膜形成時には、SiO２中にP２O５を添加する際には、方法によってはP２O３が混入する。P２O３は、P２O５に比べて低温で平坦化できるが、昇華性があるのでリフロー工程で膜表面に欠陥が発生する可能性がある。
Ｂ、Ｐを含んだSiO２膜は不安定で、吸湿性がある。また、Ｐについては水分との反応によりリン酸が生じる可能性がある。これは、P２O５の吸湿性が高いからである。また、ＣＶＤの処理条件によっては、メタホウ酸（HBO2）の微結晶が析出することがある。さらに、リン酸は、配線、銅配線等の金属配線に対して腐食を引き起こす場合があるし、シリコン窒化（Si3N4）膜にもダメージを与える場合がある。
ところで、前記の枚葉式ＬＰＣＶＤ法では、二次汚染（クロスコンタミ）が発生する可性がある。その、機構について以下に説明する。
(1) 前述の方法によって処理された処理済ウエハは処理前のウエハを入れたフープに戻されると、処理済と処理前のウエハとがフープ内で混在することになる。
(2) フープ内の処理済のウエハから、例えばリンを含んだガスが揮発する。
(3) リンを含んだガスとフープ内の水分とが反応してリン酸が生じ、リン酸は未処理のウエハを汚染する。
(4) リン酸で汚染されたウエハをＣＶＤ装置で処理すると成膜の異常が発生する。
(1) 前述の方法によって処理された処理済ウエハは処理前のウエハを入れたフープに戻されると、処理済と処理前のウエハとがフープ内で混在することになる。
(2) フープ内の処理済のウエハから、例えばリンを含んだガスが揮発する。
(3) リンを含んだガスとフープ内の水分とが反応してリン酸が生じ、リン酸は未処理のウエハを汚染する。
(4) リン酸で汚染されたウエハをＣＶＤ装置で処理すると成膜の異常が発生する。
一方、ウェハ処理としてエッチングがあり、例えば、Cl２ やBCl３に、N２、CF４ 、O２、H２O などを添加したガスを用いてアルミ配線をドライエッチングする処理がある。そのドライエッチングの後には、ウエハからCl系ガスが揮発するので、その処理済ウェハをそのままフープ内に入れると未処理ウエハのアルミ配線表面のアルマイトを腐食（コロージョン）するおそれがある。
以上のように、図１３、図１４に示したようなフープでは、空気の流れがほとんどないように設計されているため、処理済みのウェハからガスが出てフープ内を滞留して、別なウエハを汚染するおそれが高くなる。
なお、処理済と処理前のウエハを混在させないようにするためには、処理済みのウエハを別のフープに戻せば良いが、ウエハやフープの管理が増えて、ランニングコストが増加するため望ましい方法ではない。
従って、本発明は、フープ内でリン、塩素等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、各ウェハ周囲で清浄な雰囲気を保つことができるウェハキャリアを提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、下記のウェハキャリアを提供する。
本願発明の第１の態様は、半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアとして用いられるドアとシェルとからなるフープであって、該フープの内部に入出可能に設けられた箱型形状に形成されたセルを備え、該セルはその内側に収容されるウエアを載置するためのウエハサポートと、
前記ウエハサポートに載置されたウエハの間を仕切るように配置される箱状の仕切りと、が設けられているセルであることを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第１の態様は、半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアとして用いられるドアとシェルとからなるフープであって、該フープの内部に入出可能に設けられた箱型形状に形成されたセルを備え、該セルはその内側に収容されるウエアを載置するためのウエハサポートと、
前記ウエハサポートに載置されたウエハの間を仕切るように配置される箱状の仕切りと、が設けられているセルであることを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第２の態様は、前記セルが導電性を有するか、又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面、及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第３の態様は、前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第４の態様は、前記セルは、導電性を有するか帯電防止処理されている前側セルと、透明に形成され、かつ開口部が設けられている後側セルとが、接合されたセルを備えたことを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第５の態様は、前記後側セルに設けられた開口部を蓋うカバーを設けたことを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第６の態様は、前記カバーに更に開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
本願発明の第７の態様は、前記シェルに開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
本発明は、半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアに用いられるフープのシェル部の内側に設けられるウエアを収容し、載置するためのセルを箱形形状にするとともに、そのセルの内部にウエハを載置するためのウエハサポートと、前記ウエハ同士を互いに仕切るための仕切りをウエハサポートの間に設けている。
これにより、フープ内でリン、塩素等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、清浄な雰囲気を保つことができるフープを提供できる。
これにより、フープ内でリン、塩素等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、清浄な雰囲気を保つことができるフープを提供できる。
以下に図を参照して本発明のフープについて説明する。（ドア５０５）
図１は、本発明の実施形態に係るウェハキャリアであるフープの前を開けた状態を示す斜視図、図２は、図１に示したフープの中からウェハ用セルを取り出した状態を示す斜視図である。
図１は、本発明の実施形態に係るウェハキャリアであるフープの前を開けた状態を示す斜視図、図２は、図１に示したフープの中からウェハ用セルを取り出した状態を示す斜視図である。
フープ１は、前面に開口部を有するシェル３と、シェル３上面に設けられたフランジ５と、基準を合わすために下面に取り付けられるキネマティックベースプレート７とを有している。また、シェル３の中には、一体型のセル９が設けられ、セル９内に設けられたウエハサポート１１上にはウエハ１３が載置されるように構成されている。さらに、シェル３の前面には、図１３に示した従来例と同じようにドア５０５（図１１では４）が着脱可能に取り付けられている。なお、シェル３の外観を図１３（ａ）に示した従来例とほぼ同じにしてもよい。
シェル３の底部のうちの前端寄りの領域には、図２に示すように左右に間隔をおいて第１の通気孔６が２つ形成され、第１の通気孔６のそれぞれの下には図３の断面図に示すように雰囲気清浄用のフィルタ８が取り付けられている。フィルタ８は、気泡性のテフロン（登録商標）を収容して上下に開口を有するプラグ８ａと、プラグ８ａと通気孔６の間に配置されるフィルタ基盤８ｂとを有しており、第１の通気孔６を通してシェル３内に入る空気中の塵、汚染物質等をフィルタ８によって除去するようになっている。
また、シェル３の底部のうちの奥の領域には第２の通気孔１０が形成され、その第２の通気孔１０の下には、シェル３内の空気、ガス等を外部に排出するためのファン１２が取り付けられている。ファン１２として、例えば図４に例示するように、モータ内蔵のものが用いられる。ファン１２を駆動する電源は、外部から供給してもよいし、フープ１にバッテリーを取り付けてそのバッテリーから供給してもよい。
シェル３に収容されるセル９は、図５に示すように、ウェハ１３の出し入れのために前面が開口され且つ後面に複数のガス通気孔１９を有する箱形であり、その内部は、複数のウェハ１３を間隔をおいて上下に重ねて収納できる大きさの空間となっている。そのセル９は、図６に示す前側セル１５と図７に示す後側セル１７を接合して構成される。
前側セル１５は、図６（ａ）の斜視図に示すように、前と後が開放された直方体形状の箱体であり、横の寸法はウェハ１３の寸法よりも少し長く、その奥行きはウェハ１３を前後に少しはみ出させる寸法となっている。さらに、前側セル１５の内部には、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、内部の空間を上下方向に等間隔でｎ（ｎ＞１）個のスペース２３に区画するｎ−１枚の仕切２１が一方の側面から他方の側面に渡されて取り付けられている。その仕切２１の枚数は例えば１２枚であり、スペース２３の数は１３である。
また、前側セル１５内部の両側面のそれぞれには、ウェハ１３の縁部を支持する狭い帯状のウェハサポート１１が各側面の前端から後端にかけて取り付けられている。それらのウェハサポート１１は、前側セル１５の天板と仕切２１の間のほぼ中間位置、各仕切２１同士の間のほぼ中間位置、及び前側セル１５の底板と仕切２１の間のほぼ中間位置に取り付けられ、仕切２１と平行になるように内向きに突出している。さらに、ウェハサポート１１は、その上に載置するウェハ１３を前側セル１５の天板、底板及び仕切２１にウェハ１３に接触させない位置に取り付けられている。
一方、後側セル１７は、図７（ａ）の斜視図に示すように、前面部が開放されるとともに前面部の両側縁から後にかけて内側に湾曲した背面部２５を有する箱体であり、その上面から後方には、シェル３後部の内面形状に沿うように湾曲する形状のつば部３１が突出している。
また、後側セル１７の前面部の高さと幅は、前側セル１５の後面部の高さと幅に等しくなっている。さらに、後側セル１７の内部には、上下方向に等間隔でｎ（ｎ＞１）個のスペース２９に区画するｎ−１枚の仕切２７が背面部２５の内面に沿って取り付けられている。これにより、後側セル１７の内部は仕切２１により上下に等間隔でｎ個のスペース２９に仕切られている。
後側セル１７の背面部２５には、図７〜図９に示すように、仕切２１の上面、下面、及び後側セル１７内の上面、下面の各面に後端に沿った横長のスリット状の開口部１９が形成されいている。これにより、各スペース２９の後部は、上下２つの開口部１９に繋がった状態となっている。
後側セル１７の前部は前側セル１５の後部に接合され、これらにより図５に示したような１つのセル９が構成されている。前側セル１５と後側セル１７を前後に合わせた状態では、前側セル１５の仕切２１と後側セル１７の仕切２７は同じ高さで前後に繋がっている。これにより、図８の断面図に示すように、前側セル１５のスペース２３と後側セル１７のスペース２９は、１つのセル９内で繋がって上下方向にスペース５５を形成する。
また、図９に示すように、スペース５５の後部は、仕切２７と背面部２５の接合部分３３の上と下に上下に狭いスリット状の開口部１９に繋がっている。さらに、図５に示したようにセル９内の両側面から内部に突出するウェハサポート１１の各段に載置されるウェハ１３には、未処理ウェハ５３と処理済ウェハ５１とがある。
セル９は、図１０の正面の垂直断面図と図１１の水平断面図に示すように、シェル３の前面の開口を通して内部に収納されており、さらに、シェル３上面の左右端近傍を貫通して取り付けられる第１のネジ４１とシェル３下面の左右端近傍を貫通して取り付けられる第２のネジ４３とにより支えられ、これによりセル９はシェル３内に固定される。
以上のようにセル９の内部空間は、仕切り２１、２７によって上下方向にｎ個のスペース５５に分けられており、それぞれのスペース５５の両側に設けられたウエハサポート１１の各段上にはウエハ５１，５３が載置される。
ウェハサポート１１は、最下段のウェハサポート１１上のウエハ５１，５３と図１４（ｂ）に示した従来例の最下段のウェハサポート５２３上のウエハ５２１とは同じ高さ位置になるように配置される。また、セル９内の下から２段目のウェハサポート１１に支持されるウエハ５１，５３は、図１４（ｂ）に示された従来例の第３段目のウェハサポート５２３に支持されるウエハ５２１と同じ高さと位置にある。即ち、セル９内のｎ段目のウェハサポート１１は、図１４（ｂ）に示した従来のウェハサポートの２ｎ−１段目とほぼ等しい高さとなる。
従って、本発明の最上段のウェハサポート１１は１３段目となり、従来例の最上の２５段目のウエハサポート５２３と同じ高さとなる。
以上のように、本実施形態のセル９において、スペース５５を１３段としている理由は、エンドエフェクターを用いてウエハ５１，５３をフープから取り出す際に仕切２１，２７に接触する等の支障があることと、操作上ＦＩＭＳ（Front-opening Interface Mechanical Standard）の基準に合せているためである。従って、設計条件や用いる機材によっては１３段にこだわる必要はなく、所望の段数を選択できることは言うまでもない。
上述したようなシェル３内にセル９を収め、セル９のウェハサポート１１の各段にウェハを載せて成膜、エッチング等の処理を枚葉式で行う場合には、前側セル１５の内側壁に設けられたウェハサポート１１の各段のそれぞれの上には、処理済ウエハ５１と未処理ウエハ５３のいずれか載置される。
例えば、図８に示す状態で、下側のスペース５５内では処理済ウエハ５１がウェハサポート１１に支持され、その上のスペース５５のウエハは処理中であるため空であり、さらにその上方の複数のスペース５５では未処理ウエハ５３がウェハサポート１１上に順次載置されている。
これら処理済ウエハ５１及び未処理ウエハ５３は同一のシェル３内に混在している。ところが、各ウエハ５１，５３は、セル９を仕切り２１、２７で分けられたスペース５５内にそれぞれ配置されているので、処理済ウエハ５１から発生したガス、例えば腐食性ガスが未処理ウエハ５３に到達して汚染することを防ぐことが可能となる。
また、ドア４の開閉時やウエハの処理中には処理室が高圧に保たれているため、フープ１に空気が流れ込んで来ると、セル９のスペース５５それぞれに高圧空気が流入する。高圧空気がフープ１のスペース５５内に流入すると、乱流が生じてスペース５５内の雰囲気をかき混ぜ、ひいては発生した腐食性ガスや沈積したパーティクルをスペース５５の外に放出させる可能性がある。
この流入する空気をスペース５５内で乱流を起こさないようにセル９の外に放出して圧力を開放する必要があり、その開放手段として開口部１９が設けられている。従って、処理ウエハ５１から発生する腐食性ガスは、開口部１９を通してセル９の外に排出される。
即ち、仕切り２１，２７で仕切られたスペース５５に各ウエハ５１，５３を載置した場合、各スペース５５内のウエハ５１から他のウェハ５１，５３への汚染は防ぐことができるが、このままでは、発生した腐食性ガスはスペース５５内に滞留することになる。ところが、セル９の後部に開口部１９を設けることによって、圧力の開放とともに、スペース５５内の腐食性ガスを排出できる。
開口部１９は、図９の部分拡大図に示したように、後側セル１７の背面部２５と仕切り２７との接合箇所３３の上と下に設けられ、横に長く且つ高さ方向の幅が狭いスリット形状となっている。なお、開口部１９を設ける箇所は、例えば、接合箇所の上側、下側のいずれかのみ、あるいは、接合箇所３３の間の中央部等、種々の態様がある。
セル９を収納したシェル３内のガスは、シェル３の底部の第２の通気孔１０を通してファン１２により強制的に外部に放出される。また、セル９を収納し、ドア４により前面が閉じられたシェル３内のガスは、ファン１２によって第２の通気孔１０から強制的に排気される一方、これにより圧力が低下するシェル３内にはフィルタ８を通して第１の通気孔６から清浄のガスが流入する。流入したガスはセル９の高さ方向にも拡散する。
これにより、開口部１９を通してセル９の外側に流れたガスはフープ１の外部に排出されるので、ウェハから出た腐食性のガスはセル９内を還流することが防止される。
ところで、開口部の寸法、開口部の形状、開口面積、又は開口場所については、空気圧や流入量、腐食性ガス、揮発成分、パーテイクル等の汚染度、フープの洗浄条件その他の使用条件によって適宜設計すれば良い。要は、各スペース５５から空気が乱流を起こさないように開口部１９から排出させることが重要である。
その実施形態について図１２を参照して説明する。セル６１は上述したと同じように前側セル１５と後側セル１７で構成されている。前側セル１５及び後側セル１７の形状は、図７に示したものに同じである。ただし、つば部３１の外縁形状に合せて、後側セル１７のつば部３１の外縁から下に伸びる側壁７１と、その下に形成される底部７３とを設けている構造は図７とは異なるもので、これによりつば部３１の下方には水平断面が略三日月状の空間部６９が形成される。
なお、図１２において、セル６１の仕切り６３、ウエハサポート６４、スペース６５を図示したが、ウエハは省略した。後側セル１７の背面部２５には、図７に示したと開口部１９と同じ位置に開口部６７が形成されている。
ところで、開口部６７から排出される空気、あるいはパーテイクルや腐食性ガスを含む空気は、空間部６９内に放出される。そのため、空間部６９に放出された空気は、さらに放出されて系外に取除くことが望ましく、側壁７１、底部７３、つば部３１の何れかに１箇所以上の開口部７４を設けるることが好ましい。
開口部７４の寸法、形状、開口面積、又は開口場所については、空気圧や流入量、腐食性ガス、揮発成分、パーテイクル等の汚染度、フープ１の洗浄条件その他の使用条件によって適宜設計すれば良い。要は、各スペース６５から空気を乱流を起こさないように開口部７４から排出させることが重要である。
この開口部７４には、例えば、メンブレーンフィルター、ブレザフィルター等のフィルターを設けてパーテイクルの放散を防いでも良い。また、特殊な吸着機能を有したフィルターを用いて、腐食性ガス等を除去しても良い。
更に、吸引力を高めるために、ファンを設けて吸引しても良い。例えば、底部７３に開口部７４を設け、この開口部７４とフープ１に設けられた第２の通気孔１０とをホース等で連通させてもよい。そして、開口部７４からフィルター、又はファン１２を介して排気する方法もある。
本実施形態でも、図２に示したように、フープ１にフィルター６を設けてもよい。即ち、シェル３の底部には、フープ１のドア４の開閉時、又はウエハの処理時、加圧空気を開放するためのフィルタープラグ８が設けられている。本実施形態では、セル６１に設けられた開口部６７から排出される空気、あるいはパーテイクルや腐食性ガスを含む空気は、そのまま、又は前述のように空間部６９を経てセル６１の後部、又はシェル３内に放出される。通常、シェル３内の空気は前記加圧空気の開放時にフィルタープラグ６ａから放出される。
ところが、本実施形態では排出が不充分であっても対応できるように、前記フィルター６を利用するか、そのほかに、放出させるための開口部を、シェル３の上面、側面、底面、背面のいずれかに設けることが望ましい。また、複数設けても良い。この開口部には、例えば、メンブレーンフィルター、ブレザフィルター等のフィルターを設けてパーテイクルの放散を防いでも良い。また、特殊な吸着機能を有したフィルターを用いて、腐食性ガス等を除去しても良い。また、その開口部には、例えばファンを設けても良い。ファンを設けることにより、強制的に排気することができる。
なお、上述した実施形態に係るフープ１では、ウエハを載置する部分が導電性を有しているか帯電防止処理が施されており、フープ１が上下で導通されている。即ち、セル９が導電性を有している又は帯電防止処理されていることが好ましい。また、静電気によってウエハにパーティクルが付着することがないように、ウエハを載置させるウエハホルダ１１を備える前側セル１５は導電性を有しているか、帯電防止処理されていることが特に好ましい。
前側セル１５は、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）などの樹脂を用いて形成されるが、上記目的を達成できる樹脂であれば他の材料であっても良い。そして、その樹脂に、例えば、カーボンやカーボンファイバを混練させて成形し、導電性を持たすことが好ましいし、金属を用いても支障がないことはもちろんである。
帯電防止処理は、樹脂に界面活性剤を混練する方法や、前記樹脂の表面に導電性ポリマーを塗布する方法等がある。
また、そのように導電性を付与したり、帯電防止処理を施し、さらにシェル３上側の部材、シェル３内のセル９，６１、及びシェル３下側の部材とが導通されるように、部材を選定することが望ましい。導通させることにより、静電気等のアースが可能となるからである。
さらに、上述した実施形態において、後側セル１７はセル９、６１内に載置されたウエハの外観や載置状態を観察できるように、透明に形成されていることが望ましい。シェル３は、樹脂を用いて透明に形成されている。セル９全体についても透明に形成されることが望ましいが、ウエハを載置させるウエハホルダー１１，６４を備えたセル９，６１は、例えば、導電性を付与する場合、カーボンブラックと混練して成形されるので、黒色となって内部のウエハを見ることはできない。そのため、後側セルは透明に形成することが望ましい。
半導体製造プロセス用のウエハキャリアに用いることができる。
１：フープ
３：シェル
４：ドア
５：フランジ
６、１０：通気孔
７：キネマティックベースプレート
９：セル
１１：ウエハサポート
１２：ファン
１３：ウエハ
１５：前側セル
１７：後側セル
１９：開口部
２１：仕切り
２３：スペース
２５：背面部
２７：仕切
２９：スペース
３１：つば部
３３：接合部
４１：ねじ
４３：ねじ
５１：処理ウエハ
５３：未処理ウエハ
５５：スペース
６１：セル
６３：仕切り
６４：ウエハサポート
６５：スペース
６７：開口部
６９：空間部
７１：側壁
７３：底部
７４：開口部
３：シェル
４：ドア
５：フランジ
６、１０：通気孔
７：キネマティックベースプレート
９：セル
１１：ウエハサポート
１２：ファン
１３：ウエハ
１５：前側セル
１７：後側セル
１９：開口部
２１：仕切り
２３：スペース
２５：背面部
２７：仕切
２９：スペース
３１：つば部
３３：接合部
４１：ねじ
４３：ねじ
５１：処理ウエハ
５３：未処理ウエハ
５５：スペース
６１：セル
６３：仕切り
６４：ウエハサポート
６５：スペース
６７：開口部
６９：空間部
７１：側壁
７３：底部
７４：開口部
Claims (7)
- 半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアとして用いられるドアとシェルとからなるフープであって、該フープの内部に入出可能に設けられた箱型形状に形成されたセルを備え、該セルはその内側に収容されるウエアを載置するためのウエハサポートと、
前記ウエハサポートに載置されたウエハの間を仕切るように配置される箱状の仕切りと、が設けられているセルであることを特徴とするウェハキャリア。 - 前記セルが導電性を有するか又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハキャリア。
- 前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェハキャリア。
- 前記セルは、導電性を有するか又は帯電防止処理されている前側セルと、透明に形成され、かつ開口部が設けられている後側セルとが、接合された構造であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のウェハキャリア。
- 前記後側セルに設けられた開口部を蓋うカバーを設けたことを特徴とする請求項４に記載のウェハキャリア。
- 前記カバーに更に開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とする請求項５に記載のウェハキャリア。
- 前記シェルに開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のウェハキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004265844A JP4509713B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | ウエハキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004265844A JP4509713B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | ウエハキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006080458A true JP2006080458A (ja) | 2006-03-23 |
| JP4509713B2 JP4509713B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=36159632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004265844A Expired - Lifetime JP4509713B2 (ja) | 2004-09-13 | 2004-09-13 | ウエハキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4509713B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206258A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Miraial Kk | ウェハ収納容器 |
| KR100989887B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2010-10-26 | 지이에스(주) | 웨이퍼 잔존가스 제거장치 |
| KR101554535B1 (ko) | 2014-05-27 | 2015-09-21 | 주식회사 신성테크놀로지 | 매거진 구조체 |
| JP2017504218A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-02-02 | ボムジェ ウ | ヒューム除去装置 |
| WO2018008879A1 (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
| KR101822554B1 (ko) * | 2017-03-22 | 2018-01-26 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
| CN110379752A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-10-25 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种设有内框架的硅片花篮 |
| JP2020011591A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社アイチコーポレーション | 走行車両 |
| US10580675B2 (en) | 2015-03-24 | 2020-03-03 | Pico & Tera Co., Ltd. | Wafer storage container |
| JP7570264B2 (ja) | 2021-03-26 | 2024-10-21 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262226A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | レ−ザアライメント計測装置 |
| JPH054484U (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | 住友電気工業株式会社 | ウエーハカセツト |
| JPH1131740A (ja) * | 1997-05-14 | 1999-02-02 | Komatsu Ltd | 半導体ウェハ容器 |
| JPH1191864A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-04-06 | Fluoroware Inc | ウェハー搬送モジュール |
| JP2000174109A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 基板収納装置及び基板の収納方法 |
| WO2004049430A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Disco Corporation | 複数枚の半導体ウエーハを収容するためのカセット |
-
2004
- 2004-09-13 JP JP2004265844A patent/JP4509713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262226A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | レ−ザアライメント計測装置 |
| JPH054484U (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | 住友電気工業株式会社 | ウエーハカセツト |
| JPH1131740A (ja) * | 1997-05-14 | 1999-02-02 | Komatsu Ltd | 半導体ウェハ容器 |
| JPH1191864A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-04-06 | Fluoroware Inc | ウェハー搬送モジュール |
| JP2000174109A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | 基板収納装置及び基板の収納方法 |
| WO2004049430A1 (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-10 | Disco Corporation | 複数枚の半導体ウエーハを収容するためのカセット |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206258A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Miraial Kk | ウェハ収納容器 |
| KR100989887B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2010-10-26 | 지이에스(주) | 웨이퍼 잔존가스 제거장치 |
| JP2017504218A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-02-02 | ボムジェ ウ | ヒューム除去装置 |
| KR101554535B1 (ko) | 2014-05-27 | 2015-09-21 | 주식회사 신성테크놀로지 | 매거진 구조체 |
| US10720352B2 (en) | 2015-03-24 | 2020-07-21 | Pico & Tera Co., Ltd. | Wafer storage container |
| US10580675B2 (en) | 2015-03-24 | 2020-03-03 | Pico & Tera Co., Ltd. | Wafer storage container |
| WO2018008879A1 (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-11 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
| US11075100B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-07-27 | Bum Je WOO | Container for storing wafer |
| TWI745393B (zh) * | 2016-07-06 | 2021-11-11 | 南韓商披考安泰拉有限公司 | 晶圓收納容器 |
| US11710651B2 (en) | 2016-07-06 | 2023-07-25 | Bum Je WOO | Container for storing wafer |
| KR101822554B1 (ko) * | 2017-03-22 | 2018-01-26 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
| JP2020011591A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 株式会社アイチコーポレーション | 走行車両 |
| CN110379752A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-10-25 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种设有内框架的硅片花篮 |
| CN110379752B (zh) * | 2019-07-25 | 2024-02-13 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种设有内框架的硅片花篮 |
| JP7570264B2 (ja) | 2021-03-26 | 2024-10-21 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4509713B2 (ja) | 2010-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9159600B2 (en) | Wafer transport apparatus | |
| US7398801B2 (en) | Apparatus and method for processing wafers | |
| JP4509713B2 (ja) | ウエハキャリア | |
| JP2003045933A (ja) | ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法 | |
| US10522379B2 (en) | Substrate transfer apparatus | |
| KR100869865B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP2015531546A (ja) | ヒューム除去装置及び基板処理装置 | |
| JP2013021061A (ja) | ロードポート装置 | |
| TW201331104A (zh) | 晶圓傳送盒 | |
| JP5190279B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| US20150267291A1 (en) | Purge chamber, and substrate-processing apparatus including same | |
| KR100892542B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 | |
| KR20210093911A (ko) | 웨이퍼 스토커 | |
| US10134578B2 (en) | Housing and substrate processing apparatus including the same | |
| JP4920565B2 (ja) | 基板収容容器及び基板処理方法 | |
| JP2016219620A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるｆｏｕｐ | |
| JP2003017553A (ja) | 基板収納容器、基板搬送システム及びガス置換方法 | |
| JP2004119888A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2015167240A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR101530357B1 (ko) | 설비 전방 단부 모듈 | |
| CN110379753B (zh) | 基板传输系统、存储介质以及基板传输方法 | |
| JP5465979B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| TWI854278B (zh) | 轉移晶圓基底的系統、降低相對濕度方法及減少氣流方法 | |
| TW202322257A (zh) | 轉移晶圓基底的系統、降低相對濕度方法及減少氣流方法 | |
| TWI763518B (zh) | 晶圓容器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070815 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090908 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091030 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100428 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4509713 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140514 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |