JP4920565B2 - 基板収容容器及び基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 151
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 87
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 62
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 48
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 26
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 22
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 14
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 13
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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Description
化シリコン(SiF4 )等の揮発性の熱分解ガスとして排気される。
また、基板間にある酸化源が不活性ガスによって円滑に排気されることから、容器内における基板の再酸化を、より確実に低減できる。また、減圧部が基板の酸化源を排気し続けることから、容器中の酸化源の濃度を継続的に、さらに低く抑えることができ、容器内における基板の再酸化を、より確実に防止できる。また、不活性ガスを導入しつつ減圧を行うので、基板間に残留する反応生成物を排気することができる。結果、パーティクルの数量を確実に低減することができる。
請求項2に記載の基板収容容器は、不活性ガス導入容器から基板収容容器へ窒素ガスを導入することから、容器中の酸化源の濃度を継続的に低く抑えることができ、容器内における基板の再酸化を防止できる。また、窒素は不活性ガスの中でアルゴン等の他の不活性ガスよりも廉価で、かつ、基板表面の水素終端化し易いことから、容器内における基板の再酸化を、より低いコストで確実に防止できる。
請求項3に記載の基板収容容器は、前記容器内部の気体を排気する場合に、前記容器の機械的な破損を回避できることから、基板収容容器内の圧力範囲を拡大できる。
請求項5に記載の基板処理方法は、前記基板収容容器から前記処理室への基板の搬送を、ロードロック室を介して行うことを要旨とする。
請求項6に記載の基板処理方法は、請求項4又は5に記載の基板処理方法であって、前記処理室にある前記基板を前記基板収容容器へ収容したのち、前記基板収容容器の前記開口に前記蓋体を取付ける前に、前記基板収容容器の前記開口から不活性ガスを噴きつけながら前記排気孔を通じて前記基板収容容器内を排気することを要旨とする。
図1において、FOUP10は、基板としてのウェハSを収容する容器であって、移載中のウェハSを外気中の異物から保護するための容器である。FOUP10は、一つの方向(以下単に、前方という。)を開放する箱体状に形成された容器本体としてのシェル11と、シェル11の前方を開閉する蓋体12と、シェル11の後方に搭載されるパージ機構13とを有する。シェル11は、シェル11の機械的強度を向上させ、シェル11の内部の圧力範囲を拡張させるため、金属からなる容器であっても良い。
る内部圧力である。
次に、FOUP10に収容されるウェハS上の自然酸化膜を除去する基板処理について以下に説明する。まず、基板処理方法に用いる熱処理システムについて以下に説明する。図3(a)、(b)は、それぞれ熱処理システム20を模式的に示す平面図及び側面図である。
いて、LL室31の内部空間31Sと処理室32の内部空間32Sとが接続される。これにより、LL室31の内部空間31Sと処理室32の内部空間32Sとの間で、ウェハSの搬出入が可能になる。
次に、上記熱処理システムを用いた基板処理方法について以下に説明する。図4は、基板処理方法の各工程を示すフローチャートであり、図5(a)〜(d)は、それぞれ基板処理方法におけるFOUPオープナ22の動作を示す工程図である。
に中間生成物を生成する。ウェハSの表面上の中間生成物は、各ウェハS上の自然酸化膜と反応して、反応生成物、例えばアンモニア錯体を生成する。熱処理システム20は、反応ガスの供給から所定の反応時間を経過すると、反応ガス及びラジカル状態のガスの供給を停止する。熱処理システム20は、各ガスの供給を停止した状態で処理室32の排気し、処理室32の内部から反応ガス、ラジカル状態のガス、反応生成物等を排気する(供給工程:ステップS3)。
ム20は、開閉装置24のドア駆動部24Cを駆動し、ドア24Aに吸引された状態の蓋体12をシェル11の開口に取付ける。
(1)上記実施形態において、FOUP10は、複数のウェハSの各々の処理面Saを平行にして各ウェハSを収容するシェル11と、シェル11の前方に設けられた開口を開閉する蓋体12と、シェル11の後方に搭載されてシェル11の内部へ不活性ガスを導入するパージ機構13とを有する。したがって、FOUP10は、シェル11の内部への不活性ガスの導入によって、シェル11の内部における酸化源の濃度を継続的に低くできる。この結果、FOUP10は、シェル11で待機するウェハSの再酸化を防止できる。
・上記実施形態において、1つのシェル11が1つのパージ機構13を搭載する構成であるが、これに限らず、1つのシェル11が2つ以上のパージ機構13を搭載する構成であっても良く、蓋体12が1つ以上のパージ機構13を搭載する構成であっても良い。この構成によれば、FOUP10が目標圧力の範囲を拡張することができる。
異物の混入を回避できる。
・上記実施形態において、熱処理システム20は、LL室31と処理室32を有する。これに限らず、熱処理システム20は、処理室32のみを有し、FOUPオープナ22から搬送されるウェハSを処理室32へ直接搬入する構成であっても良い。
Claims (6)
- 複数の基板を収容する基板収容容器であって、
前記複数の基板を収容する容器本体と、
前記容器本体の前側に形成された開口を開閉する蓋体と、
前記容器本体の後側に設けられた不活性ガス導入容器と、
前記容器本体は、互いに隣接する前記基板の間となる空間を複数有し、該複数の空間の各々に向けて前記容器本体の後側に形成された複数の導入孔と、
前記容器本体の後側に設けられ、前記容器本体の後側に形成された排気孔を通じて前記容器本体内部を減圧する減圧部とを備え、
前記複数の導入孔の各々は、前記不活性ガス導入容器内の不活性ガスを前記複数の基板の各々の処理面に沿って前記容器本体の内部に導入する
ことを特徴とする基板収容容器。 - 請求項1に記載の基板収容容器であって、
前記不活性ガス導入容器は窒素タンクであることを特徴とする基板収容容器。 - 請求項1又は2に記載の基板収容容器であって、
前記基板収容容器が金属で構成されていることを特徴とする基板収容容器。 - 基板上の薄膜を除去する基板処理方法であって、
基板収容容器の前側に形成された開口を塞ぐ蓋体を開放して前記基板収容容器に収容された複数の基板を処理室へ搬送する工程と、
前記処理室に反応ガスを導入して前記基板上の前記薄膜と前記反応ガスとを反応させることにより反応生成物を生成する工程と、
前記処理室にある前記基板を加熱して前記反応生成物を前記処理室から排気する工程と、
前記処理室にある前記基板を前記基板収容容器へ収容して前記基板収容容器に蓋体を取り付けると共に、前記基板収容容器は、互いに隣接する前記基板の間となる空間を複数有し、前記基板収容容器の後側に装着された不活性ガス導入容器内の不活性ガスを、前記基板収容容器の後側に形成されて前記複数の空間の各々に向く複数の導入孔から、該複数の
空間の各々に向けて前記基板の処理面に沿って導入する工程と、
前記基板収容容器の後側に形成された排気孔を通じて前記基板の処理面に沿って前記基板収容容器の内部にある気体を排気する行程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項4に記載の基板処理方法であって、
前記基板収容容器から前記処理室への基板の搬送を、ロードロック室を介して行うことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項4又は5に記載の基板処理方法であって、
前記処理室にある前記基板を前記基板収容容器へ収容したのち、前記基板収容容器の前記開口に前記蓋体を取付ける前に、前記基板収容容器の前記開口から不活性ガスを噴きつけながら前記排気孔を通じて前記基板収容容器内を排気する
ことを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007313857A JP4920565B2 (ja) | 2007-12-04 | 2007-12-04 | 基板収容容器及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007313857A JP4920565B2 (ja) | 2007-12-04 | 2007-12-04 | 基板収容容器及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009141015A JP2009141015A (ja) | 2009-06-25 |
JP4920565B2 true JP4920565B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=40871378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007313857A Active JP4920565B2 (ja) | 2007-12-04 | 2007-12-04 | 基板収容容器及び基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4920565B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170038846A (ko) * | 2014-07-25 | 2017-04-07 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103155105B (zh) * | 2010-09-28 | 2016-06-22 | 富士电机株式会社 | 半导体器件的制造方法 |
KR101075171B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2011-10-19 | 주식회사 에스엠아이 | 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지 |
KR101637498B1 (ko) | 2015-03-24 | 2016-07-07 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
KR101684431B1 (ko) * | 2016-06-27 | 2016-12-08 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
CN115881596B (zh) * | 2023-03-08 | 2023-05-05 | 四川上特科技有限公司 | 一种晶圆承载框及晶圆分片装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04206547A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 装置間搬送方法 |
JP2003059861A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
JP2007227800A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板保管輸送容器及び基板保管輸送容器パージシステム |
-
2007
- 2007-12-04 JP JP2007313857A patent/JP4920565B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170038846A (ko) * | 2014-07-25 | 2017-04-07 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
KR102397525B1 (ko) | 2014-07-25 | 2022-05-12 | 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 | 기판 수납 용기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009141015A (ja) | 2009-06-25 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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