JP2006073965A - 面発光レーザおよび多波長面発光レーザの製造方法、面発光レーザ、多波長面発光レーザ、および光通信システム - Google Patents
面発光レーザおよび多波長面発光レーザの製造方法、面発光レーザ、多波長面発光レーザ、および光通信システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006073965A JP2006073965A JP2004258964A JP2004258964A JP2006073965A JP 2006073965 A JP2006073965 A JP 2006073965A JP 2004258964 A JP2004258964 A JP 2004258964A JP 2004258964 A JP2004258964 A JP 2004258964A JP 2006073965 A JP2006073965 A JP 2006073965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- surface emitting
- emitting laser
- wavelength
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 12
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 10
- 239000013308 plastic optical fiber Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
- H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18363—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors comprising air layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/1838—Reflector bonded by wafer fusion or by an intermediate compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18397—Plurality of active layers vertically stacked in a cavity for multi-wavelength emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Abstract
【解決手段】 GaAs基板12の下面にはn電極11が形成され、上面には、下部DBR13A,13B、発光層14A,14Bを順次形成して下部構造体17が作製される。この下部構造体17に、発光層14A,14Bにおける発光波長に応じて厚さの異なるスペーサ15A,15Bと上部DBR16A,16Bによる上部構造体18A,18Bが接合されることにより、多波長面発光レーザ1が構成される。スペーサ15A,15Bの厚みを異ならせることにより、異なる2つの発光波長を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
IEEE Photonics Letters Vol.7、p10
前記多波長面発光レーザから出射された前記複数のレーザ光を伝送する光伝送路とを備えたことを特徴とする光通信システムを提供する。
(多波長面発光レーザの構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る多波長面発光レーザの構成を示す。本実施の形態による多波長面発光レーザ1は、GaAs基板12と、GaAs基板12上に所定間隔に形成された2つの第1のDBR層としての下部DBR層13A,13Bと、下部DBR層13A,13Bのそれぞれの上面に形成されたMQWによる発光層14A,14Bと、発光層14A,14Bのそれぞれの上面に形成された厚さの異なる環状のスペーサ15A,15Bと、スペーサ15A,15Bのそれぞれの上面に形成された第2のDBR層としての上部DBR層16A,16Bと、GaAs基板12の下面に形成されたn電極11と、上部DBR層16A,16B上にそれぞれ形成された開口19aを有するp電極19A,19Bとを備える。
次に、第1の実施の形態に係る多波長面発光レーザの製造方法を図面を参照して説明する。図2は、第1の実施の形態に係る多波長面発光レーザの全体の製造工程を示す。なお、図2中のSは、ステップを表している。図3は、下部構造体を示す。図4(a)〜(b)は、上部構造体18Aの製造工程を示し、図4(d)は、上部構造体18Bの最終工程を示す。図5(a)〜(c)は、下部構造体17に上部構造体18Aを接合する工程を示す。図6(a)〜(c)は、下部構造体17に上部構造体18Bを接合する工程を示す。
まず、図2に示すように図1に示した下部構造体17を予め作製する(S101)。すなわち、GaAs基板12上に下部DBR層を形成し、下部DBR層上にMQWにより発光層を形成した後、図3に示すように、エッチングによりGaAs基板12上の2つの下部DBR層13A,13Bおよび発光層14A,14B間に距離Rを設け、GaAs基板12の裏面にn電極11を形成する。下部DBR層13A,13Bの距離Rは、完成後の多波長面発光レーザ1に対向配置される合波器等の光デバイスの受光部の間隔に合わせた設定にする。なお、発光層14A,14Bの上部に、保護を目的とした層を設けておいてもよい。
次に、図2に示すように上部構造体18A,18Bを作製する(S102)。まず、上部構造体18Aについて説明する。すなわち、図4(a)に示すように、SiO2による基板41上にCuによる犠牲層42Aを形成し、この犠牲層42A上に上部DBR層16Aを形成し、さらに、上部DBR層16A上にAlによる所定の厚みのスペーサ層43Aを形成する。次に、図4(b)に示すように、スペーサ層43Aをフォトリソグラフィにより、中央部に円形等の中空部44Aを有した円環状のスペーサ15Aを形成する。次に、図4(c)に示すように、上部DBR層16Aをスペーサ15Aの外形に沿って除去する。
次に、図2に示すように、下部構造体17上に所定の間隔をもって所定の位置に上部構造体18A,18Bを順番に接合する(S103)。すなわち、まず、図5(a)のように、図4で作製した上部構造体18Aを、スペーサ15Aが下側になるようにして下部構造体17の発光層14A上に位置決めする。次に、図5(b)に示すように、スペーサ15Aを発光層14Aの出射光位置に正確に合わせた後、両方の接合表面にArビームを照射して接合面を清浄化し、基板41Aを押圧して上部構造体18Aを下部構造体17に圧接し、発光層14Aに上部構造体18Aを接合する。次に、上部構造体18AをCuのエッチング液に浸漬し、犠牲層42Aのエッチングを行い、図5(c)に示すように、基板41Aを分離する。
この第1の実施の形態によれば、以下の効果が得られる。
(イ)下部構造体17と上部構造体18A,18Bを別々に作製した後、下部構造体17上に上部構造体18A,18Bを順次接合するようにしたことにより、発光波長を再現性よくコントロールすることができ、優れた量産性が得られる。
(ロ)スペーサ15A,15Bの厚みを変えることで隣接するレーザ発振スポット間で波長を変化させることができるので、簡単にVCSELの多波長化が可能になる。
(ハ)下部構造体17と上部構造体18A,18Bとを接合する際、圧接と加熱を行うことにより、低抵抗化と圧接強度の向上を図ることができる。
(ニ)スペーサ15A,15Bに中空部44A,44Bを設けたことにより、接合時の荷重が発光層14A,14Bの中央部に加わるのを防止でき、発光層14A,14Bのクラック等の発生を防止することができる。
(ホ)1枚の基板12上に、下部構造体17と上部構造体18A,18Bとによる複数のレーザ素子を異なる波長により集積化できるため、多波長化してPOFに導入することが可能になり、通信容量を大幅に拡大することができる。例えば、100μmほどの直径内に10個程度のレーザ素子を収容できるため、POF等のコア径の大きなマルチモードファイバとのカップリングを容易に行うことができる。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る多波長面発光レーザの構成を示す。この第2の実施の形態は、第1の実施の形態において、発光層14A,14B上に中間DBR層50A,50Bを設けたものであり、他の構成および製造工程は第1の実施の形態と同様である。この第2の実施の形態の下部構造体17は、GaAs基板12、下部DBR層13A,13B、発光層14A,14Bおよび中間DBR層50A,50Bから構成される。
図8(a)、(b)は、本発明の第3の実施の形態に係る多波長面発光レーザの製造工程を示す。本実施の形態は、第1の実施の形態において、スペーサ15A,15Bを除去するとともに、発光波長に応じて上部DBR層16A,16Bの層枚数を異ならせたものである。他の構成は、第1の実施の形態と同様である。なお、図8では、上部構造体18A,18Bを一緒に図示しているが、接合処理は別々に行われる。
図9は、本発明の第4の実施の形態に係る光通信システムを示す。この光通信システムは、第1実施の形態に示した多波長面発光レーザ1を用いたものであり、多波長面発光レーザ1は、下部構造体17と上部構造体18Aとによるレーザ素子61と、下部構造体17と上部構造体18Bとによるレーザ素子62とを備えており、レーザ素子61,62は、波長λ1,λ2のレーザ光を発生する。
多波長面発光レーザ1のレーザ素子61,62が、電気信号に応じて図示しない変調器により変調されると、その変調による波長λ1,λ2のレーザ光は、合波器63において多重化され、光ファイバ64に送り出される。分波器65に到達した光信号は、波長λ1とλ2のレーザ光に分離され、それぞれ光検出器66,67に入光される。光検出器66,67では、光信号を電気信号に変換して出力する。
なお、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲内で種々に変形実施できる。例えば、各実施の形態間で構成要素を任意に組み合わせることができる。
11 n電極
12 GaAs基板
13A,13B 下部DBR層
14A,14B 発光層
15A,15B スペーサ
16A,16B 上部DBR層
17 下部構造体
18A,18B 上部構造体
19A,19B p電極
19a 開口
41A,41B 基板
42A,42B 犠牲層
43A,43B スペーサ層
44A,44B 中空部
50A,50B 中間DBR層
61,62 レーザ素子
63 合波器
64 光ファイバ
65 分波器
66,67 光検出器
Claims (19)
- 基板上に複数の層を積層して形成された面発光レーザの製造方法において、
前記複数の層のうちいずれかの層間を、常温接合あるいは加熱を伴う接合により結合することを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 第1の基板上にDBR層を形成し、前記DBR層上に発光層を形成する第1の工程と、
第2の基板上に波長選択層を形成する第2の工程と、
前記第1および第2の基板同士を押圧して前記発光層と前記波長選択層とを接合する第3の工程と、
前記第1および第2の基板同士を離隔して前記波長選択層を前記第2の基板側から前記第1の基板側に転写する第4の工程とを含むことを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 基板上に複数の層を積層して形成され、波長の異なる複数のレーザ光を出射する多波長面発光レーザの製造方法において、
前記複数の層のうちいずれかの層間を、常温接合あるいは加熱を伴う接合により結合することを特徴とする多波長面発光レーザの製造方法。 - 第1の基板上に複数の第1のDBR層を形成し、前記複数の第1のDBR層上に複数の発光層を形成する第1の工程と、
第2の基板上に前記複数の発光層における発光波長が異なる複数の波長選択層を形成する第2の工程と、
前記第1および第2の基板同士を押圧して前記複数の発光層と前記複数の波長選択層とを接合する第3の工程と、
前記第1および第2の基板同士を離隔して前記複数の波長選択層を前記第2の基板側から前記第1の基板側に転写する第4の工程とを含むことを特徴とする多波長面発光レーザの製造方法。 - 前記第2の工程は、前記第2の基板上に前記発光波長に対応した層構造を有する複数の第2のDBR層を形成することにより、前記複数の波長選択層を形成し、
前記第3の工程は、前記複数の発光層と前記複数の第2のDBR層とを接合することを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。 - 前記第2の工程は、前記第2の基板上に層構造が同一の複数の第2のDBR層を形成し、前記複数の第2のDBR上に前記発光波長に対応した厚さを有する複数のスペーサを形成することにより、前記複数の波長選択層を形成し、
前記第3の工程は、前記複数の発光層と前記複数のスペーサとを接合することを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。 - 前記第1の工程は、前記複数の発光層上に複数の金属薄膜を形成し、
前記複数のスペーサは、金属からなり、
前記第3の工程は、前記複数の金属薄膜と前記複数のスペーサとを接合することを特徴とする請求項6に記載の多波長面発光レーザの製造方法。 - 前記第1の工程は、前記複数の発光層上に複数の金属薄膜を形成し、
前記第2の工程は、前記複数の波長選択層上に複数の金属薄膜を形成し、
前記第3の工程は、前記第1および第2の工程で形成された前記複数の金属薄膜同士を接合することを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。 - 前記第3の工程は、常温で加圧して前記接合を行うことを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。
- 前記第3の工程は、加圧および加熱により前記接合を行うことを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。
- 前記第1の工程は、前複数の発光層上に複数の中間DBR層を形成し、
前記第3の工程は、前記複数の中間DBR層と前記複数の波長選択層とを接合することを特徴とする請求項4に記載の多波長面発光レーザの製造方法。 - 基板上に複数の層を積層して形成された面発光レーザにおいて、
前記複数の層のうちいずれかの層間は、常温接合あるいは加熱を伴う接合により結合されたことを特徴とする面発光レーザ。 - 基板上に複数の層を積層して形成され、波長の異なる複数のレーザ光を出射する多波長面発光レーザにおいて、
前記複数の層のうちいずれかの層間は、常温接合あるいは加熱を伴う接合により結合されたことを特徴とする多波長面発光レーザ。 - 基板と、
前記基板上に所定の間隔で形成された複数の第1のDBR層と、
前記複数の第1のDBR上に形成された複数の発光層と、
前記複数の発光層上に形成され、前記複数の発光層における発光波長に対応した厚さを有する環状の複数のスペーサと、
前記複数のスペーサ上に形成された複数の第2のDBR層とを備えたことを特徴とする多波長面発光レーザ。 - 前記複数のスペーサは、金属からなることを特徴とする請求項14に記載の多波長面発光レーザ。
- 前記複数のスペーサは、金属からなり、
前記複数の発光層と前記複数のスペーサとは、常温接合により結合されたことを特徴とする請求項14に記載の多波長面発光レーザ。 - 前記複数の発光層上に複数の金属薄膜が形成され、
前記複数のスペーサは、金属からなることを特徴とする請求項14に記載の多波長面発光レーザ。 - 前記複数の発光層上に複数の金属薄膜が形成され、
前記複数のスペーサは、金属からなり、
前記複数の金属薄膜と前記複数のスペーサとは、常温接合により結合されたことを特徴とする請求項14に記載の多波長面発光レーザ。 - 基板上に複数の層を積層して形成され、波長の異なる複数のレーザ光を出射する多波長面発光レーザであって、前記複数の層のうちいずれかの層間は、常温接合あるいは加熱を伴う接合により結合された多波長面発光レーザと、
前記多波長面発光レーザから出射された前記複数のレーザ光を伝送する光伝送路とを備えたことを特徴とする光通信システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004258964A JP4710282B2 (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | 多波長面発光レーザの製造方法 |
US11/128,236 US7381581B2 (en) | 2004-09-06 | 2005-05-13 | Method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser and multiple wavelength surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser, multiple wavelength surface emitting laser, and optical communication system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004258964A JP4710282B2 (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | 多波長面発光レーザの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006073965A true JP2006073965A (ja) | 2006-03-16 |
JP4710282B2 JP4710282B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=35996153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004258964A Expired - Fee Related JP4710282B2 (ja) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | 多波長面発光レーザの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7381581B2 (ja) |
JP (1) | JP4710282B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012019157A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光インターコネクションシステム |
US8509277B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-08-13 | Fujitsu Limited | Optical device |
JP2021511662A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-06 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | レーザ用途のための多孔性分散ブラッグ反射器 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006313875A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
US20070041416A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-02-22 | Koelle Bernhard U | Tunable long-wavelength VCSEL system |
US8148733B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-04-03 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current guiding structure |
US8546818B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-10-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current-guiding structure |
US7759670B2 (en) * | 2007-06-12 | 2010-07-20 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current guiding structure |
RU2010152355A (ru) | 2008-05-22 | 2012-06-27 | Коннектор Оптикс (Ru) | Способ для прикрепления оптических компонентов на интегральные схемы на основе кремния |
JP2011061138A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法 |
WO2012015153A2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having distributed bragg reflector |
US10868407B2 (en) * | 2015-06-04 | 2020-12-15 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Monolithic WDM VCSELS with spatially varying gain peak and fabry perot wavelength |
JP6786798B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2020-11-18 | 株式会社リコー | 光学センサ、光学検査装置、及び光学特性検出方法 |
DE102018130560A1 (de) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer brechungsindexmodulationsschicht und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements |
US11721952B2 (en) * | 2020-03-24 | 2023-08-08 | Mellanox Technologies, Ltd. | Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) device and method of making the same |
US11769989B2 (en) | 2021-02-24 | 2023-09-26 | Mellanox Technologies, Ltd. | Long wavelength VCSEL and integrated VCSEL systems on silicon substrates |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10233559A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Canon Inc | 半導体レーザ装置、その作製方法およびそれを用いた光通信方式 |
JPH11220207A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2000208868A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光半導体レ―ザおよびその製造方法 |
JP2001160654A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子、レーザアレイ、および光学素子の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277696B1 (en) * | 1995-06-27 | 2001-08-21 | Hewlett-Packard Company | Surface emitting laser using two wafer bonded mirrors |
US6324192B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-11-27 | Coretek, Inc. | Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same |
JP2806333B2 (ja) | 1995-11-09 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 面発光デバイスおよびその製造方法 |
JP3161362B2 (ja) | 1997-05-01 | 2001-04-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 微小構造体、その製造方法、その製造装置、基板および成形型 |
US6744805B2 (en) * | 2000-04-05 | 2004-06-01 | Nortel Networks Limited | Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers |
US6546029B2 (en) * | 2001-03-15 | 2003-04-08 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Micro-electromechanically tunable vertical cavity photonic device and a method of fabrication thereof |
US6542531B2 (en) * | 2001-03-15 | 2003-04-01 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof |
US20020150130A1 (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-17 | Coldren Larry A. | Tunable VCSEL assembly |
TWI227585B (en) * | 2002-12-13 | 2005-02-01 | Ind Tech Res Inst | Resonant cavity component array applicable on wavelength division multiplexing (WDM) and method for producing the same |
US6962835B2 (en) * | 2003-02-07 | 2005-11-08 | Ziptronix, Inc. | Method for room temperature metal direct bonding |
-
2004
- 2004-09-06 JP JP2004258964A patent/JP4710282B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-13 US US11/128,236 patent/US7381581B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10233559A (ja) * | 1997-02-20 | 1998-09-02 | Canon Inc | 半導体レーザ装置、その作製方法およびそれを用いた光通信方式 |
JPH11220207A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2000208868A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光半導体レ―ザおよびその製造方法 |
JP2001160654A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子、レーザアレイ、および光学素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8509277B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-08-13 | Fujitsu Limited | Optical device |
JP2012019157A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光インターコネクションシステム |
JP2021511662A (ja) * | 2018-01-18 | 2021-05-06 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | レーザ用途のための多孔性分散ブラッグ反射器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060050755A1 (en) | 2006-03-09 |
US7381581B2 (en) | 2008-06-03 |
JP4710282B2 (ja) | 2011-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7381581B2 (en) | Method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser and multiple wavelength surface emitting laser, vertical cavity surface emitting laser, multiple wavelength surface emitting laser, and optical communication system | |
US9419412B2 (en) | Integrated laser and method of fabrication thereof | |
US6574398B2 (en) | Direct-coupled multimode WDM optical data links with monolithically-integrated multiple-channel VCSEL and photodetector arrays | |
JP5897414B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
EP2539979B1 (en) | Laser light coupling into SOI CMOS photonic integrated circuit | |
TWI276273B (en) | Surface light emitting semiconductor laser element | |
CN106537201B (zh) | 半导体光集成元件及其制造方法 | |
JP2003014963A (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール | |
JP2017085007A (ja) | 半導体光素子、アレイ半導体光素子、及び光モジュール | |
JP6247944B2 (ja) | 水平共振器面出射型レーザ素子 | |
JP3689621B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
Duan et al. | Integrated hybrid III–V/Si laser and transmitter | |
JP2007214430A (ja) | マルチモード光通信システムおよび多波長面発光素子 | |
JP5713378B2 (ja) | 導波路型光フィルター及び半導体レーザー | |
JP5718007B2 (ja) | 半導体光導波路素子の製造方法 | |
JP2000058958A (ja) | 多波長面発光半導体レーザアレイ | |
JP2006269664A (ja) | 発光デバイス、光通信システム、および発光デバイスの製造方法 | |
JP4825150B2 (ja) | 光半導体集積素子及びその製造方法 | |
JP2005259951A (ja) | 面発光レーザとその製造方法、および、光通信システム | |
JP2019004093A (ja) | 半導体光集積装置 | |
EP3407122B1 (en) | Method for manufacturing an electro-absorption modulator | |
JP2002141603A (ja) | 半導体レーザ装置および半導体レーザアレイおよび半導体レーザ装置の製造方法および送信モジュールおよびローカルエリアネットワークシステムおよび光データリンクシステムおよび光インターコネクションシステム | |
JP2004063972A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
CN113812049A (zh) | 一种用于光子集成电路的分布式反馈激光器装置及其改进和制造方法 | |
WO2005060058A1 (ja) | 半導体レーザーおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100720 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110307 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |