JPH11220207A - 多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発振波長を異にする複数の半導体レーザを備
えた長波長帯の面発光半導体レーザ装置を簡易にして低
コストに、しかも波長制御性良く製造し得る多波長面発
光半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ｎ型の第１の半導体基板上に形成した多
層膜反射鏡上に複数の波長チューニング層を形成し[第
１の工程]、一方、ｎ型の第２の半導体基板上に多層反
射鏡を形成する[第２の工程]。更に格子定数の異なるｎ
型の第３の半導体基板上に上側クラッド層、活性層、お
よび下側クラッド層を順に積層形成する[第３の工程]。
そして波長チューニング層上に下側クラッド層を直接接
着し[第４の工程]た後、第３の半導体基板を除去し、上
側クラッド層上に第２の多層膜反射鏡を直接接着し[第
５の工程]、第２の半導体基板を除去する[第６の工
程]。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発振波長の異なる面
発光半導体レーザ装置を波長制御性良く簡易に、しかも
低コストに製作することのできる多波長面発光半導体レ
ーザ装置の製造方法に関する。

【０００２】

【関連する背景技術】近時、半導体レーザ装置の開発が
盛んに進められている。中でも面発光半導体レーザ装置
は２次元アレイ化が容易であり、光インターコネクショ
ンへの応用が期待されている。また面発光半導体レーザ
装置を多波長化することで、光通信におけるＷＤＭ（波
長多重分離）システムへの応用も期待されている。

【０００３】ところで発振波長が１.３〜１.５５μｍの
長波長帯の面発光半導体レーザは、例えば一対のクラッ
ド層間に挟まれた活性層からなる領域の両面に異種基板
直接接着法を用いて一対の多層膜反射鏡を直接接着して
製作される。この面発光半導体レーザの従来一般的な製
造方法について図３および図４を参照して説明すると、
例えば図３(ａ)に示すように、先ずＩnＰ基板１上にＭ
ＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いてＧaＩnＡsエ
ッチング停止層２、ｐ-Ｉnクラッド層３、ＳＣＨ-ＭＱ
Ｗ活性層４、そしてｎ-ＩnＰクラッド層５を順に結晶成
長させて半導体レーザの発光領域を形成する。

【０００４】一方、図３(ｂ)に示すようにｎ-ＧaＡs基
板６上に、厚みλ／４ｎのｎ-ＧaＡs層とｎ-ＡlＡs層と
を交互に２７対積層して半導体多層膜からなるｎ-ＤＢ
Ｒ（分布反射型）ミラー層７を、例えばＭＢＥ（分子線
エピタキシー）法を用いて形成する。更に図３(ｃ)に示
すように別のＧaＡs基板８上に、ＭＥＢ法を用いてＡl
Ａsエッチング停止層９、ｐ-ＧaＡsコンタクト層１０、
そして厚みλ／４ｎのｎ-ＧaＡs層とｎ-ＡlＡs層とを交
互に２７対積層した半導体多層膜からなるｐ-ＤＢＲミ
ラー層１１を順に形成する。

【０００５】しかる後、前記ＩnＰ基板１上に形成した
前記ｎ-ＩnＰクラッド層５、および前記ｎ-ＧaＡs基板
６上に形成したｎ-ＤＢＲミラー層７の各表面をそれぞ
れフッ酸を用いて処理した後、図３(ｄ)に示すようにこ
れらの各表面をその劈開面を合わせて室温大気中で密着
させ、水素雰囲気中で６００℃程度に加熱することで両
基板を直接接着する。次いで前記ＩnＰ基板１を塩酸を
用いて除去し、更に硫酸系のエッチング液を用いて前記
ＧaＩnＡsエッチング停止層２を除去する。

【０００６】その後、上記エッチングによって露出した
ｐ-ＩnＰクラッド層３の表面をフッ酸を用いて処理する
と共に、前記ＧaＡs基板８上に形成したｐ-ＤＢＲミラ
ー層１１の表面をフッ酸を用いて処理し、これらの各表
面をその劈開面を合わせて室温大気中で密着させ、水素
雰囲気中で６００℃程度に再度加熱することで両基板を
直接接着する。そしてこの直接接着を行った後、前記Ｇ
aＡs基板８を、アンモニアと過酸化水素水との混合液を
用いて除去し、更に前記ＡlＡsエッチング停止層９をフ
ッ酸を用いてエッチング除去する。

【０００７】次いで図４(ａ)に示すように前記エッチン
グによって露出したｐ-ＧaＡsコンタクト層１０上に、
フォトリソグラフィーおよびリフトオフの手法を用いて
直径１０μｍ程度のｐ側電極１２を蒸着形成する。この
ｐ側電極１２は、例えばＴi／Ｐt／Aｕ／Ｎiの多層膜か
らなる。しかる後、上記円形状のｐ側電極１２をマスク
として、特にそのＮi層をマスクとして塩素系のＲＩＢ
Ｅ（反応性イオンビームエッチング）により、前記ｐ-
ＧaＡsコンタクト層１０とｐ-ＤＢＲミラー層１１とを
選択的にエッチングし、円柱状のメサを形成する。

【０００８】そして図４(ｂ)に示すようにメサの表面
に、例えばＳiＮからなる絶縁膜１３を形成し、前記メ
サの上面（メサトップ）に電流注入の為の窓を開ける。
更に前記ｎ-ＧaＡs基板６を、例えば厚み１００μｍ程
度に研磨した後、その裏面側にリング状のｎ側電極１４
を形成することで、該ｎ-ＧaＡs基板６の裏面側を光射
出面とする面発光半導体レーザ装置が完成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このようにして製作さ
れる長波長帯の面発光半導体レーザ装置によれば、２回
の異種基板接着により活性層の上下に設けられた一対の
ＧaＡs／ＡlＡsからなる多層膜反射鏡（ＤＢＲミラー）
を備えることで、該ミラーでの損失を押さえて高温での
安定した連続動作が期待できる。

【００１０】ところでこの種の面発光半導体レーザ装置
を前述した光通信におけるＷＤＭシステムに応用する場
合、多波長化を図ることが不可欠である。即ち、発振波
長を異にする複数の面発光半導体レーザを同一基板上に
実現してアレイ構造化することが重要である。しかしな
がら複数の面発光半導体レーザの発振波長を異ならせる
には、例えば一対のミラー間によって形成される共振器
長を変化させる等の工夫が必要であり、上述した異種基
板接着法を用いて一対のミラーを形成するに際して如何
にしてその共振器長を変えて多波長の面発光半導体レー
ザアレイを実現するかと言う点で問題がある。

【００１１】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、発振波長を異にする複数の半導
体レーザを備えた多波長面発光半導体レーザ装置、特に
長波長帯の面発光半導体レーザ装置を簡易にして低コス
トに、しかも波長制御性良く製造することのできる多波
長面発光半導体レーザ装置の製造方法を提供することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る多波長面発光半導体レーザ装置の製造
方法は、活性層の上下に異種基板接着法を用いて一対の
ミラーを形成して長波長帯の面発光半導体レーザを実現
するものであって、第１導電性の第１の半導体基板上に
該半導体基板と格子整合した第１導電性の第１の多層膜
反射鏡を形成した後、該多層膜反射鏡上に領域を異なら
せて厚さの異なる複数の波長チューニング層を形成し
（第１の工程）、一方、前記第１の半導体基板と同じ格
子定数を有する第２の半導体基板上に前記第１の半導体
基板とは導電性を異にする第２導電性の第２の多層反射
鏡を形成すると共に（第２の工程）、更に前記第１の半
導体基板とは格子定数を異にする第３の半導体基板上に
上側クラッド層、活性層、および下側クラッド層を順に
積層形成する（第３の工程）。

【００１３】次いで前記第１の工程で形成された波長チ
ューニング層上に前記第３の工程で積層形成された下側
クラッド層を直接接着し（第４の工程）、その後、前記
波長チューニング層上に直接接着された下側クラッド層
の基体をなす前記第３の半導体基板を除去した後、この
第３の半導体基板の除去によって露出した前記上側クラ
ッド層上に前記第２の工程で得られた第２の多層膜反射
鏡を直接接着する（第５の工程）。しかる後、前記第２
の多層膜反射鏡の基体をなす前記第２の半導体基板を除
去することで（第６の工程）、活性層の上下のいずれか
一方に厚みの異なる波長チューニング層を介して一対の
多層膜反射鏡を設けた素子構造の多波長面発光半導体レ
ーザ装置を製作することを特徴としてしている。

【００１４】特に本発明では請求項２に記載するよう
に、前記第１の工程における複数の波長チューニング層
を、例えば第１の多層膜反射鏡上に領域を異ならせてマ
スク幅の異なる領域選択成長用の複数のマスクを設け、
これらのマスクを用いて膜厚の異なる複数の波長チュー
ニング層をそれぞれ選択成長させることで一括形成する
ことをを特徴としている。特に請求項３に記載するよう
に前記複数のマスクを、開口内径が等しく、且つ外径の
異なる円環状の複数のマスクとして所定の距離を隔てて
それぞれ形成することを特徴としている。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態に係る多波長面発光半導体レーザ装置の製造方
法について説明する。図１および図２は本発明に係る多
波長面発光半導体レーザ装置の製造方法を、その概略的
な工程手順に従って分解して示している。即ち、面発光
半導体レーザ装置の製作は、先ず第１の工程として、図
１(ａ)に示すように第１導電性、例えばｎ型の第１の半
導体基板であるｎ-ＧaＡs基板２１上に、厚みλ／４ｎ
のｎ-ＧaＡs層とｎ-ＡlＡs層とを交互に２７対積層した
半導体多層膜からなるｎ-ＤＢＲミラー層（第１の層膜
反射鏡）２２を、例えばＭＢＥ法を用いて前記ｎ-ＧaＡ
s基板２１と格子整合させて形成する。

【００１６】次いでこのｎ-ＤＢＲミラー層２２上に、
厚み３２.５ｎｍのＳiＯ₂膜からなる複数（例えば８
個）の円環状のマスク２３を互いに所定の間隔を隔てて
形成する。これらの各マスク２３は、その開口径（直
径）Ｗｇを、例えば１０μｍ一定とし、そのマスク幅Ｗ
ｘがそれぞれ１０,１５,２０,２５,３０,３５,４０,４
５μｍとなるように設定する。つまり円形の開口形状が
等しく、その周囲のマスク幅が異なる複数（８個）のマ
スク２３（２３ａ,２３ｂ,〜２３ｎ）を、後述する選択
成長において互いに影響が及ぶことのない距離を隔てて
それぞれ形成する。

【００１７】しかる後、これらのマスク２３を用いて、
例えばＭＯＣＶＤ法により前記ｎ-ＤＢＲミラー層２２
上にＩnＧaＰ波長チューニング層２４を選択成長させ
る。このとき前記各マスク２３の開口部にそれぞれ選択
成長するＩnＧaＰ波長チューニング層２４の膜厚は前記
各マスク２３の幅Ｗｘによって変化し、マスク幅Ｗｘが
広いことで該マスク領域から開口部に流れ込むＩn成分
とＧa成分、特にＩn成分が多い程、上記各開口部に結晶
成長するＩnＧaＰ波長チューニング層２４の膜厚が厚く
なる。このような膜厚の変化は前記各マスク２３の幅Ｗ
ｘの設定と、ＭＯＣＶＤ法によるＩnＧaＰの結晶成長速
度の調整により高精度に制御される。

【００１８】一方、第２の工程として図１(ｂ)に示すよ
うに前記第１の半導体基板と同じ格子定数を有する第２
の半導体基板としての別のＧaＡs基板２５上に、例えば
ＭＢＥ法を用いてＡlＡsエッチング停止層２６を結晶成
長させ、更にその上に前記第１の半導体基板（ｎ-ＧaＡ
s基板）２１とは導電性を異ならせてｐ-ＧaＡsコンタク
ト層２７、そして厚みλ／４ｎのｎ-ＧaＡs層とｎ-Ａl
Ａs層とを交互に２７対積層した半導体多層膜からなる
ｐ-ＤＢＲミラー層（第２の多層膜反射鏡）２８を順に
形成する。

【００１９】更には第３の工程として図１(ｃ)に示すよ
うに、前記第１の半導体基板（ｎ-ＧaＡs基板）２１と
は格子定数を異にする第３の半導体基板、例えばＩnＰ
基板２９上にＭＯＣＶＤ法を用いてＧaＩnＡsエッチン
グ停止層３０、ｐ-Ｉnクラッド層３１、ＳＣＨ-ＭＱＷ
活性層３２、そしてｎ-ＩnＰクラッド層３３を順に結晶
成長させて半導体レーザの領域を形成する。尚、上述し
た第１〜第３の工程については、どの工程から処理を進
めても良く、或いは並列的に処理するようにしても良
い。

【００２０】以上のようにして第１乃至第３の半導体基
板（ｎ-ＧaＡs基板２１，ＧaＡs基板２５，ＩnＰ基板２
９）上にそれぞれ複数層からなる半導体膜を形成したな
らば、次に第４の工程として図１(ｃ)に示すように前記
第１の工程で形成された波長チューニング層２４上に前
記第３の工程で積層形成された下側クラッド層３３を直
接接着する。この異種基板間の直接接着は、前記ＩnＰ
基板２９上に形成した前記ｎ-ＩnＰクラッド層３３、お
よび前記ｎ-ＧaＡs基板２１上に形成したｎ-ＤＢＲミラ
ー層２２上のＳiＯ₂膜からなる前記マスク２３の各表面
をそれぞれ有機溶剤（例えばアセトン）を用いて処理し
た後、これらの各表面をその劈開面を合わせて室温大気
中で密着させ、水素雰囲気中で６００〜６５０℃程度に
加熱することによって行われる。

【００２１】しかる後、上記ｎ-ＩnＰクラッド層３３を
含む半導体レーザの発光領域を形成する上での基体とし
て用いられた前記ＩnＰ基板２９を塩酸を用いて除去
し、更に硫酸系のエッチング液を用いて前記ＧaＩnＡs
エッチング停止層３０を除去する。その後、図１(ｅ)に
示すように第５の工程として、上記の如くエッチングに
よって露出したｐ-ＩnＰクラッド層３１の表面をフッ酸
を用いて処理すると共に、前述した第２の工程により前
記ＧaＡs基板２５上に形成したｐ-ＤＢＲミラー層２８
の表面をフッ酸を用いて処理する。そしてこれらの各表
面をその劈開面を合わせて室温大気中で密着させ、水素
雰囲気中で６００℃程度に再度加熱することで両基板を
直接接着する。しかる後、前記ＧaＡs基板２５を、アン
モニアと過酸化水素水との混合液を用いて除去し、更に
前記ＡlＡsエッチング停止層２６をフッ酸を用いてエッ
チング除去する。

【００２２】次いで第６の工程として、図２に示すよう
に前記エッチングによって露出したｐ-ＧaＡsコンタク
ト層２７上に、フォトリソグラフィーおよびリフトオフ
の手法を用いて直径１０μｍ程度のｐ側電極３４を蒸着
形成する。このｐ側電極３４は、例えばＴi／Ｐt／Aｕ
／Ｎiの多層膜からなり、前記ＩnＧaＰ波長チューニン
グ層２４にそれぞれ対向するように設けられる。しかる
後、上記円形状のｐ側電極３４をマスクとして、特にそ
のＮi層をマスクとして塩素系のＲＩＢＥ（反応性イオ
ンビームエッチング）により、前記ｐ-ＧaＡsコンタク
ト層２７とｐ-ＤＢＲミラー層２８、ｐ-ＩnＰクラッド
層３１、および活性層３２を選択的にエッチングし、前
記各ＩnＧaＰ波長チューニング層２４上に位置して直径
１０μｍの円柱状のエアポストをメサ形成する。

【００２３】その後、上記各エアポストの表面および該
エアポストの形成によって露出したｎ-ＩnＰクラッド層
３３に、例えばＳiＯ₂からなる絶縁膜３５を形成し、前
記メサの上面（メサトップ）に電流注入の為の窓を開け
る。更にリフトオフ法を用いて前記各エアポストの周囲
のエッチングにより露出させたｎ-Ｉnクラッド層３３の
上面にｎ電極３６をそれぞれ円環状に形成する。その
後、前記ｎ-ＧaＡs基板２１を、例えば厚み１００μｍ
程度に研磨して、その裏面側を光射出面とする面発光半
導体レーザ装置を完成させる。

【００２４】かくして上述したようにして製造される多
波長面発光半導体レーザ装置によれば、複数の円柱状の
エアポストとして実現される各半導体レーザにおける各
ＩnＧaＰ波長チューニング層２４の厚みをそれぞれ異な
らせることで、該ＩnＧaＰ波長チューニング層２４と前
記ｎ-ＩnＰクラッド層３３との間のエアギャップの厚み
を変化させることができる。そしてＩnＧaＰ波長チュー
ニング層２４とエアギャップとにおける位相の変化を利
用して前記ＤＢＲミラー層２２,２８間の共振器長、ひ
いてはその発振波長を効果的に異ならせることができ
る。しかもＩnＧaＰ波長チューニング層２４を結晶成長
させる上での前記各マスク２３の幅Ｗｘを予め異ならせ
ることで、１回の選択気相成長だけにより各ＩnＧaＰ波
長チューニング層２４の膜厚を、高精度に膜厚制御しな
がらそれぞれ異ならせることができる。

【００２５】例えば共振器長を発振波長程度、具体的に
は波長λ（＝１３００ｎｍ）に対する共振器長を４１０
ｎｍ程度（ｎ＝３.１７）とし、ＤＢＲミラー層２２,２
８の波長を１２９６ｎｍに合わせた場合、ＩnＧaＰ波長
チューニング層２４の厚みを４.１ｎｍとすることでそ
の発振波長λ1を１３００ｎｍ、またＩnＧaＰ波長チュ
ーニング層２４の厚みを１０.１ｎｍとすることでその
発振波長λ2を１３０６ｎｍとすることができる。ちな
みに前述したようにマスク幅Ｗｘをそれぞれ１０,１５,
２０,２５,３０,３５,４０,４５μｍとし、開口径（直
径）Ｗｇを１０μｍとした８個のマスク２３（２３a,２
３b,〜２３n）を用いて厚みの異なるＩnＧaＰチューニ
ング層１７を形成した上記素子構造の多波長面発光半導
体レーザ装置の場合、発振波長が１２９６,１２９８,１
３００,１３０２,１３０４,１３０６,１３０８,１３１
０ｎｍなるレーザ光を、２ｎｍ間隔でそれぞれ安定に得
ることができた。

【００２６】かくして上述した如く工程に従って多波長
面発光半導体レーザ装置を製作する本製造方法によれ
ば、ｎ-ＧaＡs／ｎ-ＡlＡsからなるｎ-ＤＢＲミラー層
（第１の層膜反射鏡）２２上に形成する領域選択成長用
のＳiＯ₂膜からなる複数のマスク２３のマスク幅Ｗｘを
それぞれ異ならせ、これらのマスク２３を用いてＭＯＣ
ＶＤ法により膜厚の異なる複数のＩnＧaＰ波長チューニ
ング層２４を一括して選択成長させるので、発振波長が
互いに異なる複数の面発光半導体レーザを備えたアレイ
構造をなす長波長帯の多波長面発光半導体レーザ装置を
簡易に、しかも安価に製作することができる。

【００２７】特に膜厚の異なる複数のＩnＧaＰ波長チュ
ーニング層２４を１回の選択成長だけで形成することが
できるので、その製造工程の大幅な簡略化を図ることが
できる。しかも前記複数のマスク２３のマスク幅Ｗｘを
調整することで、前記各ＩnＧaＰ波長チューニング層２
４の厚みをそれぞれ高精度に調整するので、ｎ-ＩnＰク
ラッド層３３とのエアギャップと相俟ってＤＢＲミラー
層２２,２８間の共振器長、ひいてはその発振波長に対
する制御性が極めて良好である等の実用上多大なる効果
が奏せられる。

【００２８】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。例えば一対のＢＤＲミラー層に挟まれ
た面発光レーザをｐ型半導体基板上に形成する場合にも
本発明を同様に適用することができる。また波長チュー
ニング層の厚みについては、所望とするレーザ発振波長
や、マスクの厚み（エアギャップ長）等に応じて定めれ
ば良いものである。また実施形態においては円環状のマ
スクを用いたが、マスク幅の異なる複数のストライプ状
のマスクを形成して波長チューニング層の厚みを変える
ようにしても良い。その他、本発明はその要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施することができる。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１の半導体基板上に形成した第１の多層膜反射鏡上に厚
さの異なる複数の波長チューニング層を形成し、一方、
第２の半導体基板上に第２の多層反射鏡を形成すると共
に、更に第３の半導体基板上に上側クラッド層、活性
層、および下側クラッド層を順に積層形成した後、これ
らを異種基板接着法を用いて直接接着することで、活性
層の上下のいずれか一方に厚みの異なる波長チューニン
グ層を介して一対の多層膜反射鏡を設けた素子構造の多
波長面発光半導体レーザ装置を製作するので、発振波長
を異にする長波長帯域の多波長面発光レーザを波長制御
性の良く、しかも簡易に製作することができ、更にはそ
の製作コストの低減を図ることができる等の実用上多大
なる効果が奏せられる。

【００３０】また請求項２に示すようにマスク幅の異な
る領域選択成長用の複数のマスクをを用いて膜厚の異な
る複数の波長チューニング層をそれぞれ選択成長させ、
更には請求項３に示すように開口内径が等しく、且つ外
径の異なる円環状の複数のマスクを用いて波長チューニ
ング層を形成するので、１回の結晶成長工程だけで膜厚
の異なる波長チューニング層を簡単に、しかも波長制御
性良く形成することができる等の多大なる効果が奏せら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る多波長面発光半導体
レーザ装置の製造方法における第１工程乃至第５工程を
示す図。

【図２】本発明の一実施形態に係る多波長面発光半導体
レーザ装置の製造方法における第６工程とその後の処理
工程とを示す図。

【図３】従来の異種基板接着法による面発光半導体レー
ザ装置の製造方法の製造工程の一部を分解して示す図。

【図４】図３に示す製造工程に引き続いて行われる製造
工程を示す図。

【符号の説明】

２１ ｎ-ＧaＡs基板（第１の半導体基板） ２２ ｎ-ＤＢＲミラー層（ｎ-ＧaＡs／n-ＡlＡs） ２３ マスク（ＳiＯ₂膜） ２４ ＩnＧaＰ波長チューニング層 ２５ ＧaＡs基板（第２の半導体基板） ２６ ＡlＡsエッチング停止層 ２７ ｐ-ＧaＡsコンタクト層 ２８ ｐ-ＤＢＲミラー層（ｐ-ＧaＡs／ｐ-ＡlＡs） ２９ ＩnＰ基板（第３の半導体基板） ３０ ＧaＡlＡsエッチング停止層 ３１ ｐ-ＩnＰクラッド層 ３２ ＳＣＨ-ＭＱＷ活性層 ３３ ｎ-ＩnＰクラッド層 ３４ ｐ電極 ３５ 絶縁層（ＳiＯ₂膜） ３６ ｎ電極

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電性の第１の半導体基板上に該半
   導体基板と格子整合した第１導電性の第１の多層膜反射
   鏡を形成した後、該多層膜反射鏡上に領域を異ならせて
   厚さの異なる複数の波長チューニング層を形成する第１
   の工程と、 前記第１の半導体基板と同じ格子定数を有する第２の半
   導体基板上に前記第１の半導体基板とは導電性を異にす
   る第２導電性の第２の多層反射鏡を形成する第２の工程
   と、 前記第１の半導体基板とは格子定数を異にする第３の半
   導体基板上に上側クラッド層、活性層、および下側クラ
   ッド層を順に積層形成する第３の工程と、 前記第１の工程で形成された波長チューニング層上に前
   記第３の工程で積層形成された下側クラッド層を直接接
   着する第４の工程と、 次いで前記波長チューニング層上に直接接着された下側
   クラッド層の基体をなす前記第３の半導体基板を除去し
   た後、この第３の半導体基板の除去によって露出した前
   記上側クラッド層上に前記第２の工程で得られた第２の
   多層膜反射鏡を直接接着する第５の工程と、 その後、前記第２の多層膜反射鏡の基体をなす前記第２
   の半導体基板を除去する第６の工程とを具備したことを
   特徴とする多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の工程における複数の波長チュ
   ーニング層の形成は、第１の多層膜反射鏡上に領域を異
   ならせてマスク幅の異なる領域選択成長用の複数のマス
   クを設け、これらのマスクを用いて膜厚の異なる複数の
   波長チューニング層をそれぞれ選択成長させてなること
   を特徴とする請求項１に記載の多波長面発光半導体レー
   ザ装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記複数のマスクは、開口内径が等し
   く、且つ外径の異なる円環状の複数のマスクとして所定
   の距離を隔ててそれぞれ形成されることを特徴とする請
   求項２に記載の多波長面発光半導体レーザ装置の製造方
   法。