JP2011061138A - 光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本光機能素子は、基板1と、基板1上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造2と、半導体素子構造2の基板1側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層3とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝5により分離した半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部6と、溝5により分離した半導体素子積層構造体の第2の部分の光反射層3上に発光素子構造4を積層して形成された発光素子部7とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】 本光機能素子は、基板1と、基板1上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造2と、半導体素子構造2の基板1側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層3とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝5により分離した半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部6と、溝5により分離した半導体素子積層構造体の第2の部分の光反射層3上に発光素子構造4を積層して形成された発光素子部7とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法に関する。
光機能素子として発光素子および半導体素子を一体的に形成し、これを一次元状に配列した自己走査型発光素子アレイが知られている。特許文献1に記載の自己走査型発光素子アレイは、pnpn構造を持つ3端子発光サイリスタよりなる転送素子アレイをシフトレジスタ(自己走査部)として、発光素子アレイと分離した構造を有する。また、特許文献2には、この自己走査型発光素子アレイの考え方を、面発光レーザにも適用することによって、面発光レーザアレイと駆動回路とを同一基板上に作製して、駆動回路で面発光レーザアレイをアドレスすることにより、自己走査機能を持つ自己走査型面発光レーザアレイを実現するための技術が開示されている。
本発明の目的は、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、以下の光機能素子、光機能素子列、露光装置および光機能素子の製造方法を提供する。
(1)基板と、前記基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部と、前記溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第2の部分の前記光反射層上に発光素子構造を積層して形成された発光素子部とを備えた光機能素子。
(2)前記発光素子部が、レーザ光を発生する活性層を有し、かつ前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を有する上記(1)記載の光機能素子。
(3)前記半導体素子積層構造体を前記溝とは別の溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第3の部分に、前記光反射層、または前記光反射層とそれに隣接する前記半導体層を除去して形成した光検出部を備えた上記(1)または(2)記載の光機能素子。
(4)上記(1)〜(3)のいずれかに記載の光機能素子が一次元または二次元状に複数配列された光機能素子列。
(5)上記(4)記載の光機能素子列と、画像情報に基づいて前記光機能素子列から出射される光を画像形成装置用の感光体に導く光学素子とを備えた露光装置。
(6)基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して半導体素子構造を形成する工程と、前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して光反射層を形成する工程と、前記光反射層上に発光素子構造を積層する工程と、前記半導体素子構造、前記光反射層および前記発光素子構造を有する発光素子積層構造体に溝を形成する工程と、前記発光素子積層構造体の第1の部分において前記発光素子構造を除去して半導体素子部を形成する工程と、前記発光素子積層構造体の第2の部分において前記発光素子構造を用いて発光素子部を形成する工程とを備えた光機能素子の製造方法。
(7)前記発光素子構造を積層する工程がレーザ光を発生する活性層を形成する工程を含み、かつ前記発光素子構造の前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を形成する工程を含む上記(6)記載の光機能素子の製造方法。
(1)基板と、前記基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部と、前記溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第2の部分の前記光反射層上に発光素子構造を積層して形成された発光素子部とを備えた光機能素子。
(2)前記発光素子部が、レーザ光を発生する活性層を有し、かつ前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を有する上記(1)記載の光機能素子。
(3)前記半導体素子積層構造体を前記溝とは別の溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第3の部分に、前記光反射層、または前記光反射層とそれに隣接する前記半導体層を除去して形成した光検出部を備えた上記(1)または(2)記載の光機能素子。
(4)上記(1)〜(3)のいずれかに記載の光機能素子が一次元または二次元状に複数配列された光機能素子列。
(5)上記(4)記載の光機能素子列と、画像情報に基づいて前記光機能素子列から出射される光を画像形成装置用の感光体に導く光学素子とを備えた露光装置。
(6)基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して半導体素子構造を形成する工程と、前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して光反射層を形成する工程と、前記光反射層上に発光素子構造を積層する工程と、前記半導体素子構造、前記光反射層および前記発光素子構造を有する発光素子積層構造体に溝を形成する工程と、前記発光素子積層構造体の第1の部分において前記発光素子構造を除去して半導体素子部を形成する工程と、前記発光素子積層構造体の第2の部分において前記発光素子構造を用いて発光素子部を形成する工程とを備えた光機能素子の製造方法。
(7)前記発光素子構造を積層する工程がレーザ光を発生する活性層を形成する工程を含み、かつ前記発光素子構造の前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を形成する工程を含む上記(6)記載の光機能素子の製造方法。
請求項1に記載の光機能素子によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる。
請求項2に記載の光機能素子によれば、発光素子部に面発光レーザを形成することができる。
請求項3に記載の光機能素子によれば、発光素子部で発生する光量をモニタすることができる。
請求項4に記載の光機能素子列によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる。
請求項5に記載の露光装置によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる。
請求項6に記載の光機能素子の製造方法によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上した光機能素子を得ることができる。
請求項7に記載の光機能素子の製造方法によれば、発光素子部に面発光レーザを形成した光機能素子を得ることができる。
請求項2に記載の光機能素子によれば、発光素子部に面発光レーザを形成することができる。
請求項3に記載の光機能素子によれば、発光素子部で発生する光量をモニタすることができる。
請求項4に記載の光機能素子列によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる。
請求項5に記載の露光装置によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上することができる。
請求項6に記載の光機能素子の製造方法によれば、光機能素子の半導体素子部で生ずる光の漏出を抑制するとともに発光素子部で発生する光の取り出し効率を向上した光機能素子を得ることができる。
請求項7に記載の光機能素子の製造方法によれば、発光素子部に面発光レーザを形成した光機能素子を得ることができる。
図1は、本発明に係る光機能素子の一実施例を示す図である。本実施例の光機能素子は、図示のように、基板1と、基板1上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造2と、半導体素子構造2の基板1側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層3とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝5により分離した半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部6と、溝5により分離した半導体素子積層構造体の第2の部分の光反射層3上に発光素子構造4を積層して形成された発光素子部7とを備える。
基板1は例えばGaAs基板、半導体素子構造2は例えばp型GaAs層、n型GaAs層およびp型GaAs層の積層構造で構成されるが、これに限定されない。光反射層3は、例えば屈折率の異なるp型半導体層Al0.9Ga0.1As(例えば膜厚690nm)とAl0.16Ga0.84As(例えば膜厚611nm)とを交互に積層して形成されるいわゆる分布ブラッグ反射器(DBR)である。溝5により分離した半導体素子積層構造体の第1の部分には半導体素子部6が形成される。溝5により分離した半導体素子積層構造体の第2の部分には発光素子部7が形成される。図1の例において半導体素子部6はトランジスタを構成し、これを利用することによって論理回路を形成することができる。発光素子部7は、本実施例では、光反射層3上に発光素子構造4としてp型Al0.3Ga0.7As層8およびn型Al0.3Ga0.7As層9のpn接合で発光ダイオード(LED)を形成する。各部にはそれぞれ電極10が形成される。
この種の光機能素子では、動作時に、発光素子部7だけでなく、半導体素子部6に形成されるpn接合部においても光が発生する。pn接合部では例えば波長850nmの光が発生する。本実施例では、図1の破線に示すように、半導体素子部6で発生する不要な光は光反射層3で基板1側へ反射されるので素子外への光の漏出が抑制されるとともに、発光素子部7で発生する必要な光は光反射層3で反射されるので基板1側へ逃げて無駄になる光が低減され、光の取り出し効率が向上する。
以下、本実施例における光機能素子の製造方法の例を説明する。まず、基板1を用意し、基板1上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して半導体素子構造2を形成する。半導体素子構造2の基板1側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して光反射層3を形成する。光反射層3上に発光素子構造4を積層する。ここで溝5を形成して半導体素子構造2、光反射層3および発光素子構造4を有する発光素子積層構造体を分離し、一部を半導体素子部6、一部を発光素子部7とする。発光素子部7は発光素子構造4を利用する。半導体素子部6として利用する部分からは発光素子構造4を除去する。
具体的には、例えば、GaAs基板1上に半導体素子構造2としてp型GaAs層、n型GaAs層およびp型GaAs層の積層構造をエピタキシャル成長させ、その上に光反射層3として屈折率の異なるp型Al0.9Ga0.1As(例えば膜厚69nm)とAl0.16Ga0.84As(例えば膜厚61.1nm)とを交互に、例えば40周期ほどエピタキシャル成長させ、いわゆる分布ブラッグ反射器(DBR)を形成する。光反射層3の上にp型Al0.3Ga0.7As層およびn型Al0.3Ga0.7As層をエピタキシャル成長させ発光素子構造4を形成する。ここで溝5をエッチングにより形成して構造体を分離し、一部を半導体素子部6、一部を発光素子部7とする。発光素子部は発光素子構造4を利用する。半導体素子部6として利用する部分からはエッチングにより発光素子構造4を除去する。各部には、必要に応じて電極10がそれぞれ形成される。なお、本例で用いた各半導体層の材料や厚さは一例であり、これに限定されるものではない。さらに、作製方法もこの限りではなく、たとえば半導体素子部6として利用する部分から発光素子構造4を除去し、その後で溝5を形成する方法も採用できる。
図2は、本発明に係る光機能素子の他の実施例を示す図である。本実施例が図1の実施例と異なる点は、発光素子部7をLEDでなく面発光レーザ(VCSEL)としたところにあり、その他の点では図1の実施例と同様である。発光素子部7は、例えば図示のように、光反射層3上に発光素子構造4としてp型Al0.3Ga0.7As層11、GaAsとAl0.3Ga0.7Asの多重量子井戸(MQW)活性層12、およびn型Al0.3Ga0.7As層13を積層し、その上に別の光反射層14を形成したものである。p型Al0.3Ga0.7As層11、GaAsとAl0.3Ga0.7AsのP多重量子井戸(MQW)活性層12、およびn型Al0.3Ga0.7As層13は合わせてラムダキャビティと呼ばれ、その厚みは、発振させる波長(一波長分)の厚みL(光学長)となる。ここで、光学長はL=λ/nで表され結晶中(媒質中)での波長を示し、λは真空中での発振波長(実際にVCSELが発振するときに観測される波長)である。材料を本実施例のように採用した場合、GaAsのバンドギャップである850nmで発振する。光反射層14は、例えば屈折率の異なるn型半導体層Al0.9Ga0.1As(例えば膜厚69nm)とAl0.16Ga0.84As(例えば膜厚61.1nm)とを交互に積層して形成されるいわゆる分布ブラッグ反射器(DBR)である。光反射層3と光反射層14により両者間で光を共振させる共振器が形成される。光反射層3の反射率を光反射層14の反射率も高くする(例えば光反射層3のDBR(p型)が40周期ほど、光反射層14のDBR(n型)が30周期ほどで積層する)ことにより、活性層12で発生したレーザ光をこの共振器を介して図中点線矢印で示すように光反射層14側から取り出すことができる。
図3は、本発明に係る光機能素子のさらに他の実施例を示す図である。本実施例が図1の実施例と異なる点は、半導体素子積層構造体を上述の溝5とは別の溝15により分離した第3の部分に、光反射層3、または光反射層3とそれに隣接する半導体層を除去して光検出部(以下光センサ部という)20を形成したところにあり、その他の点では図1の実施例と同様である。光センサ部20としては、図示のように、光反射層3を除去してp型GaAs層、n型GaAs層およびp型GaAs層からなるフォトトランジスタ21を形成することができる。この場合、ベース(n−GaAs層)に入った光によってフォトトランジスタ21が動作し、電流が増幅される。また、光反射層3とそれに隣接するp型GaAs層を除去してn型GaAs層およびp型GaAs層からなるフォトフォトダイオード22を形成することができる。フォトトランジスタ21またはフォトフォトダイオード22により発光素子部7の光量(漏れ光)をモニタすることができる。また、発光素子部7の光量のモニタだけでなく、外部からの光の強度のモニタとしても利用することができる。
図4は、本発明に係る光機能素子列(以下、光機能素子アレイという)の一実施例を示す結線図である。本光機能素子アレイは、図1、図2または図3に示す光機能素子を一次元または二次元状に複数配列したものである。本例では、図示のように、図1の実施例に係る光機能素子を一次元状に複数配列している。光機能素子アレイ30は、例えば、発光素子部としてLED31〜38を有し、半導体素子部としてディレイフリップフロップ(DFF)41〜48を有するが、これに限定されない。これらのフリップフロップは、半導体素子部に形成される複数のトランジスタを用いて論理回路として構成可能である。DFF41〜48を用いてLEDの駆動回路として8ビットのシフトレジスタ40を構成する。DFF41〜48は、クロックの立ち上りで入力Dが取り込まれるとそれが出力Qに表れる。クロックの立ち上り以外では、出力Qは変化しない。図示の例では、シフトレジスタ40によりLED32が選択されている。ライン39に印加される信号(例えば画像信号)は、LEDに光を出させるときはロー(Low)、光を出させないときはハイ(High)とされる。従って、図示のシフトレジスタ40の状態において、ライン39に印加される信号をローにすればLED32が発光するが、ハイにすれば発光しない。
図5は、本発明に係る画像形成装置用の露光装置(以下プリントヘッドという)の一実施例を示す図である。本プリントヘッドは、図4に示す光機能素子アレイ30と、光機能素子アレイ30から出射される光を画像形成装置用の感光体50に導く光学素子として例えばセルフォック(登録商標)レンズアレイ(SLA)60とを備える。図示のように、光機能素子アレイ30は支持体51上に支持される。また、SLA60は保持体52により保持される。保持体52は、それに囲まれた光機能素子アレイ30が見えるように図示している。光機能素子アレイ30は、図中の点線で示すように、画像情報に基づいてLEDを発光させ、その光はSLA60を介して感光体50に伝達され、これにより画像形成装置が画像を形成する。
1 基板
2 半導体素子構造
3、14 光反射層
4 発光素子構造
5、15 溝
6 半導体素子部
7 発光素子部
10 電極
20 光センサ部
21 フォトトランジスタ
22 フォトフォトダイオード
30 光機能素子アレイ
40 シフトレジスタ
50 感光体
60 セルフォック(登録商標)レンズアレイ(SLA)
2 半導体素子構造
3、14 光反射層
4 発光素子構造
5、15 溝
6 半導体素子部
7 発光素子部
10 電極
20 光センサ部
21 フォトトランジスタ
22 フォトフォトダイオード
30 光機能素子アレイ
40 シフトレジスタ
50 感光体
60 セルフォック(登録商標)レンズアレイ(SLA)
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して形成した光反射層とを有する半導体素子積層構造体を、その積層面を横切る方向に形成した溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第1の部分に形成された半導体素子部と、
前記溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第2の部分の前記光反射層上に発光素子構造を積層して形成された発光素子部と
を備えた光機能素子。 - 前記発光素子部が、レーザ光を発生する活性層を有し、かつ前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を有する請求項1記載の光機能素子。
- 前記半導体素子積層構造体を前記溝とは別の溝により分離した前記半導体素子積層構造体の第3の部分に、前記光反射層、または前記光反射層とそれに隣接する前記半導体層を除去して形成した光検出部を備えた請求項1または2記載の光機能素子。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の光機能素子が一次元または二次元状に複数配列された光機能素子列。
- 請求項4記載の光機能素子列と、画像情報に基づいて前記光機能素子列から出射される光を画像形成装置用の感光体に導く光学素子とを備えた露光装置。
- 基板上にp型半導体層とn型半導体層をnpnまたはpnpの順に積層して半導体素子構造を形成する工程と、
前記半導体素子構造の前記基板側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して光反射層を形成する工程と、
前記光反射層上に発光素子構造を積層する工程と、
前記半導体素子構造、前記光反射層および前記発光素子構造を有する発光素子積層構造体に溝を形成する工程と、
前記発光素子積層構造体の第1の部分において前記発光素子構造を除去して半導体素子部を形成する工程と、
前記発光素子積層構造体の第2の部分において前記発光素子構造を用いて発光素子部を形成する工程と
を備えた光機能素子の製造方法。 - 前記発光素子構造を積層する工程がレーザ光を発生する活性層を形成する工程を含み、かつ前記発光素子構造の前記光反射層側とは反対側に屈折率の異なる半導体層を交互に積層して前記光反射層との間で共振器を形成する別の光反射層を形成する工程を含む請求項6記載の光機能素子の製造方法。
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