JP2006073130A - 光ディスク装置、光ピックアップおよびレーザパワー制御方法 - Google Patents

光ディスク装置、光ピックアップおよびレーザパワー制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】シンプルかつ低コストの回路構成とし、記録速度の高速化及び温度変化によるレーザの微分効率変化に対してもレーザパワーを良好に制御する。
【解決手段】ドライバ132は、記録マークを形成する期間(変調期間)では、レーザ131に直流成分(Ie)にパルス変調成分(交互にI3,−I3となる)が重畳されたレーザ駆動電流を流し、交互にピークパワーPpおよびボトムパワーPbとする。ドライバ132は、記録マークを形成しない期間(DC期間)では、レーザ131に直流成分(電流Ie)のみからなる駆動電流を流し、イレースパワーPeとする。パルスのデューティー比を、パルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定する。APC回路116は、モニタ信号VPDからDC期間の信号値Vdcを抽出して直流成分の値を制御し、モニタ信号VPDの変調期間の平均値Vacを取得してパルス変調成分の振幅値を制御する。
【選択図】 図4

Description

この発明は、例えばDVD装置、ブルーレイディスク装置等に適用して好適なディスク装置、光ピックアップおよびレーザパワー制御方法に関する。
詳しくは、この発明は、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を半導体レーザに流してこの半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにし、また光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間では直流成分のみからなるレーザ駆動電流を半導体レーザに流してこの半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとなるようにし、また半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子の出力信号から抽出される第2の期間の信号値が一定となるように直流成分の値を制御し、このモニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値またはこのモニタ素子の出力信号の平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御することによって、シンプルかつ低コストの回路構成でレーザパワーを良好に制御でき、また記録速度の高速化および温度変化による半導体レーザの微分効率変化に対してもレーザパワーを良好に制御できるようにした光ディスク装置等に係るものである。
例えば、DVD−RW等の書き換え型光ディスクでは、有機色素系記録膜を塗布形成した光ディスクにレーザ光を照射して記録マークを形成することで情報を記録するようにしている。
図7Aは、記録データRDの一例を示しており、図7Bはその記録データRDに対応して光ピックアップの半導体レーザから発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)を示している。レーザパワーは、記録マークを形成する期間(以下、適宜「変調期間」という)では、交互に、第1のパワーとしてのピークパワーPpおよびこのピークパワーPpより低い、第2のパワーとしてのボトムパワーPbとされる。また、レーザパワーは、記録マークを形成しない期間(以下、適宜「DC期間」という)では、上述したピークパワーPpより低く、かつ上述したボトムパワーPbより高い、第3のパワーとしてのイレースパワーPeとされる。
変調期間においては、レーザビームが照射された記録膜は高温状態から急速に冷却するのでアモルファス状態となり、反射率が低下した記録マークが形成される。これに対して、DC期間においては、レーザビームが照射された記録膜は中高温状態から徐々に冷却されて結晶状態となり、記録マークは形成されない。なお、このDC期間では、既に形成されていた記録マークは消去される。
従来、上述したように記録データRDに対応させてレーザパワーをピークパワーPp、ボトムパワーPbおよびイレースパワーPeとして記録を行うものにあっては、温度変化による半導体レーザのI-P特性の変化があった場合でも安定した記録が行われるように、これらパワーPp,Pb,Peがそれぞれ所定値となるように制御することが行われている。
図8は、記録時のレーザパワー制御に係る回路部の一例を示している。
光ピックアップ310は、レーザビームを発生する半導体レーザ(レーザダイオード)311と、この半導体レーザ311に電流を流すためのレーザドライバ312とを有している。そして、レーザドライバ312は、変調用のNPN形トランジスタ313,314,315と、電流源316,317,318とからなっている。
図9は、半導体レーザ311を流れるレーザ駆動電流(レーザ電流)と、この半導体レーザ311で発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)との対応関係であるI-P特性を示している。温度変化があると、このI-P特性が変化する。例えば、温度上昇があると、I-P特性は、実線で示す状態から破線で示す状態に変化する。この場合、レーザ微分効率は、例えばηからη′に変化する。
電流源316はボトムパワーPbに対応した電流Ibを得るためのものであり、電流源317はイレースパワーPeに対応した電流IeとボトムパワーPbに対応した電流Ibとの差の電流I1=(Ie−Ib)を得るためのものであり、電流源318はピークパワーPpに対応した電流IpとイレースパワーPeに対応した電流Ieとの差の電流I2=(Ip−Ie)を得るためのものである。
半導体レーザ311のアノードは電圧+B、例えば+5Vが供給される電源端子に接続され、そのカソードはトランジスタ313〜315のコレクタにそれぞれ接続されている。これらトランジスタ313〜315のエミッタは、それぞれ、電流源316〜318を介して接地されている。トランジスタ313のベースにはボトム値変調信号SMbが供給され、トランジスタ314のベースにはイレース値変調信号SMeが供給され、トランジスタ315のベースにはピーク値変調信号SMpが供給される。
ここで、記録データRDが図10Aに示すようであるとき、変調信号SMb,SMe,SMpはそれぞれ図10B,C,Dに示すように発生される。この場合、ボトム値変調信号SMbが“1”であるとき、トランジスタ313がオンとなって電流源316により半導体レーザ311に電流Ibが流される。また、イレース値変調信号SMeが“1”であるとき、トランジスタ314はオンとなる。このとき、電流源317により半導体レーザ311に流される電流がI1=(Ie−Ib)だけ増加し、従って半導体レーザ311には電流Ieが流される。さらに、ピーク値変調信号SMpが“1”であるとき、トランジスタ315はオンとなる。このとき、電流源318により半導体レーザ311に流される電流がI2=(Ip−Ie)だけ増加し、従って半導体レーザ311には電流Ipが流される。これにより、図10Aに示す記録データRDに対応して、半導体レーザ311からは、図10Eに示すようなパワーでレーザビームが発生される。
また、光ピックアップ310は、半導体レーザ311で発生されるレーザビームをモニタするフォトダイオード321と、このフォトダイオード321の出力電流IPDを電圧信号VPDに変換するヘッドアンプとしての電流/電圧変換器(I/V変換器)322とを有している。ここで、電流/電圧変換器322はオペアンプ(演算増幅器)323および抵抗器324を用いて構成されている。
フォトダイオード321のカソードは電圧+B、例えば+5Vが供給される電源端子に接続され、そのアノードはオペアンプ323の反転入力端子に接続されている。また、このオペアンプ323の出力端子は抵抗器324を介してその反転入力端子に接続され、その非反転入力端子は電圧Vref、例えば+2.5Vが供給される電源端子に接続されている。
ここで、半導体レーザ311から発生されるレーザビームのパワーが図7Bに示すようであるとき、フォトダイオード321の出力電流IPDは図7Cに示すように得られ、電流/電圧変換器322の出力端子には図7Dに示すように出力信号VPDが得られる。ここで、抵抗器324の抵抗値をRとするとき、VPD=Vref−IPD×Rである。この電流/電圧変換器322の出力信号VPDはAPC(Auto Power Control)回路330に供給される。
APC回路330は、サンプルホールド回路(S/H回路)331b,331e,331pと、比較器332b,332e,332pと、ローパスフィルタ333b,333e,333pと、誤差増幅器334b,334e,334pとを有している。
サンプルホールド回路331bは、電流/電圧変換器322の出力信号VPDから、ボトムパワーPbに対応した信号をサンプリングしてホールドするためのものである。そのため、このサンプルホールド回路331bには、図7に示すように、半導体レーザ311から発生されるレーザビームがボトムパワーPbにあるタイミングTbでサンプリングパルスSPbが供給される。
このサンプルホールド回路331bの出力信号Vbは比較器332bの反転入力端子に供給され、その非反転入力端子には目標値Vb0が供給される。この比較器332bからは出力信号Vbの目標値Vb0に対する誤差を示す誤差信号Vbeが得られ、この誤差信号Vbeがローパスフィルタ333bを介して誤差増幅器334bに供給されて増幅される。そして、この誤差増幅器334bの出力信号が上述したレーザドライバ312の電流源316に電流制御信号として供給される。これにより、半導体レーザ311から発生されるレーザビームのボトムパワーPbが所定値となるように、電流源316の電流Ibが制御される。
サンプルホールド回路331eは、電流/電圧変換器322の出力信号VPDから、イレースパワーPeに対応した信号をサンプリングしてホールドするためのものである。そのため、このサンプルホールド回路331eには、図7に示すように、半導体レーザ311から発生されるレーザビームがイレースパワーPeにあるタイミングTeでサンプリングパルスSPeが供給される。
このサンプルホールド回路331eの出力信号Veは比較器332eの反転入力端子に供給され、その非反転入力端子には目標値Ve0が供給される。この比較器332eからは出力信号Veの目標値Ve0に対する誤差を示す誤差信号Veeが得られ、この誤差信号Veeがローパスフィルタ333eを介して誤差増幅器334eに供給されて増幅される。そして、この誤差増幅器334eの出力信号が上述したレーザドライバ312の電流源317に電流制御信号として供給される。これにより、半導体レーザ311から発生されるレーザビームのイレースパワーPeが所定値となるように、電流源317の電流I1が制御される。
サンプルホールド回路331pは、電流/電圧変換器322の出力信号VPDから、ピークパワーPpに対応した信号をサンプリングしてホールドするためのものである。そのため、このサンプルホールド回路331pには、図7に示すように、半導体レーザ311から発生されるレーザビームがピークパワーPpにあるタイミングTpでサンプリングパルスSPpが供給される。
このサンプルホールド回路331pの出力信号Vpは比較器332pの反転入力端子に供給され、その非反転入力端子には目標値Vp0が供給される。この比較器332pからは出力信号Vpの目標値Vp0に対する誤差を示す誤差信号Vpeが得られ、この誤差信号Vpeがローパスフィルタ333pを介して誤差増幅器334pに供給されて増幅される。そして、この誤差増幅器334pの出力信号が上述したレーザドライバ312の電流源318に電流制御信号として供給される。これにより、半導体レーザ311から発生されるレーザビームのピークパワーPpが所定値となるように、電流源318の電流I2が制御される。
上述したレーザパワーの制御動作によれば、例えば温度上昇によって、半導体レーザ311のI-P特性が、図9に実線で示す状態から破線で示す状態に変化した場合、電流源316,317,318の電流は、それぞれ、Ib,I1,I2からIb′,I1′,I2′に変化するように制御される。そのため、ボトムパワーPb、イレースパワーPe、ピークパワーPpに対応して半導体レーザ311を流れる電流は、Ib,Ie,IpからIb′,Ie′,Ip′に変化し、当該パワーPb,Pe,Ppとして所定値が維持される。
上述したように電流/電圧変換器322の出力信号VPDから、サンプルホールド回路331bでボトムパワーPbに対応した信号Vbをサンプリングホールドし、またサンプルホールド回路331pでピークパワーPpに対応した信号Vpをサンプリングホールドするものによれば、記録速度の高速化が進むにつれ、電流/電圧変換器322による帯域制限のため、信号Vb,Vpを正しく得ることが困難となる。すなわち、記録速度が高速になると、電流/電圧変換器322による帯域制限のため、この電流/電圧変換器322の出力信号VPDは、図7Dに破線で示すように鈍った状態となり、従って信号Vb,Vpを正しく得ることが難しくなる。このように信号Vb,Vpを正しく得ることができなくなると、ボトムパワーPb、ピークパワーPpを良好に制御できなくなる。
特許文献1には、モニタ用光検出器の出力信号の、DC期間および変調期間を含む十分に長い期間の加重平均値、モニタ用光検出器の出力信号の変調期間の加重平均値およびモニタ用光検出器の出力信号のDC期間における値に基づいて、DSP(Digital Signal Processor)により、ピーク電流値Ip、ボトム電流値Ib、イレース(バイアス)電流値Ieを決定することで、記録速度が高速になってモニタ用光検出器の出力信号の波形が鈍った状態となっても、変調期間におけるレーザビームのパワーのピーク値およびボトム値を所定値に正確に制御し得る、ことが記載されている。
特開2001−196687号公報(図1参照)
上述した特許文献1のようにDSPを用いるものによれば、処理が複雑であると共に、高価なDSPが必要となるという不都合があった。
この発明の目的は、シンプルかつ低コストの回路構成とし、また記録速度の高速化および温度変化による半導体レーザの微分効率変化に対してもレーザパワーを良好に制御することにある。
この発明に係る光ディスク装置は、レーザビームを発生する半導体レーザと、この半導体レーザから発生されるレーザビームを光ディスクに照射するレーザビーム照射部と、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、半導体レーザに、直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにすると共に、光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間では、半導体レーザに直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流し、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとするレーザドライバと、半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子と、このモニタ素子の出力信号から、第2の期間の信号値を抽出する信号値抽出部と、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値、またはモニタ素子の出力信号の平均値を取得する平均値取得部と、信号値抽出部で抽出された信号値が一定となるように直流成分の値を制御し、平均値取得部で取得された平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御するレーザパワー制御部とを備えるものである。
また、この発明に係る光ピックアップは、レーザビームを発生する半導体レーザと、この半導体レーザから発生されるレーザビームを光ディスクに照射するレーザビーム照射部と、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、半導体レーザに、直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにすると共に、光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間では、半導体レーザに直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流し、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとするレーザドライバと、半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子とを備えるものである。
また、この発明に係る光ディスク装置のレーザパワー制御方法は、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、半導体レーザから発生され、光ディスクに照射されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとされ、光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間では、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとされる光ディスク装置のレーザパワー制御方法であって、第1の期間では、半導体レーザに、直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流が流れるようにし、第2の期間では、半導体レーザに、直流成分のみからなるレーザ駆動電流が流れるようにし、パルス変調成分におけるパルスのデューティー比を、パルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定し、半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子の出力信号から、第2の期間の信号値を抽出する信号値抽出ステップと、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値、またはモニタ素子の出力信号の平均値を取得する平均値取得ステップと、信号値抽出ステップで抽出された信号値が一定となるように直流成分の値を制御すると共に、平均値取得ステップで取得された平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御するレーザパワー制御ステップとを備えるものである。
この発明においては、半導体レーザから発生されるレーザビームが、光ディスクに照射される。この場合、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間(変調期間)では、光ディスクに照射されるレーザビームのパワーは交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとされる。そのため、レーザドライバにより、半導体レーザに、この第1の期間では、直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流が流される。
このパルス変調成分におけるパルスのデューティー比は、パルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定される。パルスのデューティー比がこのように設定されることで、半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値は、第1、第2のパワーと第3のパワーとの差の変化に対応して変化するようになる。
また、光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間(DC期間)では、光ディスクに照射されるレーザビームのパワーは、第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとされる。そのため、レーザドライバにより、半導体レーザに、この第2の期間では、直流成分のみからなるレーザ駆動電流が流される。
例えば、レーザドライバは、半導体レーザに直流成分を流す第1のドライブ部分と、半導体レーザにパルス変調成分を流す第2のドライブ部分とを有するものとされる。この場合、第2のドライブ部分は、半導体レーザにコンデンサを介して接続される。これにより、第2のドライブ部分が半導体レーザと直流的には分離されるため、第2のドライブ部分により半導体レーザに第1の期間でパルス変調成分を流す動作が、第1のドライブ部分が半導体レーザに直流成分を流す動作に影響を与えることはない。
半導体レーザから発生されるレーザビームがモニタ素子によりモニタされる。このモニタ素子の出力信号から、第2の期間の信号値が抽出される。この信号値は、第3のパワーに対応したものである。そして、この信号値が一定となるように、レーザドライバにより半導体レーザに流される直流成分の値が制御され、これにより第3のパワーが所定値となるように制御される。
また、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値が取得される。この信号値は、第1、第2のパワーの第3のパワーとの差に対応したものである。そして、この平均値が一定となるように、レーザドライバにより半導体レーザに流されるパルス変調成分の振幅値が制御され、これにより第1、第2のパワーが所定値となるように制御される。
このように、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を半導体レーザに流すと共に、光ディスクに記録マークを形成しない第2の期間では直流成分のみからなるレーザ駆動電流を半導体レーザに流し、直流成分の値を制御することで第2の期間のレーザパワーである第3のパワーが所定値となるように制御し、パルス変調成分の振幅値を制御することで第1の期間のレーザパワーである第1、第2のパワーが所定値となるように制御するものであり、制御すべき値が直流成分の値およびパルス変調成分の振幅値の2値であり、またDSPも不要であり、シンプルかつ低コストの回路構成でレーザパワーを良好に制御できる。
また、第1、第2のパワーと第3のパワーとの差に対応した、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御することで、第1、第2のパワーが所定値となるように制御するものであり、温度変化による半導体レーザの微分効率変化があったとしても、第1の期間のレーザパワーである第1、第2のパワーを良好に制御できる。
また、第1、第2のパワーの第3のパワーとの差に対応した、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御することで、第1、第2のパワーが所定値となるように制御するものであり、従来のようにモニタ素子の出力信号から第1、第2のパワーにそれぞれ対応した信号値を抽出し、それらの信号値に基づいて第1、第2のパワーをそれぞれ制御するものではなく、記録速度の高速化で第1のパワーおよび第2のパワーの変化周期(パルス周期)が短くなって、モニタ素子の出力信号の波形が鈍った状態となったとしても、第1の期間のレーザパワーである第1、第2のパワーを良好に制御できる。
なお、モニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値を取得する代わりに、このモニタ素子の出力信号の平均値を取得し、この平均値が一定となるように、パルス変調成分の振幅値を制御するようにしてもよい。この場合の平均値も、第1の期間の平均値に比べて精度は落ちるものの、第1、第2のパワーの第3のパワーとの差に対応したものとなり、第1の期間のレーザパワーである第1、第2のパワーが所定値となるように良好に制御できる。この場合、平均値を取得する期間を第1の期間に規制する必要がなく、回路構成を簡単にできる。
この発明によれば、光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を半導体レーザに流してこの半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよびこの第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにし、また光ディスクに記録マークを形成しない、第1の期間の前後に位置する第2の期間では直流成分のみからなるレーザ駆動電流を半導体レーザに流してこの半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが第1のパワーよりも低くかつ第2のパワーよりも高い第3のパワーとなるようにし、また半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子の出力信号から抽出される第2の期間の信号値が一定となるように直流成分の値を制御し、このモニタ素子の出力信号の第1の期間の平均値またはこのモニタ素子の出力信号の平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御するものであり、シンプルかつ低コストの回路構成でレーザパワーを良好に制御でき、また記録速度の高速化および温度変化による半導体レーザの微分効率変化に対してもレーザパワーを良好に制御できる。
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態について説明する。
図1は、実施の形態としての光ディスク装置100の構成を示している。この光ディスク装置100は、DVD−RW(Digital Versatile Disk Rewritable)としての光ディスク101を取り扱う。この光ディスク101は、有機色素系記録膜が塗布形成された構成となっており、レーザ光を照射して記録マークを形成することで情報を記録し得るものである。
図2は、光ディスク101のプリフォーマット構造を示している。この光ディスク101では、ウォブル・ランドプリピット方式が採用されており、ディスク上にウォブルグルーブGが形成されていると共に、グルーブGとグルーブGの間のランドLの部分にランドプリピットLPPが形成されている。この場合、ウォブリンググルーブGによって得られる反射光情報は、光ディスク101の回転制御や記録用マスタークロックの生成等に用いられる。また、ランドプリピットLPPは、ビット単位の正確な記録位置の決定やプリアドレス等の光ディスク101の各種情報の取得に用いられる。
図1に戻って、光ディスク装置100は、装置全体の動作を制御する、図示しないマイクロコンピュータを備えてなるシステムコントローラ102を有している。このシステムコントローラ102には、例えば液晶表示素子で構成され、装置の状態などを表示する表示部103と、ユーザ操作のために複数の入力キーなどが配された操作キー部104とが接続されている。
また、光ディスク装置100は、スピンドルモータ(SPM)106と、スピンドルモータドライバ(SPMドライバ)107と、スピンドルサーボ回路108とを有している。スピンドルモータ106は、ターンテーブル105に載置された光ディスク101を、記録時および再生時に、線速度一定(CLV:Constant Linear Velocity)で回転駆動する。
スピンドルサーボ回路108は、スピンドルモータ106を線速度一定で回転させる制御を行う。そのために、このスピンドルサーボ回路108は、記録時および再生時に、スピンドルモータドライバ107に、スピンドルエラー信号に応じて生成したスピンドルドライブ信号を供給する。ここで、スピンドルサーボ回路108は、記録時には、後述するウォブルPLL(Phase-Locked Loop)部で生成されるウォブルクロックWCKを現在のスピンドルモータ106の回転速度情報とし、これを所定のCLV基準速度情報と比較することでスピンドルエラー信号を生成する。また、スピンドルサーボ回路108は、再生時には、後述するエンコード/デコード部内のPLLによって生成される再生クロック(デコード処理の基準となるクロック)を現在のスピンドルモータ106の回転速度情報とし、これを所定のCLV基準速度情報と比較することでスピンドルエラー信号を生成する。
スピンドルモータドライバ107は、スピンドルドライブ信号に応じて、例えば3相駆動信号をスピンドルモータ106に供給し、このスピンドルモータ106のCLV回転を実行させる。
なお、スピンドルサーボ回路108は、システムコントローラ102からのスピンドルキック/ブレーキ制御信号に応じてスピンドルドライブ信号を発生させ、スピンドルモータドライバ107によるスピンドルモータ106の起動、停止、加速、減速等の動作も実行させる。
また、光ディスク装置100は、光ピックアップ(OP)110を有している。この光ピックアップ110は、レーザビームを発生する半導体レーザ、この半導体レーザにレーザ駆動電流を流すためのレーザドライバ、光ディスク101からの反射光を検出する検出用フォトディテクタ、半導体レーザから発生されるレーザビームを対物レンズ111を介して光ディスク101に照射し、またその反射光を上述のフォトディテクタに導く光学系、半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ用フォトディテクタ、このモニタ用フォトディテクタの出力電流を電圧信号に変換する電流/電圧変換器等を備えている。
また、光ディスク装置100は、二軸ドライバ112と、スレッド機構113と、スレッドドライバ114と、サーボ回路115とを有している。光ピックアップ110の対物レンズ111は、図示しない二軸機構によってトラッキング方向およびフォーカス方向に移動可能に保持されている。また、光ピックアップ110全体は、スレッド機構113により、ディスク半径方向に移動可能とされている。
サーボ回路115は、後述するマトリックス回路からのフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEから、フォーカス、トラッキング、スレッドの各種サーボドライブ信号を生成し、サーボ動作を実行させる。
すなわち、サーボ回路115は、フォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEに応じて、フォーカスドライブ信号、トラッキングドライブ信号を生成し、二軸ドライバ112に供給する。二軸ドライバ112は、このフォーカスドライブ信号、トラッキングドライブ信号に応じて、光ピックアップ110における二軸機構のフォーカスコイル、トラッキングコイルを駆動する。
また、サーボ回路115は、システムコントローラ102からのトラックジャンプ指令に応じて、トラッキングサーボループをオフとし、二軸ドライバ112に対してジャンプドライブ信号を出力することで、トラックジャンプ動作を実行させる。
また、サーボ回路115は、トラッキングエラー信号TEの低域成分として得られるスレッドエラー信号や、システムコントローラ102からのアクセス実行制御等に基づいてスレッドドライブ信号を生成し、スレッドドライバ114に供給する。スレッドドライバ114は、スレッドドライブ信号に応じてスレッド機構113を駆動する。スレッド機構113は、図示せずも、光ピックアップ110を保持するメインシャフト、スレッドモータ、伝達ギア等からなっている。スレッドドライバ114がスレッドドライブ信号に応じてスレッドモータを駆動することで、光ピックアップ110の所要のスライド移動が行われる。
また、光ディスク装置100は、APC(Auto Power Control)回路116を有している。このAPC回路116は、光ピックアップ110のモニタ用フォトディテクタの出力電流に基づいて、光ピックアップ110の半導体レーザに流すレーザ駆動電流を制御し、記録時および再生時に、半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーがそれぞれ所定値となるように制御する。
また、光ディスク装置100は、マトリックス回路117を有している。このマトリックス回路117は、光ピックアップ110の上述した検出用フォトディテクタとしての複数の受光素子の出力電流に対応して電流/電圧変換回路、マトリックス演算/増幅回路等を備え、マトリックス演算処理により必要な信号を生成する。例えば、このマトリックス回路117は、再生データに相当するRF信号、サーボ制御のためのフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TE等を生成する。さらに、このマトリックス回路117は、ランドプリピットLPPおよびグルーブGのウォブリングに係る信号としてプッシュプル信号P/Pを生成する。マトリックス回路117で生成されるフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEは、上述したようにサーボ回路115に供給される。
また、光ディスク装置100は、ランドプリピット(LPP)抽出部120と、アドレスデコーダ121と、ウォブルPLL部122と、エンコードクロック発生部123とを有している。LPP抽出部120は、マトリックス回路117で生成されたプッシュプル信号P/Pを2値化してランドプリピット情報を得る。アドレスデコーダ121は、LPP抽出部120で得られたランドプリピット情報に基づいてプリフォーマットされているアドレス情報をデコードする。このアドレスデコーダ121で得られたアドレス情報はシステムコントローラ102に供給される。
ウォブルPLL部122は、マトリックス回路117で生成されたプッシュプル信号P/PからPLL動作によりウォブルクロックWCKを生成する。このウォブルPLL部122で生成されたウォブルクロックWCKは、アドレスデコーダ121およびエンコードクロック発生部123に供給され、さらに上述したようにスピンドルサーボ回路108にも供給される。エンコードクロック発生部123は、このウォブルクロックWCKおよび上述したLPP抽出部120で得られたランドプリピット情報からエンコードクロックを発生する。このエンコードクロックは、記録時においてエンコード処理を行うための基準クロックとなるものであり、後述するエンコード/デコード部に供給される。
また、光ディスク装置100は、2値化部124と、エンコード/デコード部125と、バッファメモリ126と、インタフェース127とを有している。2値化部124は、マトリックス回路117で生成されたRF信号を2値化して2値化データを得る。エンコード/デコード部125は、再生時のデコーダとしての機能部位と、記録時のエンコーダとしての機能部位を備える。エンコード/デコード部125は、再生時には、2値化部124で得られた2値化データに対して、ランレングスリミテッドコードの復調処理、デインターリーブ処理、エラー訂正処理などのデコード処理を行って、再生データを得る。
また、エンコード/デコード部125は、再生時には、2値化部124で得られた2値化データからPLL動作により再生クロックを生成し、その再生クロックに基づいて上述のデコード処理を実行する。
また、エンコード/デコード部125は、再生時には、デコード処理で得られた再生データをバッファメモリ126に蓄積していく。インタフェース127は、外部のホストコンピュータと接続され、ホストコンピュータとの間で、データ、各種コマンド等の通信を行う。再生時においては、上述したようにバッファメモリ126にバファリングされている再生データが読み出され、インタフェース127を介してホストコンピュータに転送される。なお、ホストコンピュータからのリードコマンド、ライトコマンド等はインタフェース127を介してシステムコントローラ102に供給される。
記録時には、ホストコンピュータから記録データが転送されてくるが、その記録データはインタフェース127を介してバッファメモリ126に送られて蓄積される。エンコード/デコード部125は、記録時には、バッファメモリ126にバファリングされている記録データに対して、エラー訂正コードの付加処理、インターリーブ処理、ランレングスリミテッドコードの変調処理などのエンコード処理を行って、記録データRDを得る。
また、光ディスク装置100は、変調信号発生部128を有している。ここで、光ピックアップ110の半導体レーザから発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)は、第1の期間としての記録マークを形成する期間(変調期間)、例えば記録データRDが「1」である期間では、交互に、第1のパワーとしてのピークパワーPpおよびこのピークパワーPpより低い、第2のパワーとしてのボトムパワーPbとされ、また第2の期間としての記録マークを形成しない期間(DC期間)、例えば記録データRDが「0」である期間では、ピークパワーPpより低く、かつ上述したボトムパワーPbより高い、第3のパワーとしてのイレースパワーPeとされる。
変調信号発生部128は、変調期間、DC期間で、レーザパワーが上述したパワーとなるように半導体レーザに所定のレーザ駆動電流を流すようにレーザドライバを制御する、ボトム値変調信号SMb、イレース値変調信号SMeおよびピーク値変調信号SMpを発生する。
図3Aは、記録データRDの一例を示しており、図3Bはその記録データRDに対応して光ピックアップ110の半導体レーザから発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)を示している。そして、図3C,D,Eは、それぞれ、その記録データRDに対応して、変調信号発生部128で発生される変調信号SMe,SMp,SMbを示している。
次に、図1に示す光ディスク装置100の動作を説明する。
<再生動作>
ホストコンピュータよりインタフェース127を介してシステムコントローラ102にデータリードコマンドが供給される場合には、再生動作が行われる。
この場合、光ピックアップ110の検出用フォトディテクタとしての複数の受光素子の出力電流がマトリックス回路117に供給される。そして、マトリックス回路117で生成される、再生データに相当するRF信号は2値化部124で2値化データとされてエンコード/デコード部125に供給される。
このエンコード/デコード部125では、2値化データに対してランレングスリミテッドコードの復調処理、デインターリーブ処理、エラー訂正処理などのデコード処理が行われて再生データが得られる。この再生データはバッファメモリ126でバファリングされた後に、インタフェース127を介してホストコンピュータに転送される。
なおこの場合、光ピックアップ110の半導体レーザから発生され、光ディスク101に照射されるレーザビームのパワー(レーザパワー)は、システムコントローラ102の制御のもと、APC回路116により、一定のパワー(リードパワー)とされる。
また、マトリックス回路117で生成されるフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEがサーボ回路115に供給される。そして、このサーボ回路115から二軸ドライバ112に、フォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEに応じて、フォーカスドライブ信号、トラッキングドライブ信号が供給されて二軸機構113が駆動され、フォーカスサーボ、トラッキングサーボが行われる。
また、マトリックス回路117で生成されるRF信号にアドレス情報が含まれており、エンコード/デコード部125でアドレス情報がデコードされる。このアドレス情報がシステムコントローラ102に供給され、システムコントローラ102ではこのアドレス情報に基づいてアクセス実行制御が行われる。
また、エンコード/デコード部125内のPLLによって生成される再生クロックが回転速度情報としてスピンドルサーボ回路108に供給される。スピンドルサーボ回路108ではこの回転速度情報と所定のCLV基準速度情報とが比較されてスピンドルエラー信号が生成され、このスピンドルエラー信号に応じて、スピンドルモータ106の線速度一定の回転制御が行われる。
<記録動作>
ホストコンピュータよりインタフェース127を介してシステムコントローラ102にデータライトコマンドが供給される場合には、記録動作が行われる。
ホストコンピュータから転送され、バッファメモリ126でバファリングされた記録データに対して、エンコード/デコード部125でエラー訂正コードの付加処理、インターリーブ処理、ランレングスリミテッドコードの変調処理などが行われて、記録データRDが生成される。この記録データRDは変調信号発生部128に供給される。この変調信号発生部128では、記録データRDに対応して、変調信号SMe,SMp,SMbが発生され、この変調信号SMe,SMp,SMbは光ピックアップ110のレーザドライバに供給される。
これにより、光ピックアップ110の半導体レーザより出力され、光ディスク101に照射されるレーザビームのパワー(レーザパワー)は、記録マークを形成する期間(変調期間)では、交互に、ピークパワーPpおよびボトムパワーPbとされ、また記録マークを形成しない期間(DC期間)では、イレースパワーPeとされ(図3B参照)、光ディスク101に記録データRDが記録される。
なおこの場合、光ピックアップ110の半導体レーザから発生され、光ディスク101に照射されるレーザビームの各パワー(ピークパワーPp、ボトムパワーPb、イレースパワーPe)は、システムコントローラ102の制御のもと、APC回路116により、所定値となるように制御される。この制御の詳細については、後述する。
また、光ピックアップ110の検出用フォトディテクタとしての複数の受光素子の出力電流がマトリックス回路117に供給される。フォーカスサーボ、トラッキングサーボは、このマトリックス回路117で生成されるフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEに基づき、上述した再生時と同様に行われる。
また、マトリックス回路117で生成されるプッシュプル信号P/PがLPP抽出部120で2値化されてランドプリピット情報が得られる。そして、このランドプリピット情報からアドレスデコーダ121でアドレス情報がデコードされる。このアドレス情報がシステムコントローラ102に供給され、システムコントローラ102ではこのアドレス情報に基づいてアクセス実行制御が行われる。
また、ウォブルPLL部122でマトリックス回路117で生成されるプッシュプル信号P/Pから生成されるウォブルクロックWCKが回転速度情報としてスピンドルサーボ回路108に供給される。スピンドルサーボ回路108ではこの回転速度情報と所定のCLV基準速度情報とが比較されてスピンドルエラー信号が生成され、このスピンドルエラー信号に応じて、スピンドルモータ106の線速度一定の回転制御が行われる。
次に、記録時におけるレーザパワー制御について詳細に説明する。図4は、記録時のレーザパワー制御に係る回路部の構成を示している。
光ピックアップ110は、レーザビームを発生する半導体レーザ(レーザダイオード)131と、この半導体レーザ131にレーザ駆動電流を流すためのレーザドライバ132とを有している。このレーザドライバ132は、半導体レーザ131に、記録マークを形成する期間(変調期間)では直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、記録マークを形成しない期間(DC期間)では直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流す。
この場合、パルス変調成分におけるパルスのデューティー比は、パルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定されている。すなわち、デューティー比は、50%以外、例えば40%とされる。パルスのデューティー比がこのように設定されることで、半導体レーザ131から発生されるレーザビームをモニタする、後述するモニタ素子としてのフォトダイオードの出力電流に対応した電圧信号の変調期間の平均値は、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差の変化に対応して変化するようになる。
レーザドライバ132は、変調用のNPN形トランジスタ133,134,135と、電流源136,137とからなっている。トランジスタ133および電流源136は、半導体レーザ131に直流成分を流す第1のドライブ部分を構成している。トランジスタ134,135および電流源137は、半導体レーザ131にパルス変調成分を流す第2のドライブ部分を構成している。
図5は、半導体レーザ131に流すレーザ駆動電流(レーザ電流)と、この半導体レーザ131で発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)との対応関係であるI-P特性を示している。通常、温度変化があると、このI-P特性が変化する。例えば、温度上昇があると、I-P特性は、実線で示す状態から破線で示す状態に変化する。この場合、レーザ微分効率は、例えばηからη′に変化する。
電流源136は、イレースパワーPeに対応した電流Ieを得るためのものである。電流源137は、ピークパワーPpに対応した電流IpとイレースパワーPeに対応した電流Ieとの差の電流I3=(Ip−Ie)、およびイレースパワーPeに対応した電流IeとボトムパワーPbに対応した電流Ibとの差の電流I3=(Ie−Ib)を得るためのものである。
半導体レーザ131のアノードは交流阻止用のインダクタ(コイル)138を介して電圧+B、例えば+5Vが供給される電源端子に接続され、そのカソードは交流阻止用のインダクタ(コイル)139を介してトランジスタ133のコレクタに接続されている。このトランジスタ133のエミッタは電流源136を介して接地されている。
また、半導体レーザ131のアノードは直流阻止用のコンデンサ141および抵抗器142の直列回路を介して直流電圧+Bが供給される電源端子に接続され、そのカソードは直流阻止用のコンデンサ143および抵抗器144の直列回路を介して直流電圧+Bが供給される電源端子に接続されている。コンデンサ141および抵抗器142の互いの接続点はトランジスタ134のコレクタに接続され、このトランジスタ134のエミッタは電流源137を介して接地されている。コンデンサ143および抵抗器144の互いの接続点はトランジスタ135のコレクタに接続され、このトランジスタ135のエミッタは電流源137を介して接地されている。
また、トランジスタ133のベースにはイレース値変調信号SMeが供給され、トランジスタ134のベースにはボトム値変調信号SMbが供給され、トランジスタ135のベースにはピーク値変調信号SMpが供給される。上述したように、記録データRDが図3Aに示すようであるとき、変調信号SMe,SMp,SMbはそれぞれ図3C,D,Eに示すように発生される。これにより、図3Aに示す記録データRDに対応して、半導体レーザ131からは、図3Bに示すようなパワーでレーザビームが発生される。
すなわち、イレース値変調信号SMeが“1”であるとき、トランジスタ133はオンとなる。そのため、トランジスタ134,135の双方がオフであるときは、電流源136により半導体レーザ131に電流Ieが流される。これにより、光ディスク101に記録マークを形成しない期間(DC期間)では、半導体レーザ131に直流成分(Ie)のみからなる駆動電流が流され、半導体レーザ131から発生されるレーザパワーはイレースパワーPeとされる。
また、ピーク値変調信号SMpが“1”であるとき、トランジスタ135がオンとなる。このとき、半導体レーザ131に流される電流は電流源137によりI3=(Ip−Ie)だけ増加し、従って半導体レーザ131には電流Ipが流される。このときの電流I3の経路は、電源端子→抵抗器142→コンデンサ141→半導体レーザ131→コンデンサ143→トランジスタ135→電流源137である。同様に、ボトム値変調信号SMbが“1”であるとき、トランジスタ134がオンとなる。このとき、半導体レーザ131に流される電流は電流源137によりI3=(Ie−Ib)だけ減少し、従って半導体レーザ131には電流Ibが流される。このときの電流I3の経路は、電源端子→抵抗器144→コンデンサ143→半導体レーザ131→コンデンサ141→トランジスタ134→電流源137である。
これにより、光ディスク101に記録マークを形成する期間(変調期間)では、半導体レーザ131に直流成分(Ie)にパルス変調成分(交互にI3および−I3となる)が重畳されたレーザ駆動電流が流され、半導体レーザ131から発生されるレーザパワーは交互にピークパワーPpおよびボトムパワーPbとされる。
また、光ピックアップ110は、半導体レーザ131で発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子としてのフォトダイオード145と、このフォトダイオード145の出力電流を電圧信号に変換するヘッドアンプとしての電流/電圧変換器(I/V変換器)146とを有している。ここで、電流/電圧変換器146はオペアンプ(演算増幅器)147および抵抗器148を用いて構成されている。
フォトダイオード145のカソードは電圧+B、例えば+5Vが供給される電源端子に接続され、そのアノードはオペアンプ147の反転入力端子に接続されている。また、このオペアンプ147の出力端子は抵抗器148を介してその反転入力端子に接続され、その非反転入力端子は電圧Vref、例えば+2.5Vが供給される電源端子に接続されている。
ここで、記録データRDが図6Aに示すようであり、また半導体レーザ131から発生されるレーザビームのパワー(レーザパワー)が図6Bに示すようであるとき、フォトダイオード145の出力電流IPDは図6Cに示すように得られ、電流/電圧変換器146の出力端子には図6Dに示すように出力信号VPDが得られる。ここで、抵抗器148の抵抗値をRとするとき、VPD=Vref−IPD×Rである。この電流/電圧変換器146の出力信号VPDはAPC(Auto Power Control)回路116に供給される。
APC回路116は、ローパスフィルタ150と、サンプルホールド回路(S/H回路)151d,151aと、比較器152d,152aと、ローパスフィルタ153d,153aと、誤差増幅器154d,154aとを有している。
サンプルホールド回路151dは、電流/電圧変換器146の出力信号VPDから、イレースパワーPeに対応した信号をサンプリングしてホールドするためのものである。そのため、このサンプルホールド回路151dには、図6Fに示すように、光ディスク101に記録マークを形成しない期間(DC期間)に対応したタイミングのサンプリングパルスSPdが供給される。このサンプリングパルスSPdは、上述した変調信号発生部128(図1参照)で生成されて供給される。このサンプルホールド回路151dは、モニタ素子の出力信号から第2の期間に対応した信号値を抽出する信号値抽出部を構成している。
このサンプルホールド回路151dの出力信号Vdcは比較器152dの反転入力端子に供給され、その非反転入力端子には、システムコントローラ102(図1参照)から目標値Vd0が供給される。この比較器152dからは出力信号Vdcの目標値Vd0に対する誤差を示す誤差信号Vdeが得られ、この誤差信号Vdeがローパスフィルタ153dを介して誤差増幅器154dに供給されて増幅される。そして、この誤差増幅器154dの出力信号が上述したレーザドライバ132の電流源136に電流制御信号として供給される。これにより、半導体レーザ131に流れる直流成分(Ie)の値が制御され、DC期間に半導体レーザ131から発生されるレーザビームのパワー(イレースパワーPe)が所定値となるように制御される。
ローパスフィルタ150およびサンプルホールド回路151aは、電流/電圧変換器146の出力信号VPDの、光ディスク101に記録マークを形成する期間(変調期間)の平均値を取得するためのものである。そのため、ローパスフィルタ150には、図6Eに示すように、変調期間に「1」となるウインド信号SWDが供給される。そして、このローパスフィルタ150では、電流/電圧変換器146の出力信号VPDのうち、変調期間の信号が入力されてフィルタリングされる。このウインド信号SWDは、上述した変調信号発生部128(図1参照)で生成されて供給される。
また、サンプルホールド回路151aには、図6Gに示すように、光ディスク101に記録マークを形成する期間(変調期間)に対応したタイミングのサンプリングパルスSPaが供給される。このサンプルホールド回路151aでは、ローパスフィルタフィルタ150の出力信号が、サンプリングパルスSPaでサンプリングされ、電流/電圧変換器146の出力信号VPDの変調期間の平均値が取得される。ここで、ローパスフィルタ150およびサンプルホールド回路151aは、モニタ素子の出力信号の変調期間の平均値を取得する平均値取得部を構成している。
この出力信号VPDの変調期間の平均値は、上述したようにパルスのデューティー比がパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定されているので、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差の変化に対応して変化するものとなる。例えば、図6Dの一点鎖線はこの出力信号VPDの変調期間の平均値を示しているが、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差が大きくなるときは平均値は大きくなり、逆にその差が小さくなるときは平均値は小さくなる。
サンプルホールド回路151aの出力信号Vacは比較器152aの反転入力端子に供給され、その非反転入力端子には、システムコントローラ102(図1参照)から目標値Va0が供給される。この比較器152aからは出力信号Vacの目標値Va0に対する誤差を示す誤差信号Vaeが得られ、この誤差信号Vaeがローパスフィルタ153aを介して誤差増幅器154aに供給されて増幅される。そして、この誤差増幅器154aの出力信号が上述したレーザドライバ132の電流源137に電流制御信号として供給される。これにより、半導体レーザ131に流れるパルス変調成分の振幅値が制御され、変調期間に半導体レーザ131から発生されるレーザビームのパワー(ピークパワーPp、ボトムパワーPb)が所定値となるように制御される。
上述したレーザパワーの制御動作によれば、例えば温度上昇によって、半導体レーザ131のI-P特性が、図5に実線で示す状態から破線で示す状態に変化した場合、電流源136,137の電流は、それぞれ、Ie,I3からIe′,I3′に変化するように制御される。そのため、ボトムパワーPb、イレースパワーPe、ピークパワーPpに対応して半導体レーザ131を流れる電流は、Ib,Ie,IpからIb′,Ie′,Ip′に変化し、当該パワーPb,Pe,Ppとして所定値が維持される。
上述した実施の形態においては、光ディスク101に記録マークを形成する期間(変調期間)では直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を半導体レーザ131に流すと共に、光ディスク101に記録マークを形成しない期間(DC期間)では直流成分のみからなるレーザ駆動電流を半導体レーザ131に流し、直流成分の値を制御することでDC期間のレーザパワーであるイレースパワーPeが所定値となるように制御し、パルス変調成分の振幅値を制御することで変調期間のレーザパワーであるピークパワーPp、ボトムパワーPbが所定値となるように制御するものであり、制御すべき値が直流成分の値およびパルス変調成分の振幅値の2値であり、またDSPも不要であり、シンプルかつ低コストの回路構成でレーザパワーPe,Pp,Pbを良好に制御できる。
また、上述した実施の形態においては、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差に対応した、電流/電圧変換器146の出力信号Vpdの変調期間の平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御することで、ピークパワーPp、ボトムパワーPbが所定値となるように制御するものであり、温度変化による半導体レーザ131の微分効率変化があったとしても、変調期間のレーザパワーであるピークパワーPp、ボトムパワーPbを良好に制御できる。
また、上述した実施の形態においては、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差に対応した、電流/電圧変換器146の出力信号Vpdの変調期間の平均値Vacが一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御することで、ピークパワーPp、ボトムパワーPbが所定値となるように制御するものであり、従来のように電流/電圧変換器の出力信号からピークパワーPp、ボトムパワーPbにそれぞれ対応した信号値を抽出し、それらの信号値に基づいてピークパワーPp、ボトムパワーPbをそれぞれ制御するものではなく、記録速度の高速化でピークパワーPeおよびボトムパワーPbの変化周期(パルス周期)が短くなって、電流/電圧変換器146の出力信号Vpdの出力信号の波形が鈍った状態となったとしても、変調期間のレーザパワーであるピークパワーPp、ボトムパワーPbを良好に制御できる。
また、上述した実施の形態においては、レーザドライバ132は、半導体レーザ131に直流成分を流す第1のドライブ部分と、半導体レーザ131にパルス変調成分を流す第2のドライブ部分とを有するものとされるが、第2のドライブ部分が半導体レーザ131にコンデンサ141,143を介して接続され、当該第2のドライブ部分が半導体レーザ131と直流的には分離されているため、第2のドライブ部分により半導体レーザ131に変調期間でパルス変調成分を流す動作が、第1のドライブ部分が半導体レーザ131に直流成分を流す動作に影響を与えることはない。
なお、上述実施の形態においては、電流/電圧変換器146の出力信号VPDの変調期間の平均値Vacを取得し、この平均値Vacが一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御するものを示したが、電流/電圧変換器146の出力信号VPDの変調期間の他にDC期間をも含めた期間の平均値、つまり電流/電圧変換器146の出力信号VPDの平均値を取得し、この平均値が一定となるようにパルス変調成分の振幅値を制御するようにしてもよい。この場合の平均値も、変調期間の平均値Vacに比べて精度は落ちるものの、ピークパワーPp、ボトムパワーPbとイレースパワーPeとの差の変化に対応して変化するものとなり、変調期間のレーザパワーであるピークパワーPp、ボトムパワーPbが所定値となるように良好に制御できる。この場合、平均値を取得する期間を変調期間に規制する必要がなく、例えばローパスフィルタ150を、上述実施の形態におけるように、ウインド信号SWDを用いて電流/電圧変換器146の出力信号VPDのうち変調期間の信号が入力されてフィルタリングされるように構成する必要がなく、回路構成を簡単にできる。
また、上述実施の形態においては、この発明を書き換え型光ディスクとしてのDVD−RWを取り扱う光ディスク装置100に適用したものであるが、この発明はDVD+RW、CD−RW、ブルーレイディスク等のその他の書き換え型光ディスクを取り扱う光ディスク装置にも同様に適用できる。
この発明は、シンプルかつ低コストの回路構成でレーザパワーを良好に制御でき、また記録速度の高速化および温度変化による半導体レーザの微分効率変化に対してもレーザパワーを良好に制御できるものであり、DVD±RW装置、ブルーレイディスク装置等に適用できる。
実施の形態としての光ディスク装置の構成を示すブロック図である。 光ディスクのプリフォーマット構造を示す図である。 レーザパワーの制御動作を説明するための図である。 記録時のレーザパワー制御に係る回路部の構成を示す図である。 レーザ電流とレーザパワーとの対応関係であるI−P特性を示す図である。 レーザパワーの制御動作を説明するための図である。 レーザパワーの制御動作を説明するための図である。 従来における記録時のレーザパワー制御に係る回路部の構成を示す図である。 レーザ電流とレーザパワーとの対応関係であるI−P特性を示す図である。 レーザパワーの制御動作を説明するための図である。
符号の説明
100・・・光ディスク装置、101・・・光ディスク、102・・・システムコントローラ、103・・・表示部、104・・・操作キー部、105・・・ターンテーブル、106・・・スピンドルモータ、107・・・スピンドルモータドライバ、108・・・スピンドルサーボ回路、110・・・光ピックアップ、111・・・対物レンズ、112・・・二軸ドライバ、113・・・スレッド機構、114・・・スレッドドライバ、115・・・サーボ回路、116・・・APC回路、120・・・ランドプリピット抽出部、121・・・アドレスデコーダ、122・・・ウォブルPLL部、123・・・エンコードクロック発生部、124・・・2値化部、125・・・エンコード/デコード部、126・・・バッファメモリ、127・・・インタフェース、128・・・変調信号発生部、131・・・半導体レーザ、132・・・レーザドライバ、133〜135・・・変調用のNPN形トランジスタ、136,137・・・電流源、138,139・・・インダクタ(コイル)、141,143・・・コンデンサ、142,144・・・抵抗器、145・・・モニタ用のフォトダイオード、146・・・電流/電圧変換器、150・・・ローパスフィルタ、151d,151a・・・サンプルホールド回路、152d,152a・・・比較器、153d,153a・・・ローパスフィルタ、154d,154a・・・誤差増幅器

Claims (7)

  1. レーザビームを発生する半導体レーザと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームを光ディスクに照射するレーザビーム照射部と、
    上記光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、上記半導体レーザに、直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよび該第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにすると共に、上記光ディスクに上記記録マークを形成しない、上記第1の期間の前後に位置する第2の期間では、上記半導体レーザに上記直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが上記第1のパワーよりも低くかつ上記第2のパワーよりも高い第3のパワーとするレーザドライバと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子と、
    上記モニタ素子の出力信号から、上記第2の期間の信号値を抽出する信号値抽出部と、
    上記モニタ素子の出力信号の上記第1の期間の平均値を取得する平均値取得部と、
    上記信号値抽出部で抽出された信号値が一定となるように上記直流成分の値を制御し、上記平均値取得部で取得された平均値が一定となるように上記パルス変調成分の振幅値を制御するレーザパワー制御部と
    を備えることを特徴とする光ディスク装置。
  2. 上記レーザドライバは、
    上記半導体レーザに上記直流成分を流す第1のドライブ部分と、
    上記半導体レーザに上記パルス変調成分を流す第2のドライブ部分とを有し、
    上記第2のドライブ部分は、上記半導体レーザにコンデンサを介して接続されている
    ことを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。
  3. レーザビームを発生する半導体レーザと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームを光ディスクに照射するレーザビーム照射部と、
    上記光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、上記半導体レーザに、直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよび該第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにすると共に、上記光ディスクに上記記録マークを形成しない、上記第1の期間の前後に位置する第2の期間では、上記半導体レーザに上記直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが上記第1のパワーよりも低くかつ上記第2のパワーよりも高い第3のパワーとするレーザドライバと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子と、
    上記モニタ素子の出力信号から、上記第2の期間の信号値を抽出する信号値抽出部と、
    上記モニタ素子の出力信号の平均値を取得する平均値取得部と、
    上記信号値抽出部で抽出された信号値が一定となるように上記直流成分の値を制御し、上記平均値取得部で取得された平均値が一定となるように上記パルス変調成分の振幅値を制御するレーザパワー制御部と
    を備えることを特徴とする光ディスク装置。
  4. 上記レーザドライバは、
    上記半導体レーザに上記直流成分を流す第1のドライブ部分と、
    上記半導体レーザに上記パルス変調成分を流す第2のドライブ部分とを有し、
    上記第2のドライブ部分は、上記半導体レーザにコンデンサを介して接続されている
    ことを特徴とする請求項3に記載の光ディスク装置。
  5. レーザビームを発生する半導体レーザと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームを光ディスクに照射するレーザビーム照射部と、
    上記光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、上記半導体レーザに、直流成分にパルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるようにパルスのデューティー比が設定されているパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよび該第1のパワーよりも低い第2のパワーとなるようにすると共に、上記光ディスクに上記記録マークを形成しない、上記第1の期間の前後に位置する第2の期間では、上記半導体レーザに上記直流成分のみからなるレーザ駆動電流を流し、上記半導体レーザから発生されるレーザビームのパワーが上記第1のパワーよりも低くかつ上記第2のパワーよりも高い第3のパワーとするレーザドライバと、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子と
    を備えることを特徴とする光ピックアップ。
  6. 上記レーザドライバは、
    上記半導体レーザに上記直流成分を流す第1のドライブ部分と、
    上記半導体レーザに上記パルス変調成分を流す第2のドライブ部分とを有し、
    上記第2のドライブ部分は、上記半導体レーザにコンデンサを介して接続されている
    ことを特徴とする請求項5に記載の光ピックアップ。
  7. 光ディスクに記録マークを形成する第1の期間では、半導体レーザから発生され、上記光ディスクに照射されるレーザビームのパワーが交互に第1のパワーおよび該第1のパワーよりも低い第2のパワーとされ、上記光ディスクに上記記録マークを形成しない、上記第1の期間の前後に位置する第2の期間では、上記半導体レーザから発生される上記レーザビームのパワーが上記第1のパワーよりも低くかつ上記第2のパワーよりも高い第3のパワーとされる光ディスク装置のレーザパワー制御方法であって、
    上記第1の期間では、上記半導体レーザに、直流成分にパルス変調成分が重畳されたレーザ駆動電流が流れるようにし、
    上記第2の期間では、上記半導体レーザに、上記直流成分のみからなるレーザ駆動電流が流れるようにし、
    上記パルス変調成分におけるパルスのデューティー比を、パルス振幅中心値とパルス平均値とが異なる値となるように設定し、
    上記半導体レーザから発生されるレーザビームをモニタするモニタ素子の出力信号から、上記第2の期間の信号値を抽出する信号値抽出ステップと、
    上記モニタ素子の出力信号の上記第1の期間の平均値、または上記モニタ素子の出力信号の平均値を取得する平均値取得ステップと、
    上記信号値抽出ステップで抽出された信号値が一定となるように上記直流成分の値を制御すると共に、上記平均値取得ステップで取得された平均値が一定となるように上記パルス変調成分の振幅値を制御するレーザパワー制御ステップとを備える
    ことを特徴とする光ディスク装置のレーザパワー制御方法。
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