JP2006071629A - 静電容量変化検出方法及び検出集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単一の周波数でない時分割された二つの周波数を用いてターゲットキャパシタの静電容量変化を感知することを特徴とする。具体的に、静電容量の変化に対して時間分割で感知周波数faと、このfaよりもk倍遅い感知周波数fbを発生する第1の段階と、該感知周波数faとfbとの差である差周波数を演算する第2の段階と、該差周波数の変化率を演算する第3の段階と、該差周波数の変化率を所定の感知レベルと比較し、この差周波数の変化率が感知レベルよりも大きければ、静電容量が変化したことを表す信号を出力する第4の段階と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図2は、本発明の第1の実施形態に従う静電容量変化検出集積回路100を用いて6個のピンを持つチップを構成したブロック図である。図2を参照しながら本発明による静電容量変化検出方法も一緒に説明する。チップの第1のピンはV+入力端、第2のピンはV−入力端、第3のピンは出力端、第4のピンはイネーブル信号入出力部、第5のピンは感知レベル入力端、第6のピンは静電容量入力端として使われる。
第6のピンを通じてターゲットキャパシタの静電容量Csが静電容量変化検出集積回路100に入力されると、デュアル周波数発生部110では、静電容量の変化に対して時間分割で感知周波数fa,fbを生成する。ここで、faは、fbに比べ、静電容量に入力される電流比(k)だけ速い。
図4は、図2に示すデュアル周波数発生部110の詳細回路図であり、時間遅延(td)成分による影響を調べるための図である。PDLがロー(low)状態になれば、トランジスターM17とM10がオフになって静電容量Csを有するターゲットキャパシタを充放電する通路が遮断され、このターゲットキャパシタの充放電が、トランジスターM15とM2を通じてなされるため、充放電電流が減少し、発振器(OSC)の発振周波数が遅くなる。逆に、PDLがハイ(high)になると、トランジスターM17,M10,M15,M2を通った充放電電流が合流することで充放電電流が増加するため、発振器(OSC)の発振周波数が増加する。
差周波数変化率Rの演算過程を具体的に説明すると、まず、基準周波数発生部130aで基準周波数frを生成する。基準周波数frは、感知周波数と比較して静電容量の変化を基準とする周波数であるので、この基準周波数frの適切な生成が、外部のノイズを区別して信号を出力する重要な要素となる。基準周波数frは、
基準周波数発生部130aで基準周波数frが生成されると、演算部130bで(fr−fd)/frで与えられる差周波数変化率Rを演算する。差周波数変化率Rは、(fr−fd)/frに適切な加重値をかけて得ることも可能である。
比較器140は、感知レベル入力端150に入力される所定の感知レベルDLと差周波数変化率Rとを比較し、その結果を出力部170に出力する。こうすると、出力部170では、差周波数変化率Rが感知レベルDLよりも大きい場合に、第3のピンを通してハイ信号からロー信号に変換して出力する。出力部170は、ノイズを防止するために比較器140の結果を、所定時間の間に積分し出力するように積分器170aを備えることが望ましく、バッファー170bを備えることも望ましい。
第5のピンに、望む感知レベルに該当するあらかじめ約束された、静電容量Cdを有する外部キャパシタを接続し、前記外部キャパシタに電流を供給して電荷が充電されるようにする。このときに、電流の強度を同一にすれば、図8に示すように、外部キャパシタの静電容量Cdによって定められた基準電圧Vthに到達する時間が異なってくるが、これら時間を測定し、内部で定められたコードによって感知レベルを選択する。
ターゲットキャパシタの静電容量Csが増加すると、差周波数fdが減少し、差周波数変化率(減少率)が感知レベルよりも大きければ、出力部はロー電圧を出力する。差周波数(fd)が減少し続き、ある瞬間には差周波数fdと基準周波数frがほぼ同一になり、差周波数変化率Rが感知レベルよりも小さくなることから、静電容量の変化を感知できない場合が生じる。
本発明は、電力消費を減らすためにfaの発生周期を調節するDFM部200を備える。チップ内のCMOS回路は、動作周波数の速度に比例して電力消費が生じるので、発振周波数の速いfaの発生周期を縮めて電力消費を減らす必要がある。
イネーブル信号入出力部220は、回路が動作する時と待機モードにある時とを区分して、待機モードのときに動作電流を減らす機能を担うものであり、乾電池などを使用する場合に電流消費を考慮したものである。すなわち、待機モードの時には、DFM部200のfa,fbの発生をホールドして、電流消費を最小限に抑える。
図10は、本発明の第2の実施形態に従う静電容量変化検出集積回路100を用いて6個のピンを持つチップを構成したブロック図である。イネーブル信号入出力部として使用された第4のピンを、周波数ホールディング入力端とする点が、第1の実施形態と相違する。もちろん、イネーブル信号入出力部をそのまま使用し、別途のピン、つまり第7のピンを周波数ホールディング入力端として設けることも可能である。このように第4のピンを周波数ホールディング入力端として使用すると、基準周波数frが差周波数を追従する速度を、外部の第4のピンを通じて任意に選択することが可能になる。
110 :デュアル周波数発生部
110a:周波数格納部
110b:周波数格納部
120 :差周波数演算部
130 :差周波数変化率演算部
130a:基準周波数発生部
130b:差周波数変化率演算部
140 :比較器
150 :感知レベル入力端
160 :基準周波数ホールディング部
170 :出力部
170a:積分器
170b:バッファー
200 :DFM部
210 :初期感知信号発生部
220 :イネーブル信号入出力部
Claims (14)
- 静電容量の変化に対して時間分割で感知周波数faと、該faよりもk倍遅い感知周波数fbを発生する第1の段階と、前記感知周波数faとfbとの差である差周波数fdを演算する第2の段階と、前記差周波数の変化率を演算する第3の段階と、前記差周波数の変化率を所定の感知レベルと比較し、前記差周波数の変化率が前記感知レベルよりも大きければ、静電容量が変化したことを表す信号を出力する第4の段階、を備えることを特徴とする静電容量変化検出方法。
- 前記差周波数の変化率を演算する第3の段階は、現在周期tと以前周期t−1を基準として、前記差周波数の差fd(t)−fd(t−1)が、fd(t)−fd(t−1)>mならfr(t)=fr(t−1)+m−n、0≦fd(t)−fd(t−1)≦mならfr(t)=fr(t−1)+g、fd(t)−fd(t−1)<0ならfr(t)=fr(t−1)−h(ここで、m≧1、0<n<m、g≧1、h≧1、g>h)で与えられる基準周波数fr(t)を生成する段階と、(fr(t)−fd(t))/fr(t)で与えられる差周波数変化率を演算する段階と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の静電容量変化検出方法。
- ターゲットキャパシタの静電容量の変化に対して時間分割で感知周波数faと、該faよりもk倍遅い感知周波数fbを発生するデュアル周波数発生部と、前記感知周波数faとfbとの差である差周波数を演算する差周波数演算部と、前記差周波数の変化率を演算する差周波数変化率演算部と、所定の感知レベルが入力される感知レベル入力端と、前記感知レベル入力端に入力される感知レベルと前記差周波数変化率演算装置で演算された差周波数変化率とを比較する比較部と、前記比較部での比較結果、前記差周波数変化率が前記感知レベルよりも大きい場合に、ハイ信号からロー信号に変換して出力する出力端と、を備えることを特徴とする静電容量変化検出集積回路。
- 前記差周波数変化率演算部は、
現在周期tと以前周期t−1を基準として、前記差周波数の差fd(t)−fd(t−1)が、fd(t)−fd(t−1)>mならfr(t)=fr(t−1)+m−n、0≦fd(t)−fd(t−1)≦mならfr(t)=fr(t−1)+g、fd(t)−fd(t−1)<0ならfr(t)=fr(t−1)−h(ここで、m≧1、0<n<m、g≧1、h≧1、g>h)で与えられる基準周波数fr(t)を生成する基準周波数発生部と、(fr(t)−fd(t))/fr(t)で与えられる差周波数変化率を演算する演算部と、を備えることを特徴とする請求項3に記載の静電容量変化検出集積回路。 - 前記基準周波数発生部で生成される基準周波数fr(t)の時間による変化をホールディングする基準周波数ホールディング部をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記基準周波数ホールディング部は、抵抗を備え、この抵抗値の大きさに基づいて基準周波数fr(t)のホールディング時間が決定されるように構成されることを特徴とする請求項5に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記出力端は、前記比較部から出力される比較結果を積分する積分器を備えることを特徴とする請求項3に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記感知レベル入力端は、単一の外部ピンを備え、該外部ピンには、内部の基準クロックと電流源が接続されると同時に、外部キャパシタが接続されるようにし、前記電流源を通じて前記外部キャパシタに電荷が充電されるようにすることによって、前記外部キャパシタの電圧が、あらかじめ定められた基準電圧に到達する時間を測定し、これによって、内部に定められたコードにしたがって感知レベルを選択可能にし、一つのピンを通じて複数段階の感知レベルを入力可能に設けられることを特徴とする請求項3に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記比較部での比較結果、前記差周波数変化率が前記感知レベルよりも大きい結果または小さい結果が出始めるときを起点として、一定時間の間に前記デュアル周波数発生部から発生する前記faの発生周期を高めるデュアル周波数発生周期可変部を備えることを特徴とする請求項3に記載の静電容量変化検出集積回路。
- イネーブル信号入出力部をさらに備え、該イネーブル信号入出力部は、外部から印加される電圧がハイであれば、イネーブルとなり、ローであれば、待機状態と認識するように構成され、前記デュアル周波数発生周期可変部が動作中の場合には、外部からロー信号が入力されないように自体的にロー信号を発生させ、これを外部に出力して隣のチップと通信することを特徴とする請求項9に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記デュアル周波数発生部は、複数個備えられて、複数個のターゲットキャパシタに対するfaとfbを発生し、前記イネーブル信号入出力部は、前記デュアル周波数発生部の個数だけ備えられることを特徴とする請求項10に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 前記ターゲットキャパシタは、別途の感度調整用キャパシタと並列または直列に接続されて前記デュアル周波数発生部に接続されることを特徴とする請求項3に記載の静電容量変化検出集積回路。
- 請求項5の検出集積回路を備える集積回路チップであって、6個の外部ピンを備えるものの、第1のピンはV+入力端、第2のピンはV−入力端、第3のピンは出力端、第4のピンは周波数ホールディング時間入力端、第5のピンは感知レベル入力端、第6のピンは静電容量の入力端として使用されることを特徴とする集積回路チップ。
- 請求項10の検出集積回路を備える集積回路チップであって、6個の外部ピンを備えるものの、第1のピンはV+入力端、第2のピンはV−入力端、第3のピンは出力端、第4のピンはイネーブル信号入出力端、第5のピンは感知レベル入力端、第6のピンは静電容量Csの入力端として使用されることを特徴とする集積回路チップ。
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