JP2006066864A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 光半導体装置であって、
   光伝導性のある半導体膜と、
   前記半導体膜の膜厚方向に電界を印加するための一対の電極とを備え、
   前記電界が印加された領域に、光を吸収させることで前記半導体膜中に発生したキャリアの移動によって電磁波を前記半導体膜から発生させることを特徴とする光半導体装置。
2. 前記電極は半導体膜を膜厚方向に挟むように配置されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記光伝導性のある半導体膜は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体膜であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
4. 前記光伝導性のある半導体膜の少なくとも一方の面には、導電型およびエネルギーバンドギャップの異なる半導体が積層されてなることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
5. 前記半導体膜より発生した電磁波を伝搬する伝送路が連続して形成され、前記伝送路を構成する金属が、前記電極の少なくとも１つと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
6. 前記半導体膜から発生した電磁波を空間に放射するためのアンテナ又は空間を伝播してきた電磁波を受信するためのアンテナを備えることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
7. 前記半導体膜の電界を印加される領域に前記半導体膜の側面より光を照射するための光導波路を備えていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
8. 電界を印加するための膜厚方向において上部に配置された電極近傍の前記半導体膜の領域に、空間伝搬によって上方から光照射を行うことで、前記半導体膜から電磁波を発生させることを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
9. 第１の半導体基板に犠牲層をエピタキシャル成長する工程と、
   光伝導性のある半導体膜をエピタキシャル成長する工程と、
   前記半導体膜表面に電極を形成する工程と、
   第２の基板に電極を形成する工程と、
   前記半導体膜表面の電極と第２の基板の電極とを接触させて接着する工程と、
   第１の基板を前記犠牲層を境界として除去する工程と、
   第２の基板に接着されて半導体膜の表面にさらに電極を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。