JP2006060071A - GaN系電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【課題】 動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいGaN系電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。
【選択図】 図1
【解決手段】ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の導電型と同一のコンタクト層が、前記チャネル層に至る深さのエッチング溝に埋め込まれ、かつ、前記コンタクト層はソース電極のみに接続していることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。
【選択図】 図1
Description
本発明は、GaN系電界効果トランジスタに関するものである。更に詳しくは、動作時のオン抵抗が小さく耐圧が大きいGaN系電界効果トランジスタに関するものである。
GaN系半導体は、Si,GaAs系の半導体に比べてそのバンドギャップエネルギーが大きい。そのため、GaN系半導体を用いた半導体素子は、耐熱度が高く高温動作に優れているので、この材料を用いた電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor:FET)の開発研究が進められている。
図2に従来技術に係るGaN系半導体を用いた電界効果トランジスタの一である高電子移動度トランジスタを示した。この高電子移動度トランジスタにおいては、例えばサファイア基板のような基板1の上に、GaNから成るバッファ層2、アンドープGaNからなる電子走行層(チャネル層)3、および前記電子走行層に比べて薄いアンドープAlGaNからなる電子供給層4を順次積層して成る層構造(ヘテロ接合構造)が形成されている。そして、電子供給層4の上には、ソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極Dが平面配置されている(特許文献1の従来技術の記載を参照)。
なお、符号5はソース電極S及びドレイン電極DとアンドープAlGaNからなる電子供給層4の間のコンタクト抵抗を低くするためのn−GaNコンタクト層である。符号5に示したコンタクト層を設けることにより、オン抵抗を下げることが可能となる。
また、電子走行層と電子供給層4両層のヘテロ接合界面においては、結晶歪みに基づくピエゾ圧電効果でピエゾ電界が発生し、両者の接合界面の直下に2次元電子ガス層6が形成され、2次元電子ガス層6中ではキャリアが走行する。走行したキャリアは、ソース電極S−ドレイン電極D間を流れる電流となる。
図3で示した従来技術に係る電界効果トランジスタにおいて、コンタクト層5は、ドレイン電極Dとソース電極Sの両方に接触するように形成されている。そして、コンタクト層5は電子走行層にまで達する深さのエッチング溝に埋め込まれている。
なお、エッチング溝を形成するためには、光照射におけるKOH水溶液を用いたウェットエッチング手法を用いている。そしてより精密にエッチングを行うためには、ドライエッチング手法が用いられる。
図3で示した従来技術に係る電界効果トランジスタを動作させると、主にドレイン電極Dとゲート電極Gとの間に電界が集中する。さらに、コンタクト層5がドレイン電極D側にも形成されているため、ドレイン電極D側のエッチング溝の角部に特に電界が集中する。
しかし、エッチング溝を形成し、コンタクト層5を形成することで、電界効果トランジスタの耐圧が悪くなるという問題がある。これは、以下のように推測されている。すなわち、
エッチングが不均一な部分が生じ、その部分に電界が集中すること。
ドライエッチングなどにより誘起されたダメージ
選択成長層の成長膜厚の不均一性により、電界集中が起こること。
などである。そこで、本発明が解決しようとする課題は、コンタクト層を設けることにより耐圧が低くなるという問題を解消できるGaN系電界効果トランジスタの提供を目的とする。
エッチングが不均一な部分が生じ、その部分に電界が集中すること。
ドライエッチングなどにより誘起されたダメージ
選択成長層の成長膜厚の不均一性により、電界集中が起こること。
などである。そこで、本発明が解決しようとする課題は、コンタクト層を設けることにより耐圧が低くなるという問題を解消できるGaN系電界効果トランジスタの提供を目的とする。
請求項1に係る発明は、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層と導電型が同一のコンタクト層が前記ソース電極と前記チャネル層の間に位置し、少なくとも前記ソース電極に隣接し、かつ前記ドレイン電極と所定の間隔を離間させて設けられていることを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1記載の電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層はInxGa1-xN(0≦x<1)であることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1記載の電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層は、前記チャネル層が存在する領域のGaN系半導体層にn型のイオンを添加して形成されたことを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項2または3記載の電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層のドーパントは、Si,Se,Sの少なくとも一種類を含むことを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項4記載の電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層のドーパントのドーピング濃度は、1×1017〜1×1021/cm3の濃度であることを特徴とする。
請求項6に係る発明は、請求項1〜5記載の電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極、前記ドレイン電極は、Siを含む2以上の金属を用いた合金を含むことを特徴とする。
請求項7に係る発明は、請求項6記載の電界効果トランジスタにおいて、前記合金に用いられる金属は、Ta,W,Nb,Mo,Al,Ti,Ca,Naであることを特徴とする。
本発明に係るGaN系電界効果トランジスタによれば、電界が集中するドレイン電極Dの側にコンタクト層がなく、そして、当然にコンタクト層を形成するための溝を形成する必要がない。したがって、電界効果トランジスタの耐圧を向上させることが可能である。また、ソース電極Sの側にはコンタクト層を設けることができるので、電界効果トランジスタのオン抵抗を下げることができる。
本発明に係るGaN系電界効果トランジスタの一形態の断面図を図1に示した。
すなわち、基板1上に、GaN系半導体から成るバッファ層2、チャネル層3及び電子供給層4が積層されている。チャネル層3は、ソース電極S−ドレイン電極D間を流れる電流のキャリアが走行する電子走行層となる。また、長さLのチャネルに相当する箇所の電子供給層4上にゲート電極Gが形成されている。
すなわち、基板1上に、GaN系半導体から成るバッファ層2、チャネル層3及び電子供給層4が積層されている。チャネル層3は、ソース電極S−ドレイン電極D間を流れる電流のキャリアが走行する電子走行層となる。また、長さLのチャネルに相当する箇所の電子供給層4上にゲート電極Gが形成されている。
そして、ソース電極Sが存在する部分に相当する部分のみの電子供給層4、チャネル層3がエッチングされてエッチング溝が形成されている。そして、エッチング溝にはn型不純物が高濃度でドーピングされ、GaN系半導体から成るコンタクト層5が埋め込まれている。コンタクト層5として、n型ドーパントのSi,Se,Sのうち少なくとも一種類を1×1017〜1×1021/cm3の濃度でドーピングしたInxGa1-xN(0≦x<1)を用いることができる。なお、コンタクト層5はエッチング溝にGaN系半導体を埋め込むだけでなく、チャネル層3が存在する領域のGaN系半導体層にn型のイオンを注入、添加することによっても形成することができる。このようにすることでエッチング溝が不要となり、電界効果トランジスタの一層の耐圧向上を期待することができる。さらに、コンタクト層5はチャネル層3に隣接していなくても良い場合がある。すなわち、コンタクト層5とチャネル層3の距離は、トンネル効果によりコンタクト層5とチャネル層3が導通する程度の距離であっても同様の効果を得ることが出来る。
ここで、チャネルの長さLに相当するチャネル層3の表面には電子供給層4がヘテロ接合しているため、接合している部分の界面には2次元電子ガスが発生し2次元電子ガス層6が形成される。そのため、2次元電子ガスがキャリアとなってチャネル層3は導電性を示すようになる。
なお、キャリアが存在する二次元電子ガスの分布の範囲は、コンタクト層5が埋め込まれたエッチング溝の底面の深さよりも浅い箇所に位置する。そのため、二次元電子ガス層6中を走行してきたキャリアはそのままコンタクト層5に到達する。さらに、コンタクト層5を構成するGaN系半導体のバンドギャップエネルギーの大きさがチャネル層3のものよりも小さい場合は、二次元電子ガス層6中を走行してきたキャリアがコンタクト層5に到達する際の障壁がなくなる。これにより、電界効果トランジスタのオン抵抗を一層下げることができる。ここで、ソース電極S、ドレイン電極Dとして、Siを含む2以上の金属を用いた合金を用いることにより、オン抵抗をさらに一層下げることができる。Siと共に用いる金属としては、Ta,W,Nb,Mo,Al,Ti,Ca,Naを挙げることができる。
以上のように、図1に示したGaN系電界効果トランジスタは、コンタクト層5がドレイン電極Dから離間しており、ソース電極Sに隣接している。すなわち、コンタクト層5がドレイン電極Dには隣接しておらず、ソース電極Sには隣接している。そのため、電界効果トランジスタの耐圧を向上させることが可能である。
(実施例1)
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタの断面図を図1に示した。
すなわち、サファイア基板1上に、例えばGaNから成るバッファ層2、電界効果トランジスタのチャネル層3となるアンドープGaN層が形成されている。アンドープGaN層(チャネル層3)の上にはアンドープAlGaN層(電子供給層4)、ゲート電極Gが形成されている。
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタの断面図を図1に示した。
すなわち、サファイア基板1上に、例えばGaNから成るバッファ層2、電界効果トランジスタのチャネル層3となるアンドープGaN層が形成されている。アンドープGaN層(チャネル層3)の上にはアンドープAlGaN層(電子供給層4)、ゲート電極Gが形成されている。
そして、ソース電極Sが存在する部分に相当する部分のみのアンドープAlGaN層(電子供給層4)及びアンドープGaN層(チャネル層3)がエッチングされてエッチング溝が形成されている。そして、エッチング溝にはn型不純物であるSiが高濃度でドーピングされてなるn−InGaNのコンタクト層5が埋め込まれ、コンタクト層5の表面にソース電極Sが形成されている。
ここで、チャネルの長さLに相当するアンドープGaN層(チャネル層3)の表面にはアンドープAlGaN層(電子供給層4)がヘテロ接合しているため、接合している部分の界面には2次元電子ガスが発生する。そのため、2次元電子ガスがキャリアとなってチャネル層3は導電性を示すようになる。すなわち、チャネル層3は電子走行層としての働きをする。
なお、キャリアが存在する二次元電子ガスの分布の範囲は、コンタクト層5が埋め込まれたエッチング溝の底面の深さよりも浅い箇所に位置する。そのため、二次元電子ガス層6中を走行してきたキャリアはそのままコンタクト層5に到達する。また、コンタクト層5を構成する材料がInGaNであるため、チャネル層3を構成するGaNよりもバンドギャップが小さい。そのため、二次元電子ガス層6中を走行してきたキャリアがコンタクト層5に到達しやすくなる。
図1で示した本実施例に係る電界効果トランジスタを以下のような工程を経て製造した。成長装置はMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置を用い、成長するための基板1はサファイア基板を用いた。
まず、サファイア基板1をMOCVD装置内に導入し、ターボポンプでMOCVD装置内の真空度を1×10-6hPa以下になるまで真空引きした後、真空度を100hPaとし基板を1100℃に昇温した。温度が安定したところで、基板1を900rpmで回転させ、原料となるトリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量で基板1の表面に導入しGaNからなるバッファ層2の成長を行った。成長時間は120secでバッファ層2の膜厚は50nm程度である。
その後、トリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量でバッファ層2の上に導入してGaNからなるチャネル層3の成長を行った。成長時間は1000secで、チャネル層3の膜厚は400nmであった。
最後に、トリメチルアルミニウム(TMA)を50cm3/min、トリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、アンモニアを12リットル/minの流量で導入し、Al0.2Ga0.8Nからなる電子供給層4の成長を行って層構造を構成する。ここで、成長時間は40secで、電子供給層4の膜厚は30nmである。
層構造のエピタキシャル成長が終了した後、電子供給層4の全面にSiO2膜を形成し、フォトリソグラフィと化学エッチングを用いて、ソース電極Sが存在する部分に相当する箇所に開口部を開ける。そして、KOH水溶液からなるエッチング液を用いてチャネル層3に至る深さのエッチング溝を形成した。ここで、エッチング溝の深さは、100nmとした。
溝が形成された後、再びMOCVD装置に搬入してn−InGaNからなるコンタクト層5の埋め込みを行った。埋め込みは、装置の真空度を100hPaとし基板を1050℃に昇温した。温度が安定したところで、基板1を900rpmで回転させ、原料となるトリメチルガリウム(TMG)を100cm3/min、トリメチルインジウム(TMIn)を50cm3/min、アンモニアを12リットル/min、ドーパントとしてSiH4を10cm3/minの流量で基板1の表面に導入しn−InGaNからなるコンタクト層5(Siのドーピング濃度は3×1019/cm3)の成長を行った。コンタクト層5を埋め込み後、アンドープAlGaN層(電子供給層4)上のSiO2膜をフッ酸で除去した。
そしてEB蒸着法により、ソース電極Sとドレイン電極D、ソース電極S(Ta/Si/Au,厚さは100nm/20nm/200nm)とドレイン電極Dの間にゲート電極G(Pt/Au,厚さは100nm/200nm)を形成することにより、図1で示した電界効果トランジスタが得られる。
なお、比較のため、図3に示した従来の形態の電界効果トランジスタも作製した。すなわち、図3に示した電界効果トランジスタは、コンタクト層5が、ドレイン電極Dとソース電極Sの両方に接触するように形成され、かつエッチング溝に埋め込まれている。なお、バッファ層2、チャネル層3、電子供給層4の厚さは図1に示した電界効果トランジスタと同じである。
図1に示した本実施例に係る電界効果トランジスタのソース電極S−ドレイン電極D間の逆方向の耐圧は400Vであり、図3で示した従来の形態の電界効果トランジスタの逆方向の耐圧の250Vと比較して向上していることが確認された。また、本実施例に係る電界効果トランジスタのオン抵抗は7mΩcm2と、図3で示した形態の電界効果トランジスタのオン抵抗の5mΩcm2と比較して若干上昇したものの、遜色はなかった。
(実施例2)
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタの断面図を図2に示した。
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタは、図1に示した実施例1に係るGaN系電界効果トランジスタのコンタクト層5の部分以外は全く共通する。
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタの断面図を図2に示した。
本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタは、図1に示した実施例1に係るGaN系電界効果トランジスタのコンタクト層5の部分以外は全く共通する。
すなわち、本実施例に係るGaN系電界効果トランジスタでは、アンドープGaN層からなるチャネル層3及びアンドープAlGaN層からなる電子供給層4の一部にSiイオンを注入し、注入した部分をn型化したものをコンタクト層5としている。これにより、コンタクト層5を構成するためのエッチング溝が不要となる。
イオン注入の工程は、実施例1に係る電界効果トランジスタの製造工程において、層構造のエピタキシャル成長が終了した後、電子供給層4の全面にSiO2膜を形成し、フォトリソグラフィと化学エッチングを用いて、ソース電極Sが存在する部分に相当する箇所に開口部を開けた工程を経た後に行なうイオン注入を行なうために、イオン注入装置を用い(加速電圧50kV)、n型不純物の濃度が、1×1019/cm3となるように注入量を調整した。なお、他の工程は実施例1に係る電界効果トランジスタの製造方法と全く共通する。
このようにして製造された実施例2に係る電界効果トランジスタの耐圧は500Vであり、実施例1に係る電界効果トランジスタと比較して耐圧が一層向上していた。また、オン抵抗も8mΩcm2 と実施例1に係る電界効果トランジスタと比較して若干劣るものの、従来例に係る電界効果トランジスタとほぼ同等であった。
1 基板
2 バッファ層
3 電子走行層(チャネル層)
4 電子供給層
5 コンタクト層
6 2次元電子ガス層
2 バッファ層
3 電子走行層(チャネル層)
4 電子供給層
5 コンタクト層
6 2次元電子ガス層
Claims (7)
- ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、チャネル層を有するGaN系電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層と導電型が同一のコンタクト層が前記ソース電極と前記チャネル層の間に位置し、少なくとも前記ソース電極に隣接し、かつ前記ドレイン電極と所定の間隔を離間させて設けられていることを特徴とするGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層はInxGa1-xN(0≦x<1)であることを特徴とする請求項1記載のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層は、前記チャネル層が存在する領域のGaN系半導体層にn型のイオンを添加して形成されたことを特徴とする請求項1記載のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層のドーパントは、Si,Se,Sの少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項2または3記載の電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層のドーパントのドーピング濃度は、1×1017〜1×1021/cm3の濃度であることを特徴とする請求項4記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ソース電極、前記ドレイン電極は、Siを含む2以上の金属を用いた合金を含むことを特徴とする請求項1〜5記載の電界効果トランジスタ。
- 前記合金に用いられる金属は、Ta,W,Nb,Mo,Al,Ti,Ca,Naであることを特徴とする請求項6記載の電界効果トランジスタ。
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JP2004241255A JP2006060071A (ja) | 2004-08-20 | 2004-08-20 | GaN系電界効果トランジスタ |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010074077A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012174848A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | トランジスタ装置及びトランジスタ装置製造方法 |
WO2015080107A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018056366A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置、電源装置、及び増幅器 |
-
2004
- 2004-08-20 JP JP2004241255A patent/JP2006060071A/ja active Pending
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WO2015080107A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6090474B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-03-08 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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