JP2006059479A - 連想記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SOI基板上で、動作速度低減の問題なく、消費電力の小さな連想記憶装置を提供する。
【解決手段】連想記憶装置(CAM)は、データ記憶部DMとデータ比較部DCを備えている。データ比較部DCは、サーチ線SLに載せられたデータと、データ記憶部DMに記憶されたデータを比較する。不一致の場合、Hレベルにプリチャージされたマッチ線MLを放電してLレベルにする。ここで、データ比較部DCを構成するNMOSトランジスタN6,N8のゲートとボディを短絡する。ゲートとボディを短絡すると、NMOSトランジスタN6,N8の閾値電圧が下がる。そのため、ゲートに接続されたサーチ線SLを低電圧化しても、MOSトランジスタN6,N8のオン電流を大きくすることができ、マッチ線MLを高速に放電することができる。その結果、低消費電力化のためにサーチ線SLを低電圧化しても、動作速度低減の問題のない連想記憶装置を実現できる。
【選択図】図1
【解決手段】連想記憶装置(CAM)は、データ記憶部DMとデータ比較部DCを備えている。データ比較部DCは、サーチ線SLに載せられたデータと、データ記憶部DMに記憶されたデータを比較する。不一致の場合、Hレベルにプリチャージされたマッチ線MLを放電してLレベルにする。ここで、データ比較部DCを構成するNMOSトランジスタN6,N8のゲートとボディを短絡する。ゲートとボディを短絡すると、NMOSトランジスタN6,N8の閾値電圧が下がる。そのため、ゲートに接続されたサーチ線SLを低電圧化しても、MOSトランジスタN6,N8のオン電流を大きくすることができ、マッチ線MLを高速に放電することができる。その結果、低消費電力化のためにサーチ線SLを低電圧化しても、動作速度低減の問題のない連想記憶装置を実現できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、データ検索等の用途に用いられる連想記憶装置に関するものである。
連想記憶装置(Content Addressable Memory:以下、単にCAMと称する。)は、データ検索等の用途に用いられる。CAMは、予めメモリアレイに記憶されたデータと、外部から入力されたデータとの比較行うことで検索動作を行う。
なお、本発明に関する先行技術が特許文献1に開示されている。
なお、本発明に関する先行技術が特許文献1に開示されている。
CAMは高速検索処理に非常に適したメモリであるが、その並列動作性から動作時の消費電力が非常に大きいことが問題となっている。
動作時の消費電力を低減するためには、動作電圧を低減することが最も重要である。
動作時の消費電力を低減するためには、動作電圧を低減することが最も重要である。
しかしながら、単純に動作電圧を下げると、CAMのメモリセル(CAMセル)に記憶されたデータを安定に保持することが難しくなる。
すなわち、CAMセルをSRAM(Static Random Access Memory)のような記憶素子と見た場合、動作電圧を下げていくと読み出し時の動作余裕が無くなり、最悪の場合、データの破壊をもたらす可能性がある。
すなわち、CAMセルをSRAM(Static Random Access Memory)のような記憶素子と見た場合、動作電圧を下げていくと読み出し時の動作余裕が無くなり、最悪の場合、データの破壊をもたらす可能性がある。
また、単純に動作電圧を下げるとサーチ線・マッチ線の駆動速度が落ちてしまい、CAMの消費電力は低減できるが、動作周波数が落ちてしまうという問題があった。
そこで、本発明の目的は、動作速度低減の問題なく、消費電力の小さな連想記憶装置を提供することにある。
そこで、本発明の目的は、動作速度低減の問題なく、消費電力の小さな連想記憶装置を提供することにある。
請求項1に係る連想記憶装置は、複数のメモリセルと、前記メモリセルに接続されたマッチ線と、前記メモリセルに接続されたサーチ線と、を備えるSOI基板上に形成された連想記憶装置であって、前記メモリセルは、データ記憶部と、前記データ記憶部に記憶されたデータと、サーチ線上に与えられたサーチデータを比較するデータ比較部と、を備え、前記データ比較部は、ゲートがサーチ線に接続され、導通することにより前記マッチ線を放電するトランジスタを有し、前記トランジスタは、ゲートとボディとが短絡されていることを特徴とする。
請求項1に係る連想記憶装置は、データ比較部にゲートとボディが短絡されたトランジスタを備えている。ゲートとボディを短絡することにより、トランジスタの閾値電圧が下がるので、サーチ線の電圧を下げてもオン電流を大きくすることができる。そのため、マッチ線の放電を速く行うことができる。
その結果、消費電力を低くするためにサーチ線の電圧を下げても、動作速度低減の問題の無い連想記憶装置を実現できる。
その結果、消費電力を低くするためにサーチ線の電圧を下げても、動作速度低減の問題の無い連想記憶装置を実現できる。
<実施の形態1>
図1は、本実施の形態に係る連想記憶装置のメモリセルの一つを示す回路図である。連想記憶装置は、複数のメモリセルを備えている。メモリセルは、データ記憶部DMと、データ記憶部DMに記憶されたデータと、サーチ線SL,バーSL上に与えられたサーチデータを比較するデータ比較部DCを備えている。なお、本実施の形態に係る連想記憶装置は、SOI(Silicon On Insulator)プロセスを用いて形成されている。
NMOSトランジスタN3のドレインが、データ記憶部DMを構成するPMOSトランジスタP2のドレインに点O2において接続されている。NMOSトランジスタN3のソースはビット線BLに接続され、ゲートは、ワード線WLに接続されている。
図1は、本実施の形態に係る連想記憶装置のメモリセルの一つを示す回路図である。連想記憶装置は、複数のメモリセルを備えている。メモリセルは、データ記憶部DMと、データ記憶部DMに記憶されたデータと、サーチ線SL,バーSL上に与えられたサーチデータを比較するデータ比較部DCを備えている。なお、本実施の形態に係る連想記憶装置は、SOI(Silicon On Insulator)プロセスを用いて形成されている。
NMOSトランジスタN3のドレインが、データ記憶部DMを構成するPMOSトランジスタP2のドレインに点O2において接続されている。NMOSトランジスタN3のソースはビット線BLに接続され、ゲートは、ワード線WLに接続されている。
ワード線WLにNMOSトランジスタN4のゲートが接続されている。NMOSトランジスタN4のドレインは、データ記憶部DMを構成するPMOSトランジスタP1のドレインと点O1において接続され、ソースがビット線バーBLに接続されている。
データ記憶部DMは、通常のSRAMセルと同様の構成になっている。以下データ記憶部DMの構成について詳細に説明する。
PMOSトランジスタP1のソースは電源電圧Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタN1のドレインに接続されている。そして、NMOSトランジスタN1のソースは接地されている。PMOSトランジスタP1のゲートと、NMOSトランジスタN1のゲートは接続され、共にPMOSトランジスタP2のドレイン及びNMOSトランジスタN2のドレインに点A2おいて接続されている。
PMOSトランジスタP2のソースは電源電圧Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタN2のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN2のソースは接地されている。PMOSトランジスタP2のゲートは、NMOSトランジスタN2のゲートと接続され、共にPMOSトランジスタP1のドレイン及びNMOSトランジスタN1のドレインに接続されている。
データ比較部DCはNMOSトランジスタN5〜N8により構成されている。NMOSトランジスタN7のゲートが、データ記憶部DMを構成するNMOSトランジスタN2のゲートと点O3において接続されている。またデータ比較部DMを構成するNMOSトランジスタN5のゲートがデータ記憶部DMのNMOSトランジスタN1のゲートと点O4において接続されている。
NMOSトランジスタN7のドレインはマッチ線MLに接続され、ソースはNMOSトランジスタN8のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN8のソースは接地されている。またNMOSトランジスタN8のゲートはサーチ線SLに接続されている。
NMOSトランジスタN5のドレインはマッチ線MLに接続され、ソースはNMOSトランジスタN6のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN6のソースは接地されている。また、NMOSトランジスタN6のゲートはサーチ線バーSLに接続されている。
ここで、データ比較部DCのNMOSトランジスタN6,N8(図1において破線で囲んだトランジスタ)は、ボディ(チャネルより下のシリコン層)とゲートが短絡されている。そして、NMOSトランジスタN6のボディはNMOSトランジスタN5のボディに接続されている。また、NMOSトランジスタN8のボディは、NMOSトランジスタN7のボディに接続されている。サーチ線SL、バーSLとNMOSトランジスタN6、N7のボディがそれぞれ短絡されている。
SOIプロセスにおいて、ゲートとボディを短絡したトランジスタは、以下のように実現されている。SOIプロセスでは、トランジスタ間の分離技術として、完全分離するフルトレンチ分離と、部分的にシリコン層を残すパーシャルトレンチ分離の2種類の分離技術が存在する。
フルトレンチ分離を用いた場合、トランジスタのボディは、フローティングとなって外部から制御することができない。一方、パーシャルトレンチ分離を用いた場合はトランジスタ素子の近傍に設けた電位固定によってボディの電位を制御することができる。
そして、SRAMセルにおいて、NMOSトランジスタのゲートとボディを短絡した例が、文献「Impact of Actively Body-bias Controlled(ABC)SOI SRAM by using Direct Body Contact Technology for Low-Voltage Application:Y.Hirano, et al.,IEDM Technical Digest,pp.35-38,DEC.2003,(Fig.1)」に示されている。
次に以上のように構成されたCAMセルの検索動作について説明する。
データ記憶部DMの点A1がHレベル、点A2がLレベルの場合を論理「0」、点A1がLレベル、点A2がHレベルのときを論理「1」とする。
また、初期状態では、マッチ線MLはHレベルにプリチャージされている。そしてサーチ線SLに載せられたデータの論理と、データ記憶部DMに記憶されたデータの論理とがデータ比較部DCにおいて比較される。データが一致するときは、マッチ線MLはHレベルに保持され、「一致」が検出される。逆にデータが不一致のときにはマッチ線MLはLレベルに遷移し、「不一致」が検出される。
まずデータ記憶部DMが論理「0」のデータを記憶しているとする。この場合、点A1がHレベルであるので、点O3もHレベルとなり、データ比較部DCのNMOSトランジスタN7はオン状態となる。
また、点A2はLレベルなので、点O4もLレベルとなり、データ比較部DCのNMOSトランジスタN5がオフ状態となっている。ここで、サーチ線SLがLレベル(論理「0」のデータが載せられている。)のとき、サーチ線バーSLはHレベルとなっている。そのため、NMOSトランジスタN8はオフ状態、NMOSトランジスタN6はオン状態となる。
データ比較部DCのNMOSトランジスタN5、N8がオフ状態となっているので、マッチ線MLはHレベルのまま保持され、サーチ線SLに載せられたデータと、データ記憶部DMに記憶されたデータの一致が検出される。
一方、サーチ線SLがHレベル(論理「1」)のとき、サーチ線バーSLはLレベルとなっている。そのため、NMOSトランジスタN8はオン状態、NMOSトランジスタN6はオフ状態となる。
この場合、データ比較部DCのNMOSトランジスタN7、N8がオン状態となっているため、マッチ線MLは接地され、HレベルからLレベルに状態が遷移する。その結果、サーチ線SLに載せられたデータと、データ記憶部DMに記憶されたデータの不一致が検出されることになる。
データ記憶部DMが論理「1」のデータを保持している場合の動作は、論理「0」の場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
次に、データ比較部DCにゲートとボディが短絡されたトランジスタが用いられていることによる効果について説明する。
サーチ線SLがLレベルの場合は、NMOSトランジスタN8のゲート・ソース間の電位差が0Vである。また、NMOSトランジスタN8のボディとゲートが短絡されているので、ボディ・ソース間の電位差も0Vとなっている。そのため、ゲート・ボディ間を短絡しない通常のトランジスタのオフ状態と全く同じ状態となっている。
サーチ線SLがLレベルの場合は、NMOSトランジスタN8のゲート・ソース間の電位差が0Vである。また、NMOSトランジスタN8のボディとゲートが短絡されているので、ボディ・ソース間の電位差も0Vとなっている。そのため、ゲート・ボディ間を短絡しない通常のトランジスタのオフ状態と全く同じ状態となっている。
次に、サーチ線SLがHレベル(VSE)の電圧レベルまで上昇すると、ゲート・ソース間の電位差はVSEとなる。この電位差が閾値電圧より大きければNMOSトランジスタN8はオン状態となる。
このとき、NMOSトランジスタN8は、ボディ・ソース間の電位差もVSEとなっている。そのため、NMOSトランジスタN8は、いわゆるフォワード・バイアス状態となって、閾値電圧が下がった状態になっている。オン電流は、ゲート電圧と閾値電圧の差の二乗に比例するので、閾値電圧が下がった結果、ゲートとボディを短絡しない場合よりもNMOSトランジスタN8のオン電流を大きくとれることになる。
すなわち、ゲートとボディの短絡により、NMOSトランジスタN8の閾値がゲートの電位によって変化し、オン/オフ電流比の大きい優れたトランジスタ特性を得ることができる。
図2は、サーチ線SL、マッチ線MLの駆動電圧を低電圧化した場合の、サーチ線SLの電圧波形と、サーチ線SL、マッチ線MLの電圧波形を示す図である。ここで、ゲート・ボディ間を短絡しない通常のNMOSトランジスタを用いた場合のマッチ線MLの電圧波形を波形SMLと、ボディとゲートを短絡した場合のマッチ線MLの電圧波形を波形DMLとしている。
また、データ記憶部DMには論理「0」のデータが保持され、NMOSトランジスタN7はオン状態になっているものとする。
サーチ線SLがLレベルからHレベルに遷移すると、NMOSトランジスタN8がオフ状態からオン状態に遷移する。そしてHレベルにあるマッチ線MLを放電する。
図2の破線21に示すように、通常のNMOSトランジスタを用いた場合は、NMOSトランジスタN8のオン電流が小さいため、マッチ線MLを放電するのに時間が掛かり、マッチ線MLの波形SMLがなまってしまう。
一方、ボディとゲートを短絡すると、前述したようにオン電流を大きくすることができるので、マッチ線MLの放電を速く行うことができ、図2の破線22に示すように、なまりの少ない波形DMLを得ることができる。
CAMの低消費電力化を図る際、最も重要なのはサーチ線SLとマッチ線MLの低電圧化である。従来の連想記憶装置では、図2に示したように、低電圧化とともにマッチ線MLの放電の速度が遅くなるため、検索速度が低下してしまう。
本実施の形態では、ゲートとボディを短絡したトランジスタを用いているので、低電圧化しても高速な検索動作をすることができる。
<実施の形態2>
実施の形態2は、実施の形態1に係る発明を3値記憶が可能なメモリセルであるTernary CAM(TCAM)に応用したものである。図3は、本実施の形態に係るTCAMの構成を示す回路図である。TCAMは、データ記憶部DML、DMR、及びデータ比較部DCを備えている。
実施の形態2は、実施の形態1に係る発明を3値記憶が可能なメモリセルであるTernary CAM(TCAM)に応用したものである。図3は、本実施の形態に係るTCAMの構成を示す回路図である。TCAMは、データ記憶部DML、DMR、及びデータ比較部DCを備えている。
NMOSトランジスタN23のドレインが、点L1において、データ記憶部DMLを構成するPMOSトランジスタP22のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN23のソースは、ビット線バーBLLに接続されている。そしてNMOSトランジスタN23のゲートがワード線WLに接続されている。
ワード線WLには、さらにNMOSトランジスタN24のゲートが接続されている。NMOSトランジスタN24のドレインは、点L2において、データ記憶部DMLを構成するPMOSトランジスタP21のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN24のソースは、ビット線BLLに接続されている。
ワード線WLにNMOSトランジスタN33のゲートが接続され、ソースがビット線BLRに接続されている。NMOSトランジスタN33のドレインは、点R2おいて、データ記憶部DMRを構成するPMOSトランジスタP32のドレインと接続されている。
ワード線WLには、さらにNMOSトランジスタN34のゲートが接続されている。NMOSトランジスタN34のドレインは、点R1において、データ記憶部DMRを構成するPMOSトランジスタP31のドレインと接続されている。NMOSトランジスタN34のソースは、ビット線バーBLRに接続されている。
データ比較部DCのNMOSトランジスタN5のゲートは、点R3において、データ記憶部DMRを構成するNMOSトランジスタN32のドレインに接続されている。
NMOSトランジスタN5のドレインがマッチ線MLに接続され、ソースはNMOSトランジスタN6のドレインに接続されている。
NMOSトランジスタN6のソースは接地され、ゲートはサーチ線SLに接続されている。NMOSトランジスタN6のボディはゲートと短絡され、NMOSトランジスタN5のボディと接続されている。
データ比較部DCを構成するNMOSトランジスタN7のドレインがマッチ線MLに接続されている。NMOSトランジスタN7のソースは、NMOSトランジスタN8のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN7のゲートは、データ記憶部DMLを構成するNMOSトランジスタN21のドレインと点L3において接続されている。
NMOSトランジスタN8のソースは接地され、ゲートはサーチ線バーSLに接続されている。NMOSトランジスタN8のボディはゲートと短絡され、NMOSトランジスタN7のボディと接続されている。
データ記憶部DMLは、以下の構成を備えている。
PMOSトランジスタP21のソースが電源電圧Vddに接続され、ドレインがNMOSトランジスタN21のドレインに接続されている。そして、NMOSトランジスタN21のソースは接地されている。PMOSトランジスタP21のゲートと、NMOSトランジスタN21のゲートは接続され、共にPMOSトランジスタP22のドレイン及びNMOSトランジスタN22のドレインに点A22おいて接続されている。
PMOSトランジスタP21のソースが電源電圧Vddに接続され、ドレインがNMOSトランジスタN21のドレインに接続されている。そして、NMOSトランジスタN21のソースは接地されている。PMOSトランジスタP21のゲートと、NMOSトランジスタN21のゲートは接続され、共にPMOSトランジスタP22のドレイン及びNMOSトランジスタN22のドレインに点A22おいて接続されている。
PMOSトランジスタP22のソースは電源電圧Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタN22のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN22のソースは接地されている。PMOSトランジスタP22のゲートは、NMOSトランジスタN22のゲートと接続され、共にPMOSトランジスタP21のドレイン及びNMOSトランジスタN21のドレインに点A21において接続されている。
また、データ記憶部DMRは、以下の構成を備えている。
PMOSトランジスタP31のソースが電源電圧Vddに接続され、ドレインがNMOSトランジスタN31のドレインに接続されている。そして、NMOSトランジスタN31のソースは接地されている。PMOSトランジスタP31のゲートと、NMOSトランジスタN31のゲートは接続され、共にPMOSトランジスタP32のドレイン及びNMOSトランジスタN32のドレインに点A32おいて接続されている。
PMOSトランジスタP31のソースが電源電圧Vddに接続され、ドレインがNMOSトランジスタN31のドレインに接続されている。そして、NMOSトランジスタN31のソースは接地されている。PMOSトランジスタP31のゲートと、NMOSトランジスタN31のゲートは接続され、共にPMOSトランジスタP32のドレイン及びNMOSトランジスタN32のドレインに点A32おいて接続されている。
PMOSトランジスタP32のソースは電源電圧Vddに接続され、ドレインはNMOSトランジスタN32のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN32のソースは接地されている。PMOSトランジスタP32のゲートは、NMOSトランジスタN32のゲートと接続され、共にPMOSトランジスタP31のドレイン及びNMOSトランジスタN31のドレインに点A31において接続されている。
TCAMは3値状態を記憶できる。具体的には、データ記憶部DMLに論理「1」、データ記憶部DMRに論理「0」が記憶された論理「1」の状態、データ記憶部DMLに論理「0」、データ記憶部DMRに論理「1」が記憶された論理「0」の状態、及びデータ記憶部DMLに論理「0」、データ記憶部DMRに論理「0」が記憶された論理「ドントケア」の状態である。
ここで、データ記憶部DMLは、点L3の電位がHレベルのとき、論理「1」の状態、点L3の電位がLレベルのとき論理「0」の状態とする。また、データ記憶部DMRは、点R3の電位がHレベルのとき、論理「1」の状態、点L3の電位がLレベルのとき論理「0」の状態とする。
次にこのように構成されたTCAMの検索動作について説明する。実施の形態1と同様にマッチ線MLは、初期状態でHレベルにプリチャージされている。まず、TCAMが論理「1」を記憶しているとする。すなわち、データ記憶部DMLに論理「1」、データ記憶部DMRに論理「0」が記憶されているとする。このときデータ比較部DCのNMOSトランジスタN5はオフ状態、NMOSトランジスタN7はオン状態となっている。
サーチ線SLがHレベル(論理「1」)の場合、NMOSトランジスタN6はオン状態、NMOSトランジスタN8はオフ状態となる。NMOSトランジスタN5、N8がオフ状態となっているので、マッチ線MLを接地する経路は存在しない。そのため、マッチ線MLのHレベルのまま保持され、「一致」が検出される。
サーチ線SLがLレベル(論理「0」)の場合は、NMOSトランジスタN8がオン状態となり、マッチ線MLはNMOSトランジスタN7、N8を介して接地され、HレベルからLレベルへと遷移する。その結果、「不一致」が検出される。
TCAMが論理「0」を記憶している場合の検索動作は、論理「1」の場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
TCAMが論理「0」を記憶している場合の検索動作は、論理「1」の場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
TCAMが論理「ドントケア」を記憶しているときは、データ記憶部DML,DMRが共に論理「0」となっている。そのため、点L3,R3の電位はLレベルとなっているので、NMOSトランジスタN5,N7はオフ状態となっている。その結果、サーチ線SL,バーSLの状態によらず、常にマッチ線MLを接地する経路は存在せず、マッチ線MLはHレベルに保持されることになる。そして、常に「一致」状態を検出することになる。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様にデータ比較部DCにゲートとボディを短絡したトランジスタを使用している。その結果、トランジスタのオン電流を大きくすることができるので、サーチ線SL、バーSLの駆動電圧を低くしても、マッチ線MLの放電を速く行うことができる。そのため、なまりの少ないマッチ線MLの電圧波形を得ることができ、高速な検索動作をすることができる。
<実施の形態3>
図4は、本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16を示す回路図である。サーチ線ドライバ16は、サーチ線SL、バーSLを駆動するための駆動回路であり、インバータINV1及びインバータINV2より構成されている。
図4は、本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16を示す回路図である。サーチ線ドライバ16は、サーチ線SL、バーSLを駆動するための駆動回路であり、インバータINV1及びインバータINV2より構成されている。
インバータINV1の入力端子I41には、サーチ線SLを駆動するためのサーチデータSDが入力され、出力端子O41はインバータINV2の入力端子I42に接続されている。インバータINV2の出力端子O42はサーチ線SLに接続されている。
次にインバータINV1の構成について説明する。電源電圧VddにPMOSトランジスタP41のソースが接続されている。PMOSトランジスタP41のドレインは、出力端子O41においてNMOSトランジスタN41のドレインに接続されている。そしてNMOSトランジスタN41のソースは接地されている。PMOSトランジスタP41及びNMOSトランジスタN41のゲートは、入力端子I41に接続され、サーチデータSDが入力されている。
次にインバータINV2の構成について説明する。電源電圧VSEにPMOSトランジスタP42のソースが接続されている。PMOSトランジスタP42のドレインは、出力端子O42においてNMOSトランジスタN42のドレインと接続されている。NMOSトランジスタN42のソースは接地されている。
PMOSトランジスタP42及びNMOSトランジスタN42のゲートは入力端子I42において接続され、入力端子I42は、インバータINV1の出力端子O41と接続されている。また、PMOSトランジスタP42のゲートとボディは短絡され、NMOSトランジスタN42のゲートとボディも短絡されている。
ここで、電源電圧VSEは電源電圧Vddよりも低い電圧である。
ここで、電源電圧VSEは電源電圧Vddよりも低い電圧である。
サーチデータSDがLレベルからHレベルに遷移すると、PMOSトランジスタP41は、オン状態からオフ状態に遷移する。そして、NMOSトランジスタN41はオフ状態からオン状態に遷移する。その結果、出力端子O41の電位はHレベル(電源電圧Vdd)からLレベル(接地電位)に遷移する。
出力端子O41の電位がHレベルからLレベルに遷移すると、インバータINV2を構成するPMOSトランジスタP42は、オフ状態からオン状態に遷移する。また、NMOSトランジスタN42は、オン状態からオフ状態に遷移する。その結果、出力端子O42の電位は、Lレベル(接地電位)からHレベル(電源電圧VSE)まで上昇する。そして、サーチ線SLの電位は電源電圧VSEまで上昇する。
サーチデータSDがHレベルからLレベルに遷移する場合は、LレベルからHレベルに遷移する場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
以上説明したように、サーチ線ドライバは、LレベルからHレベルに遷移する信号が入力されると、サーチ線SLを電源電圧VSEまで駆動する。
サーチデータSDがHレベルからLレベルに遷移する場合は、LレベルからHレベルに遷移する場合と同様であるので詳細な説明は省略する。
以上説明したように、サーチ線ドライバは、LレベルからHレベルに遷移する信号が入力されると、サーチ線SLを電源電圧VSEまで駆動する。
図4に示すように、本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16は、前段にはゲート・ボディ間を短絡しない通常のMOSトランジスタにより構成されたインバータINV1を用いている。また、サーチ線SLを駆動する最終段には、ゲートとボディを短絡したMOSトランジスタにより構成されたインバータINV2を用いている。
サーチデータSDは、後段のインバータINV2に用いられる電源電圧VSEよりも高い電圧レベルにある。ゲートとボディを短絡したNMOSトランジスタは、ゲート電位が高くなると、ゲートからボディへ、さらにボディからソースへと電流が流れる可能性がある。ゲートとボディを短絡したPMOSトランジスタも同様に、ゲート→ボディ→ドレインの経路で電流が流れる可能性がある。
特に、ボディ・ソース間はPN接合となっている。そのため、例えばゲートとボディを短絡されたNMOSトランジスタの場合、ゲートに正の電圧が印加されると、ゲートとボディは短絡されているので、ボディ(P型)・ソース(N型)間に順方向電圧が印加されることになる。その結果、ボディ・ソース間にビルトインポテンシャル以上の電圧が印加されると、ボディからソースへ大きな電流が流れることになる。
特に、ボディ・ソース間はPN接合となっている。そのため、例えばゲートとボディを短絡されたNMOSトランジスタの場合、ゲートに正の電圧が印加されると、ゲートとボディは短絡されているので、ボディ(P型)・ソース(N型)間に順方向電圧が印加されることになる。その結果、ボディ・ソース間にビルトインポテンシャル以上の電圧が印加されると、ボディからソースへ大きな電流が流れることになる。
本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16は、一旦、ゲート・ボディ間を短絡しない通常のMOSトランジスタを用いたインバータINV1でサーチデータSDの入力を受けて、電圧Vddの信号に変換しているので、ボディからソースへ電流が流れる心配が無くなる。
CAMの低電力化のためには、サーチ線SLを低電圧化することが重要である。しかし、単純に低電圧化するとサーチデータSDをサーチ線SLにのせて駆動するサーチ線ドライバ16の駆動能力が低下する。
例えば、図5の電圧波形SSLの破線51に示すように、サーチ線SLの波形がなまってしまい、高速検索が難しくなる。
ここで図5は、サーチデータSDの電圧波形と、サーチ線SLの電圧波形を示している。波形SSLは、単純に駆動電圧を下げたサーチ線ドライバ16により駆動されたサーチ線SLの電圧波形を示している。また、波形DSLは、本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16により駆動されたサーチ線SLの波形を示している。
ここで図5は、サーチデータSDの電圧波形と、サーチ線SLの電圧波形を示している。波形SSLは、単純に駆動電圧を下げたサーチ線ドライバ16により駆動されたサーチ線SLの電圧波形を示している。また、波形DSLは、本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16により駆動されたサーチ線SLの波形を示している。
サーチ線ドライバ16に、ゲート・ボディ間を短絡したMOSトランジスタを用いると、駆動電圧が低くなっても、オン電流が大きくなるためサーチ線を速く充電することができ、なまりの少ない電圧波形を得ることができる。しかし、前述したように、ゲートからボディへ電流(リーク電流)が流れる可能性がある。
本実施の形態に係るサーチ線ドライバ16は、初段のインバータINV1でサーチデータを受けているのでリーク電流が流れる問題はない。またサーチ線SLを駆動するインバータINV2には、ゲート・ボディ間を短絡したトランジスタを用いているため電圧波形のなまりの問題もない。そのため、本実施の形態に係るサーチ線ドライバを用いると、サーチ線SLの駆動速度を低減することなく駆動電圧を低下することができ、低電圧、かつ高速な連想記憶装置を実現することができる。
<実施の形態4>
図6は、本実施の形態に係る連想記憶装置の全体図を示す図である。
アドレス/コマンドバッファ11の出力が周辺制御回路12に入力されている。周辺制御回路12の出力は、ロウデコーダ13、センスアンプ14、ライトドライバ15、及びサーチ線ドライバ16に入力されている。サーチ線ドライバ16及びライトドライバ15には、データバッファ17の出力が接続されている。またセンスアンプ14は、出力バッファ18に接続されている。
図6は、本実施の形態に係る連想記憶装置の全体図を示す図である。
アドレス/コマンドバッファ11の出力が周辺制御回路12に入力されている。周辺制御回路12の出力は、ロウデコーダ13、センスアンプ14、ライトドライバ15、及びサーチ線ドライバ16に入力されている。サーチ線ドライバ16及びライトドライバ15には、データバッファ17の出力が接続されている。またセンスアンプ14は、出力バッファ18に接続されている。
サーチ線ドライバ16には、複数(図の例ではn本)のサーチ線SL(SL0〜SLn−1)が接続されている。夫々のサーチ線SLは、CAMアレイ19を構成するメモリセル(図示せず)に接続されている。
また、センスアンプ14及びライトドライバ15には、複数(図の例ではn本)のビット線BL(BL0〜BLn−1)が接続されている。夫々のビット線BLは、CAMアレイ19を構成する複数のメモリセルに接続されている。
ロウデコーダ13には、複数(図の例ではm本)のワード線WLが接続され、夫々のワード線WLはメモリセルに接続されている。
また、複数本のマッチ線ML(ML0〜MLm−1)は、夫々メモリセルに接続され、マッチ線アンプ20に接続されている。マッチ線アンプ20は、プライオリティエンコーダ21に接続され、プライオリティエンコーダ21の出力は、出力バッファ22に接続されている。
アドレス/コマンドバッファ11は、チップ外部から入力されたアドレス/コマンドデータを周辺制御回路12まで伝達させる。そして周辺制御回路12はアドレス/コマンドバッファ11から送られたアドレス、チップの動作を決めるコマンドをもとに、ロウデコーダ13、センスアンプ14、ライトドライバ15、及びサーチ線ドライバ16に与える制御信号を生成する。例えば、周辺制御回路12は、検索動作命令が入力されると、サーチ線ドライバ16を活性化するための信号を発生する。
次にCAMを構成する各部の動作電圧について説明する。
アドレス/コマンドバッファ11、データバッファ17、及び出力バッファ18,22はチップ内の最も高い電圧レベル(VIO:例えば2.5V)で動作する。周辺回路部分及びCAMセルアレイ(記憶部)は中間的な電圧レベルで動作する(VCORE:例えば1.2V)。
アドレス/コマンドバッファ11、データバッファ17、及び出力バッファ18,22はチップ内の最も高い電圧レベル(VIO:例えば2.5V)で動作する。周辺回路部分及びCAMセルアレイ(記憶部)は中間的な電圧レベルで動作する(VCORE:例えば1.2V)。
サーチ線ドライバ16は、サーチ線SLの低電圧化のために最も低い電圧レベル(VSE:例えば0.5V)で動作する。マッチ線アンプ20は、電圧VSEで動作する領域と、電圧VSEから電圧VCOREに電圧レベルが変換されて動作する領域とからなる、2種類の電圧レベルの領域が存在する。
ここで、図6において、破線VHで囲まれた領域は、最も高い電圧レベルVIOで動作し、破線VLで囲まれた領域は、最も低い電圧レベルVSEで動作する領域を表している。また、破線で囲まれていない領域は、中間的な電圧レベルで動作することを表している。
サーチ線ドライバ16の具体的な構成については、実施の形態3において既に説明しているので、詳細な説明は省略する。以下、マッチ線アンプ20の構成について詳細に説明する。
図7は、本実施の形態に係るマッチ線アンプ20の構成を示す回路図である。電源電圧VSEにPMOSトランジスタP71のソースが接続され、ドレインはマッチ線MLに接続されている。PMOSトランジスタP71のゲートには、マッチ線MLを充電するためのプリチャージ信号バーMLPRCが入力されている。
図7は、本実施の形態に係るマッチ線アンプ20の構成を示す回路図である。電源電圧VSEにPMOSトランジスタP71のソースが接続され、ドレインはマッチ線MLに接続されている。PMOSトランジスタP71のゲートには、マッチ線MLを充電するためのプリチャージ信号バーMLPRCが入力されている。
マッチ線MLは、インバータINV71の入力端子I71に接続されている。そして、インバータINV71の出力端子O71は、インバータINV72の入力端子I72に接続されている。
インバータINV72の出力端子O72は、NMOSトランジスタN73のゲートに接続されている。NMOSトランジスタN73のソースは接地され、ドレインはPMOSトランジスタP74のドレインに点A72において接続されている。
PMOSトランジスタP74のソースは、電源電圧VCOREに接続され、ゲートはNMOSトランジスタN74のソース、及びPMOSトランジスタP75のドレインに点A73において接続されている。
PMOSトランジスタP75のソースは電源電圧VCOREに接続され、ゲートはNMOSトランジスタのドレイン及びPMOSトランジスタP74のドレインに点A72において接続されている。
NMOSトランジスタN74のソースは接地され、ゲートはインバータINV71の出力端子O71及びインバータINV72の入力端子I72に点A71において接続されている。
次にインバータINV1及びインバータINV2の構成について説明する。
インバータINV1は、PMOSトランジスタP71及びNMOSトランジスタN71により構成されている。PMOSトランジスタP71のソースは電源電圧VSEに接続され、ドレインは出力端子O71においてNMOSトランジスタN71のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN71のソースは接地されている。PMOSトランジスタP71及びNMOSトランジスタN71のゲートは入力端子I71において接続されている。
インバータINV1は、PMOSトランジスタP71及びNMOSトランジスタN71により構成されている。PMOSトランジスタP71のソースは電源電圧VSEに接続され、ドレインは出力端子O71においてNMOSトランジスタN71のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN71のソースは接地されている。PMOSトランジスタP71及びNMOSトランジスタN71のゲートは入力端子I71において接続されている。
インバータINV2は、PMOSトランジスタP72及びNMOSトランジスタN72により構成されている。PMOSトランジスタP72のソースは電源電圧VSEに接続され、ドレインは出力端子O72においてNMOSトランジスタN72のドレインに接続されている。NMOSトランジスタN72のソースは接地されている。PMOSトランジスタP72及びNMOSトランジスタN72のゲートは入力端子I72において接続されている。
次に以上のように構成されたマッチ線アンプ20の動作について説明する。マッチ線アンプ20は、マッチ線MLからの信号を増幅、若しくはマッチ線MLを充電するように動作する。
CAMの検索動作に先立って、プリチャージ信号バーMLPRCがLレベルとなると、PMOSトランジスタP70がオン状態に遷移し、マッチ線MLをVSEまで充電する。
検索動作が行われると、マッチ線MLの信号レベルを検知して、出力端子O73から電源電圧VCOREで与えられる信号にレベル変換して出力する。
すなわち、Hレベルが電源電圧VSEで、Lレベルが0Vで与えられるマッチ線MLの信号を、Hレベルが電源電圧VCOREで、Lレベルが0Vで与えられる信号にレベル変換して出力する。
以下、マッチ線アンプ20の動作について、より詳細に説明する。
マッチ線MLがHレベルの場合、インバータINV71はLレベルの信号を、インバータINV72及びNMOSトランジスタN74のゲートに出力する。NMOSトランジスタN74は、Lレベルの信号を受けオフ状態となる。
マッチ線MLがHレベルの場合、インバータINV71はLレベルの信号を、インバータINV72及びNMOSトランジスタN74のゲートに出力する。NMOSトランジスタN74は、Lレベルの信号を受けオフ状態となる。
また、インバータINV72は、インバータINV71の出力を受け、反転してHレベルの信号をNMOSトランジスタN73のゲートに出力する。NMOSトランジスタN73がオン状態に遷移し、点A72は接地電位となる。PMOSトランジスタP74のゲートは点A72に接続されているので、PMOSトランジスタP74はオン状態に遷移し、点A73の電位が電源電圧VCOREまで上昇する。その結果、出力O73はHレベル(VCORE)の信号が出力されることになる。
マッチ線MLがLレベルに遷移すると、インバータINV71はHレベルの信号をインバータINV72及び、NMOSトランジスタN74のゲートに出力する。NMOSトランジスタN74は、Hレベルの信号を受けオン状態となる。その結果、点A73はLレベルとなり、出力端子O73はLレベルの信号を出力する。
以上まとめると、マッチ線MLが電源電圧VSEで与えられるHレベルである場合、マッチ線アンプは電源電圧VCOREで与えられるHレベルの信号を出力する。
また、マッチ線MLがLレベル(0V)の場合、マッチ線アンプはLレベル(0V)の信号を出力する。
図1のCAMセル、及び図2に示したTCAMセルの何れもデータ記憶部DM,DML,DMR(SRAMセル)とデータ比較部DCから構成されている。
CAMの低電力化のために、サーチ線SL及びマッチ線MLを低電圧化して動作させる。この際、データ記憶部DMは低電圧化しても、検索時のCAMの消費電力には殆ど影響しない。CAMやTCAMの動作のうち、大部分は検索動作に用いられており、書き込み・読み出し、といった動作はあまり行わないためである。
そのため、高速検索動作のためには、データ記憶部DMは低電圧化せずに動作させるのが望ましい。
例えば、図1に示したメモリセルの場合、データ記憶部DMを低電圧化しないと、NMOSトランジスタN5,N7のゲート電位は十分高く保たれる。
NMOSトランジスタN5,N7のゲート電位を十分高く保つことで、NMOSトランジスタN5,N7のオン電流は大きくなり、マッチ線MLを速く放電することが可能になる。その結果、データ記憶部DMも低電圧化する場合に比べて検索速度を速くすることができる。
本実施の形態は、データ記憶部DMは低電圧化せず、サーチ線ドライバ16及びマッチ線アンプ20の動作電圧の低電圧化を図ることで、検索速度を落とさずCAMチップ全体の低電圧化を行うことができる。
なお、現在実用化されている従来の連想記憶装置は、電圧VIO、VCOREの2つの異なる電圧レベルの電源を外部から用意している。しかし、本実施の形態では、3つの異なる電圧レベルの電源を外部から用意する必要がある。この場合、図8に示すように、比較的消費電力の小さい電源電圧VCOREを電源電圧VIOから降圧回路81によりチップ内部で降圧して作ることも可能である。このようにすると、電源電圧VCOREを外部から供給する必要は無くなり、2電源の構成でも動作させることができる。
DM,DML,DMR データ記憶部、DC データ比較部、INV1,INV2,INV71,INV72 インバータ、SL,バーSL サーチ線、ML マッチ線、BL,バーBL,BLL,バーBLL,BLR,バーBLR ビット線、WL ワード線。
Claims (4)
- 複数のメモリセルと、
前記メモリセルに接続されたマッチ線と、
前記メモリセルに接続されたサーチ線と、
を備えるSOI基板上に形成された連想記憶装置であって、
前記メモリセルは、
データ記憶部と、
前記データ記憶部に記憶されたデータと、サーチ線上に与えられたサーチデータを比較するデータ比較部と、
を備え、
前記データ比較部は、ゲートがサーチ線に接続され、導通することにより前記マッチ線を放電するトランジスタを有し、
前記トランジスタは、ゲートとボディとが短絡されていることを特徴とする連想記憶装置。 - 前記メモリセルは、第2データ記憶部をさらに備え、
前記データ記憶部との組み合わせにより、3つの異なる状態が記憶可能であることを特徴とする請求項1に記載の連想記憶装置。 - サーチデータに応答して前記サーチ線を駆動するサーチ線ドライバをさらに備え、
前記サーチ線ドライバは、前記サーチデータが入力される第1インバータと、
前記第1インバータの出力が入力される第2インバータと、を有し、
前記第2インバータは、前記第1インバータを駆動する電源電圧より低い低電源電圧により駆動され、ゲートとボディが短絡されたトランジスタを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の連想記憶装置。 - 前記マッチ線及び前記サーチ線を前記低電源電圧で駆動し、
前記マッチ線に接続され、前記マッチ線の電位レベルを増幅して出力するマッチ線アンプをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の連想記憶装置。
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