JP2006058676A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006058676A5
JP2006058676A5 JP2004241368A JP2004241368A JP2006058676A5 JP 2006058676 A5 JP2006058676 A5 JP 2006058676A5 JP 2004241368 A JP2004241368 A JP 2004241368A JP 2004241368 A JP2004241368 A JP 2004241368A JP 2006058676 A5 JP2006058676 A5 JP 2006058676A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode layer
forming
semiconductor layer
gate insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004241368A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006058676A (ja
JP4906029B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2004241368A priority Critical patent/JP4906029B2/ja
Priority claimed from JP2004241368A external-priority patent/JP4906029B2/ja
Publication of JP2006058676A publication Critical patent/JP2006058676A/ja
Publication of JP2006058676A5 publication Critical patent/JP2006058676A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4906029B2 publication Critical patent/JP4906029B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2004241368A 2004-08-20 2004-08-20 表示装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4906029B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004241368A JP4906029B2 (ja) 2004-08-20 2004-08-20 表示装置の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004241368A JP4906029B2 (ja) 2004-08-20 2004-08-20 表示装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006058676A JP2006058676A (ja) 2006-03-02
JP2006058676A5 true JP2006058676A5 (enExample) 2007-09-27
JP4906029B2 JP4906029B2 (ja) 2012-03-28

Family

ID=36106175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004241368A Expired - Fee Related JP4906029B2 (ja) 2004-08-20 2004-08-20 表示装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4906029B2 (enExample)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8173519B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5135699B2 (ja) * 2006-03-28 2013-02-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法
JP2007287732A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置
KR101293566B1 (ko) 2007-01-11 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5213421B2 (ja) 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体薄膜トランジスタ
KR101406889B1 (ko) 2007-12-24 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법
JP6258569B2 (ja) * 2008-08-04 2018-01-10 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料
KR101623224B1 (ko) 2008-09-12 2016-05-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US8461582B2 (en) * 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100224878A1 (en) 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101074809B1 (ko) * 2009-12-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101929190B1 (ko) 2010-03-05 2018-12-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5770236B2 (ja) * 2013-09-18 2015-08-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2018181522A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器及びその製造方法
JP6715312B2 (ja) * 2018-12-04 2020-07-01 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6159389A (ja) * 1984-08-30 1986-03-26 株式会社東芝 アクテイブマトリツクス型表示装置用表示電極アレイの製造方法
JPH0654782B2 (ja) * 1985-02-08 1994-07-20 セイコー電子工業株式会社 薄膜トランジスタ装置の製造方法
JPS61183622A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ装置とその製造方法
JPH0745836A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Rohm Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製法
JP2003203926A (ja) * 2001-10-30 2003-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP4126996B2 (ja) * 2002-03-13 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法及びデバイス製造装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006058676A5 (enExample)
US8373237B2 (en) Transistor and method of manufacturing the same
JP2009267219A5 (enExample)
JP2004158593A5 (enExample)
JPH11191628A5 (enExample)
JP2003017500A5 (ja) 半導体装置及びその作製方法及びそれらを具備する電子機器
JP2003229575A5 (enExample)
KR20160017327A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
JP2007531268A5 (enExample)
KR970052544A (ko) 반도체 소자의 폴리레지스터 구조 및 그 제조방법
JP2008522443A5 (enExample)
JP2008311633A5 (enExample)
JP2015025955A5 (enExample)
JP2000223715A5 (enExample)
US7387920B2 (en) Method of manufacturing thin film transistor array panel
JP2006108169A5 (enExample)
JP2006100807A5 (enExample)
JP2006013136A5 (enExample)
JPH11224946A5 (enExample)
JP2005123360A5 (enExample)
JP2000208777A5 (ja) 半導体装置およびその作製方法並びに電子機器
JP2004327979A (ja) 薄膜トランジスター及びこれを利用した表示装置
JP2006013481A5 (enExample)
JP2005294814A5 (enExample)
CN113871483B (zh) 薄膜晶体管、显示基板及显示装置